Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

CÁLCULO DE PÉRDIDAS Y
CIRCUITOS DE AYUDA A LA
CONMUTACIÓN
En este capítulo se presentará el procedimiento para el
cálculo de las pérdidas de potencia en un transistor, paso esencial para el cálculo del
disipador de calor apropiado para que la juntura del dispositivo no sobrepase el máximo
especificado, ya que de ser así, la vida útil del dispositivo se ve comprometida. También
se analizarán los circuitos de ayuda a la conmutación (“snubber”), para el disparo y para el
bloqueo, los cuales tienen como función reducir las pérdidas en los transistores,
modificando la trayectoria de la conmutación, y además reducen los estrés de voltaje y
corriente sobre el transistor, los que pueden llevarlo a una falla por segunda ruptura.

3.1 PÉRDIDAS EN UN TRANSISTOR DE

POTENCIA
Pérdidas
Cuando se analiza la disipación de potencia en un Las pérdidas de potencia
dispositivo semiconductor debe tenerse presente que ésta que se dan en cualquier
semiconductor afectan
tiene dos orígenes, uno se debe a las pérdidas asociadas a la eficiencia global del
la conducción de corriente, y el otro se debe al proceso de sistema. Mientras más
calor se emite, menor
conmutación. Aunque el proceso de conmutación toma será la eficiencia.
sólo una pequeña parte del período de la señal, es crítico En términos globales no
importa si las pérdidas
porque en él se presentan al mismo tiempo elevados son por conducción o
valores de voltaje y corriente. Además, este fenómeno se por conmutación, la
energía perdida como
repite muchas veces en un segundo, en aplicaciones calor tiene el mismo
típicas, se puede estar trabajando a una frecuencia de efecto en la eficiencia
de nuestro sistema.
conmutación de 30kHz.
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3.1.1 PÉRDIDAS POR CONDUCCIÓN

Las pérdidas por conducción se generan cuando el interruptor se encuentra en su

estado ON. Sin embargo, en la mayoría de las aplicaciones los interruptores se controlan
con el método de PWM, o sea, la frecuencia y por tanto el período se mantienen constantes
y el intervalo en que el transistor está conduciendo varía, generando así el parámetro
conocido como ciclo de trabajo (D).
Si se considera que durante la conducción el transistor maneja la corriente de la
carga y presenta entre sus terminales el voltaje de encendido, se puede definir la potencia
disipada como la multiplicación de estos parámetros por el ciclo de trabajo. Al aplicar este
concepto a los transistores estudiados se llega a las siguientes ecuaciones.

a. BJT de potencia e IGBT

𝑃𝑂𝑁 = 𝑉𝐶𝐸−𝑂𝑁 𝐼𝑂 𝐷 (3.1)
b. MOSFET de potencia
𝑃𝑂𝑁 = 𝑅𝐷𝑆−𝑂𝑁 𝐼𝑂2 𝐷 (3.2)

De las ecuaciones anteriores se desprende que si el valor de la resistencia de

encendido del MOSFET es pequeño, sus pérdidas serán menores que las generadas por el
BJT o IGBT cuando se maneje la misma corriente, caso contrario serán mucho mayores,
ya que sus pérdidas dependen del cuadrado de la corriente.

NOTA: Es importante hacer énfasis que en el cálculo de la potencia debe utilizarse

la corriente de la carga y no la corriente máxima que puede manejar el transistor.

3.1.2 PÉRDIDAS POR CONMUTACIÓN

Las pérdidas por conmutación son algo más complejas que las pérdidas por
conducción, ya que las mismas dependen del tipo de carga que esté manejando el transistor.
En la mayoría de las aplicaciones de electrónica de potencia, los transistores tienen como
objetivo manejar una carga con características inductivas, pero puede darse el caso de que
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la carga se presente como una resistencia pura. En este folleto nos enfocaremos al caso
inductivo que es presentado en la figura 3.1.

Figura 3.1 Circuito y formas de onda para la conmutación de cargas inductivas por un
transistor de potencia.

Como se puede apreciar en primera instancia, en el circuito se presenta un diodo en

antiparalelo con la carga inductiva, representada por una fuente de corriente Io. Este diodo
es de suma importancia y no debe ser olvidado bajo ninguna circunstancia, ya que el mismo
permite que la corriente de la carga tenga un camino alterno para su circulación cuando el
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transistor de potencia es apagado. De no estar presente o haberse

dañado, el efecto inductivo de la carga hará que ésta incremente su
voltaje hasta donde sea necesario, con el fin de mantener la Conmutación
continuidad en el flujo de corriente. Este elevado voltaje someterá al Aunque nuestras
transistor de potencia a un estrés excesivo que seguramente terminara fórmulas de conmutación
presentan tanto los
con su destrucción. tiempos de subida y caída
Analizando las curvas, podemos ver que para el caso inductivo, del voltaje en el
transistor, dichos tiempos
la corriente y el voltaje en el transistor no evolucionan a la vez, como son una aproximación
sucede en el caso resistivo, y esto se debe exclusivamente al diodo porque los fabricantes
sólo nos brindan los
colocado en antiparalelo con la carga. Nótese también que existen tiempos de cambio de la
tiempos tdON y tdOFF, los cuales están relacionados con la colocación corriete. Así es, aunque
las hojas de data no
y remoción de la carga del transistor. Por otra parte, los tiempos hagan referencia a voltaje
asociados con la subida y caída del voltaje y la corriente no son o corriente, los tiempos
presentados son los de la
iguales, sin embargo, en las hojas de especificaciones no se dan los corriente, por lo que la
valores para ambas variables, sólo se definen los relacionados a la mejor opción es
aproximar ambos valores
corriente. para hayar una solución.

Como se aprecia en la figura 3.1, la energía asociada a cada conmutación depende

de los valores de corriente y voltaje de la carga y de los tiempos de conmutación. Sin
embargo, como nuestro interés es el cálculo de la potencia, estos valores deben sumarse y
multiplicarse por la frecuencia de conmutación, dando como resultado la siguiente
ecuación:

1
𝑃𝑆 = 2 𝑉𝑂 𝐼𝑂 𝑓𝑆 (𝑡𝑟𝑖 + 𝑡𝑓𝑣 + 𝑡𝑟𝑣 + 𝑡𝑓𝑖 ) (3.3)

Cuando se considera que las hojas de datos no presentan todos los parámetros
necesarios, se hace obligatorio aproximar los tiempos de conmutación de corriente y voltaje
a los presentados en la hoja de especificación y obtener la siguiente ecuación.

𝑃𝑆 = 𝑉𝑂 𝐼𝑂 𝑓𝑆 (𝑡𝑟 + 𝑡𝑓 ) (3.4)
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3.1.3 CÁLCULO DEL DISIPADOR DE CALOR

DISIPADOR DE
Para el cálculo del disipador de calor debe
CALOR
obtenerse la potencia total (PTOT), que es simplemente la
suma de la potencia disipada por conducción y la potencia En este apartado, el
disipada por conmutación. Debe considerarse también la objetivo es determinar
la resistencia térmica
temperatura máxima de la juntura del transistor y el rango del disipador de calor,
de variación de la temperatura ambiente. En el caso de la para así poder
seleccionar uno de un
resistencia térmica entre la juntura y el encapsulado, su distribuidor. Para esto
valor se ve definido por el fabricante, pero en el caso de la se debe considerar,
adicionalmente a una
resistencia térmica entre el encapsulado y el disipador, la resistencia térmica
misma depende del tipo de montaje y el fabricante sólo da menor que la calculada,
el volumen, peso y
un valor de referencia para un tipo de montaje específico. costo del disipador y en
Con todos los datos definidos se puede obtener el ocasiones también es
necesario prestar
valor de la resistencia térmica del disipador (RSA) de calor atención a sus
dimensiones.
con la siguiente ecuación:

𝑇𝑗 = 𝑇𝑎 + 𝑃𝑇𝑂𝑇 (𝑅𝜑𝐽𝐶 + 𝑅𝜑𝐶𝑆 + 𝑅𝜑𝑆𝐴 ) (3.5)

Es importante saber qué criterio utilizar al definir el valor de la temperatura de

juntura, ya que por cada 10°C por debajo de la temperatura máxima la fiabilidad a
largo plazo del dispositivo se duplica. Lo contrario pasa cuando el dispositivo opera
normalmente por encima de la temperatura máxima especificada, siempre y cuando
no se superen los 230°C, valor para el cual el silicio normalmente falla.

En la figura 3.2 se muestra la diferencia en las caídas de voltajes para diferentes

dispositivos, entre ellos MOSFET de diferentes voltajes y un IGBT. Ya que las pérdidas
por conducción están definidas por la multiplicación de corriente y voltaje, los dispositivos
que presenten mayor voltaje en las curvas, presentarán mayores pérdidas.
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Figura 3.2 Comparación entre la caída de voltaje y la corriente manejada por diferentes
dispositivos.

Figura 3.3 Definición de las resistencias térmicas para un dispositivo semiconductor con
disipador de calor
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3.2 CIRCUITOS DE AYUDA A LA CONMUTACIÓN

Como se ha demostrado, las pérdidas por conmutación dependen directamente de

la frecuencia de conmutación. En la figura 3.3 se muestra de forma más real el proceso de
conmutación en un transistor de potencia. En la misma puede apreciarse el efecto inductivo
de los cables, conectores y patas de dispositivos, así como de la corriente de recuperación
reversa del diodo.

En la parte b de la figura 3.3, se observa que durante la conmutación, tanto en el

disparo como en el bloqueo, se presentan elevados valores de voltaje y corriente al mismo
tiempo, los que someten a los dispositivos a una situación de estrés que podría causar su
falla por el fenómeno conocido como segunda ruptura. Si se define el voltaje colector-
emisor para el circuito de la figura 3.3a se tendrá la siguiente ecuación:

𝑑𝑖𝐶
𝑣𝐶𝐸 = 𝑉𝑑 − 𝐿𝜎 (3.6)
𝑑𝑡

Lo conveniente para la reducción de las pérdidas por conmutación es el uso de

circuitos conocidos como circuitos de ayuda a la conmutación o “snubber”. Estos
circuitos se diseñan tanto para el bloqueo como para el disparo de los transistores. En el
caso del bloqueo el propósito es disminuir la velocidad con que aumenta el voltaje colector-
emisor, en el caso del disparo la intención es reducir la velocidad de aumento de la corriente
a la vez que se reduce el voltaje sobre el transistor de potencia.

La segunda ruptura es un fenómeno asociado a los BJT y a algunos otros dispositivos

de portadores minoritarios durante el cual el voltaje colector-emisor decae mientras
se manejan valores elevados de corriente. El problema es que el manejo de corriente
se da en áreas localizadas llegando a producirse filamentos de corrientes los cuales
elevan la disipación de potencia y la temperatura del semiconductor en estas regiones,
llevándolo a su destrucción si el fenómeno no termina prontamente.
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Figura 3.4 Conmutación de carga inductiva. a) Circuito equivalente, b) Trayectoria de

corriente y voltaje, c) Formas de onda en función del tiempo.

3.2.1 SNUBBER DE BLOQUEO

Para mejorar la evolución de las variables de voltaje y corriente durante el bloqueo

se utiliza el circuito mostrado en la figura 3.4. La idea inicial es colocar un capacitor en
paralelo con el transistor de potencia y así reducir el dv/dt a la hora del bloqueo. El voltaje
en el capacitor del snubber sigue la siguiente ecuación:

𝐼 𝑡2
𝑣𝐶𝑆 = 2𝐶𝑂 𝑡 (3.7)
𝑆 𝑓𝑖

Esto funciona adecuadamente para el fin deseado, pero al inicio del siguiente
período el capacitor se descargará sobre el transistor provocando un pico de corriente que
no es deseable.
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Figura 3.5 Circuito de ayuda a la conmutación durante el bloqueo. a) Diagrama

esquemático, b) Circuito equivalente durante el transitorio. c) Formas de onda
de voltaje y corriente el bloqueo. CS1 es el valor para el cual la corriente de
colector se anula en el mismo instante en que el voltaje colector-emisor llega a
su máximo.
Para evitar esto, se coloca una resistencia en serie con el capacitor, pero sólo una
resistencia aumentaría mucho la constante de tiempo durante el bloqueo, y la frecuencia de
conmutación podría verse afectada. Para tener dos constantes de tiempo diferentes se
coloca un diodo en paralelo con la resistencia, lo cual permite que el capacitor se cargue a
través del diodo durante el bloqueo y se descargue a través de la resistencia durante el
disparo. El valor del capacitor CS1 puede determinarse a través de la siguiente ecuación.
𝐼𝑂 𝑡𝑓𝑖
𝐶𝑆1 = (3.8)
2𝑉𝑑

El valor de la resistencia serie, así como su potencia, pueden ser calculados por las
siguientes ecuaciones
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𝑉𝑑
= 0.2𝐼𝑂 (3.9)
𝑅𝑆

𝐶𝑆 𝑉𝑑2 Snubber de
𝑃𝑅 = 𝑓𝑆 (3.10)
2 bloqueo

No es estrictamente necesario que el capacitor utilizado sea En esta parte debe

tenerse presente que el
igual a CS1, su valor puede ser mayor o menor, un valor mayor reduce objetivo principal es
las pérdidas por conmutación pero alarga este proceso. Un valor menor disminuir el estrés
térmico en el transistor.
tiene menos efecto sobre la reducción de las pérdidas por conmutación. Sin embargo, puede
Adicionalmente, existe una potencia disipada en el resistor Rs, la cual observarse que más allá
de Cs1, el efecto en el
disminuye la eficiencia global del circuito. Por esta razón debe transistor es mínimo,
definirse con claridad cual es el objetivo del snubber, considerando que pero las pérdidas en el
resistor del snubber
es conveniente mantener el transistor lo más frío posible. siguen aumentando de
manera lineal con lo que
En la figura 3.5 se muestra un gráfico que modela las pérdidas la eficiencia global se
desmejora rápidamente.
en el transistor y en el resistor utilizado en el snubber en función del
tamaño del capacitor Cs. Obsérvese que las pérdidas totales tienen un mínimo para un
valor cercano a 0.5CS1, para obtener el valor exacto debe derivarse la expresión para las
perdidas totales con respecto a CS e igualar este valor a cero.

3.2.2 SNUBBER DE DISPARO

Para mejorar las condiciones durante el disparo se coloca un inductor en serie con
el transistor de potencia, sin embargo, este inductor puede también tener un efecto adverso
sobre el transistor durante el bloqueo del mismo, por lo tanto, es necesario poner un diodo
en antiparalelo con el mismo. También es necesario el uso de un resistor en serie para
eliminar la energía que se ha almacenado en el inductor, ya que de no hacerse así, no se
tendrá protección durante el siguiente disparo. El circuito y las curvas relacionadas se
presentan en la figura 3.6.
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Figura 3.6. Disipación de energía durante el bloqueo en un BJT de potencia.

Las fórmulas apropiadas para el cálculo de los elementos del snubber son las
siguientes:
𝐿𝑆 𝐼 𝑂
𝛥𝑉𝐶𝐸 = (3.11)
𝑡𝑟𝑖

(3.12)
VCE ,max = RLS I O
2
𝐿𝑆 𝐼𝑂
𝑃𝑅 = 𝑓𝑆 (3.13)
2

El valor de VCE está definido por la disminución en el voltaje colector debida a la

caída de voltaje en el inductor Ls. El valor de VCE-max se refiere a la sobretensión que se
generará al final del período de bloqueo debido al inductor Ls. Este valor no debería ser
superior a un 10% del valor de la fuente.
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Figura 3.6 Ayuda a la conmutación durante el disparo. a) circuito en serie con el

transistor de potenciac) Formas de onda de voltaje y corriente para valores
pequeños de Ls.

1.3 TERMOGRAFÍA INFRARROJA

La termografía infrarroja es una técnica de análisis térmico que permite hacer un
análisis bidimensional en tiempo real de la temperatura superficial de un objeto. Esta
técnica tuvo sus orígenes cuando un experimento de William Herschel, un astrónomo y
músico germano-británico descubrió mediante un sencillo esperimento que las diferentes
longitudes de onda de la luz visibles transmitía cantidades de energía diferente, inclusive
que en la región que parecía no tener luz visible había más energía que en la región roja
del especro.

La termografía ha evolucionado por decenas de años desde las primeras cámaras que
necesitaban enfriamiento del sensor infrarrojo a temperturas por debajo de -100°C, hasta
las cámaras actuales que no requieren refrigeración en absoluto. En la actualidad se pueden
encontrar cámaras muy económicas que sirven para realizar inspecciones sencillas (por
menos de B/. 2,000.00) hasta cámaras que permiten ver fugas de hidrocarburos en
estaciones petroleras (por encima de B/. 100,000.00). Aunque existen muchos fabricantes
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de equipos infrarrojos, la mayoría se queda en la

fabricación de equipos de gama baja o media.
Tecnología
Considerando que las
cámaras termográficas
funcionan midiendo la
cantidad de radiación
infrarroja que les llega al
Al momento de seleccionar una cámara infrarroja se
sensor, estas cámaras
deben tener en cuenta algunos de los siguientes pueden determinar a
través de una
parámetos:
configuración apropiada,
• Resolución del sensor. Un valor bueno en la temperatura en la
superficie de los objetos.
la actualidad sería 320x240 pixeles Esta temperatura es
• Rango de temperatura: depende de las cierto que puede ser
afectada por lo que haya
aplicaciones (Ej. 650°C) dentro del objeto y hasta
• Sensibilidad térmica: capacidad de detrás de el, sin
embargo, la radiación
diferenciar temperaturas cercanas (Ej. infrarroja no consigue
50mK) atravesar la gran mayoría
de los objetos, por lo
• Enfoque óptico:fijo, manual, automático o cual no es posible hacer
contínuo lo que vemos en muchas
películas, donde se
• Video: capacidad de grabar video observa a través de las
radiométrico (con información de paredes utilizando
tecnología infrarroja.
temperatura)
• Campo de visión: influye sobre la calidad
de las imágenes (Ej. 24°x19°)
• Frecuencia: No tiene que ver con la red eléctrica, sino con la velocidad de
trabajo de la cámara. Una cámara de 9Hz puede ser algo lenta.
• Otras características: algunos fabricantes como FLIR incorporan otras
características que podrían ser útiles, como lo son las tecnologías, MSX,
Ultramax, y bloques ópticos giratorios.
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La termografía infrarroja nos permite analizar componentes de defirentes sistemas y

encontrar anomalías en etapas insipientes o avanzadas, pero que pueden ser atendidas antes
de que se de una falla. A nivel de los centros de investigación, también se utilizan cámaras
infrarrojas con características especiales, tales como resolución de 1024x768 pixeles,
sensibilidad de 20mK y rango de temperatura de -40 a 2000°C.
para proyectos de investigación

Imagnes tomadas de Flir Systems, cámara T1K

Las cámaras termográficas pueden ser utilizadas para muchas aplicaciones, entre ellas
tenemos:
• Sistemas eléctricos en baja, media y alta tensión
• Componentes electrónicos
• Componentes mecánicos (cajas reductoras, compresores, bombas)
• Sistemas térmicos: hornos, calderas, ductos y tuberías
• Problemas de humedad y filtraciones
• Detección de cáncer y otras lesiones
Para el buen uso de estos equipos hay que tener algunos cuidados, ya que por tratarse de
imágenes se pueden cometer algunos errores al aplicar la lógica. A continuación algunos
datos que debe considerar para que pueda medir la temperatura del encapsulado y del
disipador sin mayores problemas.
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1. La cámara debe estar configurada adecuadamente con los parámetros más

importantes: emisividad, temperatura reflejada y distancia.
2. Mientras mayor la emisividad mejor se puede realizar la termografía, pero su valor
debe ser el correcto y depende del objeto. Para el transistor se puede utilizar 0.95
pero el disipador es diferente. Si el aluminio está pintado también puede intentar
con un valor elevado como 0.9, pero si está sin pintar podría trabajar con 0.7.
3. La temperatura reflejada debe ser medida con un procedimiento específico,
utilizando un trozo de papel de aluminio arrugado. Pero si se encuentra en un salón
de laboratorio puede utilizar un valor aproximado de 25°C.
4. Si la cámara le pide la distancia del objeto debe poner la distancia correcta,
probablemente 1 metro.
5. Cuando tome la imagen los colores más claros indican los puntos más calientes en
la mayoría de los casos. Esto depende de la paleta de color seleccionada. Algunas
cámaras tienen las paletas hierro, lava y arcoíris.
6. Asegurese de que el objeto está bien enfocado y luego tome la imagen.

7. Transfiera su imagen a un software de análisis. La facultad de Ingeniería Eléctrica

cuenta con dos cámaras flir. Existe un
software gratuito que puede descargar de
la página www.flir.com, FLIRTOOLS.
8. Utilizando las herramientas de análisis
como puntos, líneas y áreas podemos
evaluar el comportamiento térmico del
componente
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PROBLEMAS RESUELTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET de potencia para controlar una carga
de 24V/100 A, la cual puede conmutarse a 2.5kHz (modo económico) o a 25kHz
(modo silencioso). La relación cíclica para el control de la carga puede variar
entre 0.2 y 0.75 y la temperatura ambiente varía entre 23 y 42ºC.
¿Determine el valor máximo de la resistencia térmica del disipador de calor?

Solución : Para seleccionar el MOSFET a utilizar en nuestra aplicación se consulta

la DATA de fabricante del dispositivo, y se debe verificar que su VDSS(Voltaje máximo
que soporta entre drenaje- fuente) sea mayor que el voltaje requerido por la carga.
De igual forma la ID (Corriente de drenaje promedio que soporta el dispositivo) sea
mayor que la corriente que requiere la carga. Tomando en cuenta éstas disposiciones
seleccionamos el MOSFET IRF2204, ya que el mismo soporta 40V y 210A. De la
data del fabricante anotamos los siguientes valores que son necesarios para la solución
del problema:

RDS(on) = 3.6mΩ @ 25 ºC TJmax = 175 ºC

RθJC = 0.45 ºC/W RθCS = 0.50 ºC/W
tr = 140 ns tf = 110 ns

Como nuestro objetivo es calcular el valor máximo de la resistencia térmica del

disipador de calor RθSA de la ecuación 𝑻𝑱 − 𝑻𝒂 = 𝑷𝑻 (𝑹𝜽𝑱𝑪 +
𝑹𝜽𝑪𝑺 + 𝑹𝜽𝑺𝑨 ) , resulta evidente que el primer paso es calcular la
PT ya que todos otros valores en la ecuación son dados por el
problema o están en la data del dispositivo. Temperatura de
juntura
𝑷𝑻 = 𝑷𝒐𝒏 + 𝑷𝑺
Para este problema la
Al calcular PT es importante tener en cuenta que deseamos temperatura fue
calcular la máxima RθSA( tamaño mínimo del disipador) por lo establecida en un valor
cual debemos diseñar para las peores condiciones de de 140°C para facilitar
operación dadas en el problema. Esto es más alta frecuencia la determinación del
de operación, más tiempo de encendido (ciclo de trabajo, D, factor de corrección de
la resistencia de
mayor) y temperatura ambiente más elevada.
encendido del Mosfet.
No hay ningún dato ni
❑ Potencia Disipada durante la conducción
enunciado que nos lleve
a concluir que el valor
𝑷𝒐𝒏 = 𝑹𝑫𝑺(𝒐𝒏) 𝑰𝟐𝑶 𝑫 debe ser éste.
𝑷𝒐𝒏 = 𝟑. 𝟔 × 𝟏𝟎−𝟑 ⋅ (𝟏. 𝟕𝟓) ⋅ (𝟏𝟎𝟎)𝟐 ⋅ (𝟎. 𝟕𝟓)
𝑷𝒐𝒏 = 𝟒𝟕. 𝟐𝟓𝑾
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Aunque la TJmax del dispositivo es de 175ºC hemos decidido diseñar el

disipador de tal manera que se aumente su fiabilidad y se introduzca un
factor de seguridad para corregir cualquier factor adverso en las
aproximaciones realizadas para el cálculo de la potencia. Por lo tanto,
supondremos una nueva TJ =140 ºC para éste diseño, la cual introduce un
factor de 1.75 que corrige el valor de la resistencia de encendido. Estos
valores se obtienen de la siguiente curva. Vale la pena resaltar que el valor
de 140°C no obedece a un criterio específico, ni es producto de la aplicación
de una fórmula matemática, su propósito es reducir el estrés térmico del
transistor y aumentar su fiabilidad a largo plazo.

❑ Potencia disipada por conmutación

𝑷𝑺 = 𝑽𝑶 𝑰𝑶 𝒇𝑺 (𝒕𝒓 + 𝒕𝒇 )
𝑷𝑺 = 𝟐𝟒(𝟏𝟎𝟎)(𝟐𝟓 × 𝟏𝟎𝟑 )(𝟏𝟏𝟎 × 𝟏𝟎−𝟗 + 𝟏𝟒𝟎 × 𝟏𝟎−𝟗 )
𝑷𝑺 = 𝟏𝟓𝑾
❑ Potencia Total

𝑷𝑻 = 𝑷𝒐𝒏 + 𝑷𝑺
𝑷𝑻 = 𝟒𝟕. 𝟐𝟓𝑾 + 𝟏𝟓𝑾
𝑷𝑻 = 𝟔𝟐. 𝟐𝟓𝑾

❑ Resistencia térmica del disipador

𝑻𝑱 − 𝑻𝒂
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝑹𝜽𝑱𝑪 − 𝑹𝜽𝑪𝑺
𝑷𝑻
𝟏𝟒𝟎 − 𝟒𝟐
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝟎. 𝟒𝟓 − 𝟎. 𝟓
𝟔𝟐. 𝟐𝟓
𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟎. 𝟔𝟐°𝑪/𝑾
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PROBLEMA 2: Se controla una carga inductiva de 90V y 30A con un

MOSFET. El ciclo de trabajo varía entre 0.1 y 0.90 y la frecuencia de operación
puede ser de 8kHz ó 30kHz. Encuentre el valor de la resistencia térmica del
disipador de calor. La temperatura ambiente varía entre 30 y 42ºC.

Solución: Para satisfacer los requerimientos de corriente y voltaje de la

carga inductiva el MOSFET adecuado es el IRF3415.

VDSS = 150V
ID = 43 A
De la data del fabricante tenemos

RDS(on) = 0.042 Ω @ 25 ºC TJmax = 175 ºC

RθJC = 0.75 ºC/W RθCS = 0.50 ºC/W
tr = 55 ns tf = 69 ns

De las condiciones dadas en el problema utilizaremos aquellos valores que

sometan al dispositivo a las peores condiciones de operación.

T =175 grados
JMax

R =0.75 Grados/watt
JC

P R =0.5 Grados/watt
T CS

R = ?
SA

T =42 grados
a
+

Figura 1. Analogía entre la R, V e I de un circuito

Eléctrico con Rθ, T y PT para el cálculo del disipador
❑ Pérdidas por Conducción
𝑷𝒐𝒏 = 𝑹𝑫𝑺(𝒐𝒏) 𝑰𝟐𝑶 𝑫
𝑷𝒐𝒏 = 𝟎. 𝟎𝟒𝟐 ⋅ (𝟑𝟎)𝟐 ⋅ (𝟎. 𝟗) ⋅ (𝟐. 𝟔)
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𝑷𝒐𝒏 = 𝟖𝟖. 𝟒𝟓𝑾

El factor 2.6 se obtiene de la curva normalizada RDSON VS. TJ, a
una temperatura de 175 ºC.

❑ Pérdidas por conmutación

𝑷𝑺 = 𝑽𝑶 𝑰𝑶 𝒇𝑺 (𝒕𝒓 + 𝒕𝒇 )
𝑷𝑺 = 𝟗𝟎(𝟑𝟎)(𝟑𝟎 × 𝟏𝟎𝟑 )(𝟓𝟓 × 𝟏𝟎−𝟗 + 𝟔𝟗 × 𝟏𝟎−𝟗 )
𝑷𝑺 = 𝟏𝟎. 𝟎𝟒𝑾
❑ Potencia Total
𝑷𝑻 = 𝑷𝒐𝒏 + 𝑷𝑺
𝑷𝑻 = 𝟖𝟖. 𝟒𝟓𝑾 + 𝟏𝟎. 𝟎𝟒𝑾
𝑷𝑻 = 𝟗𝟖. 𝟒𝟗𝑾
❑ Resistencia térmica del disipador

𝑻𝑱 − 𝑻𝒂
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝑹𝜽𝑱𝑪 − 𝑹𝜽𝑪𝑺
𝑷𝑻
𝟏𝟕𝟓 − 𝟒𝟐
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝟎. 𝟕𝟓 − 𝟎. 𝟓
𝟗𝟖. 𝟒𝟗
𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟎𝟒°𝑪/𝑾
RθSA que acabamos de calcular es el valor máximo que da el tamaño mínimo del
disipador. Si RθSA hubiera sido negativa se tendría que bajar la Ta o disminuir
la frecuencia de operación. Si aun así sigue negativa se procede a cambiar el
transistor.

PROBLEMA 3: Se desea conmutar una carga de 180 VDC y 37A a una frecuencia
de 10kHz. El ciclo de trabajo puede ser ajustado entre 0.1 y 0.9. La temperatura
ambiente oscila entre 27 y 42 ºC.
a) Determine el tamaño mínimo del disipador de calor.
b) Diseñe el snubber de bloqueo si CS=CS1.
c) Calcule Nuevamente el disipador de calor.
d) Diseñe el snubber de disparo si:
ΔVCE=0.45Vd
ΔVCemáx = 0.12Vd
e) Calcule el nuevo Disipador
Solución: Como primer paso verificamos los requerimientos de la carga
para luego seleccionar el dispositivo que vamos a utilizar. Para las
condiciones de la carga de corriente, voltaje y frecuencia el dispositivo
indicado para este problema es un IGBT IRG 4P254S

VCES = 250V
IC = 55 A
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De la hoja de datos

VCE(on) = 1.32V @ 55A TJmax = 150 ºC

RθJC = 0.64 ºC/W RθCS = 0.24 ºC/W
tr = 45 ns @ 150ºC tf = 940 ns @ 150ºC

a) Cálculo del disipador de calor

𝑷𝒐𝒏 = 𝑽𝑪𝑬(𝒐𝒏) 𝑰𝑶 𝑫
𝑷𝒐𝒏 = 𝟏. 𝟑𝟐 ⋅ (𝟑𝟕) ⋅ (𝟎. 𝟗)
𝑷𝒐𝒏 = 𝟒𝟑. 𝟗𝟓𝟔𝑾
𝑷𝑺 = 𝑽𝑶 𝑰𝑶 𝒇𝑺 (𝒕𝒓 + 𝒕𝒇 )
𝑷𝑺 = 𝟏𝟖𝟎(𝟑𝟕)(𝟏𝟎 × 𝟏𝟎𝟑 )(𝟒𝟓 × 𝟏𝟎−𝟗 + 𝟗𝟒𝟎 × 𝟏𝟎−𝟗 )
𝑷𝑺 = 𝟔𝟓. 𝟔𝟎𝑾

𝑷𝑻 = 𝟒𝟑. 𝟗𝟓𝟔𝑾 + 𝟔𝟓. 𝟔𝟎𝑾

𝑷𝑻 = 𝟏𝟎𝟗. 𝟓𝟓𝟕𝑾
𝑻𝑱 − 𝑻𝒂
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝑹𝜽𝑱𝑪 − 𝑹𝜽𝑪𝑺
𝑷𝑻
𝟏𝟓𝟎 − 𝟒𝟐
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝟎. 𝟔𝟒 − 𝟎. 𝟐𝟒
𝟏𝟎𝟗. 𝟓𝟓𝟕
𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟎. 𝟏𝟎𝟓𝟕°𝑪/𝑾

b) Diseñe el snubber de bloqueo si CS=CS1

❑ Parámetros del Snubber
𝑰𝒐 𝒕 𝒇 𝑽
𝑪𝑺𝟏 = 𝑹𝑺 = 𝟎.𝟐𝑰𝒅
𝟐𝑽𝒅 𝒐
𝟑𝟕∗𝟗𝟒𝟎×𝟏𝟎−𝟗 𝟏𝟖𝟎
𝑪𝑺𝟏 = 𝑹𝑺 = 𝟎.𝟐∗𝟑𝟕
𝟐∗𝟏𝟖𝟎
𝑪𝑺𝟏 = 𝟗. 𝟔𝟔 × 𝟏𝟎−𝟖 𝑭 𝑹𝑺 = 𝟐𝟒. 𝟑𝟐𝜴
𝟏 𝟏
𝑷𝑹𝑺 = 𝑪𝑺 𝑽𝟐𝒅 𝒇𝑺 = (𝟗𝟔. 𝟔 × 𝟏𝟎−𝟗 )(𝟏𝟖𝟎𝟐 )(𝟏𝟎 × 𝟏𝟎𝟑 )
𝟐 𝟐
𝑷𝑹𝑺 = 𝟏𝟓. 𝟔𝟓𝑾

❑ Potencia disipada por el IGBT con el snubber de bloqueo

𝑰𝟐𝒐 𝒕𝟐𝒇 𝒇𝒔 (𝟑𝟕)𝟐 (𝟗𝟒𝟎 × 𝟏𝟎−𝟗 )𝟐 (𝟏𝟎 × 𝟏𝟎𝟑 )

𝑷𝑸 = =
𝟐𝟒𝑪𝑺𝟏 𝟐𝟒(𝟗. 𝟔𝟔 × 𝟏𝟎−𝟖 )

𝑷𝑸 = 𝟓. 𝟐𝟐𝑾
Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

Debemos recordar que las pérdidas de conmutación, sin la

utilización de Snubbers, están compuestas por las pérdidas en
el disparo y el bloqueo del dispositivo, esto es
𝑷𝑺 = 𝑷𝒅𝒊𝒔𝒑𝒂𝒓𝒐 + 𝑷𝒃𝒍𝒐𝒒𝒖𝒆𝒐 ,
𝑷
por ende 𝑷𝒅𝒊𝒔𝒑𝒂𝒓𝒐 = 𝑷𝒃𝒍𝒐𝒒𝒖𝒆𝒐 = 𝟐𝑺 .
Al colocar el snubber de bloqueo las pérdidas de potencia en
el bloqueo cambian, se reducen y están terminadas por PQ.
𝑷
Las pérdidas en el encendido siguen siendo 𝑷𝒅𝒊𝒔𝒑𝒂𝒓𝒐 = 𝑺 ya
𝟐
que no hay snubber de disparo

Ahora el valor de PT queda definido por

𝑷𝒔
𝑷𝑻 = 𝑷𝑶𝑵 + + 𝑷𝑸
𝟐
𝟔𝟓. 𝟔𝟎
𝑷𝑻 = 𝟒𝟑. 𝟗𝟓𝟔 + + 𝟓. 𝟐𝟐
𝟐
𝑷𝑻 = 𝟖𝟏. 𝟗𝟕𝟔𝑾

c) Nuevo Disipador de Calor

Éste disipado se calcula utilizando 𝑷𝑻 = 𝟖𝟏. 𝟗𝟕𝟔𝑾
𝑻𝑱 − 𝑻𝒂
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝑹𝜽𝑱𝑪 − 𝑹𝜽𝑪𝑺
𝑷𝑻
𝟏𝟓𝟎 − 𝟒𝟐
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝟎. 𝟔𝟒 − 𝟎. 𝟐𝟒
𝟖𝟏. 𝟗𝟕𝟔
𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟎. 𝟒𝟑𝟕°𝑪/𝑾

d) Diseñe el Snubber de Disparo

ΔVCE =0.45Vd
ΔVCE máx = 0.12Vd

𝑳𝑺 𝑰𝑶 𝜟𝑽𝑪𝑬 𝒕𝒓 𝟎.𝟒𝟓(𝟏𝟖𝟎)(𝟒𝟓×𝟏𝟎−𝟗 )
𝜟𝑽𝑪𝑬 = , entonces 𝑳𝒔 = =
𝒕𝒓 𝑰𝒐 𝟑𝟕

𝑳𝒔 = 𝟗𝟖. 𝟓𝟏𝒏𝑯

VCE m ax = R LS I o , de aquí que

VCE max 0.12  (180)
RLS = =
Io 37
𝑹𝑳𝑺 = 𝟎. 𝟓𝟖𝜴

𝑳 𝑺𝑰𝟐𝒐 𝟗𝟖. 𝟓𝟏 × 𝟏𝟎−𝟗 (𝟑𝟕)𝟐

𝑷𝑹 = 𝒇𝒔 = (𝟏𝟎 × 𝟏𝟎𝟑 )
𝟐 𝟐
Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

𝑷𝑹 = 𝟎. 𝟔𝟕𝑾

VCE = 180V IO = 37A

ΔVCE = 81V

99 V

tr = 45ns

e) Calcule el nuevo disipador

𝑰𝒐
𝒊𝒄 = 𝒕
𝒕𝒓
𝟏 𝒕𝒓 𝑰𝑶
𝑷𝑸 = ∫ 𝑽 𝒕𝒅𝒕
𝑻𝑺 𝟎 𝑪𝑬 𝒕𝒓
𝟐
𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑶 𝒕𝒓 𝑽𝑪𝑬 𝑰𝑶 𝒕𝒓
𝑷𝑸 = ⋅ = 𝒇𝑺
𝑻𝑺 𝒕𝒓 𝟐 𝟐
𝑷𝑸 = 𝟎. 𝟖𝟐𝟒𝑾

Para el cálculo de la nueva PT debemos considerar los efectos de ambos

Snubbers.
𝑷𝑻 = 𝑷𝑶𝑵 + 𝑷𝑸𝒅𝒊𝒔𝒑𝒂𝒓𝒐 + 𝑷𝑸𝒃𝒍𝒐𝒒𝒖𝒆𝒐
𝑷𝑻 = 𝟒𝟑. 𝟗𝟓𝟔 + 𝟎. 𝟖𝟐𝟒 + 𝟓. 𝟐𝟐 = 𝟓𝟎𝑾

Disparo on Bloqueo

𝑻𝑱 − 𝑻𝒂
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝑹𝜽𝑱𝑪 − 𝑹𝜽𝑪𝑺
𝑷𝑻
𝟏𝟓𝟎 − 𝟒𝟐
𝑹𝜽𝑺𝑨 = − 𝟎. 𝟔𝟒 − 𝟎. 𝟐𝟒
𝟓𝟎. 𝟎𝟎
𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟏. 𝟐𝟖°𝑪/𝑾
Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET para conmutar una carga de 24 V y 100A
a una frecuencia de 50kHz. Calcule la potencia total disipada por el transistor.
El ciclo de trabajo varía entre 0.2 y 0.8.

❑ Pérdidas por Conducción

𝑷𝒐𝒏 = 𝟔𝟎. 𝟒𝟖𝑾
❑ Pérdidas por conmutación
𝑷𝑺 = 𝟑𝟎𝑾
❑ Potencia Total
𝑷𝑻 = 𝟗𝟎. 𝟒𝟖𝑾

PROBLEMA 2: Se utiliza un MOSFET IRF3415 para controlar una carga de 120 V

y 33 A. Para controlar la potencia de salida, el ciclo de trabajo del MOSFET puede
ajustarse entre 0.1 y 0.5 y el usuario puede elegir entre trabajar en modo
económico (fs = 5 kHz) o modo silencioso (fs = 40 kHz). La temperatura ambiente
en el lugar donde se instalará el control varía entre 28 y 38 ºC.

Debe considerarse como objetivo de diseño que la fiabilidad del dispositivo

a largo plazo se doble.

a) Calcule la potencia total disipada por el transistor.

b) Calcule el tamaño mínimo para el disipador de calor.
c) Calcule los circuitos de ayuda a la conmutación (snubber) para el
disparo y el bloqueo, asumiendo que ΔVCE = 0.6Vd y que ΔVCEmáx =
0.1Vd
d) Tamaño mínimo del disipador de calor considerando los snubber.
e) Determine cual debe ser el disipador a utilizar de la figura mostrada a
continuación.
Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

a.)
𝑷𝒐𝒏 = 𝟓𝟒. 𝟖𝟖 𝑾
𝑷𝑺 = 𝟏𝟗. 𝟔𝟒 𝑾
𝑷𝑻 = 𝟓𝟒. 𝟖𝟖 + 𝟏𝟗. 𝟔𝟒 = 𝟕𝟒. 𝟓𝟐 𝑾

b.) Disipador de calor

𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟎. 𝟒𝟓𝟒°𝑪/𝑾

c.) Snubber de Bloqueo

𝑪𝑺𝟏 = 𝟗. 𝟒𝟖𝟕 𝒏𝑭 𝑹𝑺 = 𝟏𝟖. 𝟏𝟖 𝜴
𝑷𝑹𝑺 = 𝟐. 𝟕𝟑𝟐 𝑾
𝑷𝑸 = 𝟎. 𝟗𝟏𝟎𝟖 𝑾

Snubber de Disparo
𝑳𝒔 = 𝟏𝟐𝟎 𝒏𝑯
𝑹𝑳𝑺 = 𝟎. 𝟑𝟔𝟑𝟔𝜴
𝑷𝑹 = 𝟐. 𝟔𝟏𝟑𝟔 𝑾
Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

d.) Nuevo Disipador

𝑷𝑸 = 𝟏. 𝟕𝟒𝟐 𝑾
𝑹𝜽𝑺𝑨 = 𝟎. 𝟗𝟓𝟕°𝑪/𝑾

e) Selección del disipador de calor.

Para seleccionar el disipador solo observe la figura y escoja el disipador con una
resistencia térmica ligeramente menor a la obtenida en nuestros cálculos.

PROBLEMA 3: La ecuación 3.7 que define el voltaje en el capacitor del snubber de

bloqueo también define el voltaje entre colector y emisor, por qué?

PROBLEMA 4: En la figura 3.3 se observa un pico de corriente en la corriente de colector

durante el disparo, a que se debe éste.
PROBLEMA 5: Explique por qué el sobrevoltaje que ocurre durante el apagado obedece
a la ecuación 3.12.
PROBLEMA 6: Cuanto es la corriente máxima que envía el capacitor del snubber de
bloqueo (Cs) hacia el transistor durante el disparo? Exprese su respuesta con relación a Io.
PROBLEMA 7: En la figura de los disipadores falta el número 4, sería apropiado hacer
una interpolación entre los valores adyacentes?
PROBLEMA 8: Que consideraría más apropiado. Considere que ambas soluciones son
técnicamente factibles.
a. Un transistor pequeño con un gran disipador
b. Un transistor mayor con un disipador más pequeño
PROBLEMA 9: Qué resulta técnicamente más apropiado al utilizar una cámara
termográfica:
a. Medir la temperatura de un disipador de aluminio
b. Medir la temperatura del encapsulado plástico de un transistor
PROBLEMA 10: Las cámaras termográficas miden:
a. La temperatura de los objetos
Electrónica Potencia y Aplicaciones Convertidores DC-DC

b. La radiación infrarroja emitida por los objetos

c. La radiación en el espectro visible
PROBLEMA 11: Ordene las siguientes magnitudes empezando por la que más
afecta la exactitud en los valores de temperatura brindados por la cámara
termográfica
a. La atmósfera
b. La emisividad del objeto medido
c. La temperatura reflejada por el objeto medido