Curso: ELECTRONICA

INDUSTRIAL

Profesor: Mg. Ing. RASHUAMAN FLORES, Ricardo

Ing. Mecánico UNI - CIP 269460

Ingeniería en Energía UNAC

 Curso: ELECTRONICA INDUSTRIAL
I: Electrónica básica, componentes y semiconductores.

SILABO ELECTRONICA INDUSTRIAL

Mg. Ricardo Rashuaman Flores Ingeniería en Energía UNAC

 Curso: ELECTRONICA
INDUSTRIAL

TEMA
- El transistor Unipolar o JFETS y
MOSFET. Polarización, tipos. Parámetros
híbridos del JFET. Configuraciones
básicas, SC, GC, DC.
:.
Práctica laboratorio Nº 05:
El MOS como conmutador.

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I: Electrónica básica, componentes y semiconductores.

EL TRANSISTOR BIPOLAR

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EL TRANSISTOR BIPOLAR

TRANSISTOR ZONAS
https://www.youtube.com/watch?v=7Q79fhvoRSs

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EL TRANSISTOR BIPOLAR

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EL TRANSISTOR

MEDICION MEDICION
DE DE
AMPERAJE VOLTAJE
DE B, E, C DE B, E, C

TRANSISTOR ZONAS
https://www.youtube.com/watch?v=7Q79fhvoRSs

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EL TRANSISTOR

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EL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor como interruptor (Problema - Solución)
https://www.youtube.com/watch?v=lVLwn-Iy6tU
https://www.youtube.com/watch?v=-nw9SyNeQHE

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EL TRANSISTOR BIPOLAR

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR

¿Cuáles son los tipos de FET?

Hay dos variedades fundamentales de FET:

• El transistor de efecto de campo de juntura (JFET)

• El transistor de efecto de campo de compuerta aislada

(IGFET), o más comúnmente transistor de efecto de
campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET).

Ambos están disponible en dos clases (canal N y canal P).

VENTAJAS DE LOS FET

 + Rápido
 - Consumo
 - Ruido
 + Estable Vs T°
 + Facil fabricar (baratos, pequeños)

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INTERMEDIO

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR JFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR MOSFET

• El transistor de efecto de campo de compuerta
aislada (IGFET), o más comúnmente transistor de
efecto de campo de metal-óxido-semiconductor
(MOSFET).
Está disponible en dos clases (canal N y canal P).

El FET de unión fue descrito por primera vez en 1952 por Shockley y se
llamó FET de unión o JFET.
Más adelante se desarrolló el FET de puerta aislada (insulated gate FET)
o MOSFET (metal-oxide-semiconductor FET). Este ha sido el artífice de
los circuitos digitales de alta velocidad y bajo consumo. Probablemente no
existirían microprocesadores con las prestaciones actuales si no se
hubiera desarrollado la tecnología MOS.
Los avances se han sucedido y en la actualidad se dispone de transistores
de metal semiconductor (MESFET) y de arseniuro de Galio (GASFET)
para aplicaciones de muy alta frecuencia. De igual manera para
aplicaciones de potencia nació el FET de estructura vertical o VMOS.

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR MOSFET

El transistor MOSFET de inducción o enriquecimiento (E-MOSFET) El MOSFET de
inducción es en la actualidad el más utilizado y en el que se basan todos los circuitos
integrados de tecnología CMOS. En este tipo de transistor el canal no existe realmente
y es inducido. Sólo las tensiones positivas aplicadas a la puerta VGS se traducen en
control de la corriente por el drenador ID, para el caso del E-MOSFET de canal N. La
región en que se induce el canal es la comprendida entre las dos regiones de tipo n+

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR MOSFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR MOSFET

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EL TRANSISTOR UNIPOLAR MOSFET

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VIDEOS de Electrónica Industrial

Transistor IGBT funcionamiento y utilización

https://www.youtube.com/watch?v=PlFjPAwaTNk

Como funciona MOSFET muy fácil y con detalle

https://www.youtube.com/watch?v=h8VcISK7y3w

Transistores JFET 24 m
https://www.youtube.com/watch?v=NctahyIfgZQ

Transistores JFET 10 m
https://www.youtube.com/watch?v=Mdx0kRz-IFo

Como funciona transistor JFET y como resolver sus circuitos 32 m

https://www.youtube.com/watch?v=GGprFdtFbnU

Muchas gracias