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1
𝐶1 = 1.00059 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.01
𝐶1 = 8.8592 ∙ 10−10 𝐹
Figura 11. Configuración de la carga
−12
1
𝐶2 = 1.00059 ∙ 8.854 ∙ 10 ∙ Configuraciones para el primer caso (d=10 mm):
0.017
𝐶2 = 5.2113 ∙ 10−10 𝐹
1
𝐶3 = 1.00059 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.09
𝐶3 = 9.8435 ∙ 10−10 𝐹
Configuraciones generales:
Figura 13. Configuración de R1 (Aislante gaseoso)
Figura 9. Configuración de la LT
1200𝑣
𝑟𝑏𝑎𝑟𝑛𝑖𝑧 = (𝐸𝑛 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑖𝑐𝑖𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙𝑒𝑠)
0.01𝑚𝑚
𝑟𝑏𝑎𝑟𝑛𝑖𝑧 = 120 𝑘𝑣/𝑚𝑚
Figura 17. Configuración de C2 (Aislante gaseoso) Se van a tomar en cuenta las mismas distancias para
que posteriormente se logre analizar la diferencia entre
Configuraciones para el tercer caso (d=30 mm): aislantes.
𝑘𝑣
𝑈𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎1 = 120 ∙ 10𝑚𝑚 = 1200𝑘𝑣
𝑚𝑚
𝑘𝑣
𝑈𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎2 = 120 ∙ 17𝑚𝑚 = 2040𝑘𝑣
𝑚𝑚
𝑘𝑣
𝑈𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎3 = 120 ∙ 30𝑚𝑚 = 3600𝑘𝑣
𝑚𝑚
De la misma forma se debe determinar una resistencia
y una capacitancia equivalente que logre ejemplificar
Figura 18. Configuración de la sobretensión 3 (Aislante
el comportamiento del aislante en el simulador.
gaseoso)
𝜌∙𝐿
𝑅=
𝑆
Se va a inferir una sección transversal de 1𝑚2 .
Ω
Figura 19. Configuración de R3 (Aislante gaseoso) 𝜌𝑏𝑎𝑟𝑛𝑖𝑧 = 1012
𝑚
1012 ∙ 𝐿
𝑅=
1
1012 ∙ 0.01
𝑅1 = = 1010 Ω
Figura 20. Configuración de C3 (Aislante gaseoso) 1
C. Determinación de parámetros para el aislante 1012 ∙ 0.017
liquido 𝑅2 = = 1.7 ∙ 1010 Ω
1
En el caso de un aislante líquido, se busca crear un 1012 ∙ 0.03
ejemplo que refleje de cerca la realidad. Por lo tanto, 𝑅3 = = 3 ∙ 1010 Ω
1
consultamos el catálogo de Royal Diamond para
obtener información sobre las propiedades físicas de
uno de sus aislantes líquidos ampliamente utilizado 𝜀0 = 8.854 ∙ 10−12 𝐹/𝑚
en transformadores de alta tensión. Después de una
exhaustiva búsqueda, decidimos utilizar el aislante 𝜀𝑏𝑎𝑟𝑛𝑖𝑧 = 2.25 𝐹/𝑚
ROYALAC 30 INCOLORO para ilustrar el ejemplo.
Este barniz de impregnación se elabora a partir de 𝐶 = 𝜀 ∙ 𝐶0
resinas sintéticas y se caracteriza por su baja 𝐴
viscosidad. 𝐶0 = 𝜀0 ∙
𝐿
1
𝐶 = 2.25 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
𝐿
1
𝐶1 = 2.25 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.01
𝐶1 = 1.99215 ∙ 10−9 𝐹
1
𝐶2 = 2.25 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.017
𝐶2 = 1.1718 ∙ 10−9 𝐹
1 Figura 24. Configuración de la sobretensión 2 ((Aislante
𝐶3 = 2.25 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙ liquido)
0.09
𝐶3 = 2.2135 ∙ 10−10 𝐹
Figura 23. Configuración de C1 (Aislante liquido) Figura 28. Configuración de R3 (Aislante liquido)
𝜀𝑝𝑜𝑟𝑐𝑒𝑙𝑎𝑛𝑎 = 6 𝐹/𝑚
𝐶 = 𝜀 ∙ 𝐶0
𝐴
𝐶0 = 𝜀0 ∙
𝐿
1
Figura 30. Aislador tipo disco ANSI 52-1 𝐶 = 6 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
𝐿
1
𝐶1 = 6 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.01
𝐶1 = 5.3124 ∙ 10−9 𝐹
1
𝐶2 = 6 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.017
Figura 31. Características del material
𝐶2 = 3.1249 ∙ 10−9 𝐹
𝑟𝑝𝑜𝑟𝑐𝑒𝑙𝑎𝑛𝑎 = 100 𝑘𝑣/𝑚𝑚
1
De la misma manera se va a tomar en cuenta las 𝐶3 = 6 ∙ 8.854 ∙ 10−12 ∙
0.09
mismas distancias.
𝐶3 = 5.9026 ∙ 10−10 𝐹
𝑘𝑣
𝑈𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎1 = 100 ∙ 10𝑚𝑚 = 1000𝑘𝑣 Configuraciones para el primer caso (d=10 mm):
𝑚𝑚
𝑘𝑣
𝑈𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎2 = 100 ∙ 17𝑚𝑚 = 1700𝑘𝑣
𝑚𝑚
𝑘𝑣
𝑈𝑟𝑢𝑝𝑡𝑢𝑟𝑎3 = 100 ∙ 30𝑚𝑚 = 3000𝑘𝑣
𝑚𝑚
Para este caso se utilizará las mismas fórmulas de
antes para determinar una resistencia y una
capacitancia equivalente.
𝜌∙𝐿
𝑅=
𝑆 Figura 32. Configuración de la sobretensión 1 (Aislante solido)
2
Se va a inferir una sección transversal de 1𝑚 .
Figura 33. Configuración de R1 (Aislante solido)
V. ANÁLISIS DE RESULTADOS
A continuación, se presentarán los datos obtenidos al
Figura 34. Configuración de C1 (Aislante solido) someter a una disrupción dieléctrica a los tres tipos de
dieléctricos. Es importante destacar que, a pesar de
Configuraciones para el segundo caso (d=17 mm): que estos dieléctricos presentan características físicas
distintas, la distancia de separación se mantiene
constante a 10 mm.
Figura 37. Configuración de C2 (Aislante solido) Figura 42. Disrupción del aislamiento (10mm), comparada con
el voltaje de entrada de 22 kV (Azul=Voltaje de entrada, Rojo=
Configuraciones para el tercer caso (d=30 mm): Aislante gaseoso, Verde=Aislante líquido, Café=Aislante
gaseoso)
VII. REFERENCIAS
[3]
https://dspace.ups.edu.ec/bitstream/123456789/
21325/1/UPS-GT003493.pdf, «Dspace,» 19 Octubre
2021. [En línea]. Available:
https://dspace.ups.edu.ec/bitstream/123456789/21325/1/
UPS-GT003493.pdf. [Último acceso: 01 Noviembre
2023].