TECNOLOGICO DE OCOTLAN

Materia: Metodologa de los Materiales

Maestro: Mauricio Rojo Roa
Proyecto: Presentacin
Integrantes: -Roberto Guadalupe Ramos Tapia
-Hernndez Covarrubias Miguel Angel
-Christian Ivan Velzquez Zamora
-Saldaa Flores Cristian Roberto

RESUMEN
-La distribucin atmica en slidos cristalinos y no cristalinos puede describirse
mediante una red espacial donde se especifican las posiciones atmicas por
medio de una celdilla unidad que se repite y que posee las propiedades del
material correspondiente.
-Al analizar el trmino "imperfeccin de un material'', se presupone de un error
en la organizacin de dicho material, y muchas veces, tambin se enjuicia
con alevosa y asumimos que dicha imperfeccin, relacionada con algn tipo
de imagen de deformacin que es visualmente perceptible, le atribuyen al
material el valor de obsoleto y no siempre es as.
-Que es el movimiento de los tomos, iones o molculas, dentro de un
material?. Estos se mueven de manera predecible, tratando de eliminar
diferencias de concentracin y producir una composicin homognea y
uniforme

INTRODUCCION
-Existen siete sistemas cristalinos basados en la geometra de las longitudes
axiales y ngulos interaxiales de la celdilla unidad, con catorce subretculos
basados en la distribucin interna de sta.
-Alguna vez te has preguntado que hace que un cristal de rub sea rojo y otro
azul? Qu hace al acero mucho ms duro y resistencia que el hierro puro? La
respuesta es sencilla es el arreglo de los tomos o de los iones de los
materiales diseados.
-Observar la evolucin de una gota de tinta en un vaso de agua, o de un cristal
de alguna sustancia coloreada en el solvente adecuado,son experiencias
diarias de fenmenos de difusin en gases y lquidos, estados en los que por
su misma situacin de movilidad es igualmente observable en slidos,
tendiendo a homogeneizar las imperfecciones.

OBJETIVOS
- El objetivo general de este trabajo es darnos a conocer como se comportan
los tomos como por ejemplo, como es su estructura?, como son
empaquetados de manera ordenada? Entre muchas preguntas. Saber que
como es un cristal perfecto y tambin identificar el defecto de un cristal, que
es cristalino o no cristalino etc.

1.1 ESTRUCTURA Y ARREGLO

CRISTALINO Y NO CRISTALINO

ORDENAMIENTOS

Los niveles del arreglo atmico en los materiales: (a) los gases inertes no tienen un orden regular en sus tomos.
(b, c) Algunos materiales, incluyendo el vapor de agua y el vidrio, tienen orden en una distancia muy corta. (d) Los
metales y muchos otros slidos tienen un orden regular de los tomos que se extiende por todo del material.

ESTRUCTURAS CRISTALINAS.
METALES
Utilizando el modelo de la esfera rgida para los tomos,
se pueden calcular las densidades atmicas
volumtricas, planar y lineal en las celdillas unidad. Los
planos en los que los tomos estn empaquetados tan
juntos como es posible se denominan planos compactos.
Algunos metales tienen diferentes estructuras cristalinas
a diferentes rangos de presin y temperatura, este
fenmeno se denomina alotropa.

 Estructura Cristalina: se refiere al tamao, la forma y la organizacin atmica dentro de la red de un material.
Red: Conjunto de puntos, conocidos como puntos de red, que estan ordenados de acuerdo a un patron que se
repite en forma identica.
Puntos de Red: Puntos que conforman la red cristalina. Lo que rodea a cada punto de red es identico en
cualquier otra parte del material.
Celda Unitaria: es la subdivision de la red cristalina que sigue conservando las caracterisiticas generales de
toda la red.

Redes espaciales de Bravais

14 celdas unidad estndar pueden describir todas las unidades reticulares posibles de puntos equivalentes en
una red tridimensional.
La estructura cristalina se especifica indicando la adecuada malla de Bravais y las posiciones de los tomos en
la celda unitaria.
Parametro de Red: Longitudes de los lados de las celdas unitarias y los ngulos entre estos lados.
Numero de Coordinacion: el numero de atomos que tocan a otro en particular, es decir el numero de vecinos
mas cercanos, indica que tan estrechamente estan empaquetados los atomos.

ARREGLOS ESTRUCTURALES CRISTALINOS MS COMUNES

En los metales las celdillas unidad de las estructuras cristalinas ms comunes

son: cbica centrada en el cuerpo (bcc), cbica centrada en las caras (fcc) y
hexagonal compacta (hcp) que es una variacin compacta de la estructura
hexagonal simple.

Estructura cbica centrada

Formada por un tomo del metal en cada uno de los vrtices de un cubo cristalizan y un
tomo en el centro. Los metales que en esta estructura son: hierro alfa, titanio, tungsteno,
molibdeno, niobio, vanadio, cromo, circonio, talio, sodio y potasio.

Estructura cbica centrada en el cuerpo

Cada tomo de la estructura, est rodeado por ocho tomos adyacentes y los tomos de
los vrtices estn en contacto segn las diagonales del cubo

Estructura cbica centrada en las caras

Cada tomo est rodeado por doce tomos adyacentes y los tomos de las
caras estn en contacto. Est constituida por un tomo en cada vrtice y un
tomo en cada cara del cubo. Los metales que cristalizan en esta
estructura son: hierro gama, cobre, plata, platino, oro, plomo y nquel.

Estructura hexagonal compacta

Esta estructura est determinada por un tomo en cada uno de los vrtices de un prisma hexagonal, un
tomo en las bases del prisma y tres tomos dentro de la celda unitaria.
Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos estn en contacto segn los lados de los hexgonos
bases del prisma hexagonal.
Los metales que cristalizan en esta forma de estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio, cobalto,
circonio y cadmio.

ESTRUCTURAS CERMICAS NO CRISTALINAS. VIDRIOS

Los vidrios son materiales que durante el proceso de enfriamiento rigidizan sin
formar una estructura cristalina. En cierta forma, el vidrio se asemeja a un
lquido subenfriado. Una de sus caractersticas es que tiene una estructura no
cristalina o amorfa, en la que los tomos que los constituyen no estn
colocados en un orden repetitivo de largo alcance como existe en un slido
cristalino.

En un vidrio, las estructuras de corto alcance cambian

su orientacin de una manera aleatoria en todo el slido,
tal como muestra la Figura 1.1.7b

Figura 1.1.7.
Representacin esquemtica de: a) Fase cristalina ideal de la cristobalita, en la que los tetraedr
os de slice exhiben un orden de largo alcance, y b) un vidrio de slice corriente.

Algunos xidos que no pueden formar vidrios por s

mismos, pueden incorporarse a una red existente. Este
es el caso de la almina, Al2O3, que puede entrar en la
red de la slice como tetraedros AlO4 4-, reemplazando
algunos de los grupos SiO44-, figura 1.1.9, jugando el
papel de xido intermediario.

Figura 1.1.9. a) Vidrio de red modificada, sodoclcico. B) Vidrio de xido intermedio, almina-slice.

Recordemos que un vidrio se comporta como un lquido subenfriado,

viscoso, por encima de su temperatura de transicin vtrea. Bajo
esfuerzos, las diferentes capas atmicas deslizarn fcilmente
permitiendo la deformacin permanente del vidrio. Debido a esto, el vidrio
puede conformarse por flotacin en hojas y lminas, as como es posible
su moldeo, prensado o soplado. No obstante, podemos aumentar la
resistencia del vidrio a nivel superficial introduciendo tensiones de
compresin en su superficie, bien mediante enfriamiento rpido con aire
forzado, templado, o por medio de refuerzo qumico cambiando iones
metlicos por otros ms voluminosos.

1.2 Imperfecciones

IMPERFECCIN DE UN MATERIAL
Al analizar el trmino "imperfeccin de un material'', se presupone de
un error en la organizacin de dicho material, y muchas veces,
tambin se enjuicia con alevosa y asumimos que dicha imperfeccin,
relacionada con algn tipo de imagen de deformacin que es
visualmente perceptible, le atribuyen al material el valor de obsoleto y
no siempre es as.
Un defecto cristalino es cualquier perturbacin en la periodicidad de
la red de un slido cristalino. El cristal perfecto es un modelo ideal, en
el que las diferentes especies (ya sean molculas, iones u tomos
neutros) estn colocados de forma peridica y regular, extendindose
hasta el infinito. En la realidad, cualquier cristal presenta defectos en
este modelo ideal, empezando por el hecho de que no hay cristales
infinitos.

Clasificacin
Segn sean intrnsecos o extrnsecos

En primer lugar se clasifican en intrnsecos y extrnsecos:

Intrnsecos: naturales, propios del material, salto de los propios tomos.
Extrnsecos: impurezas, precipitados.
Los arreglos de estructuras cristalinas siempre tienen defectos segn su dimensin.
Tienen un efecto sobre las propiedades de los materiales. El arreglo de los tomos
o iones en los materiales diseados tiene imperfecciones o defectos.
Frecuentemente stos defectos tiene un efecto profundo sobre las propiedades de
los materiales, y no necesariamente suceden a niveles macros, y pueden ser
aprovechados en la aplicacin ingenieril tal como la capacidad de formar 3. Se
dividen en tres tipos: puntuales, lineales y superficiales.

Defectos Puntuales
De 0 dimensiones, afectan a un punto de red, perturbando nicamente a los vecinos ms
prximos. Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos o inicos. Esta alteracin afecta
una regin donde intervienen varios tomos o iones en una estructura cristalina. Se pueden
introducir por ello movimiento de los tomos o iones al aumentar la energa por el
calentamiento, por el procesamiento, por la introduccin de impurezas o por dopado.
Hay seis tipos de defectos puntuales: vacancia; tomo intersticial, tomo de sustitucin
pequeo, tomo de sustitucin grande, defecto de Frenkel y defecto de Scottky.
Los cuales Son:

Tipo 1: Vacancia o Vacante

El defecto vacante es un tomo que se encuentra normalmente en la red cristalina y deja de estarlo,
dejando as un espacio vaco, que a veces es ocupado por un electrn (centro F).
Es cuando falta un tomo o ion en su sitio normal de la estructura cristalina. Recordemos que
cuando faltan tomos o iones aumenta el desorden normal o entropa del material, que a su vez,
aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos
tienen defecto de vacancia.

Tipo 2: Intersticial.
El defecto intersticial es cuando un tomo extra se introduce en un lugar de la estructura cristalina
donde no se encuentra normalmente.
Se forma cuando se inserta un tomo o ion adicional en la estructura cristalina, normalmente una
posicin desocupada. Los tomos intersticiales son mucho menores que los tomos que estn en
los puntos de la red, pero son mayores que los sitios intersticiales que ocupa. En consecuencia, la
regin cristalina vecina esta comprimida y distorsionada.

Tipo 3: Sustitucional.
En este defecto se sustituye un tomo de la estructura cristalina por otro. Se debe tomar en cuenta
que el radio del tomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor proporcin ya
que podran ocurrir perturbaciones en el material. Un tomo de mayor radio har que los tomos
vecinos sufran una compresin, y un tomo sustuido de menor radio har que los tomos vecinos
sufran una tensin.
tomo/Ion es sustituido con un tipo distinto de tomo o ion. Estos tomos sustitucionales ocupan el
sitio mayor de la red: cuando son mayores se reducen los espacios interatmicos y viceversa
cuando son menores.Estos defectos pueden introducir de forma de una impureza, de una adicin
deliberada en la aleacin.

Tipo 4: Intersticialidad (Defecto auntointersticial)

Un tomo idntico a los puntos normales de red est en una posicin intersticial.Es comn en
estructuras con bajo factor de empaquetamiento.

Tipo 5: De Frenkel.
Este defecto es una combinacin entre el defecto de vacancia e intersticial, donde un tomo que
se encuentra en un lugar normal de la estructura cristalina salta hacia un lugar intersticial
dejando as una vacancia.
Un par vacancia-intersticial cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio intersticial,
dejando atrs una vacancia.

Tipo 6: De Schottky o de Par Inico.

Es un par de vacancias que se presentan en los cristales inicos, donde se debe mantener un
equilibrio en la estructura cristalina. Cuando se deja una vacancia de un anin, tambin debe
dejarlo un catin para mantener un equilibrio en la red. Debe encontrarse la misma cantidad de
aniones que de cationes.

Defectos Lineales
Se extienden en una direccin, y afectan a una fila de puntos de red: Dislocaciones
Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera seria perfecto. Se
suelen introducir en cristal durante la solidificacin del material o cuando el material se deforma
permanentemente. Anqu en todos los materiales incluyendo cermicos y polmeros, hay
dislocaciones. Se pueden identificar tres clases de dislocaciones: de tornillo, borde y mixta.

Tipo 1: De tornillo.
Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto torciendo ese cristal una
distancia atmica. Si se continuara la rotacin se describira una trayectoria espiral. El eje o lnea
respecto al cual se traza la trayectoria, es la dislocacin de tornillo.

Tipo 2: De borde o arista.

Se puede ilustrar haciendo un corte parcial en un cristal perfecto abriendo el cristal y llenando en
parte el corte con un plano adicional de tomos. La orilla inferior de este plano insertado
representa la dislocacin de borde. El vector necesario para cerrar el circuito es el vector de
Burgers.

Tipo 3: Mixtas
Tienen componentes de bordes y de tornillos con una regin de transicin entre ella. Cuando se
aplica una fuerza cortante en la direccin del vector de Burgers a un cristal que contenga una
dislocacin, esta se puede mover rompiendo los enlaces de los tomos en un plano. El plano de
cortes se desplaza un poco para establecer enlaces con el plano parcial de tomos originales.

Defectos superficiales

Son imperfecciones de la estructura cristalina ubicadas en un rea del material. Los principales
defectos son la misma superficie y las fronteras de los granos. La superficie del material es un
defecto de estructura porque se rompe con la simetra de los tomos entrelazados, estos tomos
tienen enlaces qumicos no completos, lo cual los hace ms reactivos qumicamente del resto de
los tomos. Son lmites o los planos que separan un material en regiones, cada regin tiene la
misma estructura cristalina, pero diferente orientacin.

Cristal Perfecto
Un cristal perfecto consiste de un arreglo peridico de tomos, lo que genera una estructura definida.
El trmino defecto se usa en general para describir cualquier cambio o variacin en la estructura o
composicin del cristal.
Idealmente, un cristal perfecto slo puede existir a 0 Kelvin (-273 C). A esta temperatura todos los
tomos estn estticos, por lo que no presentan vibracin alguna, en otras palabras los tomos no
poseen energa cintica. Sin embargo, a temperaturas mayores los tomos empiezan a vibrar
constantemente debido a la absorcin de energa calorfica. La amplitud y cantidad de vibraciones
entre los tomos crece con el aumento de la temperatura. Estas vibraciones son, enparte, las
causantes de que los cristales presenten deformaciones o defectos. Adems, vale lapena mencionar
que estas vibraciones tambin estn directamente relacionadas con el fenmeno de fusin de los
materiales slidos. Por ejemplo, en el caso de los cristales de xidos metlicos se sabe que pierden
hasta 2 % en peso de oxgeno antes de alcanzar su punto de fusin.
La ausencia de tomos de oxgeno en la superficie produce un gradiente de difusin de tomos por
dentro del material hacia la superficie del mismo, lo que provoca una contina prdida de oxgeno as
como el inicio de la prdida de estructura cristalina. Finalmente, todo este movimiento de tomos
produce la fusin del material.

1.3 Movilidad De Los tomos

(DIFUSION)

DIFUSION
Es el movimiento de los tomos, iones o molculas, dentro de un material. Estos se mueven de
manera predecible, tratando de eliminar diferencias de concentracin y producir una
composicin homognea y uniforme.
Observar la evolucin de una gota de tinta en un vaso de agua, o de un cristal de alguna
sustancia coloreada en el solvente adecuado, los olores que llegan a nosotros, son experiencias
diarias de fenmenos de difusin en gases y lquidos, estados en los que por su misma
situacin de movilidad, los tomos difunden con rapidez. Sin embargo este fenmeno es una
tendencia general en la naturaleza, y aunque ms lento, es igualmente observable en slidos,
tendiendo a homogeneizar las imperfecciones.
Se han definido como slidos a aquellos materiales cuyos tomos, iones o molculas estn
ordenados en una forma fija y regular de mnima energa, llamada red cristalina. An siendo
regulares, las redes cristalinas naturales pocas veces son perfectas: la descripcin y el control
de las imperfecciones existentes, y an la creacin de imperfecciones en una red cristalina
perfecta, son un aspecto importantsimo de la ingeniera de los materiales.

Los dos mecanismos importantes mediante los cuales ocurren estos procesos de difusin
son: la difusin por vacancia y la difusin intersticial:
Difusin por vacancia: tanto en la autodifusin como en la difusin de tomos sustitucionales, un
tomo puede abandonar su sitio en la red para llenar una vacancia cercana. Pero en el mismo
momento se crea una vacancia en el sitio antes ocupado por l. Al progresar la difusin se
observa un flujo de tomos y de vacancias en sentidos opuestos, conocido como difusin por
vacancia.
Difusin intersticial: si en la estructura cristalina est presente un tomo o in pequeo en un sitio
intersticial, ste pasar de un sitio intersticial a otro sin necesidad que existan vacancias. Este
mecanismo ser mucho ms rpido que el anterior, ya que el nmero de sitios intersticiales es
muchsimo mayor que el de vacancias.

Velocidad de difusin
La primera ley de Fick establece que el flujo J (el nmero de tomos, iones o molculas
que pasan en unidad de tiempo a travs de un plano de superficie unitaria) es proporcional
al gradiente de concentracin DC / Dx (en tomos/cm3cm).
Entonces
J = - D DC/Dx
Donde el factor de proporcionalidad D, la difusividad o coeficiente de difusin ( en
cm2/seg), est relacionado con la temperatura segn una ecuacin de Arrhenius anloga a
la ya descripta ;
D = Do e -Q /RT
con Q como la energa de activacin y D0 constante para cada sistema de difusin dado
(los valores tpicos se encuentran tabulados)

Perfil de composicin
Puede describirse mediante la segunda ley de Fick,
dc/dt= D (d2c/d2x)
que es una ecuacin diferencial cuya solucin depende de las condiciones de la frontera para una
condicin particular.
La solucin a la segunda ley de Fick , que excede esta discusin, permite calcular la
concentracin de una de las especies en difusin cerca de la superficie del material en funcin
del tiempo y la distancia y es la herramienta que permite a los ingenieros disear una diversidad
de tcnicas de procesamiento de materiales.

Procesos en base a difusin

Crecimiento de grano: un material compuesto por gran nmero de granos tiene muchos
bordes de grano, que representan reas de alta energa debido a una ineficiente
compactacin de los tomos. Si se reduce el rea total de los bordes de grano mediante el
crecimiento de estos, se tendr en el material una energa general inferior. El crecimiento de
los granos implica el desplazamiento de los bordes de grano, permitiendo que algunos granos
crezcan a costa de otros. Implica en general mantener el material a temperaturas altas el
perodo necesario de tiempo (ej. algunos metales).
Soldadura por difusin : mtodo utilizado para unir materiales. Se efecta en tres pasos.
Primero, aplicando presin que deforma ambas superficies obligndolos a unirse,
fragmentando las impurezas y produciendo una gran rea de contacto tomo-tomo. Mientras
las superficies se mantienen en compresin y a temperatura elevada, los tomos difunden a lo
largo de los bordes de grano hacia las vacancias restantes, reducindose el tamao de las
vacancias en la interfase (este paso es rpido). Finalmente, el crecimiento de los granos aleja
los huecos remanentes de las fronteras de grano. El tercer paso implica la eliminacin
completa de los huecos para lo que deber ocurrir la difusin volumtrica que es relativamente
lenta. Este proceso se utiliza para unir metales reactivos como el titanio, para unir metales y
materiales distintos, y para unir cermicos.
Sinterizacin: Un cierto nmero de materiales se manufacturan en formas tiles mediante un
proceso que requiere la consolidacin de pequeas partculas en una masa slida.

La sinterizacin es un tratamiento a alta temperatura que hace que las partculas se unan y que
de manera gradual se reduzca el volumen del espacio de los poros entre las mismas. Es de uso
frecuente en la fabricacin de componentes cermicos as como en la produccin de
componentes metlicos en la llamada metalurgia de polvos.
Cuando se compacta polvo de un material para obtener una preforma, las partculas de polvo
entran en contacto en muchos puntos, aunque con una cantidad significativa de poros entre
ellas. Los tomos difundirn hacia los puntos de contacto a fin de reducir la energa superficial
entre las partculas. Si el sinterizado se efecta durante un tiempo prolongado pueden eliminarse
los poros y el material se hace denso. La velocidad de sinterizacin depende de la temperatura,
de la energa de activacin y del coeficiente de difusin, as como del tamao original de las
partculas.

Conclusin
Podemos concluir que el tomo forma una parte
fundamental en la materia y por ende en nuestra
vida y ecosistema, . Gracias a esta partcula
obtenemos beneficios tecnolgicos por la
investigacin y reaccin de ste en s en la materia

Referencias bibliogrficas
-Ensayo: Estructura cristalina de los metales- Autor: Moises Hinojosa
-http://descom.jmc.utfsm.cl/proi/materiales/ESTRUCTURAS.htm
-http://www.upv.es/materiales/Fcm/Fcm14/pfcm14_3_2.html
- http://es.scribd.com/doc/112381350/IMPERFECCION-DE-LOSMATERIALES#scribd
- http://es.slideshare.net/corpi46/defectos-o-imperfecciones-en-los-sistemascristalinos
- http://es.wikipedia.org/wiki/Defecto_cristalino
- http://es.wikipedia.org/wiki/Difusi%C3%B3n_%28f%C3%ADsica%29