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1. DEFINICIN.
Electrnica.
Estudio y aplicacin del comportamiento de los
electrones en diversos medios, materiales y vaco, sometidos a la accin de campos Elctricos y Magnticos.
2. CLASIFICACIN.
2.1. COMPONENTES ELECTRNICOS PASIVOS.
NO SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LA CORRIENTE ELCTRICA
CONDENSADORES.
COMPONENTES PIEZOELCTRICOS:
RESONADORES DE CRISTAL.
Lic. Juan Alberto Guillen UNICAH 4
RECTIFICADOR.
DIODOS.
ZENER.
LED.
TRANSISTORES. PNP.
Lic. Juan Alberto Guillen UNICAH
NPN.
REGULADORES.
OPERACIONALES.
PUERTAS LGICAS.
COMBINACIONALES.
NO LINEALES.
SEAL DIGITAL
3.
MEDIDAS E IDENTIFICACIN.
Resistencias.
Condensadores. Bobinas. Diodos.
Smbolo:
R
Su valor depende de los siguientes parmetros: Material. Longitud. Seccin.
L R= S
V1 12 V
1.0Ohm_5% R
V R= I
Mltiplos:
R1
R1
R2
RE
Re = R1 + R2
RE
R1 x R2 Re = R1 + R2
MIXTO.
R1 R3
Lic. Juan Alberto Guillen UNICAH
R4
TOLERANCIA EN % (X).
AZUL
VIOLETA GRIS BLANCO NADA PLATA ORO
6
7 8 9 20% 10% 5%
Lineales
R=Cte.
Fijas
Metlicas.
Dependientes de la Temperatura
No Lineales
NTC y PTC
Dependientes de la Luz.
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3.2. CONDENSADORES.
Dispositivos utilizados para el almacenamiento de cargas elctricas. Comportamiento diferente segn el tipo de corriente Alterna o Continua. Constituido por dos placas conductoras o armaduras y entre ellas un aislante o dielctrico. Para un condensador plano:
C=
S d
Permitividad del Medio Dielctrico. S Superficie de las Armaduras. Juan Alberto Guillen d Lic. Separacin entre Armaduras.
UNICAH
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3.2. CONDENSADORES.
(Continuacin) Magnitud de medida: FARADIO (Unidad de Capacidad Elctrica).
Sometidas las Armaduras de un CONDENSADOR a una diferencia de potencial de 1 Voltio, estas adquieren una carga de 1 Culombio
Q C = V
3.2. CONDENSADORES.
El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan Submltiplos:
(Continuacin)
miliFaradio
microFaradio F. 10-6 F. 0,000001F. nanoFaradio nF. 10-9 F. 0,000000001F. picoFaradio pF. 10-12 F. 0,000000000001F.
TIPOS DE CONDENSADORES:
NO POLARIZADOS:
Dependientes del sentido de la corriente. Electrolticos y Guillen Tntalo. Lic. Juan Alberto
UNICAH
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CE
C1 x C2 Ce = C1 + C2
CE
SERIE.
C1
PARALELO.
C2
Ce = C1 + C2
C2
MIXTO.
C1 C3
C4
SERIE.
L1
L2
Le
Le =
L1 + L2
L1
PARALELO.
L1
Le
L2
Le =
L1 x L2 L1 + L2
L2
MIXTO.
L4 L3
3.4. DIODO.
Componente
formado por la unin de dos materiales semiconductores, uno tipo N y otro tipo P. Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento. Germanio Z = 0,3 Voltios.
Silicio Z = 0,7 Voltios.
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