INTRODUCCION: Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un conductor metlico pero superior

r a la de un buen aislante ,estos pueden ser materiales slidos o lquidos. El semiconductor ms utilizado es el silicio, y otro semiconductor es el germanio, el silicio es el elemento ms abundante en la naturaleza, es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal.

En 1879, E. H. Hall descubri un efecto esencial para el desarrollo de mtodos que permitieron la caracterizacin de semiconductores. Este efecto permite la determinacin de la densidad de cargas adems del tipo de carga transportada. En 1897, el descubridor del electrn, J. J. Thompson, estimul el desarrollo de descripciones tericas de la conduccin en metales. Tres aos despus, P. Drude desarroll un modelo, el cual describe la conduccin trmica y elctrica de slidos. Sin embargo, una descripcin cuantitativa del transporte de carga en semiconductores fue slo posible despus de que la mecnica cuntica estuvo disponible y fue aplicada a los slidos. En 1926, F. Bloch formul un teorema de mecnica cuntica, conocido como el teorema de Bloch, el cual describe la funcin de onda del electrn tomando en cuenta la estructura cristalina del slido. Otro importante descubrimiento fue hecho por A. H. Wilson en 1931, quien demostr que los semiconductores son aislantes con estrechos gaps de energa. l tambin introdujo el concepto de huecos. El gap de energa es tambin importante para comprender el comportamiento contrario de los semiconductores y aislantes en campos elctricos fuertes. En 1934, C. Zener mostr que esto se origina por el tunelamiento entre bandas, es decir, por el tunelamiento a travs de gaps de energa. Cincuenta aos atrs, Baldeen, Brattain y Shockley desarrollaron el primer transistor abriendo el camino a los dispositivos semiconductores. El primer lser semiconductor fue fabricado a principios de la dcada de los sesenta. Una gran cantidad de investigaciones en semiconductores III-IV y II-VI en las siguientes dcadas fue estimulada por el desarrollo de tcnicas de crecimiento epitaxial a finales de los sesenta y principios de los setenta, en particular para heteroestructuras, las cuales estn compuestas de dos o ms semiconductores con diferentes gaps de energa.

 El semiconductor del silicio con smbolo (si) fue descubierto por Jns Jacob Berzelius (1779-1848) (sueco), en el ao.1823; proviene del latn silex, el estado puro propiedades fsicas y qumicas parecidas a la del diamante. El dixido de silicio (slice) (SiO2) se encuentra en la naturaleza en gran variedad de formas: cuarzo, gata, Jaspe, nice, esqueleto de animales marinos. su estructura cristalina le confiere propiedades semiconductores . El semiconductor del germanio (Ge) numero atmico 32 peso atmico 72,60; es un metal anlogo del silicio, muy escaso y usado en la fabricacin de diodos y transitares.

EL SILICIO: Se prepara en forma de polvo amorfo amarillo pardo o de cristales negros-grisceos. Se obtiene calentando slice, o dixido de silicio (SiO2), con un agente reductor, como carbono o magnesio, en un horno elctrico. El silicio cristalino tiene una dureza de 7, suficiente para rayar el vidrio, de dureza de 5 a 7. El silicio tiene un punto de fusin de 1.410 C, un punto de ebullicin de 2.355 C y una densidad relativa de 2,33. Su masa atmica es 28,086. EL GERMANIO: pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a estos elementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo de germanio y el tetrafenilo de germanio. El germanio forma hidruros germano metano o germano (GeH4), germano etano (Ge2H6) y germano propano (Ge3H8) anlogos a los formados por el carbono en la serie alcanos (vase Qumica orgnica). Sus compuestos ms importantes son el xido germnico (GeO2) y los haluros. El germanio se separa de otros metales por destilacin de su tetracloruro.