DIODOS

SEMICONDUCTORES

INTRODUCCION
Una de las cosas notables de este campo es lo poco
que cambian los principios fundamentales con el
tiempo.
Los dispositivos que sern analizados en este curso
han estado en uso durante algn tiempo.
Los cambios ms importantes se han presentado en
la comprensin de cmo funcionan estos dispositivos
y de su amplia gama de aplicaciones.
Los textos sobre el tema escritos hace una dcada
siguen siendo buenas referencias cuyo contenido no
ha cambiado mucho.

Actualmente los sistemas son increblemente ms

pequeos.
La miniaturizacin que ha ocurrido en aos recientes
hace que sistemas completos ahora aparezcan en
obleas miles de veces ms pequeas. Por ejemplo el
procesador cudruple Intel Core 2 Extreme cuenta con
410 millones de transistores en cada chip de doble
ncleo.
Las velocidades
extraordinarias.

de

operacin

Cada da aparecen nuevos artefactos.

actuales

son

La miniaturizacin futura parece estar limitada por

tres factores: la calidad del material semiconductor, la
tcnica de diseo y los lmites del equipo de
fabricacin.
SEMICONDUCTORES
Para entender como funcionan los diodos,
transistores y circuitos integrados es necesario
estudiar
los
materiales
semiconductores:
componentes que no se comportan ni como
conductores ni como aislantes.

MATERIALES SEMICONDUCTORES:
Ge, Si Y GaAs
La construccin de cualquier elemento electrnico
(diodos, transistores, etc. ) de estado slido o circuito
integrado, se inicia con un material semiconductor de
la ms alta calidad.
Los semiconductores son una clase especial de
elementos cuya conductividad se encuentra entre la
de un buen conductor y la de un aislante.
Los materiales semiconductores pueden ser de dos
clases: de un solo cristal (Ge, Si) y compuesto
(GaAs: Arseniuro de Galio).
y compuesto

Los diodos y transistores construidos en base de Ge

eran sensibles a los cambios de la temperatura.
En 1954 se present el primer transistor de Si y se
aplic rpidamente, pues no slo es menos sensible
a la temperatura, sino que es uno de los materiales
ms abundantes en la Tierra.
Pero el campo de la electrnica requera de
dispositivos ms veloces.
Se desarroll del primer transistor de GaAs que
operaba a velocidades hasta de cinco veces al del
Si.

En la actualidad se utiliza de manera consistente

como material base para nuevos diseos de circuitos
integrados a gran escala (VLSI, por sus siglas en
ingls) de alta velocidad.
Se siguen fabricando dispositivos de Ge, aunque
para un nmero limitado de aplicaciones, el Si tiene
el beneficio de aos de desarrollo y es el material
semiconductor lder para componentes electrnicos y
circuitos integrados.

ENLACE
COVALENTE
INTRNSECOS

MATERIALES

Todo tomo se compone de tres partculas bsicas:

electrn, protn y neutrn. Los neutrones y los protones
forman el ncleo; los electrones aparecen en rbitas
fijas alrededor de ste. El modelo de Bohr de cuatro
materiales se muestra en la figura siguiente:
Capa de valencia
(Cuatro electrones de valencia)

Electrn
de valencia

Ncleo

Cinco electrones
de valencia

Tres electrones
de valencia

El Si tiene 14 electrones en rbitas, el Ge 32, el Ga 31 y

el As 33.
En el Ge y el Si hay 4 electrones de valencia. El Ga tiene
3 electrones de valencia y el As 5.
Los tomos que tienen cuatro electrones de valencia se
llaman tetravalentes, los de tres se llaman trivalentes y
los de cinco se llaman pentavalentes.
El trmino valencia se utiliza para indicar que el potencial
(potencial de ionizacin) requerido para remover
cualquiera de estos electrones de la estructura atmica
es significativamente ms bajo que el requerido para
cualquier otro electrn en la estructura.

Cuando los tomos de un material semiconductor se

combinan para formar un slido, lo hacen en una estructura
ordenada llamada cristal. En un cristal de Si o Ge puros, los
cuatro electrones de valencia de un tomo forman un
arreglo de enlace con cuatro tomos adyacentes de tal
manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia.

Los electrones de valencia dejan de pertenecer a un

solo tomo y estn siendo atrados por los ncleos de
los tomos vecinos lo cual los mantiene unidos.
Este enlace de tomos, reforzado por compartir
electrones, se llama enlace covalente.
En un cristal, por ejemplo de Si, hay miles de millones
de tomos, cada uno con 8 electrones de valencia.
Estos electrones de valencia son los enlaces
covalentes que mantienen unido el cristal, dndole
solidez.

Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro;

en esencia, lo ms puro posible que se pueda fabricar
utilizando tecnologa actual.
Los electrones libres presentes en un material intrnseco
debido a slo causas externas se conocen como
portadores intrnsecos. El nmero de estos es importante
para sus aplicaciones, aunque tambin la movilidad
relativa (n) de los portadores libres, es decir, la
capacidad de los electrones libres de moverse por todo
el material. Esta caracterstica en el GaAs es ms de
cinco veces la de los portadores libres en el Si; un factor
que produce velocidades de respuesta con dispositivos
electrnicos de GaAs que puede ser hasta cinco veces
las de los mismos dispositivos hechos de Si.

MATERIALES TIPO n Y TIPO p

El anlisis se realizar para semiconductores Si.
Las caractersticas de un material semiconductor puro se
pueden modificar de manera significativa con la adicin
de tomos de impureza especficos. Estas impurezas,
que son de 1 parte en 10 millones, pueden cambiar del
todo las propiedades elctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al
proceso de dopado se conoce como material extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de importancia en la
fabricacin de dispositivos semiconductores: materiales
tipo n y tipo p.

Material tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza
que contienen cinco electrones de valencia (pentavalentes), como
el antimonio, arsnico y fsforo a un cristal de Si o Ge puros.

Se observa que los cuatros enlaces covalentes

permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrn
adicional debido al tomo de impureza, el cual no est
asociado con cualquier enlace covalente particular.
Este electrn restante, enlazado de manera poco firme
a su tomo padre (antimonio), est en cierto modo libre
para moverse dentro del material tipo n recin formado,
puesto que el tomo de impureza insertado ha donado
un electrn relativamente libre a la estructura.
Las impurezas difundidas con cinco electrones de
valencia se conocen como tomos donadores.

Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio
o silicio puro con tomos de impureza que tienen tres
electrones de valencia (boro, galio e indio).

Se observa que ahora el nmero de electrones es

insuficiente para completar las bandas covalentes de la
estructura recin formada. El vaco resultante se llama
hueco y se denota con un pequeo crculo o un signo
ms. Por lo tanto, el vaco resultante aceptar con
facilidad un electrn libre: las impurezas difundidas con
tres electrones de valencia se llaman tomos aceptores.

El efecto del hueco en la conduccin se muestra en la

figura. Si un electrn de valencia adquiere suficiente
energa cintica para romper su enlace covalente y llenar
el vaco creado por un hueco, entonces se crear un vaco
o hueco en la banda covalente que cedi el electrn.
Existe, por consiguiente, una transferencia de huecos
hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha.

Portadores mayoritarios y minoritarios

En el estado intrnseco, el nmero de electrones libres en Ge
o Si se debe slo a los electrones en la banda de valencia
que adquirieron suficiente energa de fuentes trmicas o
luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas
que no pudieron ser eliminadas. Los vacos que quedan en
la estructura de enlace covalente representan una fuente
muy limitada de huecos. En un material tipo n, el nmero de
huecos no cambia significativamente con respecto a este
nivel intrnseco. El resultado neto, por consiguiente, es que
el nmero de electrones sobrepasa por mucho al de huecos.
Por eso: en un material tipo n el electrn se llama portador
mayoritario y el hueco portador minoritario.

En el material tipo p el nmero de huecos excede por

mucho al de electrones. Por consiguiente: en un
material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el
electrn el minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador
abandona el tomo padre, el tomo que queda adquiere
una carga positiva neta: de ah el signo ms en la
representacin de ion donador. Por las mismas razones,
el signo menos aparece en el ion aceptor.
Los materiales tipo n y p representan los bloques de
construccin
bsicos
de
los
dispositivos
semiconductores.

Proceso de dopaje de un cristal de silicio

Primero se funde un cristal puro de Si para romper los enlaces
covalentes y pasar de slido a lquido. Luego se aaden tomos
pentavalentes al Si fundido.

Cristal de silicio luego de enfriarse y formar de nuevo el cristal

slido

Como nicamente pueden situarse 8 electrones en la

rbita de valencia, el electrn adicional queda en una
rbita mayor. Por lo tanto se trata de un electrn libre.
Cada tomo pentavalente en un cristal de Si, produce
un electrn libre. Un fabricante controla as la
conductividad de un semiconductor dopado.
Cuanto mayor impurezas se aadan mayor ser la
conductividad.
Un semiconductor dopado ligeramente tendr una
resistencia alta y uno fuertemente dopado tendr una
resistencia pequea.