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ELECTRONICA
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INDICE
Tema 1: “Resistencia” -------------------------------------------------- pág. 3 a 16.
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TEMA 1
RESISTENCIA
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Resistencia eléctrica
La resistencia eléctrica es una propiedad que tienen los materiales de oponerse al paso
de la corriente. Los conductores tienen baja resistencia eléctrica, mientras que en los
aisladores este valor es alto. La resistencia eléctrica se mide en Ohm (Ω).
Resistencia de un conductor
Además de los conductores y los aisladores encontramos otros dos tipos de elementos:
los semiconductores y los superconductores. En los semiconductores el valor de la
resistencia es alto o bajo dependiendo de las condiciones en las que se encuentre el
material, mientras que los superconductores no tienen resistencia.
Acoplamiento de resistencias
Las dos formas más comunes de acoplar resistencias son en serie y en paralelo.
Acopladas se puede obtener una resistencia equivalente. Además existen otras
configuraciones como estrella, triángulo, puente de Wheatstone.
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Resistencias en serie
Resistencia total
Rt = R1 + R2 + R3
Corrientes y tensiones
La corriente por una rama en serie es la misma (por lo tanto es la misma para cada
resistencia). La suma de las caídas de tensión en cada resistencia es igual a la tensión
total aplicada a la rama.
Resistencias en paralelo
Resistencia total
La suma de las inversas de cada resistencia es igual a la inversa de la resistencia total.
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V1 = V2 = V3
La corriente se divide en cada nodo de tal forma que la suma de todas las corrientes en
paralelo es igual a la corriente total.
I = I1 + I2 + I3
Ley de Ohm
Ejemplo:
V = 10 V
R=5Ω
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Leyes de Kirchhoff
Definiciones
Ley de nodos
I1 – I2 – I3 = 0
Ley de mallas
La suma de todas las caídas de tensión en un malla es igual a la suma de todas las
tensiones aplicada
VAB = V1 + V2 + V3
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Método de las mallas
Mediante el método de las mallas es posible resolver circuitos con varias mallas y
fuentes.
Consiste en plantear las corrientes de cada malla como su intensidad por su resistencia y
sumar o restar las intensidades por las resistencias relacionadas con mallas adyacentes.
Malla 1
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Malla 2
+ V2 = I2 (R2 + R3 + R4) – I1 (R2) – I3 (R4)
Malla 3
- V3 = I3 (R4 + R5) – I2 (R4)
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Tipos de Resistencias
Resistencias fijas: Son las que presentan un valor que no podemos modificar.
Resistencias variables: Son las que presentan un valor que nosotros podemos variar
modificando la posición de un contacto deslizante. A este tipo de resistencia variables se
le llama Potenciómetro.
Resistencias especiales: Son las que varían su valor en función de la estimulación que
reciben de un factor externo (luz, temperatura...). Por ejemplo las LDR son las que varían
su valor en función de la luz que incide sobre ellas.
Para saber el valor de una resistencia tenemos que fijarnos que tiene 3 bandas de
colores seguidas y una cuarta más separada.
Leyendo las bandas de colores de izquierda a derecha las 3 primeras bandas nos dice
su valor, la cuarta banda nos indica la tolerancia, es decir el valor + - que puede tener por
encima o por debajo del valor que marcan las 3 primeras bandas. Un ejemplo. Si
tenemos una Resistencia de 1.000 ohmios (Ω) y su tolerancia es de un 10%, quiere decir
que esa resistencia es de 1000Ω pero puede tener un valor en la realidad de +- el 10% de
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esos 1000Ω, en este caso 100Ω arriba o abajo. En conclusión será de 1000Ω pero en
realidad puede tener valores entre 900Ω y 1100Ω debido a la tolerancia.
Los valores si los medimos con un polímetro suelen ser bastante exacto, tengan la
tolerancia que tengan.
Ahora vamos a ver como se calcula su valor. El color de la primera banda nos indica
la cifra del primer número del valor de la resistencia, el color de la segunda banda la cifra
del segundo número del valor de la resistencia y el tercer color nos indica por cuanto
tenemos que multiplicar esas dos cifras para obtener el valor, o si nos es más fácil, el
número de ceros que hay que añadir a los dos primeros números obtenidos con las dos
primeras bandas de colores.
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El primer color nos dice que tiene un valor de 2, el segundo de 7, es decir 27, y el tercer
valor es por 100.000 (o añadirle 5 ceros). La resistencia valdrá 2.700.000 ohmios. ¿Fácil
no?.
¿Cuál será su tolerancia? pues como es color plata es del 10%. Esa resistencia en la
realidad podrá tener valores entre 2.700.000Ω +- el 10% de ese valor. Podrá valer
270.000Ω más o menos del valor teórico que es 2.700.000Ω.
Una con los siguientes colores verde-negro-marrón, el marrón es el color café. Será de
50 más un cero del marrón, es decir es de 500Ω.
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Adelante a trabajar!!!!
Recuerden que se debe entregar en hoja normalizada con letra técnica y rótulo.
Todos los procedimientos matemáticos completos y los resultados resaltados con sus respectivas
unidades.
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El trabajo debe de subirse a la plataforma y/0 enviar al email del docente a cargo del curso.
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Como ya acordamos la presentación de los trabajos será la misma durante todo el año.
Te invito a ver los videos que te dejo a continuación para luego contestar las preguntas.
https://www.youtube.com/watch?v=EjTl9o7IN94
https://www.youtube.com/watch?v=e_gfXEHH_nw
Una vez que ya leíste el material y viste los dos videos responde lo siguiente:
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TEMA 2
CAPACITORES
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DIFERENCIAS ENTRE UNA BATERÍA Y UN CAPACITOR O CONDENSADOR
Un capacitor o condensador (nombre por el cual también se le conoce), se asemeja mucho a una batería, pues al
igual que ésta su función principal es almacenar energía eléctrica, pero de forma diferente.
En una batería a plena carga, la disponibilidad de energía se obtiene por medio de una reacción química que
ocurre en su interior cuando le conectamos algún dispositivo consumidor de electricidad.
Antes de agotar la carga, el tiempo de actividad de una batería depende de los siguientes factores:
1.- Capacidad en ampere-hora (A-h) o miliampere-hora (mA-h) que posea para almacenar energía eléctrica.
2.- Consumo en watt o en miliwatt del consumidor de corriente eléctrica que tenga conectado.
3.- Tiempo que mantengamos el consumidor conectado a la misma.
En el caso de las baterías “recargables”, una vez agotada la carga se puede recuperar de nuevo conectándola a
un cargador de corriente directa apropiado para cada tipo específico. En dependencia del tamaño, voltaje o tensión
de trabajo y capacidad en A-h que ésta posea, la recuperación de la carga puede demorar entre una y varias
horas.
Carga/descarga de un capacitor
El capacitor constituye un componente pasivo que, a diferencia de la batería, se carga de forma instantánea en
cuanto la conectamos a una fuente de energía eléctrica, pero no la retiene por mucho tiempo. Su descarga se
produce también de forma instantánea cuando se encuentra conectado en un circuito eléctrico o electrónico
energizado con corriente. Una vez que se encuentra cargado, si éste no se emplea de inmediato se autodescarga
en unos pocos minutos.
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ESTRUCTURA DEL CAPACITOR
Las chapas o armaduras de un capacitor pueden tener forma cuadrada, esférica o estar formada por
dos tiras metálicas enrolladas y separadas por su correspondiente dieléctrico. Para construir
artesanalmente un capacitor basta con enfrentar dos chapas metálicas (como de aluminio, por
ejemplo) y mantenerlas separadas de tal forma que entre ambas medie un pequeño espacio de aire,
sin que lleguen a tocarse. Esa separación hará las veces de dieléctrico en el capacitor así formado.
Finalmente, a cada una de las chapas le conectamos su correspondiente terminal de alambre
conductor de electricidad para obtener, como resultado, un capacitor.
Además, de acuerdo con el tipo de corriente que emplean para su funcionamiento, los capacitores
fijos pueden ser “polarizados” o “no polarizados”. Los no polarizados se emplean en circuitos
de corriente alterna (C.A.), mientras los polarizados como son, por ejemplo, los capacitores
“electrolíticos”, se emplean en circuitos energizados con corriente directa (C.D.). Estos últimos se
diferencian de los anteriores en que el extremo de conexión negativo se identifica con uno o varios
signos menos (–) impresos a un costado del cuerpo. Resulta estrictamente necesario respetar esa
polaridad cuando se conectan los capacitores electrolíticos en un circuito eléctrico de corriente
directa (C.D.), porque de lo contrario se hinchan quedando inutilizados o, incluso, pueden llegar a
explotar.
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Entre los nuevos tipos de capacitores que surgieron a partir de los últimos años del siglo pasado y
que más se emplean hoy en día en los circuitos electrónicos, se encuentran los siguientes de
acuerdo con el tipo de dieléctrico que utilizan:
▪ Cerámica
▪ Cerámica multicapa
▪ Mica-plata
▪ Poliéster metalizado
▪ Poliestireno
▪ Polipropileno
▪ Supercapacitores
▪ Tantalio
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Símbolo general
del condensador
o.......... capacitor
no..............polariza
do
Se utiliza también
como símbolo
general del
capacitor no
polarizado
Capacitor
electrolítico
polarizado
Capacitor elec
Capacitor pasante
trolítico polarizado
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Capacitor sensible a
Capacitor elec
variaciones
trolítico
de tensión
doble, polarizado
(polarizado)
Capacitor variable de
armadura doble
ASOCIACIÓN DE CONDENSADORES
Al igual que las resistencias, los condensadores pueden asociarse de diferentes formas: en serie,
en paralelo y mixto.
Serie
Al igual que las resistencias, se dice que están acoplados en serie, cuando al terminal de salida de
uno, se le une el de entrada de otro, y así sucesivamente.
La intensidad que llega a cada condensador es la misma. Podemos decir, por tanto, que la carga
que tendrá cada uno es la misma.
Qt = QC1 = QC2 = QC3 = ...
Sin embargo las tensiones serán diferentes, la tensión total se repartirá entre los condensadores
en función de su capacidad.
V t = VC1 + VC2 + VC3 + ...
VC1 = Q t/C1 VC2 = Q t/C2 VC3 = Q t/C3
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Observa que la capacidad total o combinada es menor que la más pequeña de un acoplamiento en
serie.
Los condensadores en serie se agrupan igual que las resistencias en paralelo. Una vez aplicada la
relación anterior que nos da el valor de 1/C t , debemos hacer la inversa del resultado para llegar a
C t que es el valor que deseamos calcular.
Paralelo
Cuando todas las entradas van unidas y a la vez también las salidas, se dice que están conectados
en paralelo.
La tensión en todos los condensadores será la misma, igual a la suministrada por la fuente que los
carga.
C t = C1 + C2 + C3 + ...
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Nos volvemos a encontrar pero esta vez para la realización de un nuevo trabajo práctico.
Ejercicios
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TEMA 3
SEMICONDUCTORES
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EL DIODO
Los diodos son dispositivos semiconductores que permiten hacer fluir la electricidad solo en un
sentido.
La flecha del símbolo del diodo muestra la dirección en la cual puede fluir la corriente. Los diodos
son la versión eléctrica de la válvula o tubo de vacío y al principio los diodos fueron llamados
realmente válvulas.
Ejemplos:
El diodo es la pieza básica en electrónica de estado sólido y está basado en una sola unión p-n. A
partir de combinaciones de más capas p o n podremos obtener los demás componentes
electrónicos conocidos, como son los transistores, tiristores, etc. Debido a su composición a partir
de material semiconductor su comportamiento es no lineal y por tanto su utilización es más
compleja que la de los componentes lineales más habituales (resistencias, condensadores e
inductores). Recordemos asimismo que su característica esencial es la de ser un rectificador como
veremos más adelante.
Caracterización del diodo
El diodo como acabamos de decir es la unión de dos materiales semiconductores dopados de tipo
n y de tipo p, formando una unión p-n. Antes de la unión, y considerando cada uno de los
materiales semiconductores por separado, el semiconductor de tipo p tiene una concentración de
huecos mucho mayor que la de electrones y el de tipo n tiene una concentración de electrones
mucho mayor que la de huecos. Además, cada uno de estos materiales permanece eléctricamente
neutro. El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado gradiente de concentración
de portadores en las proximidades de la unión observándose por un lado, una corriente de
difusión de huecos de la región p a la n y, por otro, una corriente de difusión de electrones de la
región n a la p. Pero además, la marcha o difusión de estos portadores de su región inicial deja al
descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, dando lugar a una región que contiene átomos
ionizados positivamente a un lado y átomos ionizados negativamente al otro lado llamada zona de
agotamiento o región espacial de carga. Dicha zona de agotamiento es eléctricamente neutra de
manera que, si una de las dos partes (positiva o negativa) tiene una concentración de iones mayor,
ésta es más corta. La presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparición de un fuerte campo
eléctrico dirigido desde la zona n hacia la zona p, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona
de carga negativa. En ausencia de polarización, la presencia de este campo eléctrico provoca unas
corrientes de arrastre (de electrones de la zona p a la n y de huecos de la n a la p que atraviesan la
zona de agotamiento "arrastrados" por dicho intenso campo eléctrico) que se oponen a las de
difusión siendo nulas las corrientes netas de electrones y de huecos y, por tanto, no circula
corriente a través del dispositivo. La presencia del campo eléctrico provoca una diferencia de
potencial o barrera de potencial cuyo valor es del orden de 0,3 V en compuestos de Ge, 0,7 V en
compuestos de Si y de 1,2 V a 1,8 V en compuestos de Ga.
En polarización directa, la parte p se somete a un potencial positivo respecto de la n reduciéndose
la barrera de potencial en dicha cantidad. Se reduce además la anchura de la zona de
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agotamiento, la cual depende de la diferencia de potencial a la que está sometida la unión. La
reducción de la barrera de potencial (y por tanto del campo eléctrico en la unión) permite que los
portadores mayoritarios atraviesen la unión facilitando el proceso de difusión
y dando lugar a una corriente mensurable. Se tiene, por tanto, una inyección de portadores
minoritarios, es decir, de electrones en la zona p y de huecos en la n. Para, en condiciones de
polarización directa, obtener una corriente significativa es necesaria una tensión mínima del orden
de dicha barrera de potencial.
En polarización inversa la parte n tiene una tensión positiva aplicada con respecto de la p. La
barrera de potencial se ve aumentada en dicha cantidad viéndose, por tanto, muy reducidas las
corrientes de difusión. Por otra parte, la anchura de la zona de agotamiento aumenta. El resultado
es que únicamente una pequeña corriente inversa o de pérdidas atraviesa el dispositivo. Se dice
que el diodo está cortado.
Esta corriente inversa es despreciable en la mayoría de las ocasiones pero hay que conocerla para
prevenir funcionamientos no deseados, por ejemplo en aplicaciones de precisión. La componen
dos términos: la corriente inversa debido a portadores minoritarios y la corriente de pérdidas
sobre la superficie del cristal. La corriente inversa debido a portadores minoritarios la producen los
portadores minoritarios que son "arrastrados" por el fuerte campo eléctrico existente atravesando
la zona de agotamiento. Esta corriente tiene una fuerte dependencia con la temperatura y se
llama también corriente de saturación inversa. Por otro lado la corriente de pérdidas es debida a
las imperfecciones de la estructura cristalina sobre la superficie del cristal. Dichas imperfecciones
aparecen debido a la discontinuidad que supone el hecho de que al "otro lado" no haya cristal. Si,
por ejemplo, estas imperfecciones provocan la aparición de huecos, se podrá desplazar por ellas
un electrón dando lugar a una corriente.
Esta corriente no depende de la temperatura.
El diodo ideal
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la
Figura 1 se muestran el símbolo y la curva característica tensión-intensidad del funcionamiento del
diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de ánodo (a) a cátodo (k).
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UNIÓN P-N EN CIRCUITO ABIERTO
¿Qué es el Dopaje?
Polarización directa
El bloque PN descrito en el apartado anterior en principio no permite el establecimiento de una
corriente eléctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es conductora. Si se
aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará" los
huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento (Figura a).
Sin embargo, mientras ésta exista la conducción es casi nula. Si la tensión aplicada supera a la de
barrera, desaparece la zona de agotamiento, electrones y huecos se dirigen a la unión y se
recombinan. En estas condiciones la corriente queda determinada por el circuito externo ya que la
tensión en bornes de la juntura permanece prácticamente constante. (Figura).
Polarización inversa
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Al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores
mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los contactos aumentando
la anchura de la zona de agotamiento, y la corriente debido a los portadores mayoritarios es nula
(figura 6). Dado que en ambas zonas hay portadores minoritarios, y un diodo polarizado en inversa
lo está en directa para los minoritarios, estos portadores minoritarios son atraídos hacia la unión.
Este movimiento crea una corriente cuya magnitud es muy inferior a la que se obtendría en
polarización directa para los mismos niveles de tensión.
Al aumentar la tensión inversa, hay un nivel de tensión, al igual que sucede en un material
aislante, en que se produce la ruptura de la zona de agotamiento: el campo eléctrico puede se tan
elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio,
originando un proceso de ruptura por avalancha. Esta ruptura, no necesariamente conlleva la
destrucción de la juntura, mientras la potencia disipada se mantenga en niveles admisibles.
Característica tensión-corriente
La Figura 8 muestra la característica V-I (tensión-corriente) típica de un diodo real.
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En polarización directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la tensión
aplicada no supera la barrera de potencial, la corriente que circula es muy pequeña y podría
considerarse nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va alcanzando la tensión de la
barrera de potencial, la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensión queda limitada sólo por las resistencias
intrínsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente que circula por la unión aumenta
rápidamente, grandes variaciones de corriente para pequeñas variaciones de tensión.
En el caso de los diodos de silicio, la tensión que corresponde a la barrera de potencial se sitúa
entre los 0,6V y 0,7V, en los de germanio en el orden de los 0,2V y en los de arseniuro de galio
alrededor del V.
En la gráfica se identifica el punto de trabajo de plena conducción para el cual el fabricante realiza
el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensión que definimos
como umbral (Vγ). Normalmente esta corriente está en el orden del 10% al 20% de la corriente
que circularía cuando el diodo disipase la máxima potencia permitida.
En polarización inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prácticamente nula
(mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensión que en directa, ya que los
responsables de esta conducción son los portadores minoritarios) hasta llegar a la ruptura en la
avalancha, en la que la corriente aumenta en forma abrupta.
En la Figura 9 se representan esquemáticamente las diferencias entre los comportamientos del
diodo de unión PN y el diodo ideal.
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Símbolos de diodos
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Rectificación
Tanto la generación como la transmisión y conversión de energía eléctrica se realizan de una
manera más simple y eficiente en corriente alterna. En efecto, la generación de corriente alterna
no requiere contactos móviles (colectores, escobillas) susceptibles de causar pérdidas energéticas
y de sufrir desgastes. Asimismo, debido a la resistencia de los conductores que forman una línea
de transmisión, es conveniente que la corriente sea lo menor posible, lo cual requiere, para una
potencia dada, aumentar la tensión. Es sabido que los transformadores de corriente alterna
permiten llevar a cabo esta conversión con alto rendimiento (bajas pérdidas energéticas). Luego,
con un transformador en destino es posible reducir nuevamente la tensión a valores aceptables.
Sin embargo, dejando de lado los motores y los sistemas de iluminación, la gran mayoría de los
equipos con alimentación eléctrica funcionan con corriente continua. Se plantea entonces la
necesidad de convertir la corriente alterna en continua, lo cual se logra por medio de la
rectificación.
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El circuito rectificador de media onda tiene como ventaja su sencillez, pero adolece de dos
defectos: 1) no permite utilizar toda la energía disponible, ya que los semiciclos negativos son
desaprovechados; 2) en el caso típico en el que la fuente es el secundario de un transformador
tiende a producirse una magnetización del núcleo debido a que el campo magnético es
unidireccional. Esta magnetización se traduce en que la saturación magnética se alcanza con
valores menores de corriente, produciéndose deformaciones en la onda.
Estos inconvenientes se resuelven con los rectificadores de onda completa. El primer ejemplo es el
rectificador tipo puente, ilustrado.
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Cuando vS > 0, los diodos D1 y D2 están polarizados en forma directa y por lo tanto conducen, en
tanto que D3 y D4 no conducen. Despreciando las caídas en los diodos por ser éstos ideales,
resulta vL = vS > 0. Cuando la fase de la entrada se invierte, pasando a ser vS < 0, serán D3 y D4
quienes estarán en condiciones de conducir, en tanto que D1 y D2 se cortarán. El resultado es que
la fuente se encuentra ahora aplicada a la carga en forma opuesta, de manera que vL = −vS > 0. Las
formas de onda de la entrada y la salida se muestran en la figura 4.
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Hola chicos!!
Les recomendamos mirar con atención los videos para poder contestar las preguntas.
Recuerden que los trabajos prácticos deben entregarse a mano en letra técnica, hojas
normalizadas y rótulos.
https://www.youtube.com/watch?v=cy50YR7kr8c (diodo)
https://www.youtube.com/watch?v=lYAIJo26rMk
https://www.youtube.com/watch?v=H_5DTSGEiEg&t=128s
https://www.youtube.com/watch?v=X0XscX9ugp0
https://www.youtube.com/watch?v=fFVU7-kfPe8
Ahora sí a trabajar!!
1. Definir semiconductor
2. ¿Qué es un semiconductor dopado?
3. Tipos de dopaje
4. ¿Qué es intrínseco?
5. ¿Qué es Extrínseco?
6. Explicar polarización directa
7. Explicar polarización inversa
8. Dibujar símbolo clásico con su partes
9. Curva característica dibujarla
10. ¿Qué tipo de función matemática representa a los semiconductores?
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4° 1° 4°2°
La siguiente guía práctica se intenta entender cómo funciona un puente rectificador de onda
completa por lo tanto vamos a resolver el siguiente cuestionario para lo cual se sugiere mirar
previamente el video.
Recuerden que los trabajos prácticos deben entregarse a mano en letra técnica, hojas
normalizadas y rótulos.
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TEMA 4
TRANSISTORES
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TRANSISTORES
El transistor, inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició una auténtica
revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial.
Con el transistor vino la miniaturización de los componentes y se llegó al descubrimiento de los
circuitos integrados, en los que se colocan, en pocos milímetros cuadrados, miles de transistores.
Estos circuitos constituyen el origen de los microprocesadores y, por lo tanto, de los ordenadores
actuales.
Por otra parte, la sustitución en los montajes electrónicos de las clásicas y antiguas válvulas de
vacío por los transistores, reduce al máximo las pérdidas de calor de los equipos.
Un transistor es un componente que tiene, básicamente, dos funciones:
- Deja pasar o corta señales eléctricas a partir de una PEQUEÑA señal de mando. - Funciona como
un elemento AMPLIFICADOR de señales.
A) Transistor bipolar
Consta de tres cristales semiconductores (usualmente de silicio) unidos entre sí. Según como se
coloquen los cristales hay dos tipos básicos de transistores bipolares.
- Transistor NPN: en este caso un cristal P está situado entre dos cristales N. Son los más comunes.
- Transistor PNP: en este caso un cristal N está situado entre dos cristales P
La capa de en medio es mucho más estrecha que las otras dos.
En cada uno de estos cristales se realiza un contacto metálico, lo que da origen a tres terminales:
• Emisor (E) : Se encarga de proporcionar portadores de carga.
• Colector (C) : Se encarga de recoger portadores de carga.
• Base (B) : Controla el paso de corriente a través del transistor. Es el cristal de en medio. El
conjunto se protege con una funda de plástico o metal.
CLASIFICACION
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EL TRANSISTOR POLARIZADO
Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen resultados
nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:
· Base común (BC).
· Emisor común (EC).
· Colector común (CC).
Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:
Zona ACTIVA: UE en Directa y UC en Inversa. AMPLIFICADORES
Zona de SATURACIÓN: UE en Directa y UC en Directa. CONMUTACIÓN
Zona de CORTE: UE en Inversa y UC en Inversa. CONMUTACIÓN
Zona ACTIVA INVERTIDA: UE en Inversa y UC en Directa. SIN UTILIDAD
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ECUACIONES DE UN CIRCUTO CON TRANSISTOR BIPOLAR
SIMBOLOGIA DE TRANSISTORES
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Transistores de Efecto de Campo
El transistor de efecto de campo o simplemente FET (Field-Effect-
Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales muy empleado en circuitos digitales
y analógicos. Existen dos tipos de dispositivos MOSFET y JFET
(Metal-Oxide-Semiconductor y Junction FET)
Los Fet tienen la particularidad de ser de fabricación más simple y de ocupar menos espacio que
los BJT. Se pueden encontrar chips de hasta 100.000
MOSFET en su interior. Otra ventaja que tienen los MOSFET es que los resistores y condensadores
se suplir con dispositivos MOS, por lo que la fabricación de circuitos integrados con ésta tecnología
se ha difundido tanto.
Especialmente para sistemas integrados de muy gran escala (VLSI). Los JFET tienen la característica
de tener muy alta resistencia de entrada y muy bajo ruido por lo que se los emplea en
procesamiento de señales.
A diferencia del BJT tratado en la clase anterior el FET basa su funcionamiento en la aplicación de
un campo eléctrico para gobernar el paso de la corriente eléctrica. De esta manera el FET funciona
como una fuente de corriente con tensión controlada.
Básicamente se lo puede considerar formado por un canal semiconductor dopado con alguna
impureza, a los extremos de ese canal se depositan sendos conductores a los que se les aplicará un
a diferencia de potencial que acelera los electrones en un sentido determinado. A por sobre y por
debajo del canal se deposita un material semiconductor de distinto tipo que el del canal y a éstos
se les adosa un conductor para polarizar la unión de semiconductores en inversa.
En la siguiente figura vemos este diseño para un canal tipo n con el nombre de los terminales y el
símbolo electrónico del mismo.
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Tipos de FET
Queda entonces definida la fuente (S), el Drenaje (D) y la puerta (G) y las corrientes y tensiones
asociadas a cada borne o par de ellos.
De forma análoga se realiza la misma representación para un FET de canal tipo p en la figura
siguiente:
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Funcionamiento de JFET
A manera de ejemplo veremos el dispositivo JFET de canal n en la configuración de fuente común
(SPG). Como se muestra en la figura siguiente
Figura 3-5 Transistor JFET de canal n en configuración de puerta común.
Observemos que al conectar a un potencial positivo el drenaje con respecto al potencial de la
fuente (tomado como referencia) los electrones circularán por el semiconductor en tanto haya
niveles de conducción disponibles. La corriente eléctrica se verá afectada sólo por la resistencia
(óhmica) que opondrá el semiconductor a su paso. Pero en la medida que apliquemos un potencial
polarizando en inversa la unión pn entre la fuente y la puerta generaremos una zona de deplexión
alrededor de la misma cuyo tamaño dependerá de la diferencia de potencial en la juntura. En la
figura se resalta la zona de deplexión generada al colocarle una tensión negativa a la(s) puerta(s).
Se ve que la zona de deplexión no tiene igual tamaño todo a lo largo de la puerta, esto se debe a la
caída de tensión a lo largo del semiconductor. El espesor de la zona de deplexión limita la región
por donde pueden circular electrones en el semiconductor. Al haber menor cantidad de niveles de
conducción será menor la corriente eléctrica, de tal manera la intensidad de la tensión de
polarización inversa de la puerta regula el paso de corriente eléctrica por el canal. Hacia el drenaje.
Si aumentamos la tensión inversa VSG llegaremos a algún valor tal Vp llamada tensión de
estricción a la que el ancho del canal queda reducido a cero porque han sido eliminadas todas las
cargas libres. Entonces la corriente de drenaje ID tomada como función de la tensión fuente
drenaje VSD tendrá que parametrizarse en función de la tensión de polarización inversa VSG.
Zona de deplexión
Al haber una repulsión mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan en cualquier
dirección. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la unión, cuando un electrón
libre entra en la región p se convierte en un portador minoritario y el electrón cae en un
hueco, el hueco desaparece y el electrón libre se convierte en electrón de valencia.
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Cuando un electrón se difunde a través de la unión crea un par de iones, en el lado n con
carga positiva y en el p con carga negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los dipolos la
región cerca de la unión se vacía de portadores y se crea la llamada "Zona de deplexión".
El MOSFET
En un transistor de unión de efecto de campo, la sección efectiva del canal está gobernada por un
campo eléctrico aplicado al canal a través de una unión pn.
Empleando un electrodo de puerta metálico separado del canal semiconductor por una capa de
óxido se obtiene un dispositivo de efecto de campo básicamente distinto. Esta disposición metal-
óxido-semiconductor (MOS) permite controlar las características del canal por un campo eléctrico
creado al aplicar una tensión entre la puerta y el sustrato. Un dispositivo esta índole se denomina
MOSFET o transistor MOS. Son los transistores más utilizados en el momento.
Existen dos tipos de transistores MOS. El MOSFET de deplexión cuyo comportamiento es similar al
del JFET; y el llamado MOSFET de acumulación, no acusa ninguna corriente cuando la tensión de
puerta es nula, aumentando la corriente de salida al aumentar la tensión de puerta. Ambos tipos
pueden ser de canal p o de canal n.
En la figura anterior se ven dos MOSFET de acumulación (a) uno de canal n también llamado
NMOS se ve que la fuente tipo n y el drenaje (también n) están inmersos dentro de un sustrato
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tipo p y otro (b) de canal p también llamado PMOS se ve que la fuente tipo p y el drenaje (también
p) están inmersos dentro de un sustrato tipo n
Cuando se polariza adecuadamente la puerta, se inducen cargas en el sustrato, por debajo de la
capa de dióxido de silicio, estas cargas provienen de la fuente y del sustrato. Cuanto mayor es la
polarización de la puerta mayor es la acumulación de cargas, con lo que aumenta la corriente de
drenaje.
La polarización adecuada depende del transistor en el NMOS la fuente y el drenaje son materiales
tipo n (exceso de electrones) luego necesito electrones en el canal, esto lo logro polarizando en
forma positiva la puerta. Para el PMOS la tensión de polarización es negativa pues necesito exceso
de huecos.
Los PMOS tienden a desaparecer: Dado que la movilidad de los materiales tipo p es mucho menor
que la de los tipo n necesitamos mayores tensiones en la puerta o mayor superficie de unión entre
los materiales tipo n y p para lograr el mismo efecto (corrientes de igual valor que en los canales
tipo n). Por ello es que los transistores de tipo PMOS tienden a desaparecer (salvo los que integran
la tecnología CMOS)
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La siguiente guía práctica se intenta entender cómo funciona un Transistor por lo tanto vamos a
resolver el siguiente cuestionario:
https://www.youtube.com/watch?v=reIt_EST8nM
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TEMA 5
DISIPADORES
TERMICOS
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Introducción
Los dispositivos semiconductores como TRIAC, transistores, MOSFET, reguladores de tensión, etc.,
suelen manejar potencias de cierta magnitud y su tamaño suele ser pequeño. Por efecto Joule,
cualquier cuerpo que conduce corriente eléctrica pierde parte de su energía en forma de calor. En
los semiconductores, este calor se genera en la unión PN y, si la temperatura pasara de un límite,
provocaría la fusión térmica de la unión.
En dispositivos de potencia reducida, la superficie de los mismos es suficiente para evacuar el calor
hacia el ambiente, manteniendo un flujo térmico que evita la destrucción de la unión. En
dispositivos de mayor potencia, la superficie del componente no es suficiente para mantener el
flujo térmico necesario y debemos ampliar la zona de radiación mediante disipadores (radiadores
o “heatsinks”) y, en ocasiones, apoyados por ventiladores.
• Propagación del calor
Las tres formas básicas de transmisión de calor son: radiación, convección y conducción.
1. Radiación: La radiación no necesita de un medio material para propagarse, puede hacerlo en el
vacío. Todos los cuerpos que estén a una temperatura superior al cero absoluto (0 K / −273,15 °C /
−459,67 °F) emiten una radiación térmica. En el caso que estamos tratando, la emisión es tan
pequeña que no la tendremos en cuenta.
2. Convección: La convección ocurre en fluidos, como el aire y el agua. Un objeto caliente rodeado
de aire hace que las capas próximas de aire se calienten, pierdan densidad y se desplacen a niveles
superiores. El hueco dejado es ocupado por aire más frio que vuelve a sufrir el mismo efecto,
generando así una corriente de convección que facilita el flujo térmico.
3. Conducción: El fenómeno de conducción térmica se produce al poner en contacto dos cuerpos
con temperaturas diferentes, el objeto de mayor temperatura transmite calor al de menor
temperatura. Los cuerpos que son buenos conductores eléctricos también lo son térmicos,
algunos ejemplos: cobre, plata, aluminio, oro o níquel.
• Conceptos
• Calor, equivale a la potencia eléctrica disipada por el dispositivo. Unidades: W
• Temperatura, temperatura que se alcanza en la cápsula del dispositivo. Unidades: °C
• Resistencia térmica, es la oposición que ofrece un cuerpo al paso de un flujo calorífico.
Unidades: °C /W
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DISIPADORES
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Modelo eléctrico del conjunto dispositivo - disipador
La temperatura de la unión debe ser inferior a la máxima que nos indica el fabricante.
Donde w es la potencia disipada por el dispositivo y Rja es la suma de las resistencias térmicas
existentes entre la unión y el ambiente.
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La pasta se aplica con cualquier utensilio en forma de espátula y debe ser una capa fina (aumentar
la cantidad de pasta no mejora la conducción térmica). El ensamblado se realiza de manera
mecánica; en este caso, mediante tornillo y tuerca metálicos a través del agujero coincidente. Por
dentro del agujero del disipador se suele poner una arandela aislante de un material que aguante
cierta temperatura para que el tornillo no haga contacto con el disipador.
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• Búsqueda de datos
En la hoja de características del dispositivo debemos encontrar la temperatura máxima de la unión
(Tj) y la resistencia térmica unión- cápsula (Rjc)
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El disipador que necesitamos debería tener una resistencia térmica inferior a 11,43:C/W Este
cálculo es para las condiciones límite y es muy conveniente darle un margen se seguridad. Este
coeficiente se lo aplicamos a la temperatura máxima de la unión así:
0,5 para un diseño normal. 0,6 para economizar en tamaño de disipador. 0,7 cuando haya una
muy buena convección (disipador en posición vertical, en el exterior)
En nuestro ejemplo, aplicando una k de 0,7, obtenemos una resistencia térmica de 5,18:C/W
En la actualidad, la medida de la resistencia térmica se da en K/W pero como son medidas
diferenciales, a todos los efectos 1:C/W = 1K/W
Buscamos en un fabricante de disipadores, en este caso Fischer Elektronik, y encontramos el
radiador SK12963, 5… que con una longitud de 63,5 mm presenta una resistencia térmica de 4,5
K/W Este modelo tiene tres opciones de anclaje: con 2 terminales soldables, con dos terminales
soldables y arandela separadora y con terminales roscados M3
Al ir montado sobre circuito impreso y, dependiendo de la temperatura que alcance el disipador,
debemos separar térmicamente al máximo el disipador de la fibra de vidrio del circuito impreso,
usando arandelas, separadores, … La fibra de vidrio usada habitualmente para las placas de
circuito impreso es de FR4 cuyo parámetro Tg (temperatura de transición vítrea) suele ser de
125°C. A esta temperatura, la estabilidad mecánica se altera.
Por orientación
Según la colocación del disipador hay que hay aplicar un factor de corrección. El fabricante Disipa
aconseja dividir la resistencia térmica teórica obtenida por los siguientes coeficientes según la
disposición del radiador.
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Si tenemos más de un dispositivo en el mismo disipador, la intuición nos puede inducir a un error.
Con un ejemplo se verá más claro:
Supongamos que tenemos dos dispositivos de iguales características y en el mismo punto de
trabajo. Tienen cápsula TO3, una Tj de 200 °C, una Rjc de 1,5:C/W y una Rcd de 0,8:C/W (montaje
con mica y silicona) y les hacemos disipar 30 W a cada uno.
Los podríamos considerar como un único dispositivo que disipara 60 W con el siguiente circuito
térmico equivalente
Obtendríamos una Rda de 0,53:C/W
Si analizamos el circuito como si fuera su análogo eléctrico:
Una aproximación, aconsejada por el fabricante Disipa, es calcular cada dispositivo por separado,
lo que nos dará una longitud de disipador, sumar las longitudes obtenidas e incrementar un 10 %
el valor total.
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Convección forzada
En los casos que obtengamos unas dimensiones de disipadores bastante grandes o deseemos
reducir el volumen del bloque disipador, nos puede interesar poner ventiladores para aumentar el
flujo de convección y mejorar el rendimiento del disipador.
• Cuando el fabricante nos proporciona los datos
Los fabricantes indican qué modelos de disipador están adaptados para poner ventiladores.
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1. Reducimos el ruido ya que puede ser molesto para los usuarios próximos.
2. Ahorramos energía.
3. Aumentamos la vida útil del ventilador.
• Tipos de ventiladores
El tipo más común de ventilador que se usa en electrónica es el alimentado a tensión continua sin
escobillas (BLDC) Las tensiones típicas de alimentación son 5V, 12 V, 24 V y 48 V El más usado en
electrónica es el de 12 V
Dentro de los BLDC existen tres categorías:
1. Dos contactos: Conexiones de alimentación que van directas al motor, girará a su número de
revoluciones máximo.
2. Tres contactos: El tercer contacto proporciona información del estado del ventilador. Puede ser
de dos tipos: A) Indica que el rotor se ha parado B) Salida del tacómetro del motor (Número de
pulsos proporcionales a la velocidad de giro)
3. Cuatro contactos: Esta cuarta conexión permite aplicarle una señal PWM (modulación de ciclo
de trabajo) para controlar la velocidad de rotación entre un 30 % y un 100 % Esta señal suele estar
comprendida entre 15 kHz y 30 kHz y usa niveles lógicos de 3,3 V ó 5 V
Los de dos contactos son los más habituales de encontrar y el método de control que se usa es
variando la tensión de alimentación. La gráfica de la derecha representa la velocidad de rotación
en función de la alimentación de un ventilador standard de 12 V.
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- El aire más frio entra por la parte inferior del frontal, ayudado de un ventilador que introduce
aire a la caja.
- Debe haber uno o dos ventiladores de caja en la parte superior, en la diagonal opuesta de dónde
entra aire del exterior.
- El ventilador de la CPU, en este caso doble vertical, saca el calor al ventilador de caja posterior. Si
el conjunto disipador-ventilador de la CPU fuera horizontal, el ventilador debería impulsar aire
hacía el disipador.
-.
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Se tendrá en cuenta:
la fecha de entrega.
Prolijidad.
Deben estar todos los cálculos auxiliares.
Las respuestas deben estar justificadas.
Capacidades a desarrollar
Comprensión lectora
Interpretar
Reconocimiento de conceptos
Resolución de problemas
Buena suerte!!
Cualquier duda me consultan.
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TEMA 6
COMPUERTAS
LOGICAS
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La información que se va a manejar en cualquier sistema digital tiene que estar representada
numéricamente. Para ello, necesitaremos un sistema de numeración acorde con las características
intrínsecas de este tipo de señales.
Un sistema de numeración se define como un conjunto de símbolos capaces de representar
cantidades numéricas. A su vez, se define la base del sistema de numeración como la cantidad de
símbolos distintos que se utilizan para representar las cantidades. Cada símbolo del sistema de
numeración recibe el nombre de dígito.
Así, los sistemas de numeración más utilizados son:
Sistema decimal o de base 10 Consta de diez dígitos: {0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9}.
Sistema binario o de base 2 Consta de dos dígitos: {0, 1}.
Sistema octal o de base 8 Consta de ocho dígitos: {0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7}.
Sistema hexadecimal o de base 16 Consta de dieciséis dígitos: {0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9,
A, B, C, D, E, F}.
Tabla 1.1. Sistemas de numeración más utilizados.
El sistema que utilizamos habitualmente es el sistema decimal, sin embargo, el sistema empleado
en los equipos digitales es el sistema binario. Por tanto, es necesario conocer cómo podemos
relacionar ambos sistemas.
Sistema binario
Como ya hemos estudiado, el sistema binario o de base 2 solo utiliza dos símbolos para
representar la información: 0 y 1. Cada uno de ellos recibe el nombre de bit, que es la unidad
mínima de información que se va a manejar en un sistema digital. A partir de esta información,
vamos a analizar cómo podemos convertir un número dado en el sistema decimal en un número
representado en el sistema binario.
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Su uso actual está muy vinculado a la informática y a los sistemas computacionales, pues los
ordenadores suelen utilizar el byte u octeto como unidad básica de memoria.
En principio, y dado que el sistema usual de numeración es de base decimal y, por tanto, solo
se dispone de diez dígitos, se adoptó la convención de usar las seis primeras letras del
alfabeto latino para suplir los dígitos que nos faltan. Así, el conjunto de símbolos
hexadecimales es: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F.
Donde la letra A es el 10 decimal, la letra B es el 11 decimal, etc. La Tabla 1.2 recoge la
conversión de los números decimales a binarios y a hexadecimales:
N.
Al igual que un número binario tiene su equivalente decimal, un número hexadecimal también se
puede convertir a decimal, y a su vez un número decimal se puede convertir o tiene su
equivalencia en uno hexadecimal.
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Es importante tener en cuenta que el sistema octal utiliza la base 8. El conjunto de símbolos
octales sería: 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7.
Por otra parte, la conversión de binario a octal se realiza igual que la conversión de binario a
hexadecimal pero con grupos de tres bits; y en el caso de hexadecimal a binario, igual pero con
grupos de tres bits para la conversión de octal a binario.
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4° 1° 4°2°
El álgebra de Boole y los sistemas de numeración binarios vistos hasta ahora constituyen la base
matemática para construir los sistemas digitales.
El álgebra de Boole es una estructura algebraica que relaciona las operaciones lógicas O, Y, NO.
A partir de estas operaciones lógicas sencillas, se pueden obtener otras más complejas que dan
lugar a las funciones lógicas. Por otra parte, hay que tener en cuenta que los valores que se
trabajan en el álgebra de Boole son de tipo binario.
Álgebra de Boole
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Además de los postulados, se definen una serie de propiedades para sus
operaciones, que son las siguientes:
• Propiedad conmutativa:
• Propiedad asociativa:
• Propiedad distributiva:
Por último, para la simplificación de circuitos digitales, además de estas propiedades resultan
fundamentales las leyes de De Morgan:
• Primera ley de De Morgan:
Función lógica
Se denomina función lógica a toda expresión algebraica formada por variables binarias que se
relacionan mediante las operaciones básicas del álgebra de Boole.
Una función lógica podría ser por ejemplo la siguiente:
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4° 1° 4°2°
Tabla de verdad
La tabla de verdad es una representación gráfica de todos los valores que puede tomar la función
lógica para cada una de las posibles combinaciones de las variables de entrada. Es un cuadro
formado por tantas columnas como variables tenga la función más la de la propia función, y tantas
fi las como combinaciones binarias sea posible construir.
El número de combinaciones posibles es 2n, siendo n el número de variables. Así, si tenemos dos
variables (a, b) tendremos: 22 5 4 combinaciones binarias (00, 01, 10, 11), etc.
Puertas lógicas
Las puertas lógicas son pequeños circuitos digitales integrados cuyo funcionamiento se
adapta a las operaciones y postulados del álgebra de Boole.
Las más importantes se muestran en la siguiente tabla:
Nombre
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4° 1° 4°2°
Una de las metas de los fabricantes de componentes electrónicos es la superación del número de
componentes básicos que pueden integrarse en una sola pastilla, ya que permite la reducción del
tamaño de los circuitos, del volumen y del peso.
Los componente básicos de los integrados son las puertas (Tabla 1.4), las cuales se encuentran
dentro de un chip o en circuitos digitales integrados con una tecnología de fabricación que
trataremos en el siguiente apartado: TTL y CMOS.
Cada chip o circuito integrado (Fig. 1.4) tiene una hoja de características que facilita el fabricante.
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A su vez, cada tipo de puerta tiene su integrado del tipo 74xx, donde 74 (tecnología
TTL) es la serie con las características más importantes:
• Tensión de alimentación: 5 voltios.
• Temperatura de trabajo: de 0 a 70 ºC.
Y xx es un número que nos indica de qué tipo de puerta se trata. Así lo recoge la siguiente tabla:
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Familias lógicas
Como consecuencia de las diferentes técnicas de fabricación de los circuitos integrados, podemos
encontrarnos con diversas familias lógicas, que se clasifican en función de los transistores con los
que están construidas.
Así, cuando se utilizan transistores bipolares se obtiene la familia denominada TTL, y si se utilizan
transistores unipolares, se obtiene la familia CMOS. Cada una de estas familias tiene sus ventajas
e inconvenientes, por eso, para el diseño de equipos digitales se utilizará la más adecuada en cada
caso.
Las características de todas las familias lógicas integradas son las siguientes:
• Alta velocidad de propagación.
• Mínimo consumo.
• Bajo coste.
• Máxima inmunidad al ruido y a las variaciones de temperatura.
A continuación estudiaremos ambos tipos de familias: TTL y CMOS.
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Inicialmente, se fabricaron circuitos CMOS con la misma disposición de las puertas en los circuitos
integrados que en las familias TTL. Así, se generó la familia 74C, compatible con la familia TTL,
cuyas características son muy parecidas a las de la familia 4 000. Debido a las mejoras en la
fabricación, se desarrollaron las series 74HC (alta velocidad) y la 74HCT (alta velocidad compatible
con los niveles TTL). Estas series poseen características muy parecidas a las LS de la familia TTL,
pero con consumos inferiores.
Las series más utilizadas son las 74HCxx, donde HC signifi ca High speed CMOS. El tiempo de
propagación de estas series ofrece valores del orden de 8 ns y se alimentan con tensiones de entre
2 y 6 V.
Si queremos conectar las distintas familias lógicas entre sí, tenemos que tener en cuenta su
compatibilidad, tanto de corriente como de tensión.
• Compatibilidad de corriente
Para conectar la salida de un circuito con la entrada de otro, el circuito de la salida debe
suministrar suficiente corriente en su salida, tanta como necesite la entrada del otro circuito. Por
tanto se tiene que cumplir que:
– IOH máx. > IIH máx. nivel alto
– IOL máx. > IIL máx. nivel bajo
• Compatibilidad de tensión
Si queremos conectar la salida de un circuito con la entrada de otro circuito, se tiene que verificar
que:
– VOL máx. < VIL máx. Nivel bajo
– VOH mín. > VIH mín. nivel alto
Dado que la primera condición se cumple casi siempre, lo que tenemos es que verificar que se
cumple la última (de nivel alto).
El componente básico de cualquier circuito integrado perteneciente a una familia lógica es el
transistor, que estudiaremos en la Unidad.
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La siguiente guía práctica se intenta entender cómo funciona una COMPUERTA LOGICA por lo
tanto vamos a resolver el siguiente cuestionario:
8. Simplifica estas funciones aplicando los postulados, las propiedades de Boole y las leyes de
Morgan
9. Dibujar la tabla de la verdad para las siguientes funciones, indicando el número de variables
y combinaciones posibles:
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TEMA 7
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INTRODUCCIÓN
El CI 555 es un circuito muy popular dada su versatilidad como generador de señales. Mediante
unos pocos componentes externos, permite eficaces aplicaciones, básicamente, como generado
de impulsos (clock) y como monoestable (temporizador).
Puede funcionar con una tensión de alimentación entre unos 4,5 y 18v y tiene una alta
cargabilidad de salida (puede proporcionar una corriente de 200mA). Asimismo, es muy estable
térmicamente y bastante inmune a las variaciones de la tensión de alimentación.
Existe también en tecnología bipolar, la corriente típica de consumo (lcc) es de unos 3mA (para
Vcc=5v). en tecnología CMOS El consumo es de solo unos 100uv (VDD=5V), aunque en
contrapartida tiene menos cargabilidad de salida (además de otras diferencias respecto a la
versión bipolar, que puede ser necesario tener en cuenta en ciertas aplicaciones)
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DEFINICIÓN
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FUNCIONAMIENTO
Se alimenta de una fuente externa conectada entre sus terminales 8 (+Vcc) y 1(GND) tierra; el
voltaje de la fuente va desde los 5 voltios hasta 15 voltios de corriente continua, la misma fuente
se conecta a un circuito pasivo RC, que proporciona por medio de la descarga de su capacitor una
señal de voltaje que está en función del tiempo, esta señal de tensión es de 1/3 de Vcc y se
compara contra el voltaje aplicado externamente sobre la terminal 2 (TRIGGER) que es la entrada
de un comparador.
La terminal 5(CONTROL VOLTAGE) se dispone para producir modulación por anchura de pulsos, la
descarga del condensador exterior se hace por medio de la terminal 7 (DISCHARGE), se descarga
cuando el transistor (NPN) T1, se encuentra en saturación, se puede descargar prematuramente el
capacitor por medio de la polarización del transistor (PNP) T2.
555, si no se desea descargar antes de que se termine el periodo, esta terminal debe conectarse
directamente a Vcc, con esto se logra mantener cortado al transistor T2 de otro modo se puede
poner a cero la salida involuntariamente, aun cuando no se desee.
La salida esta provista en la terminal (3) del microcircuito y es además la salida de un amplificador
de corriente (buffer), este hecho le da más versatilidad al circuito de tiempo 555, ya que la
corriente máxima que se puede obtener cuando la terminal (3) sea conecta directamente al nivel
de tierra es de 200 mA.
La salida del comparador "A" y la salida del comparador "B" están conectadas al Reset y Set del FF
tipo SR respectivamente, la salida del FF-SR actúa como señal de entrada para el amplificador de
corriente (Buffer), mientras que en la terminal 6 el nivel de tensión sea más pequeño que el nivel
de voltaje contra el que se compara la entrada Reset del FF-SR no se activará, por otra parte
mientras que el nivel de tensión presente en la terminal 2 sea más grande que el nivel de tensión
contra el que se compara la entrada Set del FF-SR no se activará.
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Funcionamiento monoestable
T = 1.1*Ra*C
NOTA: en el modo monoestable, el disparo debería ser puesto nuevamente a nivel alto antes que
termine la temporización.
Funcionamiento Estable
T1 = 0.693*(Ra+Rb)*C
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DISPARO (normalmente la 2): Es en esta patilla, donde se establece el inicio del tiempo de retardo,
si el 555 es configurado como monoestable. Este proceso de disparo ocurre cuando este pin va por
debajo del nivel de 1/3 del voltaje de alimentación. Este pulso debe ser de corta duración, pues si
se mantiene bajo por mucho tiempo la salida se quedará en alto hasta que la entrada de disparo
pase a alto otra vez.
SALIDA (normalmente la 3): Aquí veremos el resultado de la operación del temporizador, ya sea
que esté conectado como monoestable, astable u otro. Cuando la salida es alta, el voltaje será el
voltaje de alimentación (Vcc) menos 1.7 Voltios. Esta salida se puede obligar a estar en casi 0
voltios con la ayuda de la patilla de reset (normalmente la 4).
RESET (normalmente la 4): Si se pone a un nivel por debajo de 0.7 Voltios, pone la patilla de salida
a nivel bajo. Si por algún motivo esta patilla no se utiliza hay que conectarla a Vcc para evitar que
el 555 se "resetee".
UMBRAL (normalmente la 6): Es una entrada a un comparador interno que tiene el 555 y se utiliza
para poner la salida a nivel bajo.
DESCARGA (normalmente la 7): Utilizado para descargar con efectividad el condensador externo
utilizado por el temporizador para su funcionamiento.
V+ (normalmente la 8): También llamado Vcc, alimentación, es el pin donde se conecta el voltaje
de alimentación que va de 4.5 voltios hasta 18 voltios (máximo). Hay versiones militares de este
integrado que llegan hasta 18 Voltios.
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CONCLUSIONES
El 555 es un integrado sumamente versátil, pudiendo ser configurado para trabajar en un rango
muy amplio de frecuencias y configurado correctamente, puede trabajar con ciclos de trabajo de
casi 0% al 100%.
Para aplicaciones que requieran de mayor precisión, una de las recomendaciones, es de utilizar
condensadores de tantalio, para así evitar las corrientes de fuga características de los
condensadores electrolíticos.
Para medir las frecuencias de 1Hz, y 10Hz, no fue posible usar el osciloscopio o el multímetro,
puestos que éstos instrumentos, no son capaces de medirlas. Para medir 1Hz, se utilizó un
cronómetro externo, y para medir 10Hz, se utilizó el osciloscopio, pero la medición resultó
dificultosa.
Una de las grandes aplicaciones del 555, debido a que puede manejar 200 mA de salida, es la de
generar tonos audibles, tal como una sirena.
SUGERENCIAS
Debido, a que el 555 es un integrado muy popular, y ya ha sido estudiado anteriormente,
hubiera sido interesante hacer la misma experiencia con otros integrados de aplicaciones
similares al 555 tales como el 4047B, que es el reloj CMOS más popular, permite ciclos de
trabajo exactos del 50%, puede trabajar como monoestable redisparable, cosa que no se
puede hacer en el 555 sin circuito externo, y disipa mucha menor potencia debido a su
tecnología. Asimismo, hubiera sido interesante implementar multivibradores con
osciladores de cristal, o relojes de múltiples salidas como el 4060B al cual se le puede
acoplar el oscilador de cristal.
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La siguiente guía práctica se intenta entender cómo funciona un CIRCUITO INTEGRADO 555 por lo
tanto vamos a resolver el siguiente cuestionario:
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