Medicin del ancho de banda en Si y Ge mediante un mtodo ptico

Martn G. Bellino
E-mail : colquide@starmedia.com.ar y bellino@cnea.gov.ar

Prctica especial Laboratorio 5 - Dpto. de Fsica - FCEyN - UBA Diciembre 2000

En el presente trabajo, utilizando un espectrofotmetro, se midi el coeficiente de transmisin de lminas delgadas de Si y Ge para distintas longitudes de onda de la luz incidente, y apartir de estos datos se calcul el coeficiente de absorcin para las diferentes energas de dicha luz. Luego, utilizando el modelo de transicin indirecta se determinaron los anchos de banda para ambos materiales, resultando las energas: (1,095 +/- 0,005) eV y ( 0,673 +/- 0,005) eV para el Si y el Ge respectivamente. Adems se determinaron las energas de los fonones involucrados obteniendo los valores de: (0,044 +/- 0,005) eV para el Si y de ( 0,022 +/- 0,005) eV para el Ge.

INTRODUCCION:
Los valores ms precisos de la banda prohibida de energa se obtienen por absorcin ptica. En la figura 1 a, el umbral de la absorcin ptica continua a la frecuencia g determina el salto de energa E g = .g . En los procesos de absorcin directa el cristal absorbe un fotn y se crea un electrn y un hueco. En los procesos de absorcin indirecta, Figura 1b, el mnimo de la banda prohibida de energa de la estructura de bandas lleva consigo electrones y huecos separados por un vector de onda kc.En este caso, una transicin directa de un fotn a la energa de zanja mnima, no puede satisfacer los requisitos de conservacin del vector de onda, porque los vectores de onda del fotn son despreciables frente a kc, en los valores de la energa que interesan ( 1 eV ). Pero si en el proceso se crea un fonn de vector de onda K y frecuencia , entonces se tiene: k (fotn) = kc + K 0 ; . = E g + .

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como lo exigen las leyes de conservacin. La energa del fonn, . , ser en general mucho menor que E g : Un fonn, aunque tenga un gran vector de onda, es una fuente poco costosa de momento, ya que las energas caractersticas de los fonones son pequeas ( 0,02 a 0,05 eV ) en relacin con la banda prohibida de energa. Si la temperatura es tan elevada que el fonn necesario ya se ha excitado trmicamente en el cristal, es posible que se tenga tambin un proceso de absorcin de fotn en el que se absorba el fonn. La banda prohibida puede tambin deducirse de la dependencia de la conductividad con la temperatura o de la concentracin de portadores en la zona intrnseca, pero nicamente las medidas pticas determinan si la banda prohibida es directa o indirecta. Es sabido que para el Si y Ge los bordes de banda estn conectados por una transicin indirecta.

DESARROLLO EXPERIMENTAL:
Para un semiconductor, el coeficiente de absorcin ptica , puede ser calculado directamente a partir del coeficiente ptico de transmisin. Cuando luz de intensidad I0 y longitud de onda, , incide sobre un semiconductor de espesor , una intensidad transmitida I, emerge de la otra cara. Contando las mltiples reflexiones que ocurren entre las caras, el coeficiente de transmisin T = I / I0, est dado por:

T = ( 1 R ) 2 . e- ( . )

(1)

T = % transmitido / 100

Donde R es el coeficiente de refleccin en la interfase aire-semiconductor. Para determinar el coeficiente de transmisin de muestras delgadas de Si y Ge de: ( 0,30 +/- 0,02 y 0,42 +/- 0,02) mm de espesor respectivamente, se utiliz un espectrofotmetro con el cual se obtuvieron los espectros del Si y del Ge, obteniendo el porcentaje de transmisin para distintas longitudes de onda del haz incidente, Figuras 2a y 2b ( las distintas longitudes de onda son anlogas a distintas energas del haz incidente por la relacin: E = h.c/, donde c es la velocidad de la luz) El espectrofotmetro es de rango infrarrojo cercano-visible para que abarque en el barrido la energa del salto de los materiales utilizados.
50

50
40

Silicio
40

Germanio

30

% transm itido

20

% transmitido
850 900 950 1000 1050 1100 1150 1200 1250 1300

30

20

10

10

0 800

0 1450 1500 1550 1600 1650 1700 1750 1800 1850 1900 1950 2000 2050 2100

Longde onda - ( nm) Fig 2a : %de transm icinvs longitud de onda para el germ anio

Long de onda - ( nm) Fig 2b : %de transm icin vs longitud de onda para el silicio

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RESULTADOS Y ANALISIS DE RESULTADOS:

El mecanismo dominante para la absorcin ptica en un semiconductor de energa de salto Eg es la transicin de un electrn de la banda de valencia a la banda de conduccin, mediante la incidencia de fotones de energa E. Si un fonn de energa EP es requerido para conservar el momento en la produccin ptica de un par hueco-electrn ( en el caso de un semiconductor con transicin indirecta como el Si y el Ge ) entonces:

= a + e

(2)

Donde a es el coeficiente de absorcin para el cual la transicin involucra la absorcin de un fonn.

a = A.( E - Eg + Ep ) 2 , E > Eg - Ep

(3)

Y e es el coeficiente de absorcin para el cual la transicin involucra la emisin de un fonn

e = B.( E - Eg - Ep ) 2 , E > Eg + Ep

(4)

Donde las constantes A y B dependen de las propiedades del material y la temperatura. Cabe destacar que en el proceso a, un fotn junto con un fonn de la red, disponible trmicamente, crean un electrn excitado; mientras que en el proceso e, un fotn crea ambos: un fonn y un electrn excitado. Entonces el ltimo proceso requiere una ms alta energa ptica para que suceda. Para calcular ( ) a partir de nuestras mediciones requerimos conocer los valores del coeficiente de reflexin R; entonces deducimos un valor de R de la porcin de datos que corresponden a una longitud de onda para la cual el material no absorbe energa por transiciones electrnicas,por lo tanto de la ecuacin ( 1 ) para = 0 obtenemos:

R=1-T

(5)

Los valores calculados para la regin transparente de 1300-1200 nm para el Si y 2050-1950 nm para el Ge son: R = 0.31 +/- 0,01 para el Si R = 0,30 +/- 0,01 para el Ge

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Estos valores son coincidentes con los publicados, para valores cercanos a la regin de absorcin, del ndice de reflexin del Si y del Ge. Calculados los valores de R , a partir de T ( ), conocidos los espesores de las muestras y segn la ecuacin ( 1):

= - - 1. ln ( T / ( 1 R ) 2 )

(6)

calculamos los valores de segn la longitud de onda del haz incidente y, por lo tanto, de la energa de los fotones incidentes.
Demostraremos que una transicin indirecta entre las bandas de energa es la responsable del espectro obtenido para el Si y el Ge por medio del siguiente anlisis: a) Transicin por absorcin de un fonn Las ecuaciones ( 2 ) a ( 4 ) predicen que para energas pticas donde E < Eg + Ep , = a solamente. Entonces, para un semiconductor de transicin indirecta, aparece 1/2 una zona lineal en la regin de baja energa de la transicin en el grfico de vs E. Segn la ecuacin ( 3), la interseccin de la recta que ajuste a la zona antes mencionada con el eje - x es ( Eg - Ep). En las figuras 3a y 3b se identifica el rgimen lineal y se ajustaron las rectas correspondientes, obteniendo para la interseccin de esta recta con el eje x los valores: ( 1,051 +/- 0,005) eV para el Si y ( 0.652 +/- 0,005) eV para el Ge. Tambin, utilizando la interseccin de la recta con el eje y, se obtiene el valor extrapolado de a para ms altos valores de energas pticas ( E > Eg + Ep).
10
5

Silicio ( Eg - Ep ) = 1,051 +/- 0,005

Germanio ( Eg - Ep ) = 0,652 +/- 0,005

-1/2

( cm

( cm

1/2

-1/2

1/2

1,00

1,05
1/2

1,10

1,15

1,20

0,65
1/2

0,70

0,75

Energa ptica - h ( eV )
Fig.3a: vs energa ptica para el Si Aproximacin lineal de la zona de baja energa ( absorcin de fonn ) y extrapolacin de la recta a la interseccin del eje - x dando : Eg-Ep = ( 1,051 +/- 0,005 )

Energa ptica - h ( eV )
Fig.3a: vs energa ptica para el Ge Aproximacin lineal de la zona de baja energa ( absorcin de fonn ) y extrapolacin de la recta a la interseccin del eje - x dando : Eg-Ep = ( 0,652 +/- 0,005 )

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b) Transicin por emisin de un fonn Para energas pticas en donde E > Eg + Ep , la ecuacin ( 2 ) indica que e puede ser obtenido sustrayendo el valor de a extrapolado a los valores de antes calculados. 1/2 La ecuacin ( 4 ) predice una regin lineal en el grfico ( - a ) versus E para energas mayores a las anteriores de la zona de transicin, en donde la interseccin de la recta de ajuste corta al eje x para el valor de ( Eg + Ep ). Las figuras 4a y 4b revelan esta zona lineal, y se ajustaron con las rectas que mejor aproximan, obteniendo de la interseccin de las rectas con el eje x las energas: ( 1,140 +/- 0,005) eV para el Si y ( 0,694 +/- 0,005) eV para el Ge.
8
8

Silicio ( Eg + Ep ) = 1,140 +/- 0,005

1/2 -1/2 ( - a ) ( cm )

Germanio ( Eg + Ep ) = 0,694 +/- 0,005

6

6
-1/2 1/2

( cm

( -a )

1,10

1,15

1,20

1,25

Energa ptica - h ( eV )
Fig.4a: e = ( - a ) vs energa ptica para el Si Aproximacin lineal de la zona de alta energa ( emisin de fonn ) y extrapolacin de la recta a la interseccin del eje - x dando : Eg+Ep = ( 1,140 +/- 0,005 )
1/2

0,70
1/2

Energa ptica - h ( eV )

0,75

Fig.4b: e = ( - a ) vs energa ptica para el Ge Aproximacin lineal de la zona de alta energa ( absorcin de fonn ) y extrapolacin de la recta a la interseccin del eje - x dando : Eg+Ep = ( 0,694 +/- 0,005 )

Los valores de energa del salto ( ancho de banda) , como as tambin los valores de energa del fonn involucrado para la conservacin del momento , en la transicin indirecta, tanto para el Si como para el Ge pueden ser fcilmente calculados realizando primero la suma y luego la resta de los valores obtenidos de la interseccin de las rectas con los ejes x. Dando los siguientes valores:

Silicio Energa del salto ( Eg ) Energa del fonn ( Ep )

( 1,095 +/- 0.005 ) eV ( 0,044 +/- 0,005 ) eV

Germanio
( 0,673 +/- 0,005 ) eV ( 0,022 +/- 0,005 ) eV

Tabla 1 : Energas de salto ( ancho de banda ) y del fonn en Si y Ge

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Estos valores coinciden con los publicados tanto para el Si como para el Ge. Adems se puede comprobar que la energa de los fonones intervinientes en las transiciones es caracterstica de los fonones, tanto de la rama acstica como de la rama ptica, de los bordes de la zona de Brillouin para la relacin de dispersin del Si y el Ge E( k ) . Con lo que se deduce que el mnimo de la banda de valencia ocurre para valores de k cercanos a los bordes de zona de Brillouin.

CONCLUSIONES :
Result interesante poder corroborar la teora de bandas y la creacin de los pares hueco-electrn por la interaccin con la luz, como as tambin verificar el modelo de transicin indirecta, tanto para el Si como para el Ge. Se calcul el ancho de banda de la transicin indirecta obteniendo los valores de: 1,10 eV y 0,67 eV aproximadamente para el Si y el Ge respectivamente; y que el mnimo de la banda de valencia ocurre en una regin cercana al borde de zona, ya que los fonones involucrados en la transicin poseen energas caractersticas de esa regin ( siendo estas energas del orden de los meV. y por lo tanto mucho menores a las del salto ). Sabiendo que la fsica del estado slido es una de las aplicaciones ms directas de la teora cuntica, se destaca an ms la importancia de las corroboraciones experimentales, como las de este trabajo.

BIBLIOGRAFIA:
1) Charles Kittel, Introduction to Solid State Physics, 4th ed. ( John Wiley & Sons, Inc., New York. 1970 ) 2) John M. Essick and Richard T. Mather, Characterization of a bulk semiconductors band gap via near-absorption edge optical transmission experiment Am.J.Phys. 61 (7) 646-649 ( July 1993 ) . 3) I. Mrtil and G. Gonzales Das, Undergraduate laboratory experiment-Measurements of the complex refractive index and the band gap a thin film semiconductor. Am.J.Phys.60 ( 1 ), 83-86 ( January 1992 ) 4) A. Sconza and G. Torzo, Spectroscopic measurements of the semiconductor energy gap Am.J.Phys.62 ( 8 ), 732-737 ( August 1994 )

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