ELECTRONICA DE POTENCIA II

UNIVERSIDAD DEL AZUAY 8vo de Ingeniera Electrnica

Realizado por: Gustavo Calle Crespo Cristian Ortega

ELECTRONICA DE POTENCIA

Es la parte de la electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesado, control y conversin de la energa elctrica

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

1.- No controlados.
Diodos TIRISTORES SCR TRIAC BJT MOSFET IGBT GTO (ON - OFF)
se aplica una seal de control a la puerta (OFF-ON)

2.- Semicontrolados

3.- Totalmente controlados.

DIODO DE POTENCIA
Estructura P-N Posee regin N intermediaria para soportar altas tensiones. Circulacin de I en un solo sentido. Soporta tensiones orden de Kv y corrientes orden KA.

En rgimen transitorio:
1. 2. Recuperacin Inversa. Recuperacin Directa. (conduccin a bloqueo) (bloqueo a conduccin)

TIPOS DE DIODOS
Schottky.
Cadas de tensin muy pequeas. No tensiones inversas. Tiempos de recuperacin Pequeos

Recuperacin Rpida. Circuitos de frecuencia elevada.

Rectificador.

Circuitos de frecuencia la tensin es pequea.

TIRISTORES
Estructura de cuatro capas (PNPN). Control por una seal OFF ON.

TIPOS:
SCRs TRIACs

SCR
Soporta mayores Is inversas. Formado por cuatro capas (PNPN). Control por una seal OFF ON. Tres terminales nodo Ctodo Puerta. Incapaz de bloquear tensiones elevadas.

Caractersticas:
Bloqueo de tensin directa, no conduce corriente. Activa a pulso en puerta. Al conducir se mantiene constante (ON).

SCR
Regiones de Funcionamiento:
1. Zona de bloqueo inverso. 2. Zona de bloqueo directo. 3. Zona de conduccin. (Diodo) (Circuito Abierto) (Interruptor) (Polarizacin Directa) (corriente de puerta)

Activacin y Bloqueo
Tensin excesiva. Pulso en Puerta. Derivacin de tensin. Temperatura. Luz.

(tensin A-K por radiacin)

TRIAC
Tres terminales. (A-k-G)

Podemos controlar los sentidos de circulacion de I. Comporta como SCR anti paralelo. Activa mediante la puerta.

Tensiones y corrientes diferentes para producir transicin.

GTO
Para bloquear interruptores en cualquier momento.
Control mediante puerta. Estructura de cuatro capas. Entra en conduccin y se bloquea. Activacin similar al SCR.

(bloqueo a conduccin y viceversa)

Funcionamiento:
Fcil extraccin de portadores por puerta. Perdida de portadores en capas centrales. (GTO tiene > cada de tensin Soporta tensin inversa en G-K. No bloquea tensiones inversas.
en conduccin)

Absorcin de portadores de la superficie conductora (G-K).

TRANSISTORES
Utilizan como interruptores. Trabajan en zona de saturacin o corte. Son totalmente controlados
TIPOS DE TRANSISTORES:
BJT MOSFET Dispositivos HIBRIDOS:

IGBT

TRANSITOR BIPOLAR DE POTENCIA (BJT)

Son interruptores de potencia controlados por corriente. Tipos:
NPN PNP

CARACTERISTICAS
Facil de controlar por el terminal de la base Ventaja:
Baja cada de tensin en saturacin

Inconvenientes:
Poca ganancia con tensiones y/o corrientes grandes Tiempo de almacenamiento y fenmeno avalancha

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO
Corte: Se activa como interruptor abierto Activa: La corriente del colector es proporcional a la de base Saturacin: Se comporta como interruptor cerrado casi ideal

CONEXIN DARLINGTON
Ganancia de corriente: 12 T2 no se satura ya que su union B C esta siempre inversamente polarizada

MOSFET (Metal-Oxid-SemiconductorField Effect Transitor)

Son transistores que se pueden controlar por tensin. Tipos
Canal N Canal P

ZONAS DE TRABAJO
Corte: La tensin puerta y fuente es mas pequea que la tensin umbral (interruptor abierto).
hmica: El transistor se comporta como interrutor cerrado con RON.

Saturacin: cerrado.

Se comporta como interruptor

CARACTERISTICAS
Inconveniente: La potencia a manejar es bastante reducida Son los transistores mas rpidos (alta velocidad de conmutacin) Inconveniente: RON varia mucho con la temperatura, por ende la corriente q por el circula Facilidad de control gracias al aislamiento de puerta

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)

Rene la facilidad de disparo de los MOSFETs con las pequeas perdidas en la conduccin de los BJTs

CARACTERISTICAS
Control por tensin relativamente sencillo Ente colector y emisor hay un comportamiento tipo bipolar Tiene alta impedancia de entrada Bajas perdidas de conduccin

COMPARACION ENTRE DIFERENTES SEMICODUCTORES