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1

David Cruz Diosdado


Introduccin
Objetivo
Experimento
Resultados
Conclusiones

2
3
1.3m
0.95eV
1.55m
0.8eV
QDs
Estudiar la emisin de fotoluminiscencia de puntos cunticos de
InAs embebidos en pozos cunticos de In
0.15
Ga
0.85
As con
diferente composicin en la capa barrera* y con diferente
tratamiento trmico
4

Capa barrera

#1 Al
0.40
Ga
0.45
In
0.15
As
#2 GaAs
Crecidas por MBE
2 capas barrera
diferentes



Tratamiento trmico
durante 2 horas de
640 C y 710 C

5
GaAs Sustrato
GaAs 200 nm
Al
0.30
Ga
0.70
As 300 nm
GaAs 2 nm
AlAs 10 nm
In
x
Al
y
Ga
z
As 100 nm
InAs QDs
In
0.15
Ga
0.85
As 1 nm
In
0.15
Ga
0.85
As 8 nm
#1 Al
0.40
Ga
0.45
In
0.15
As
#2 GaAs
Lser Argn con una longitud de onda de 488nm y una potencia de 0.5 W. 2.5eV>1.1eV
Dpto. Ciencia de Materiales ESFM
criostato
Espectros de PL de los QDs de InAs para la estructura #1 y #2 medidos a
diferentes temperaturas.
8
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
10000
20000
30000
40000
50000
500K
10K
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GS
#1A


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t
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n
s
i
d
a
d

d
e

P
L

(
u
.

a
.
)
Emisin de energa (eV)
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
40000
#2A
400K
10K 2ES
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e

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(
u
.

a
.
)
Emisin de energa (eV)
Los puntos representan datos
experimentales
Las lneas continuas representan
los ajustes mediante la relacin
de Varshni
9
Estructura E
o
(eV) (meV/K) (K)
#1A 1.05 0.280 83
#2A 1.12 0.400 95
InAs 0.415 0.276 83
Tabla de los parmetros de Varshni
T
T
E T Eg
+
=
|
o
2
0
) (
Los parmetros de material obtenidos usando el ajuste de Varshni en QDs de la estructura #1
(Al) estn ms cerca de los parmetros de material InAs en comparacin con la estructura #2
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
#2A
#1A


P
o
s
i
c
i

n

d
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l

p
i
c
o

d
e

P
L

(
e
V
)
Temperatura (K)
10
La extincin trmica se analiz mediante la ecuacin
Donde I(T) e I
0
son las intensidades integradas, k es la constante de Boltzmann
T es la temperatura y Ea es la energa de activacin
En el intervalo de 330 a 500 K el escape trmico de excitones es de los QDs
hacia la capa de GaAs (1.42-1.05=370meV) en la estructura #2
En el intervalo de 330 a 500 K el escape trmico de excitones es de los QDs
hacia el pozo barrera de Al0.40Ga0.45In0.15As (1.52-0.95=570meV) en la #1



kT
E
I
I I
a
1
ln
0
=
|
.
|

\
|
0 2 4 6 8 10
0.1
1
10
100
1000
10000


#1A
#2A
Ea3=576 meV
Ea2=140 meV
Ea1= 35 meV
Ea3=376 meV
Ea2=153 meV
Ea1=42 meV
(
I
o
-
I
)
/
I
10
3
/T (K
-1
)
0 100 200 300 400 500
10
100
1000
#2A
#1A


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(
a
.
u
.
)
Temperatura (K)
11
Espectros de PL de QDs de InAs de la
muestra con Al sin tratamiento trmico.

Espectros de PL de QDs de InAs, de la
muestras con Al y con tratamientos
trmicos a 640 C a 710 C.
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
10000
20000
30000
40000
50000
500K
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(
u
.

a
.
)
Emisin de energa (eV)
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
10000
20000
30000
40000
50000
60000
70000
500 K
10 K
#1C


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(
u
.

a
.
)
Emisi n de energa (eV)
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
10000
20000
30000
40000
50000
400K
10K
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#1B


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L

(
u
.

a
.
)
Emisi n de energa (eV)
12
Espectros de PL de QDs de InAs, de la
muestra con GaAs sin tratamiento trmico.
Espectros de PL de QDs de InAs, de la
muestras con GaAs y con tratamientos
trmicos a 640 C a 710 C.
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
40000
#2A
400K
10K 2ES
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GS


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L

(
u
.

a
.
)
Emisin de energa (eV)
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
10000
20000
30000
40000
50000
400K
10K
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#2B


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L

(
u
.

a
.
)
Emisin de energa (eV)
0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
10000
20000
30000
40000
50000
60000
#2C


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(
u
.

a
.
)
Emisin de energa (eV)
Estructura E
0
(eV) o (meV/K) | (K)
#1A 1.04 0.270 83
#1B 640 C 1.07 0.280 87
#1C 710 C 1.05 0.290 134
InAs 0.435 0.276 83
GaAs 1.5 0.540 204 13
Con tratamiento trmico de 640 C y 710 C
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20


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(
e
V
)
Temperatura (K)
InAs En bulto
GaAs En bulto
#1A
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20


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(
e
V
)
Temperatura (K)
InAs En bulto
GaAs En bulto
#1C
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20


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e

P
L

(
e
V
)
Temperatura (K)
InAs En bulto
GaAs En bulto
#1B
14
Con tratamiento trmico de 640 C y 710 C
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20


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P
L

(
e
V
)
Temperatura (K)
InAs En bulto
GaAs En bulto
#2C
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20


P
o
s
i
c
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n

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e
l

p
i
c
o

d
e

P
L

(
e
V
)
Temperatura (K)
InAs En bulto
GaAs En bulto
#2C
0 100 200 300 400
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20


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P
L

(
e
V
)
Temperatura (K)
InAs En bulto
GaAs En bulto
#2A
Estructura E
0
(eV) o (meV/K) | (K)
#2A 1.14 0.500 201
#2B 640 C 1.16 0.530 202
#2C 710 C 1.20 0.560 205
15
0 100 200 300 400 500
1
10
100
1000
10000


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a

d
e

P
L

(
u
.

a
.
)
Temperatura (K)
#1A
#1B
#1C
0 100 200 300 400 500
1
10
100
1000
10000


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d
e

P
L

(
u
.

a
.
)
Temperatura (K)
#2A
#2B
#2C
Decae mas lentamente en la estructura que contiene Al
16
De los espectros de XRD se obtiene que las
composiciones de las capas prcticamente no
cambian
62 63 64 65 66 67 68
1
10
100
1000
10000
100000
#1A
(400)
66.2330
66.0530
65.7530
63.4930
62.9730


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e

X
R
D

(
u
.

a
.
)
2 u
62 63 64 65 66 67 68
1
10
100
1000
10000
100000
(400)
66.2530
#1B
66.0530
65.75.30
63.4930
62.9730


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R
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(
u
.

a
.
)
2 u
62 63 64 65 66 67 68
1
10
100
1000
10000
100000
(400)
#1C
65.7530
66.2330
66.0530
62.9730
62.9730


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X
R
D

(
u
.

a
.
)
2 u
El anlisis de XRD en las estructuras se hicieron
con el objetivo de estimar la composicin de InGaAs
17
62 63 64 65 66 67 68
1
10
100
1000
10000
100000
(400)
66.2330
#2A
66.0530
65.7530
63.5130
62.9930


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X
R
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(
u
.

a
.
)
2 u
XRD para la estructura #2
62 63 64 65 66 67 68
1
10
100
1000
10000
100000
66.2430
(400)
#2B
66.0530
65.7530
63.5130
62.9730


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n
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e
n
s
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e

X
R
D

(
u
.

a
.
)
2 u
62 63 64 65 66 67 68
1
10
100
1000
10000
100000
(400)
62.9530
63.5330
65.7530
66.0530
66.2330
#2C


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n
t
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n
s
i
d
a
d

d
e

X
R
D

(
u
.

a
.
)
2 u
De los espectros de XRD se obtiene que las
composiciones de las capas prcticamente no
cambian
Los parmetros obtenidos de los QDs de la estructura #1 son muy similares a los del
InAs reportados en la literatura en comparacin con la estructura #2
En el caso con tratamiento trmico los parmetros de los QDs cambian por efecto
del intermezclado en ambas estructuras
El estudio de los espectros de PL en las estructuras muestran que la estructura #1A se
caracteriz por una intensidad de PL ms alta, una baja dispersin en el tamao de
los QDs, en comparacin con la estructura #2A.
Finalmente es importante mencionar que las estructuras con una capa barrera
compuesta por (Al
0.40
Ga
0..45
In
0.15
As) se logr obtener una emisin de
fotoluminiscencia a temperaturas cercanas a 500 C con emisin muy cercana 1.3 m
La estructura con aluminio tiene un mejor desempeo a altas temperaturas






18

19
G. Park, O. B. Shchekin, and D. G. Deppe, IEEE J. Quant. Electron. 36, 1065 (2000).
N. Kirstaedter, et. al : Electron. Lett. 30, 1416(1994).
M. Grundmann. Nano-optoelectronics. Springer 2002.
J. Singh. Dispositivos Semiconductores 2000.
T. Suzuki, et al, J. Appl. Phys., Vol. 96, No. 11, pp. .6398-6404 (2004)
J. L. Casas et al. Phys stat. Sol. (a) 195. No 1, 209-213 (2003). Espectro PL y Bandas.
T.V. Torchynska, et al, J. Appl. Phys, Vol 101, 024323 (2007)
T. V. Torchynska, J. L. Casas Espinoza, P. G. Eliseev, A. Stintz, K. J. Malloy, R. Pena Sierra, Localized excitons in InAs self-assembled quantum
dots embedded in InGaAs/GaAs multi-quantum wells, Phys. Stat. Sol. (a) (Germany) v.195, n.3, 209-213 (2003)
J. L. Casas Espinola, T. V. Torchynska, G. Polupan, R. Pena Sierra, Exciton thermal escape in symmetric InAs quantum dots in InGaAS/GaAs
well structures, phys. stat. sol. (c), 4, n.2, 379-381 (2007)
T.V. Torchynska, E. Velazquez Lozada, J.L. Casas Espinola, Photoluminescence variation in DWELL structures with different InAs quantum dot
densities, Journal Vacuum Science & Technology (EEUU), 27(2), 919-922, (2009)
T. V. Torchynska, J. L. Casas Espinola, E. Velasquez Lozada, L. V. Shcherbyna, A. Stintz, R. Pena Sierra, Localization of defects in InAs QD
symmetric InGaAs-GaAs DWELL structures, Physica B: Condensed Matter, 401-402, 584-586 (2007), ISSN 0921-4526
T. V. Torchynska, J. L. Casas Espinola, L. V. Borkovska, S. Ostapenko, M. Dybic, O. Polupan, N. O. Korsunska, A. Stintz, P. G. Eliseev, K. J.
Malloy, Thermal activation of excitons in asymmetric InAs dots-in-a-well InGaAs/GaAS structures, J. Appl. Phys., 101, 024323 (2007). ISSN
0021-8979
J. Casas Espinola, V. Torchynska, G. Polupan, E. Velazquez Lozada, Multiexcited state study in InAs DWELL structures, Material Science and
Engineering, B., 165, 115-117, 2009,ISSN: 0921-5093.
T.V.Torchynska, H.M.Alfaro Lopez, J.L. Casas Espinola, P.G.Eliseev, A. Stintz, K.J. Malloy, R. Pena Sierra, Multiple excited state modification
in InAs/InGaAs quantum dot structures at high exvitation power, Microelectronics, v.36, n.3-6, p.186 -189, 2005



20
El trmino punto cuntico se utiliza generalmente para
describir un nanocristal (en nuestro caso de un material
semiconductor) con confinamiento cuntico en las tres
dimensiones espaciales, su apariencia se asemeja al de una
pirmide de aproximadamente 20 nm y de 7 a 9 nm de altura
como se muestra en la figura.