INSTITUTO DE EDUCACION SUPERIOR TECNOLGICO

HUAYCN
LEY 25368-91 R.D. 530-98-ED

ELECTRNICA DE POTENCIA
MARCO TEORICO

TRANSISTORES DE POTENCIA (BJT - FET )

ALUMNO: ..... FECHA :. CICLO:.TURNO: ...

TRANSISTORES DE POTENCIA.
La evolucin de este tipo de dispositivos, nacidos para eliminar el clsico rel de conmutacin de cargas, ha llevado un lento pero continuo proceso (y progreso) pasando, entre otros, por los Transistores Bipolares (BJT), los MOSFET y luego los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). En la actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes mquinas elctricas. Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusin cuando el uso de transistores BJT y MOSFET pueden resolver nuestra necesidad.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

Canal P

Canal N

JFET

MOSFET Enriq.

MOSFET Enriq. (sin sustrato)

MOSFET Empob.

1) TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA (BJT)

BJT: Bipolar Junction Transistor. Es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. Los transistores bipolares pueden ser PNP o NPN

Tiene tres terminales: colector C, emisor E y base B. Una seal aplicada al terminal de control (IB) hace que el transistor sea conductor en un grado ms o menos importante, amplificndose el valor de dicha seal de control, a la salida entre el emisor y el colector (IC). La flecha del emisor indica la direccin de la circulacin de la corriente cuando la unin emisor-base se encuentra polarizada en sentido directo (transistor en estado de conduccin).

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

Un transistor de potencia se caracteriza en estado de bloqueo por la tensin en sus bornes colectoremisor VCE y su corriente de fugas IF. En estado de conduccin, se caracteriza por la corriente que lo atraviesa I C y por la cada de tensin que esta provoca VCEsat. En general, la tensin de saturacin VCEsat, es inferior o igual a 1,5 V. Una ventaja de los transistores frente a los tiristores consiste en que se activan y se desactivan ms fcil y ms rpidamente; sin embargo, requieren un control ms preciso de la seal de control aplicada a la base La capacidad de corriente emisor-colector, en configuracin Darlington con mdulos asociados, puede superar los 1.000 A y la velocidad de conmutacin es de unos 5 microsegundos. El transistor bipolar (BJT), para funcionar como interruptor de conmutacin, requiere de una alta corriente de base para entrar en estado de conduccin o saturacin y adems, es relativamente lento en sus caractersticas de apagado o corte, es decir, en la transicin de la saturacin al corte (actualmente conocida como cola de corriente).

Como desventajas adicionales, podemos mencionar en primer lugar que el BJT posee una considerable dispersin trmica debido a su coeficiente de temperatura negativo. La segunda desventaja importante es la incidencia que puede alcanzar en un circuito mientras se encuentra en estado de conduccin. Este efecto (problemtico) se rige por la tensin de saturacin entre Colector y Emisor (VCE), que en muchas aplicaciones suele alcanzar valores de varios voltios, an en condiciones de saturacin total.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

2) EL TRANSISTOR DE EFECTO SEMICONDUCTOR (MOSFET)

MOSFET: Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor.

DE

CAMPO

METAL-XIDO-

Es un transistor de conmutacin muy rpida que naci con un futuro prometedor en aplicaciones de alta frecuencia (hasta 1 MHz) y baja potencia (hasta unos pocos kW). El MOSFET se controla por tensin de manera que si se aplica a la puerta una tensin positiva (es decir VGS positiva) mayor que un valor umbral, el transistor conduce permitiendo el flujo de intensidad entre el drenador y la fuente. La puerta est aislada por una capa de oxido de silicio (SO2), y entonces la impedancia de entrada del circuito de puerta es extremadamente elevada en estado estacionario. La puerta precisar de un pulso de corriente durante el paso de conduccin a bloqueo. En estado de conduccin, su resistencia no tiene lmite terico, por lo tanto, su incidencia es notablemente inferior dentro de un circuito elctrico cuando se encuentra en estado de saturacin gracias a que presenta una resistencia final (RDS-on) de unos pocos miliOhms. El MOSFET suele tener tambin incorporado en su encapsulado un diodo, que es particularmente til en el tratamiento de sistemas conmutados de corriente, impidiendo la retroalimentacin destructiva que se origina en este tipo de aplicaciones. A este diodo se lo conoce como Damper. Un punto dbil de esta tecnologa es la potencia mxima de trabajo. Si bien existen dispositivos que pueden trabajar con altas tensiones (VDS > 400 Volts) exista una necesidad de disponer de semiconductores adecuados para aplicaciones industriales de alta corriente (IDS >100 Amperes). Fue as que, a lo largo de la dcada del 80, comenzaron a aparecer en escena los IGBT.

3) EL TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor El IGBT es un cruce, un hbrido, entre los transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha las bondades de ambas tecnologas.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

El IGBT tiene la salida de conmutacin y de conduccin con las caractersticas de los transistores bipolares, pero es controlado por tensin como un MOSFET. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conduccin por tensin que ofrece un MOSFET. Sin embargo, los IGBT no son dispositivos ideales y entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una relativamente baja velocidad de respuesta (20Khz) y no siempre traen el diodo de proteccin (Damper) que incluyen los MOSFET. Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de temperatura negativo que poseen, que podra conducir al dispositivo a una deriva trmica muy difcil de controlar. Por supuesto, estas desventajas quedan eclipsadas cuando debemos reconocer la capacidadde un IGBT de poder trabajar con varios miles de Voltios y corrientes tan elevadas que permiten hablar de cientos de KiloWatts de potencia controlada.

CONCLUSIN
En la batalla entre IGBTs y MOSFETs, ya sea un dispositivo como el otro, pueden demostrar que tiene ventajas y desventajas en un mismo circuito dependiendo de las condiciones de funcionamiento y cada uno ser el indicado para diferentes diseos. El MOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado un desarrollo constructivo muy importante. Los IGBT son una nueva tecnologa que superar a los MOSFET por encima de los 300 Volts y los 100 Amperes, pero estos ltimos continan teniendo un crecimiento muy dinmico en el rea de la automocin y la electrnica de consumo, lo que har que su decadencia no resulte tan pronta ni tan sencilla. Cada cual tendr su nicho de trabajo y ser muy importante, para el diseador, aprender a identificar estos espacios para alcanzar un desarrollo industrial eficiente, ajustado a las necesidades operativas del trabajo a realizar.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

PRUEBA DE COMPONENTES ELECTRNICOS

NOTA: Observe que el Ohmmetro analgico genera un voltaje interno con una polaridad como se muestra en la figura.

PRUEBA DEL DIODO

1) PRUEBA DEL DIODO CON MULTMETRO ANALGICO Utilice el Ohmmetro en el rango Rx1 y conectar los entre los extremos del diodo. Se encontrarn dos valores totalmente distintos, segn el sentido de las puntas.

2) PRUEBA DEL DIODO CON MULTMETRO DIGITAL Mueva el selector del multmetro en la posicin de medicin de diodo . Se encontrarn dos valores totalmente distintos, segn el sentido de las puntas.

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PRUEBA DEL TRANSISTOR NPN y PNP

Para fines de identificacin de terminales, un transistor equivale a dos diodos en oposicin como se muestra.

PRUEBA DEL TRANSISTOR NPN

1) IDENTIFICACIN DE LA BASE Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x1 R x10. Para el caso NPN, se situar la punta negra del Ohmmetro sobre el terminal de la base y se aplicar la punta roja sobre las patitas correspondientes al emisor y posteriormente al colector. Ir probando entre los tres pines hasta encontrar la condicin que se muestra en figura.

2) IDENTIFICACIN DEL COLECTOR Y EMISOR Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x10 R x100 Conecte un resistor de 10 k como se muestra en la figura.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

( ) ( )

( ) ( )

3) PRUEBA DE CORRIENTE DE FUGA DEL TRANSISTOR BJT Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x1k R x10k

El valor esperado es de alta resistencia ( infinito), prcticamente la aguja del Ohmmetro se mantendr inmvil.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

PRUEBA DEL TRANSISTOR PNP

1) IDENTIFICACIN DE LA BASE Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x1 R x10. Ir probando entre los tres pines hasta encontrar la condicin que se muestra en figura.

2) IDENTIFICACIN DEL COLECTOR Y EMISOR Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x10 R x100. Conecte un resistor de 10 k como se muestra en la figura.

( ) ( )

( ) ( )

3) PRUEBA DE CORRIENTE DE FUGA DEL TRANSISTOR BJT Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x1k R x10k.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

El valor esperado es de alta resistencia ( infinito), prcticamente la aguja del Ohmmetro se mantendr inmvil.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

PRUEBA DEL MOSFET

1) IDENTIFICACIN DE LA DRENADOR (D), SURTIDOR (S) y GATE (G) Se aprovecha la existencia del diodo dispuesto entre Drenador y Surtidor, entonces, es cuestin de encontrar el nodo y ctodo de aquel diodo. NOTA1: Evite tocar los pines con cualquier parte de sus manos para evitar daar o activar el dispositivo. NOTA2: Antes de cada medicin cortocircuite los tres terminales para evitar mediciones inexactas.

2) PRUEBA DE AISLAMIENTO ENTRE GATE (G) Y SOURCE (S) Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x1k R x10k.

El valor esperado es de alta resistencia (infinito), prcticamente la aguja del Ohmmetro se mantendr inmvil.

3) PRUEBA DE CONDUCCIN ENTRE DRENADOR Y SURTIDOR

Se emplear un Ohmmetro analgico y las medidas se efectuarn colocando el instrumento en el rango R x10 R x100. El valor esperado es de alta resistencia (infinito), prcticamente la aguja del Ohmmetro se mantendr inmvil. LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS

NOTA: Conecte un puente entre G y S

Quite el puente y con mucho cuidado conecte la punta negra del Ohmmetro a G (Gate) por 1 segundo aproximadamente y regrese nuevamente a D (Drenador). Se espera que el MOSFET entre en conduccin.

LIc. ANIBAL AGUILAR RAMOS