MODULACIÓN LINEAL (MODULACION AM)

Santiago Felipe Ariza Londoño 2420161001, Oscar Daniel Rodríguez Gallego

2420162008, Francisco Javier Franco 2420171077.
Ingeniería Electrónica
Universidad de Ibagué

I. OBJETIVO GENERAL
Parámetro Valor
Se Requiere diseñar e implementar dos circuitos 𝐦 0.3
a partir de las especificaciones planteadas, con el 𝒇𝒎 1.9 𝐾𝐻𝑧
objetivo de poner en práctica lo aprendido en las 𝒇𝑐 2.1 𝑀𝐻𝑧
clases teóricas a lo largo del curso. Un modulador 𝑷𝑡 150 𝑚𝑊
de amplitud para obtener la señal modulada 𝑹𝐿 56 Ω
propuesta y observar los resultados, para esto se
Tabla 1. Valores de diseño del Modulador por emisor con transistor
debe tener en cuenta los parámetros tales como; único.
índice de modulación y potencia.

II. DESARROLLO

 MODULADOR POR EMISOR

Se parte de la configuración de Modulador de

emisor con transistor único. Se establecen los
valores para diseñar según las especificaciones:

0.3 ≤ 𝐦 ≤ 0.9

250𝐻𝑧 ≤ 𝒇𝒎 ≤ 3𝑘𝐻𝑧

0.5𝑀𝐻𝑧 ≤ 𝒇𝑐 ≤ 200𝑀𝐻𝑧

Figura 1. Modulador por emisor.

150𝑚𝑊 ≤ 𝑷𝑡 ≤ 250𝑚𝑊
CALCULOS
50Ω ≤ 𝑹𝐿 ≤ 300Ω
Se parte de la expresión de potencia total para
Donde, hallar la potencia de la portadora
𝐦, índice de modulación 𝑚2
𝑷𝑡 = 𝑷𝑐 (1 + )
2
𝒇𝒎 , frecuencia de la señal modulante 𝑷𝑡
𝑷𝑐 =
𝑚2
𝒇𝑐 , frecuencia de portadora 1+ 2

𝑷 𝑇 , potencia total. 𝑷𝑐 = 143.5 𝑚𝑊

𝑹𝐿 , carga Usando la expresión de la potencia total en

términos del voltaje pico
Se escogen los siguientes valores,
 𝑉𝒑 2 Ley de voltajes de kirchhoff colector emisor
𝑷𝑡 =
2𝑅𝐿
Donde, 𝑽𝒄𝒄 = 𝑉𝑐𝑒 + 𝑉𝑐

𝑽𝒑 = 𝑖𝒕 𝑅𝐿 𝑽𝒄 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑐𝑒

Reemplazando, 𝑽𝒄 = 𝟖𝑽

𝑉𝒑 2 (𝑖𝒕 𝑅𝐿) 2 𝑅𝐿 𝟐 𝑅𝐿
𝑷𝑡 = = = 𝑖 𝑹𝑬 = = 𝟏𝟎𝟗. 𝟓𝟖𝛀
2𝑅𝐿 2𝑅𝐿 2 𝒕 𝑟𝑒
Despejando,
𝑽𝒃 = 𝑉𝑏𝑒 + 𝑉𝑐 = 𝟖. 𝟕𝑽
𝑃𝑡
𝒊𝒕 = √2 Por estabilidad
𝑅𝐿
Se toma 𝟗𝟓% de 𝒊𝒕 para garantizar máxima 𝑹𝒃 = 0.1ℎ𝑓𝑒 𝑅𝑒 = 𝟏. 𝟎𝟗𝒌𝛀
excursión de salida cerca de la zona de corte
𝑅2 𝑉𝑐𝑐
𝒊𝒄 = 73 𝑚𝐴 𝑽𝒃𝒃 =
𝑅1 + 𝑅2
Calculamos 𝒓𝒆 , 𝑉𝑐𝑐
𝑹𝟏 = 𝑅𝑏 = 𝟑. 𝟕𝟓 𝑲𝛀
26 𝑚𝑉 𝑉𝑏𝑏
𝒓𝒆 = = 𝟎. 𝟑𝟓 𝛀
𝑖𝑐 𝑅1 𝑅𝑏
𝑹𝟐 = = 𝟏. 𝟓𝟑 𝑲𝛀
Utilizando la expresión de la potencia de la 𝑅1 − 𝑅𝑏
portadora,
Si 𝑋𝑐𝑓 ≪ 𝑅𝐿 , supondremos 10 veces menor
𝑉𝒄 2
𝑷𝑐 = 𝑿𝒄𝒇 = 𝟓. 𝟔 𝛀
2𝑅𝐿
1
Despejando, 𝑪𝟑 = = 𝟏𝟑. 𝟓𝟑 𝒏𝒇
𝜔𝑐 𝑋𝑐𝑓
𝑽𝒄 = √2𝑅𝐿 𝑃𝑐 = 𝟒𝑽
Si 𝑋𝑒𝑓 ≪ 𝑅𝐸 , supondremos 10 veces menor
Continuando el procedimiento,
𝑿𝒆𝒇 = 𝟏𝟎. 𝟗𝟔 𝛀
𝑽𝒎𝒂𝒙 = 𝑉𝑐 + 𝑉𝑚 = 𝑉𝑐 + 𝑚𝑉𝑐
1
𝑪𝟐 = = 𝟔. 𝟗𝟐 𝒏𝒇
𝑽𝒎𝒂𝒙 = 𝟓. 𝟐𝑽 𝜔𝑐 𝑋𝑒𝑓

𝑽𝒎𝒊𝒏 = 𝑉𝑐 − 𝑉𝑚 = 𝑉𝑐 − 𝑚𝑉𝑐 = 𝑉𝑐 (1 − 𝑚) 𝑹𝒊𝒏𝒕 = 𝑅𝑏 // (ℎ𝑖𝑒 + 𝑅𝑒 ℎ𝑓𝑒 ) = 𝟗𝟗𝟏. 𝟔𝟒 𝛀

𝑽𝒎𝒊𝒏 = 𝟐. 𝟖𝑽 Si 𝑋𝑏𝑓 ≪ 𝑅𝑖𝑛𝑡 , supondremos 10 veces menor

Suponemos que 𝑿𝒃𝒇 = 𝟗𝟗. 𝟏𝟔𝟒 𝛀

𝑽𝒄𝒆 = 𝟐𝟐𝑽
 1 moduladora y de la portadora con las resistencias
𝑪𝟏 = = 𝟎. 𝟕𝟔 𝒏𝒇
𝜔𝑐 𝑋𝑏𝑓 R1 y R2 respectivamente. Ambas señales son
Resultados obtenidos senoidales, la onda resultante es la unión de las
dos resistencias de entrada (figura 5), donde la
portadora viaja dentro de la señal moduladora.

Figura 2. Señal modulada Figura 4. Variante diodo

Figura 5. Señal resultante.

La forma de onda se aplica directamente

al diodo rectificador, el cual multiplicara
las señales de la moduladora y de la
portadora. Este diodo se conecta de
manera que esté polarizado en directa por
Figura 3. Trapezoide. el semiciclo positivo de la onda de
entrada, durante los semiciclos negativos·
 VARIANTE MODULADOR CON de la onda el diodo está en corte y no pasa
DIODO señal.

Parámetros: Para que el diodo pueda ser usado para

multiplicar las señales portadora y
moduladora debe estar en la parte de su
Índice 0.3 curvatura no lineal o exponencial. Para
modulación esto los valores de entrada deben ser
Fm 2Khz menores a 1 v a la entrada del ánodo y
Fc 4.8Mhz según la ecuación de la curva
Potencia total 190mW característica del diodo deben ser
Resistencia carga 100 Ohm mayores, en este caso a 52mV:

Para la variante se usó un modulador con diodo

mostrado en la figura 4, consta de una red
mezcladora resistiva en la cual permite la mezcla También se utilizó un circuito LC
lineal de las dos señales que recibe, la señal del sintonizado, para que resuene a la misma
frecuencia de la portadora.
 CALCULOS: Tabla 2. Comparación de resultados

𝑉𝑚𝑎𝑥 = 𝐴𝑚 + 𝐴𝑐 Resultados obtenidos

= 3.025 𝑉𝑝 + 5.042Vp
= 8.067 Vp

𝑉𝑚𝑖𝑛 = 𝐴𝑐 − 𝐴𝑚
= 5.042Vp − 3.025𝑉𝑝
= 2.017𝑉𝑝

Por tanto, Vcc será 15V

2 ∗ 𝑃𝑐 2 ∗ 127.11𝑚𝑊
𝐼𝑐𝑞 = √ =√
𝑅𝑙 100Ω
= 100.8𝑚𝐴 Figura 6. Moduladora de variante diodo.

𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑐𝑐 = + 𝑅𝑒 ∗ 𝐼𝑐𝑞
2

𝑉𝑐𝑐
10𝑣
𝑅𝑒 = 2 = = 99.92
𝐼𝑐𝑞 100.8𝑚𝐴

𝑅𝑒 = 100Ω

Para hallar la polarización de la base:

𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑏 ∗ 𝐼𝑏 + 0,7 + 𝑉𝑒

𝐼𝑐𝑞 100.08𝑚𝐴 Figura 7. Trapezoide variante diodo.

𝐼𝑏 = = = 1 𝑚𝐴
ℎ𝑓𝑒 100
*Se utiliza criterio de estabilidad para hallar la TABLAS DE COMPARACION
resistencia de base:
Modulador por emisor
𝑅𝑏 = 0.1 ∗ ℎ𝑓𝑒 ∗ 𝑅𝑒
𝑅𝑏 = 0.1 ∗ 100 ∗ 100Ω Parámetro Valor Valor
𝑅𝑏 = 1000Ω teórico practico
𝑷𝒕 150 𝑚𝑊
Por tanto: 𝐦 0.3

𝑉𝑡ℎ = 1000Ω ∗ 1𝑚𝐴 + 0,7 + 7,5

𝑉𝑡ℎ = 9.2𝑣 Variante diodo
𝑣𝑐𝑐 15 Parámetro Valor Valor
𝑅1 = ∗ 𝑅𝑏 = ∗ 1000Ω = 1.63𝑘Ω
𝑣𝑡ℎ 9.2 teórico practico
𝑷𝒕 190 𝑚𝑊
𝑅𝑏 1000Ω
𝑅2 = = = 2.5𝑘 Ω 𝐦 0.3
𝑣𝑡ℎ 9.2𝑣
1 − 𝑣𝑐𝑐 1 − 15𝑣
 III. Conclusiones IV. BIBLIOGRAFÍA
Frenzel, Sistemas electrónicos de
Estas son algunas de las conclusiones a las que se llegaron
en el Modulador por emisor: comunicaciones. Austin Community
college - Austin, Texas
 Las resistencias se encargan de mantener al
transistor en región lineal, además, dependiendo
de los valores de estas el transistor consume más
o menos corriente.
 La temperatura juega un papel importante, las
´pruebas con el BD139 demostraron que la señal
se mantiene unos pocos segundos mientras se
calienta el transistor, pasado algunos segundos el
transistor de a poco comienza a disminuir la
ganancia llegando al punto de atenuarla.
 El TIP31C maneja mejor el consumo de corriente,
lo que soluciono la atenuación.
 Aumentar el valor de 𝑳𝟏 recorta la señal, sin
embargo no se logró determinar a qué se debe este
fenómeno.
 𝑪𝟏 influye drásticamente en la figura del
trapezoide. Si tiene un valor bajo tiende a un
rectángulo/cuadrado, entre mayor valor más claro
será el trapecio.
 Disminuir 𝑪𝟐 aplana considerablemente el lado
superior e inferior del trapecio.
 Conforme se aumenta 𝑪𝟐 se va formando la parte
“delantera” del trapecio; sin embargo disminuye
la amplitud del mismo.
 A partir de 𝑪𝟐 = 𝟏 𝒏𝒇 se puede observar el
trapecio.
 Con 𝑪𝟐 = 𝟐𝟐 𝒏𝒇 se corrige la curvatura en el eje
X.
 La carga influye en la parte delantera del trapecio,
si se cambia sin precaución desbalancea el
trapecio.

Para el variante diodo

 La forma de onda compuesta se aplica a un diodo

rectificador. Este diodo se conecta de manera que
esté polarizado en directa por el semiciclo positivo
de la onda de entrada. Durante los semiciclos
negativos· de la onda, el diodo está en corte y no
pasa señal. La corriente a través del diodo es una
serie de pulsos positivos cuya amplitud varia en
proporción con la amplitud de la señal
moduladora.
 Las resistencias de entrada son las mezcladoras de
la señal de la portadora y moduladora, la cual
permite que lleguen directamente la onda
resultante al diodo rectificador.
 Para que el diodo pueda ser usado para multiplicar
las señales portadora y moduladora, este debe
estar en la parte de su curvatura no lineal o
exponencial. Para esto los valores de entrada
deben ser menores a 1 v a la entrada del ánodo y
según la ecuación de la curva característica del
diodo deben ser mayores, en este caso a 52mV.
 Si el factor Q de la bobina no es lo suficientemente
equilibrado la señal tiende a desfasarse.
 V. ANEXOS
 Circuito Final con resistencias comerciales.

MODULADOR POR EMISOR - VALORES REALES

VARIANTE DIODO