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1.
FSICA
S E M I C O N D U C TOR E S
DE
LOS
Historia:
1782: Alexander Volta introdujo el nombre de semiconductores para denominar una
categora de materiales de resistividad intermedia entre los conductores y los aislantes
1873: Willoughby Smith descubre que el selenio aumenta su conductividad al ser
iluminado
1906: Greenleaf Pickart descubre que el silicio, la galena i otros cristales se pueden
usar como detectores de ondas de radio presionando sobre ellos un hilo metlico
El galio 31 y
el arsnico
33
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda
prohibida
Eg > 5 eV
Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41
eV
Banda de conduccin
Banda de valencia
Banda de valencia
Banda de valencia
Aislante
Semiconducto
r
Conductor
el
nmero
de
electrones
es
insuficiente para completar las
bandas covalentes de la estructura
recin formada.
el vaco resultante se llama hueco y
se denota con un pequeo crculo o
un signo ms, para indicar la
ausencia de una carga positiva. Por
lo tanto, el vaco resultante aceptar
con facilidad un electrn libre:
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se
llaman tomos aceptores.
LA UNIN P - N
En el material semiconductor la conductividad est controlada por la
concentracin de impurezas. Al unir un material tipo p con uno tipo n se
forma una unin en la que se crea una regin denominada de
agotamiento.
Esta regin se forma debido a que
huecos y electrones se combinan dando
como resultado una falta de portadores
mayoritarios en la regin cercana a la
unin.
El elemento as formado se denomina
DIODO SEMICONDUCTOR
Cuando este dispositivo se conecta a un circuito externo se puede hacer
variar la diferencia de potencial en la regin de agotamiento
Sin Polarizacin
Polarizacin Inversa
Polarizacin Directa
POLARIZACIN INVERSA
Al conectar una fuente externa de voltaje
el nmero de iones positivos aumenta
en la regin tipo n y el de iones
negativos en la regin tipo p. El
resultado es un ensanchamiento de la
zona de agotamiento.
Este fenmeno hace que sea ms difcil el flujo de portadores de uno a
otro tipo de material, y por lo tanto establecer un flujo de corriente es ms
difcil, pero el nmero de portadores minoritarios no cambia hacia la
regin de agotamiento.
A esta corriente que existe bajo las condiciones de
polarizacin inversa se le denomina corriente de
saturacin inversa .
tiene valores de los micro y nanoamperios y alcanza
su mximo nivel rpidamente pero no cambia
significativamente con el incremento del voltaje.
POLARIZACIN DIRECTA
La condicin de polarizacin en directa o
encendido se establece aplicando el
potencial positivo al material tipo p y el
potencial negativo al tipo n
CARACTERSTICAS V - I
La caracterstica del diodo se puede definir mediante las
ecuacines:
Analizando la grfica se
puede
observar
la
caracterstica exponencial
creciente que tiene la
corriente y su tendencia
lineal a cumplir la ley de
Ohm.
Para
el
valor
comercial la curva se
encuentra desplazada unas
dcimas a la derecha esto
debido principalmente a la
resistencia
interna
del
dispositivo y la resistencia
externa del contacto.
VD 0,7V Si
VD 0,3V Ge
EFECTOS DE LA TEMPERATURA
Las caractersticas del diodo tambin dependen de la temperatura.
La corriente de saturacin
inversa Is ser casi igual al doble
en magnitud por cada 10C de
incremento en la temperatura.
El silicio puede utilizarse para aplicaciones
en las cuales la temperatura puede aumentar a
cerca de 200 grados C. Mientras que el
germanio tiene un valor mximo mucho
menor (100 grados C.)
RESISTENCIA EN DC O ESTTICA
La resistencia en DC o esttica de un diodo se puede calcular de la curva
caracterstica para un determinado punto de operacin.
RD
VD
ID
RESISTENCIA EN AC O DINMICA
MTODO GRFICO
rd
VD
I D
rdV
Vd
I d
Mtodo diferencial
El clculo anterior es un mtodo aproximado pero la pendiente de la
lnea tangente (en dicho punto) buscada se puede determinar usando la
derivada de la ecuacin caracterstica.
d
d KVD Tk
I D I s e
1
dVD
dV
dI D
k
ID Is
dVD Tk
dI D
38,93I D
dVD
rd
26 mV
ID
Ge
Si
n 1
K 11,600
Tk TC 273 25 273 298
Is 0
r 'd rd RB
rdV
Vd
I d
Disipacin de potencia
suele presentarlos el fabricante de dos maneras
1. El voltaje directo (a una corriente y temperatura especificadas)
2. La comente directa mxima (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturacin inversa (a una corriente y temperatura
especificadas)
4. El valor de voltaje inverso PIV o PRV
5. El nivel mximo de disipacin de potencia a una temperatura en
particular
6. Los niveles de capacitancia
7. El tiempo de recuperaci6n inverso
8. El rango de temperatura de operacin
=
donde , son la corriente y el voltaje del diodo en un punto de
operacin en particular.
=0,7
=0,3
CAPACITANCIA DE TRANSICION Y DIFUSION
Capacitancia
de
un
condensador
de
placas
paralelas esta definida por
C
=
permitividad
dielctrico
del
(altas potencias)
DIODOS ZENER
El diodo Zener es un diodo construido para que funcione en zonas de rupturas,
recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin Zener.
El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin (estabilizador,
mantiene el voltaje constante en sus terminales)
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado
inversamente
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre
se utiliza polarizado inversamente
Se emplea
una
red
sintonizacin
en
de
Diodo Tnel
El diodo tnel (polarizacin directa) se fabrica dopando los materiales semiconductores que
formarn la unin p-n a un nivel de 100 a varios miles de veces el de un diodo semiconductor
tpico
Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tnel empieza a conducir (la corriente empieza
a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto
despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al
punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente
continuar aumentando conforme aumenta la tensin.
Este tipo de diodo no se puede utilizar como rectificador debido a que tiene una corriente de
fuga muy grande cuando estn polarizados en inversa.
Fotodiodos
El fotodiodo (funcionamiento en funcin de luz) es un dispositivo de unin p-n semiconductor
cuya regin de operacin se limita a la regin de polarizacin en inversa.
fotodiodo
se
emplea en sistemas
de alarmas, como
sensores
Diodo LED
El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo semiconductor que emite
luz de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin p-n en la cual circula por
l una corriente elctrica
Diodo Schottky
Llamado diodo de barrera Schottky, en honor del fsico alemn Walter H. Schottky. Estos
diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de voltaje cuando
estn polarizados en directo (0.25 a 0.4 voltios)
El diodo Schottky est ms cerca del diodo ideal