FOTODIODO

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin P-N sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva.

 Conduce una cantidad de corriente elctrica proporcional a la cantidad de luz incidente

FUNCIONAMIENTO
Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva.

Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una foto corriente.

 En el fotodiodo la corriente (que vara con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la unin del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el diodo es excitado por la luz.

APLICACIONES
Detectores de proximidad Detectores de color Detectores de humo Turbidimetros Instrumentacion analitica (Flourescencia, absorvancia, colorimetria, bioluminiscencia) Detectores de lluvia Sistemas de comunicacion por fibra optica

MATERIALES
MATERIAL
Silicio (Luz)

LONGITUD DE ONDA
190-1100

Germanio (IR)

800-1700

Indio Galio Arsenio

800-2600

Sulfuro de plomo

<1000-3500

FABRICANTES
NANOIDENT Technologies AG Infineon Agilent Technologies PerkinElmer SILONEX VISHAY Silicon Sensor GmbH

 El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante determinada. Para esta longitud de onda, se produce la mxima cantidad de pares huecos-electrn en la proximidad de la unin El mximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor tpico se halla en 850 mm

Aplicacin del fotodiodo

 El efecto Peltier es una propiedad termoelctrica descubierta en 1834 por Jean Peltier, trece aos despus del descubrimiento del mismo fenmeno, de forma independiente, por Seebeck. El efecto Peltier hace referencia a la creacin de una diferencia de temperatura debida a un voltaje elctrico. Sucede cuando una corriente se hace pasar por dos metales o semiconductores conectados por dos junturas de Peltier. La corriente propicia una transferencia de calor de una juntura a la otra: una se enfra en tanto que otra se calienta. Una manera para entender cmo es que este efecto enfra una juntura es notar que cuando los electrones fluyen de una regin de alta densidad a una de baja densidad, se expanden (de la manera en que lo hace un gas ideal) y se enfra la regin. Cuando una corriente I se hace pasar por el circuito, el calor se genera en la juntura superior (T2) y es absorbido en la juntura inferior (T1). A y B indican los materiales.

Efecto Peltier