GUÍA PARA LAS PRÁCTICAS DE LABORATORIO, TALLER

O CAMPO

Fecha: 7 de noviembre 2023

DEPARTAMENTO: Eléctrica y Electrónica CARRERA: Electrónica & Automatización

ASIGNATURA: Electrónica Fundamental PERÍODO: Mayo- Septiembre 2023 NIVEL: III
DOCENTE: NANCY GUERRON NRC: 15378 PRÁCTICA N°: 7
LABORATORIO DONDE SE DESARROLLARÁ LA
Laboratorio de Electrónica
PRÁCTICA
TEMA DE LA NÚMERO DE
Características del JFET, IDSS y VP. El JFET como interruptor 2
PRÁCTICA: HORAS:
INTRODUCCIÓN:
INTEGRANTES: CEVALLOS XAVIER, CUNALATA SANTIAGO
Simbología del Transistor JFET. Correspondencia con lo real.

El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de juntura o unión) es un tipo de
dispositivo electrónico de tres terminales que puede ser usado como interruptor electrónicamente controlado,
amplificador o resistencia controlada por voltaje. Según el punto de trabajo, posee dos características generales que
son la corriente de saturación drenador-surtidor IDSS y el voltaje de apago VGS-off, que viene especificado por el
fabricante.
OBJETIVOS:
Determinar IDSS y VGS-off de un JFET de canal N
Emplear un JFET como interruptor de voltaje
EQUIPOS: MATERIALES E INSUMOS:
Fuentes de alimentación DC de 5V a 20V / 1A. JFET BF245C (o equivalente)
Generador de señales de AC
Resistencias de 10M, 2.7K, 100K ,10K y 1K de 1/4 W
Multímetro
REACTIVOS: MUESTRA / OTROS:

PRECAUCIONES / INSTRUCCIONES:
Utilice un mandil.
Descargue su energía estática en algo metálico, antes de manipular el JFET

Preparatorio:
Consulte en la hoja de especificaciones técnicas del transistor suministrado por el fabricante, los valores de IDSS,
VGSoff y PQmax del transistor que Uds. hayan encontrado para la práctica. También consulte como identificar los
terminales del transistor a usarse en la práctica.

ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

Medida de la corriente IDSS.

1. Arme el circuito de la figura 1

2. Mida la corriente de drenaje. Esta corriente medida es IDSS 11.82 mA Dado que VGS=0V.

Código de documento: SEDE-SL-GUI-V1-2023-010 Rev. UPDI: 2023-may-04

Código de proceso: DOC.2.4.3
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Fig.1: Medición de IDSS en el JFET

Medida de la tensión de apagado del transistor.

1. Arme el circuito de la figura 2

2. Mida la corriente del drenaje ID y VGS para calcular el voltaje VP usando la ecuación de Schockley. Deberá de
hacer uso del valor de IDSS obtenido en el apartado anterior.

Fig. 2 Medición de VGSoff en el JFET

Corriente del drenaje ID: 3.15 mA
VGS: -2.67 V
VP: -5.52 V

El FET como interruptor.

Código de documento: SEDE-SL-GUI-V1-2023-010 Rev. UPDI: 2023-may-04

Código de proceso: DOC.2.4.3
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1. Arme el circuito de la figura 3

2. Con S1 abierto, mida VDS: 32 mV
3. Con S1 cerrado, mida VDS: -5V

RESULTADOS OBTENIDOS:
1. Compare los datos IDSS y VP de la práctica con los consultados del fabricante.
X FABRICANTE PRACTICA
IDSS 18 mA 11.82 mA
VP -8 V -5.32 V

2. Indique como se enciende y apaga un JFET.

Cuando no hay corriente entre el drenador y la fuente el JFET está apagado, mientras que esta encendido
cuando la corriente fluye entre drenador y fuente

CONCLUSIONES: (revisar que se cumplan, o justifique en caso que no)

- El transistor JFET puede ser utilizado como interruptor al igual que el BJT.
- En la región de corte la corriente en el drenaje es aproximadamente cero, si el VGS = VGS(corte).
- En la región de saturación la corriente en el drenaje es la máxima, para cualquier variación de la corriente de la compuerta

RECOMENDACIONES:
Descargar la energía estática de los practicantes antes de iniciar la práctica
Revisar la polarización de cada uno de los componentes antes de energizar el circuito.
Revisar que la conexión de los terminales del transistor en el circuito sea la correcta.
A. INFORMACIÓN DE LA GUÍA

B. CONTROL DE CAMBIOS

Fecha Versión Unidad / Nombre Detalle del Cambio

14 – junio -23 1 Departamento de Eléctrica y Electrónica Versión Inicial

C. APROBACIÓN

Rubro Nombres y Apellido Unidad / Cargo Firma

Elaborado por Nancy Guerrón Paredes Docente Firmado electrónicamente por:

NANCY ENRIQUETA
GUERRON PAREDES

Firmado electrónicamente por:

Revisado por Nancy Guerrón Paredes Coordinador de Área de NANCY ENRIQUETA
GUERRON PAREDES
Conocimiento

Aprobado por Fabricio Pérez Coordinador/ Jefe de

Laboratorio

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