Aea 92305-4

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ar
PROTECCIÓN CONTRA LOS RAYOS AEA 92305-4
PARTE 4 IRAM 2184-4
SISTEMAS ELÉCTRICOS Y ELECTRÓNICOS EN  Edición 2015
ESTRUCTURAS Página
Asociación Electrotécnica Argentina - AEA
G
Reglamentación para la Protección contra los Rayos AEA 92305 IRAM 2184, Parte 4: Sistemas
AR
Eléctricos y Electrónicos en Estructuras. - 4a ed. ampliada. - Ciudad Autónoma de Buenos Aires :
Asociación Electrotécnica Argentina - AEA, 2015.
92 p. ; 22 x 15 cm.
A.
P.
ISBN 978-987-1975-29-7
S.
1. Electrotecnia. 2. Electricidad Atmosférica.
TI
CDD 621.361
AN
Coordinador Técnico: Ing. Carlos García del Corro
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PARTE 4 IRAM 2184-4
ESTRUCTURAS Página I
COMISIÓN DIRECTIVA
Presidente:
ROSENFELD, Pedro A.
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Vicepresidente 1º:
VIGNAROLI, Ernesto O.
Vicepresidente 2º:
MANILI, Carlos M.
A.
Secretario:
P.
BROVEGLIO, Norberto O.
S.
Prosecretario:
CRESTA, Abel J.
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Tesorero:
MAZZA, Juan P.
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Protesorero:
GRINNER, Luis A.
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Vocales:
CORREA, Miguel A.
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MAGRI, Jorge H.
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NITARDI, Eduardo L.
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MANSILLA, Carlos A.
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MILITO, Daniel
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SALVATIERRA, Alejandro
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TOTO, Miguel A.
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VERONESE, Enrique
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VINSON, Edgardo G.
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WAIN, Gustavo
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PARTE 4 IRAM 2184-4
ESTRUCTURAS Página II
COMISIÓN DE NORMALIZACIÓN
G
Presidente: Ing. BROVEGLIO, Norberto O.
AR
Miembros Permanentes: Ing. MAGRI, Jorge
Ing. OSETE , Víctor
A.
P.
Ing. MANILI, Carlos M.
S.
Ing. TOTO, Miguel A.
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SUBCOMITÉ DE PROTECCIÓN CONTRA RAYOS (CONJUNTO AEA-IRAM)
Integrantes
Presidente Ing. Ángel REYNA

PI
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Coordinador Ing. Juan Carlos ARCIONI
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Miembros Permanentes Sr. Guillermo CACABELOS

Sr. Eduardo CÒRDOBA
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Ing. Roberto DADATTO

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Ing. Roberto DI VIRGILIO

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Ing. Jorge GIMÉNEZ

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Ing. Ricardo GRUNAUER
Ing. Roberto KRETSCHMAYER

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Lic. M. Gabriela NICORA

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Ing. Alejandro OGHIEVSKI

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Ing. Víctor OSETE
Ing. Daniel PEPE

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Ing. Jorge PUJOLAR

EX
Ing. Héctor SOIBELZON

Ing. Gustavo VATTUONE
SO
Ing. Jorge VIÑUELA

Sr. Juan R. ZABALA
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PARTE 4 IRAM 2184-4
ESTRUCTURAS página III
G
AR
A.
El presente documento fue aprobado por la Comisión Directiva en su Acta Nº 1558 del 23 de Junio
P.
de2015, entrando en vigencia a partir del 25 de Junio de 2015.
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PARTE 4 IRAM 2184-4
ESTRUCTURAS Página IV
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PÁGINA EN BLANCO
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PARTE 4 IRAM 2184-4
ESTRUCTURAS Página 1
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AEA 92305
S.
PROTECCIÓN CONTRA LOS RAYOS
TI
AN
PARTE 4
Sistemas Eléctricos y Electrónicos en Estructuras
(IEC 62305-4:2010, MOD)

PI
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NORMA IRAM
ARGENTINA 2184-4
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* Corresponde a la revisión de la tercera edición, a la que esta cuarta edición

reemplaza.
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Referencia Numérica:
AEA 92305-4:2015
IRAM 2184-4:2015
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AEA 2015-06-25
No está permitida la reproducción de ninguna de las partes de esta publicación por
cualquier medio, incluyendo fotocopiado y microfilmación, sin permiso escrito de la AEA.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Prefacio AEA Prefacio IRAM

La Asociación Electrotécnica Argentina es una entidad sin El Instituto Argentino de Normalización y Certificación
fines de lucro creada en 1913 para fomentar el estudio y el
G
(IRAM) es una asociación civil sin fines de lucro cuyas
desarrollo de todos los campos de la Electrotecnia. finalidades específicas, en su carácter de Organismo
Entre sus propósitos se incluye dictar y publicar documen-
AR
Argentino de Normalización, son establecer normas
tos normativos vinculados a la electrotécnica, en particular técnicas, sin limitaciones en los ámbitos que abarquen,
los concernientes al diseño, construcción, verificación y además de propender al conocimiento y la aplicación de
mantenimiento de instalaciones eléctricas, y la certificación la normalización como base de la calidad, promoviendo
A.
de instalaciones eléctricas y de personas; conforme a los las actividades de certificación de productos y de sistemas
principios del desarrollo sustentable, poniendo énfasis en la de la calidad en las empresas para brindar seguridad al
seguridad de las personas y los bienes, la preservación del
P.
consumidor.
medio ambiente y la conservación de recursos energéticos.
IRAM es el representante de Argentina en la International
S.
Sus miembros son profesionales independientes, que Organization for Standardization (ISO), en la Comisión
forman la base societaria, y los socios colectivos, integra- Panamericana de Normas Técnicas (COPANT), en la
dos por entidades nacionales y provinciales, empresas Asociación MERCOSUR de Normalización (AMN) y es
TI
privadas y públicas, y universidades, todos ellos vincula- miembro de la IEC a través del Comité Electrotécnico
dos con la actividad del sector eléctrico. Argentino (CEA).
AN
La AEA, asociada con IRAM y a través del Comité Elec-
trotécnico Argentino (CEA), forma parte de la Comisión
Electrotécnica Internacional (CEI o IEC), fundada en 1906
PI
con la misión de promover la cooperación internacional en
todo lo referente a la normalización y actividades afines
en el campo de la electrotecnología. Las actividades del
M
CEA se desarrollan desde su creación en la sede de
I
la AEA.
AL
Asimismo la AEA es miembro de los organismos siguientes:

 Conférence Internationales des Grands Reseaux
IT
Electriques a Haute Tension (CIGRE)

 Instituto Argentino de Normalización y Certificación (IRAM)
IA
 Asociación para la Promoción de la Seguridad Eléctrica

(APSE)
S
Prefacio AEA IRAM

FI
En el mes de Diciembre de 2007 la Asociación Electrotécnica Argentina (AEA) y el Instituto Argentino de Normalización y
VO
Certificación (IRAM) suscribieron el Acuerdo de Cooperación y Complementación entre ambas instituciones, para
establecer un marco institucional que mejore y ordene las actividades de estudio y publicación de documentos normativos
en el campo de la electrotecnia que vienen desarrollando ambas instituciones, de manera que la AEA y el IRAM operen en
forma coordinada, complementaria y armónica en este terreno.
SI
Con el objeto de perfeccionar instrumentos que posibiliten la implementación efectiva del citado acuerdo, en las diferentes
áreas de interés mutuo, las partes acordaron el estudio de Documentos Normativos de doble designación elaborados por
LU
organismos de estudio conjuntos, bajo la supervisión de una Comisión de Enlace constituida por representantes de la AEA
y el IRAM.
C
Este documento es el fruto del consenso técnico entre los diversos sectores involucrados, los que a través de sus
representantes han intervenido en los Organismos de Estudio conjuntos entre la Asociación Electrotécnica Argentina (AEA)
EX
y el Instituto Argentino de Normalización y Certificación (IRAM).

Este documento es una adopción modificada (MOD) de la IEC 62305-4:2010 - Protection against lightning. Part 4: Electrical
and electronic systems within structures. Por ello sigue la misma estructura del documento original IEC con los agregados
siguientes:
SO
 Un anexo AEA-IRAM informativo donde se indica la bibliografía utilizada para el estudio de este documento.
 Un anexo AEA-IRAM informativo donde se indica el organismo de estudio de este documento.
Se indican con una línea vertical en uno de los márgenes del texto lo siguiente:
U
 Las modificaciones incorporadas por el subcomité AEA-IRAM.

 Una advertencia AEA-IRAM y notas AEA-IRAM, con información general.
Este documento reemplaza a la norma IRAM de Emergencia 2184-4:2011 / AEA 92305-4:2011.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Índice
G
Página
AR
0 INTRODUCCIÓN .......................................................................................................... 5
1 OBJETO Y CAMPO DE APLICACIÓN ........................................................................ 6
A.
2 DOCUMENTOS NORMATIVOS PARA CONSULTA .................................................. 6
P.
3 TÉRMINOS Y DEFINICIONES .................................................................................... 7
S.
4 DISEÑO E INSTALACIÓN DE UN SPMI ..................................................................... 9
TI
5 PUESTA A TIERRA Y EQUIPOTENCIALIDAD ......................................................... 18
AN
6 APANTALLAMIENTO MAGNÉTICO Y TRAZADO DE LAS LÍNEAS ....................... 27
PI
7 SISTEMA COORDINADO DE DPS ........................................................................... 28
M
8 INTERFACES AISLANTES ........................................................................................ 29
I
AL
9 GESTIÓN DE UN SMPI ............................................................................................. 29
Anexo A (Informativo) Elementos básicos para la evaluación del ambiente

IT
electromagnético en una ZPR ....................................................................... 33

IA
Anexo B (Informativo) Implantación del SMPI en una estructura existente ................ 59

S
Anexo C (Informativo) Selección y coordinación de los DPS ...................................... 77

FI
Anexo D (Informativo) Factores a tener en cuenta en la selección de los DPS .......... 84

VO
Anexo E (Informativo) Bibliografía IEC 62305-4:2010 ................................................. 89
Anexo F - AEA-IRAM (Informativo) Bibliografía ............................................................. 90

SI
LU
Anexo G - AEA-IRAM (Informativo) Integrantes de los organismos de estudio ........... 91

C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
Protección contra los rayos

Parte 4 - Sistemas eléctricos y electrónicos en estructuras
G
AR
0 INTRODUCCIÓN Esta norma, por lo tanto, da información sobre
las medidas de protección para reducir el riesgo
El rayo como fuente de daño es un fenómeno de
A.
de fallas permanentes de los sistemas eléctri-
muy alta energía. Las descargas liberan muchos cos y electrónicos situados en las estructuras.
cientos de megajoules. Cuando se compara con
P.
los milijoules de energía que pueden ser sufi- Las fallas permanentes en los sistemas eléctri-
cientes para producir daños en los equipos
S.
cos y electrónicos se pueden producir por el
electrónicos sensibles y en los sistemas eléctri- impulso electromagnético del rayo (IEMR) por
cos y electrónicos que se encuentran en las las vías siguientes:
TI
estructuras, está claro que serán necesarias me-
didas adicionales de protección para proteger
AN
a) ondas transitorias, conducidas o inducidas
algunos de estos equipos. y transmitidas a los aparatos a través de
los cables de conexión;
PI
Como consecuencia del aumento de los costos
de las fallas de los sistemas eléctricos y electró- b)
M efectos directos de los campos electro-
nicos, producidos por los efectos electromag- magnéticos radiados sobre los aparatos.
néticos de los rayos, ha surgido la necesidad de
I
AL
esta norma internacional. De importancia espe- En una estructura, las ondas transitorias se
cial son los equipos electrónicos empleados en pueden producir externamente o desde el inter-
los procesos y almacenamientos de datos, así
IT
ior de la propia estructura:

como en los procesos de control y de seguridad
en las plantas de gran valor, tamaño y compleji- – las ondas transitorias externas a la estructu-
IA
dad (para las que las paradas no son deseables ra están creadas por las descargas de los
por razones de costo y de seguridad). rayos que impactan en las líneas entrantes o
S
en el terreno cerca de las líneas, y son

FI
Como se define en la IRAM 2184-1 / transmitidas por medio de estas líneas a los
AEA 92305-1, los rayos pueden producir dife-
sistemas eléctricos y electrónicos;
rentes tipos de daños en una estructura:
VO
– las ondas transitorias internas a la estructura

D1 daños en los seres vivos debidos a impactos están producidas por los impactos directos en
SI
eléctricos; la estructura o en el terreno próximo.

LU
D2 daños físicos (fuego, explosión, destrucción NOTA 1. Las ondas transitorias también pueden producir-
mecánica, fuga química) debidos a los efec- se internamente en las estructuras, por efectos de los
tos de la corriente del rayo, incluyendo las interruptores; por ejemplo, maniobra de cargas inductivas.
C
chispas eléctricas;
EX
El acoplamiento se puede producir por diferen-

D3 fallas de los sistemas eléctricos y electróni- tes mecanismos:
cos debidos a los efectos electromagnéticos
del rayo. – acoplamiento resistivo (por ejemplo, la
SO
impedancia de puesta a tierra del sistema de

La IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 trata de las me- puesta a tierra o la resistencia de la pantalla
de los cables);
U
didas de protección para reducir el riesgo de los

daños físicos y de los peligros para la vida, pero – acoplamiento por campo magnético (por
no cubre la protección de los sistemas eléctri- ejemplo, producido por los bucles de los cables
cos y electrónicos. en los sistemas eléctricos y electrónicos o
PARTE 4 IRAM 2184-4
por la inductancia de los conductores equipoten- ADVERTENCIA AEA-IRAM. A juicio de la

ciales); Comisión de expertos de la AEA y del IRAM:
se recomienda que los sistemas de protección
– acoplamiento por campo eléctrico (por
G
contra los rayos sean diseñados e instalados
ejemplo, producido por la varilla de la antena (con materiales normalizados y certificados)
AR
de captación). bajo la responsabilidad de profesionales con
NOTA 2. Los efectos del acoplamiento por campo eléctri-
incumbencias y competencias específicas, con
co son, por lo general, muy pequeños en comparación la categoría que determine, para cada caso, la
A.
con los del acoplamiento magnético, por lo que pueden no autoridad de aplicación correspondiente.
tomarse en cuenta.
P.
Los campos electromagnéticos radiados pue-
S.
den producirse: 1 OBJETO Y CAMPO DE APLICACIÓN
TI
 por la circulación de la corriente del rayo por
el propio canal del rayo; Esta norma proporciona información para el di-
AN
seño, instalación, inspección, mantenimiento, y
 por la circulación de las corrientes parciales ensayo de los sistemas de protección de los
del rayo por los conductores (por ejemplo, sistemas eléctricos y electrónicos con el fin de
PI
por los conductores de bajada de un SPCR reducir el riesgo de fallas permanentes produ-
externo, de acuerdo con la IRAM 2184-3 / cidas por el impulso electromagnético del rayo
M
AEA 92305-3 o por una pantalla espacial ex- en el interior de las estructuras.
I
terna, de acuerdo con esta norma).
AL
Esta norma no cubre la protección contra las in-

Esta edición incluye los siguientes cambios terferencias electromagnéticas producidas por
IT
técnicos significativos con respecto a la edición el rayo, que pueden producir mal funcionamien-
anterior: tos de los sistemas electrónicos. Sin embargo,
la información indicada en el anexo A puede
IA
 Se han introducido interfaces aislantes para emplearse, también, para evaluar estas pertur-
S
reducir ondas conducidas que penetran en baciones. Las medidas de protección contra las
la estructura. interferencias electromagnéticas están cubier-
FI
tas por la IEC 60364-4-44 [1]1) y la serie de las

 Se han modificado ligeramente las seccio- IEC 61000 [2].
VO
nes mínimas para componentes equipo-

tenciales. Esta guía da las directrices para la cooperación
entre el proyectista del sistema eléctrico y
SI
 Se ha introducido el primer impulso negativo electrónico y el diseñador de las medidas de

de corriente para el cálculo como fuente elec- protección, en un intento de conseguir el ópti-
LU
tromagnética de daños en sistemas internos. mo de efectividad en la protección.
 La selección de DPS con respecto al nivel

C
Esta norma no trata sobre los detalles de diseño

de protección de tensión se ha mejorado pa- de los propios sistemas eléctricos y electrónicos.
EX
ra tener en cuenta los fenómenos de

oscilación y de inducción en el circuito de
aguas abajo del DPS.
SO
2 DOCUMENTOS NORMATIVOS PARA

 Se ha eliminado el anexo C relativo a la co- CONSULTA
ordinación de DPS.
U
Todo documento normativo que se menciona a

 Se ha introducido un nuevo anexo D infor- continuación es indispensable para la aplica-
mativo que da información sobre los factores ción de este documento.
que deben tenerse en cuenta en la selección
de DPS.
1)
Los números entre corchetes se refieren a la bibliografía.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Cuando en el listado se mencionan documen- IEC 61643-1:2005 - Low-voltage surge protective

tos normativos en los que se indica el año de devices - Part 1: Surge protective devices
publicación, significa que se debe aplicar dicha connected to low-voltage power distribution
edición. En caso contrario, se debe aplicar la systems - Requirements and tests.
G
edición vigente, incluyendo todas sus modifica-
AR
ciones. IEC 61643-12:2008 - Low-voltage surge
protective devices - Part 12: Surge protective
IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 - Protección con- devices connected to low-voltage power
A.
tra los rayos. Parte 1: Principios generales distribution systems - Selection and application
(IEC 62305-1:2010, MOD). principles.
P.
IRAM 2184-2 / AEA 92305-2 - Protección con- IEC 61643-21 - Low voltage surge protective
S.
tra los rayos. Parte 2: Evaluación del riesgo devices - Part 21: Surge protective devices
(IEC 62305-2:2010, MOD). connected to telecommunications and signalling
TI
networks - Performance requirements and
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 - Protección con- testing methods.
AN
tra los rayos. Parte 3: Daño físico a estructuras
y riesgo humano (IEC 62305-3:2010, MOD). IEC 61643-22 - Low-voltage surge protective
devices - Part 22: Surge protective devices
PI
IRAM 2184-11 / AEA 92305-11 - Protección connected to telecommunications and signalling
M
contra los rayos. Parte 11: Guía para la elec- networks - Selection and application principles.
ción de los sistemas de protección contra los
I
rayos (SPCR) para usar en la República
AL
Argentina.
3 TÉRMINOS Y DEFINICIONES
IT
IEC 60364-5-53:2001 - Electrical installations of

buildings - Part 5-53: Selection and erection of Para los fines de este documento, se aplican
IA
electrical equipment - Isolation, switching and los términos y definiciones incluidos en la

control. IRAM 2184 / AEA 92305 además de los si-
S
guientes:
FI
IEC 60664-1:2007 - Insulation coordination for

equipment within low-voltage systems - Part 1: 3.1 sistema eléctrico
Principles, requirements and tests. Sistema que incorpora componentes con ali-
VO
mentación a baja tensión.

IEC 61000-4-5:2005 - Electromagnetic
SI
compatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and 3.2 sistema electrónico

measurement techniques - Surge immunity test. Sistema que incorpora componentes electrónicos
LU
sensibles tales como equipos de comunicación,

IEC 61000-4-9:1993 - Electromagnetic ordenadores, sistemas de instrumentación y con-
compatibility (EMC) - Part 4: Testing and trol, sistemas de radio, instalaciones de electróni-
C
measurement techniques - Section 9: Pulse ca de potencia.

EX
magnetic field immunity test. Basic EMC

Publication. 3.3 sistemas internos
Sistemas eléctricos y electrónicos en el interior
SO
IEC 61000-4-10:1993 - Electromagnetic de una estructura.

compatibility (EMC) - Part 4: Testing and
measurement techniques - Section 10: Damped 3.4 protección contra el rayo, PCR
U
oscillatory magnetic field immunity test. Basic Sistema completo de protección contra los
EMC Publication. efectos del rayo de las estructuras y/o de los
sistemas eléctricos y electrónicos situados en
PARTE 4 IRAM 2184-4
estas estructuras, que consisten en el SPCR y 3.12 pantalla espacial mallada

el IEMR. Pantalla magnética caracterizada por sus aber-
turas.
G
3.5 sistema de protección contra el rayo,
SPCR NOTA. En un edificio o en una habitación, es preferible
AR
construirla mediante la interconexión de los componentes
Sistema completo empleado para reducir los metálicos naturales de la estructura (por ejemplo, las ba-
daños físicos en una estructura producidos por rras de la armadura del hormigón, armazones metálicos y
los rayos. soportes metálicos).
A.
NOTA. Está formado por los sistemas externo e interno. 3.13 sistema de puesta a tierra
P.
Parte de un SPCR externo destinada a conducir
3.6 impulso electromagnético del rayo, IEMR y dispersar la corriente del rayo en el terreno.
S.
Todos los efectos electromagnéticos de la co-
rriente del rayo creados por los transitorios y 3.14 red equipotencial
los campos electromagnéticos y acoplados por
TI
Red que interconecta todas las partes conduc-
vía resistiva, inductiva o capacitiva. toras de la estructura y de los sistemas internos
AN
(con exclusión de los conductores activos) al
3.7 onda transitoria sistema de puesta a tierra.
Transitorio, producido por el IEMR, que apare-
PI
ce como sobretensiones y/o sobrecorrientes. 3.15 sistema de tierra
M
Sistema completo formado por el sistema de
3.8 tensión nominal resistida al impulso, UW puesta a tierra y la red equipotencial.
I
Tensión soportada al impulso asignada por el
AL
fabricante al equipo o parte del equipo, que ca- 3.16 dispositivo de protección contra so-
racteriza la capacidad de la aislación del equipo bretensiones, DPS
IT
para soportar sobretensiones. Dispositivo concebido para limitar las sobreten-

NOTA. A los efectos de esta norma, sólo se considera la
siones transitorias y dispersar las corrientes
IA
tensión soportada entre los conductores activos y la tierra. transitorias; contiene, al menos, un componen-
te no lineal.
S
3.9 nivel de protección contra el rayo, NPR

FI
Número relacionado con un conjunto de pará- 3.17 DPS ensayado con Iimp
metros del rayo relativos a la probabilidad de DPS que soporta corrientes parciales del rayo
con una forma de onda típica 10/350 s y que
VO
que los valores máximos y mínimos de diseño

no serán sobrepasados cuando se produzca un requiere el correspondiente ensayo de impulso
rayo natural. de corriente Iimp.
SI
NOTA. El nivel de protección contra el rayo se emplea para NOTA. En la IEC 61643-1:2005 se define para las líneas
LU
diseñar las medidas de protección de acuerdo con un con- de potencia, en el procedimiento de ensayo de la Clase I,
junto de parámetros relevantes de la corriente del rayo. el valor adecuado de la corriente de ensayo Iimp.
C
3.10 zona de protección contra el rayo, ZPR 3.18 DPS ensayado con In
Zona en la que se define el ambiente electro- DPS que soporta corrientes de descargas indu-
EX
magnético del rayo. cidas con una forma de onda típica 8/20 s y
que requiere el correspondiente ensayo de im-
NOTA. El límite de una ZPR no es necesariamente una pulso de corriente In.
SO
frontera física (por ejemplo, paredes, suelos o techos).

NOTA. En la IEC 61643-1:2005 se define para las líneas
3.11 sistema de medidas de protección con- de potencia, en el procedimiento de ensayo de la Clase II,
U
tra el IEMR, SMPI el valor adecuado de la corriente de ensayo In.

Sistema completo de medidas de protección de
los sistemas internos contra el IEMR.
NOTA. Forma parte de la protección total contra el rayo.

PARTE 4 IRAM 2184-4
3.19 DPS ensayado con una combinación 3.23 protección coordinada de DPS
de ondas Conjunto de DPS adecuadamente selecciona-
DPS que soporta la corriente de descarga in- dos, coordinados e instalados formando un
ducida con una forma de onda típica 8/20 s y sistema con objeto de reducir las fallas de los
G
que requiere el correspondiente ensayo de im- sistemas eléctricos y electrónicos.
AR
pulso de corriente ISC.
3.24 interfaces de aislación
NOTA. En la IEC 61643-1:2005 se define, para las líneas Dispositivos capaces de reducir las sobreten-
A.
de potencia, en el procedimiento de ensayo de la Clase
siones transitorias conducidas por las líneas
III, el ensayo adecuado de ondas combinadas, definiendo
la tensión a circuito abierto UOC 1,2/50 s y la corriente de que entran en una ZPR.
P.
cortocircuito ISC 8/20 s de un generador de onda combi-
nada de 2 . NOTA 1. Incluyen transformadores de aislación con la
S.
pantalla entre arrollamientos puesta a tierra, cables de fi-
bra óptica y aisladores ópticos.
3.20 DPS de corte de tensión
TI
DPS que tiene una alta impedancia cuando no NOTA 2. Las características de resistencia de la aislación
hay ondas transitorias, pero que puede tener un de estos dispositivos es la adecuada para esta aplicación
AN
intrínsecamente o vía DPS.
cambio repentino hacia abajo en el valor de su
impedancia en respuesta a una onda transitoria.
PI
NOTA 1. Ejemplos comunes de componentes empleados
como dispositivos de corte de tensión son los explosores,
4 DISEÑO E INSTALACIÓN DE UN SPMI
M
los tubos descargadores de gas, los tiristores (rectificado-
res de silicio) y los triacs. Estos DPS a veces se llaman
I
4.1 Generalidades
AL
"tipo crowbar".
NOTA 2. Un dispositivo de corte de tensión tiene una ca- Los sistemas eléctricos y electrónicos están
expuestos a daños por causa del impulso elec-
IT
racterística tensión/corriente discontinua.

tromagnético del rayo (IEMR). Por lo tanto, es
3.21 DPS limitador de tensión necesario que el SPMI esté preparado para evi-
IA
DPS que tiene una alta impedancia cuando no tar fallas en los sistemas internos.
hay ondas transitorias, pero que reducirá conti-
S
nuamente su valor conforme aumenta el El diseño del SMPI debe llevarse a cabo por
FI
transitorio de tensión y de corriente. expertos en rayos y en protección transitoria

que posean un amplio conocimiento de CEM y
VO
NOTA 1. Ejemplos comunes de componentes empleados prácticas en instalaciones.

como dispositivos no lineales son los varistores y los dio-
dos supresores. Estos DPS pueden llamarse a veces "tipo La protección contra el IEMR está basada en el
SI
clamping".
concepto de las zonas de protección contra el
NOTA 2. Un dispositivo limitador de tensión tiene una ca- rayo (ZPR): la zona que contiene los sistemas
LU
racterística tensión/corriente continua. a proteger debe dividirse en ZPR. Estas zonas

son, teóricamente, partes de espacio asignado
C
3.22 DPS combinado (o de un sistema interno) en los que la severi-

DPS que incorpora componentes de corte y li- dad del IEMR es compatible con el nivel de
EX
mitador de tensión y que puede actuar como inmunidad de los sistemas internos situados en
corte de tensión, como limitador de tensión o su interior (ver la figura 1). Las zonas sucesivas
como ambos a la vez, en función de las carac- se caracterizan por cambios significativos en la
SO
terísticas de la tensión aplicada. severidad del IEMR. El límite de una ZPR se

define por las medidas de protección emplea-
das (ver la figura 2).
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
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A.
P.
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C
NOTA. Esta figura muestra un ejemplo de cómo dividir una estructura en zonas interiores ZPR. Todos los servicios metáli-
EX
cos que entran en la estructura se conectan equipotencialmente a través de barras equipotenciales en la frontera de la
ZPR 1. Además, los servicios conductores que entran en la ZPR 2 (por ejemplo, sala de ordenadores) están conectados
equipotencialmente a través de barras equipotenciales en el límite de la ZPR 2.
SO
Figura 1 - Principio general de división en diferentes ZPR

U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
Figura 2a - SMPI que emplea pantallas espaciales y una protección coordinada de
los DPS - Aparato bien protegido contra las ondas transitorias conducidas
M
(U2 << U0 e I2 << I0) y contra los campos magnéticos radiados (H2 << H0)
I
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
Figura 2b - SMPI que emplea una pantalla espacial en la ZPR 1 y DPS en la entrada de la
SO
ZPR 1 - Aparato protegido contra las ondas transitorias conducidas (U1 < U0 e I1 < I0) y
contra los campos magnéticos radiados (H1 < H0)
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
Envoltura apantallada
o chasis blindado, etc.
TI
AN
Figura 2c - SMPI que emplea una línea apantallada interna y protección con DPS a la entrada
de la ZPR1 - Aparato protegido contra las ondas transitorias de corriente conducidas
PI
(U2 < U0 e I2 < I0) y contra los campos magnéticos radiados (H2 < H0)
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
Envoltura
SI
LU
Figura 2d - SMPI que emplea solamente un sistema de protección coordinada de

los DPS - Aparato protegido contra las ondas transitorias conducidas
(U2 << U0 e I2 << I0), pero no contra los campos magnéticos radiados (H0)
C
EX
Leyenda
Límite apantallado
Límite sin apantallar
SO
NOTA 1. Los DPS pueden colocarse en los siguientes puntos:

 en el límite de la ZPR 1 (por ejemplo, en el tablero principal de distribución MB);
U
 en el límite de la ZPR 2 (por ejemplo, en el tablero secundario de distribución SB);

 en o próximos a los aparatos (por ejemplo, en la toma SA).
NOTA 2. Para normas de instalación detalladas ver también la IEC 60364-5-53.
Figura 2 - Ejemplos de posibles SMPI (medidas de protección contra el IEMR)

PARTE 4 IRAM 2184-4
Las fallas permanentes de los sistemas eléctri- En el laboratorio puede realizarse, para verificar
cos y electrónicos debidos al IEMR pueden la capacidad de coordinación de los DPS, si al-
estar producidos por: gunas aplicaciones específicas lo requieren, un
ensayo de simulación en el que se incluyan los
G
• ondas transitorias conducidas e inducidas y DPS, el cableado de la instalación y el equipo.
AR
transmitidas a los aparatos a través de los
cables de conexión; 4.2 Diseño del SMPI
A.
• efectos de los campos electromagnéticos Puede diseñarse un SMPI para proteger los
radiados que inciden directamente sobre los equipos contra las ondas transitorias y contra
P.
propios aparatos. los campos electromagnéticos. La figura 2
muestra algunos ejemplos de SMPI empleando
S.
Para la protección contra los efectos de los cam- medidas tales como SPCR, pantallas magnéti-
pos electromagnéticos radiados y que inciden cas y sistemas de DPS coordinados
TI
directamente sobre los equipos, deben emplear-
se protecciones consistentes en pantallas • Los SMPI en los que se emplean apantalla-
AN
espaciales o en líneas apantalladas, en combi- mientos espaciales y protección coordinada de
nación con las envolturas apantalladas de los DPS protegerán contra los campos magnéti-
equipos. cos radiados y contra las ondas transitorias
PI
conducidas (ver la figura 2a). Las pantallas
M
Para la protección contra los efectos de las on- espaciales en cascada y la coordinación de
das transitorias conducidas y transmitidas a los los DPS pueden reducir el campo magnético y
I
equipos por los cables, debe emplearse un sis- las ondas transitorias a un nivel más bajo de
AL
tema coordinado de DPS. riesgo.

IT
Las fallas debidas a los campos electromagnéti- • Los SMPI en los que se emplea una pantalla
cos que inciden directamente sobre los equipos espacial de ZPR 1 y un DPS a la entrada de
IA
pueden considerarse despreciables si los equi- la ZPR 1 puede proteger los aparatos contra
pos cumplen con las normas de producto de el campo magnético radiado y contra las on-
S
emisión de radio frecuencia y de inmunidad das transitorias conducidas (ver la figura 2b).
FI
CEM.
NOTA 1. La protección no sería suficiente si el campo
En general, se requiere que los equipos cumplan magnético permanece demasiado elevado (debido a la
VO
baja efectividad del apantallamiento de la ZPR 1) o si la

con la CEM con las normas relevantes del pro- amplitud de la onda transitoria permanece demasiado alta
ducto, aunque un SMPI basado en un sistema (debido a un nivel de protección de alta tensión de los
SI
coordinado de DPS se considera, normalmente, DPS y a los efectos de inducción en el cableado aguas
suficiente para la protección de estos equipos abajo de los DPS).
LU
contra el IEMR.
• Los SMPI que empleen líneas apantalladas,
Para los equipos que no cumplen con las nor- en combinación con envolturas de los equipos
C
mas CEM correspondientes al producto, se apantalladas, protegerá contra los campos

EX
considera que un SMPI consistente solamente magnéticos radiados. El DPS a la entrada de

en un sistema coordinado de DPS no es ade- la ZPR 1 dan protección contra las ondas
cuado para proteger estos equipos contra el transitorias conducidas (ver la figura 2c). Para
alcanzar un nivel de amenaza más bajo (en
SO
IEMR. En este caso, el anexo A da una informa-

ción sobre cómo conseguir la mejor protección un solo paso desde la ZPR 0 a la ZPR 2)
contra el campo electromagnético incidente. El puede ser necesario un DPS especial (por
U
nivel que debe soportar el equipo contra los ejemplo, etapas de coordinación interiores
campos magnéticos radiados debe estar con- adicionales) para alcanzar un nivel de protec-
forme con las IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10. ción de tensión suficientemente bajo.
PARTE 4 IRAM 2184-4
• Los SMPI formados por un sistema de pro- ZPR 0B Zona protegida contra las descargas
tección coordinado de DPS, solamente son directas de los rayos, pero en la que la
adecuados para proteger equipos insensi- amenaza es el campo electromagnéti-
bles a los campos magnéticos radiados, ya co total del rayo. Los sistemas internos
G
que los DPS solamente darán protección pueden estar sometidos a las ondas
AR
contra las ondas transitorias conducidas (ver transitorias de las corrientes parciales
la figura 2d). Empleando DPS coordinados de los rayos.
puede conseguirse un nivel de amenaza
A.
menor. Zonas interiores: (protegidas contra las des-
cargas directas del rayo)
P.
NOTA 2. Las soluciones acordes con las figuras 2a a 2c
están especialmente recomendadas para equipos que no ZPR 1 Zona en la que la onda transitoria de
S.
cumplen con las correspondientes normas CEM de pro-
ducto. corriente está limitada por la distribu-
ción de la corriente y por la interfaz
TI
NOTA 3. Un SPCR según la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, de aislación y/o los DPS en las zo-
que sólo emplee conexiones equipotenciales mediante nas frontera. El apantallamiento
AN
DPS, no provee protección efectiva contra las fallas de los espacial puede atenuar el campo
sistemas eléctricos y electrónicos sensibles. El SPCR
puede mejorarse reduciendo las dimensiones de la malla
electromagnético del rayo.
PI
y seleccionando los DPS apropiados, de manera que
constituyan un componente efectivo del SMPI. ZPR 2…n Zona en la que la onda transitoria de
M corriente puede limitarse más me-
4.3 Zonas de protección contra el rayo diante la distribución de la corriente y
I
por la interfaz de aislación y/o DPS
AL
(ZPR)
adicionales en la zonas fronteras.
En relación con la amenaza del rayo, se defi- Puede emplearse, para atenuar más
IT
nen las siguientes ZPR (ver la IRAM 2184-1 / el campo electromagnético del rayo,
AEA 92305-1): apantallamiento espacial adicional.
IA
Zonas exteriores Las ZPR se implementan por la instalación del

S
SMPI, por ejemplo, instalación de los DPS co-

ZPR 0 Zona en la que la amenaza se debe al
FI
ordinados y/o pantallas magnéticas (ver la

campo electromagnético del rayo no figura 2). En función del número, tipo y nivel de
atenuado y en la que los sistemas in- tensión soportada del equipo a proteger, puede
VO
ternos pueden estar sometidos a la definirse la ZPR apropiada. Estas zonas pue-
corriente de la onda transitoria total o den incluir pequeñas zonas locales (por ejem-
parcial del rayo. La ZPR 0 se subdivi-
SI
plo, envolturas de los equipos) o grandes zonas

de en: (por ejemplo, el volumen total de la estructura)
LU
(ver la figura B.2).

ZPR 0A Zona en la que la amenaza se debe al
impacto directo de la descarga y al Puede ser necesaria la interconexión de zonas
C
campo electromagnético total del rayo. del mismo orden si dos estructuras separadas
EX
Los sistemas internos pueden estar están conectadas por líneas eléctricas o de se-
sometidos a la onda transitoria de la ñal, o si debe reducirse el número de los DPS
corriente total del rayo; (ver la figura 3).
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
NOTA. La figura 3a muestra dos ZPR 1 conectadas por NOTA. La figura 3b muestra que este problema puede so-
líneas eléctricas o de señal. Debe tenerse un cuidado es- lucionarse empleando cables o conductos apantallados
FI
pecial si ambas ZPR 1 representan estructuras separadas para conectar las ZPR 1 siempre que las pantallas sean
con sistemas de tierra separados y distanciadas por dece- capaces de llevar la corriente de rayo parcial. Los DPS
nas o centenas de metros. En este caso, una gran parte pueden omitirse si la caída de tensión a lo largo de la pan-
VO
de la corriente del rayo puede circular a lo largo de las talla no es demasiado grande.
líneas de conexión, que no están protegidas.
SI
Referencia: Referencia:
l1, l2 Corrientes parciales del rayo l1, l2 Corrientes parciales del rayo
LU
Figura 3a - Interconexión Figura 3b - Interconexión de dos ZPR 1

C
de dos ZPR 1 mediante DPS mediante cables o conductos apantallados

EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
NOTA. La figura 3c muestra dos ZPR 2 conectadas por NOTA. La figura 3d muestra que, si se emplean cables o
IA
líneas eléctricas o de señales. Debido a que las líneas conductos apantallados para interconectar ambas ZPR 2,
están expuestas al nivel de amenaza de la ZPR 1, se re- esta interferencia pueden evitarse, y omitirse los DPS.
S
quieren DPS a la entrada de cada ZPR 2.

FI
Figura 3c - Interconexión Figura 3d - Interconexión de dos ZPR 2

de dos ZPR 2 mediante DPS mediante cables o conductos apantallados
VO
Figura 3 - Ejemplos de interconexión de ZPR

SI
LU
La extensión de una ZPR en otra puede ser necesaria en casos especiales o puede emplearse para
reducir el número de DPS (ver la figura 4).
C
En el anexo A se describe la evaluación detallada del ambiente electromagnético en una ZPR.

EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
NOTA. La figura 4a muestra una estructura alimentada NOTA. Si el transformador está instalado en el interior
AN
por un transformador. Si el transformador se encuentra de la estructura, y no tiene instalado DPS en el lado de
fuera de la estructura, sólo las líneas de baja tensión que alta tensión (debido a que el propietario del edificio, con
entran en la estructura necesitan protección mediante frecuencia, no permite instalar medidas de protección
DPS. en el lado de alta tensión), se aplica la figura 4b. La figu-
PI
ra 4b muestra que el problema puede resolverse
extendiendo la ZPR 0 en la ZPR 1, lo que requiere, de
M
nuevo, instalar los DPS sólo en el lado de baja tensión.
I
AL
Figura 4a - Transformador fuera Figura 4b - Transformador en el interior de

de la estructura (en la ZPR 0) la estructura (extensión de la ZPR 0 en la
ZPR 1)
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
NOTA. La figura 4c muestra una ZPR 2 alimentada por una NOTA. La figura 4d muestra que la línea puede entrar
línea eléctrica o de señal. Esta línea necesita dos DPS directamente en la ZPR, siendo necesario un solo DPS,
coordinados: uno en el límite de la ZPR 1, y otro en el si se extiende la ZPR 2 en la ZPR 1 usando cables o
límite de la ZPR 2. conductos apantallados. Este DPS reducirá la amenaza
SO
directamente al nivel de ZPR 2.
Figura 4c - Necesidad de dos DPS (0/1) Figura 4d - Necesidad de un solo DPS (0/2)
U
y DPS (1/2) coordinados (extensión de la ZPR 2 en la ZPR 1)
Figura 4 - Ejemplos de extensión de zonas de protección contra el rayo
PARTE 4 IRAM 2184-4
4.4 Medidas básicas de protección en un En el punto de entrada de cada servicio con-

SMPI ductor, deben siempre estar aseguradas las
conexiones a tierra y las equipotenciales y, en
Las medidas básicas contra el IEMR incluyen: particular, las conexiones equipotenciales de
G
todo servicio conductor, bien directamente o
AR
• Puesta a tierra y equipotencialidad (ver el bien mediante los DPS.
capítulo 5)
Puede emplearse por separado o combinado
El sistema de puesta a tierra conduce y dis-
A.
otro SMPI.
persa la corriente eléctrica del rayo en la
tierra.
P.
Los SMPI deben soportar los esfuerzos operati-
vos que se esperan en el lugar de la instalación
S.
La red equipotencial minimiza las diferencias (por ejemplo, esfuerzos debidos a temperatura,
de potencial y puede reducir el campo humedad, atmósfera corrosiva, vibraciones, ten-
magnético. sión e intensidad).
TI
• Apantallamiento magnético y trazado de La selección del SMPI más adecuado debe
AN
las líneas (ver el capítulo 6) hacerse mediante una evaluación del riesgo, de
acuerdo con la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2,
PI
El apantallamiento espacial reduce el campo teniendo en cuenta los factores técnicos y
magnético en la ZPR, debido a los impactos económicos.
M
directos o en las proximidades de la estructu-
ra, y reduce las ondas transitorias internas. En el anexo B se da información práctica sobre
I
AL
la implementación del SMPI para sistemas in-

El apantallamiento de las líneas internas, ternos en estructuras existentes.
mediante cables o conductos apantallados,
IT
minimiza las ondas transitorias internas in- NOTA 2. De acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3,
ducidas. la conexión equipotencial contra el rayo protegerá sola-
IA
mente contra las chispas peligrosas. La protección de los

sistemas internos contra las ondas transitorias requiere la
El trazado de las líneas internas puede mi- protección coordinada de los DPS de acuerdo con esta
S
nimizar los bucles inductivos y reducir las norma,

FI
ondas transitorias internas.

NOTA 3. En la IEC 60364-4-44 se puede encontrar más
NOTA 1. El apantallamiento espacial, el apantalla- información sobre la implementación de medidas SMPI.
VO
miento y el trazado de las líneas internas, pueden

combinarse o emplearse por separado.
SI
El apantallamiento de las líneas externas que 5 PUESTA A TIERRA Y

entran en la estructura reduce las ondas tran- EQUIPOTENCIALIDAD
LU
sitorias conducidas a los sistemas internos.

5.1 Generalidades
C
• Protección coordinada de DPS (ver el

EX
capítulo 7) Una puesta a tierra y una equipotencialidad

apropiadas se basan en un sistema completo de
La protección coordinada de los DPS limita puesta a tierra (ver la figura 5), combinando:
los efectos de las ondas transitorias exterio-
SO
res e interiores.  el sistema de puesta a tierra (que dispersa la

corriente del rayo en el terreno); y

U
Interfaces aislantes (ver el capítulo 8)

 la red equipotencial (que minimiza las dife-
Las interfaces aislantes limitan los efectos rencias de potencial y reduce el campo
de las ondas transitorias conducidas por las magnético).
líneas que entran en la ZPR.
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
NOTA. Todas las conexiones dibujadas son conexiones a los elementos metálicos de la estructura o bien conexiones equi-
potenciales. Algunas de ellas también pueden servir para interceptar, conducir y dispersar la corriente del rayo en tierra.
VO
Figura 5 - Ejemplo de un sistema de puesta a tierra tridimensional formado

por la red equipotencial interconectada con el sistema de puesta a tierra
SI
LU
5.2 Sistema de puesta a tierra

sistema de puesta a tierra. También es apropia-
El sistema de puesta a tierra de la estructura de- do el suelo de hormigón armado de la base, si
C
be cumplir con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3. forma una malla interconectada bien definida y
En estructuras en las que sólo existen sistemas
EX
conectada al sistema de puesta a tierra cada

eléctricos, puede emplearse un sistema de pues- 5 m, como valor típico. En la figura 6 se muestra
ta a tierra tipo A, aunque es preferible el tipo B. un ejemplo de una planta con un sistema de
En estructuras con sistemas electrónicos, se re- puesta a tierra mallado.
SO
comienda el sistema de puesta a tierra tipo B.

Para reducir las diferencias de potencial entre
El anillo de puesta a tierra, bien alrededor de la
U
dos sistemas internos que, en algunos casos,

estructura o en el hormigón a lo largo del períme- pueden estar referenciados a sistemas de tierra
tro de la cimentación, se debe integrar con una separadas, se pueden aplicar los métodos si-
red mallada situada por debajo y alrededor de la guientes:
estructura, y con un ancho típico de malla de
PARTE 4 IRAM 2184-4
 varios conductores equipotenciales en parale-

lo situados en los mismos recorridos que los  cables apantallados con sección de pantalla
cables eléctricos, o cables en conductos de suficiente y conectados en los extremos del
G
hormigón armado que formen una malla (o en cable a los sistemas de puesta a tierra sepa-
conductos metálicos con conexión conti- rados.
AR
nua)que han sido integrados en las dos redes
de tierra;
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
Referencias:
1 Edificio con red mallada en la armadura del hormigón
U
2 Torre en el interior de la planta

3 Equipo aislado
4 Bandeja de cables
Figura 6 - Sistema de puesta a tierra mallado de una planta
PARTE 4 IRAM 2184-4
5.3 Red equipotencial con un ancho típico de malla de 5 m (ver la fi-

gura 5). Esto requiere múltiples interconexiones
Se necesita una red de baja impedancia para de los componentes metálicos en el interior y
evitar diferencias de potencial peligrosas entre sobre la estructura (tales como armaduras del
G
todos los equipos situados dentro de una ZPR in- hormigón, rieles de los ascensores, grúas, te-
AR
terior. Además, esta red equipotencial también chos metálicos, fachadas metálicas, marcos
reduce el campo magnético (ver el anexo A). metálicos de ventanas y puertas, suelos de
planchas metálicas, tuberías de servicio y ban-
Esto puede realizarse mediante una red equipo-
A.
dejas de cables). Las barras equipotenciales
tencial mallada que integre las partes conduc-
(por ejemplo, barras en anillo, barras a diferen-
toras de la estructura, o partes de los sistemas
P.
tes niveles de la estructura) y las pantallas
internos, y conectando equipotencialmente en la
magnéticas de las ZPR deben integrarse de la
S.
zona límite de cada ZPR, las partes metálicas o
misma manera.
los servicios conductores, bien directamente o
mediante los DPS apropiados.
TI
En la figuras 7 y 8 se muestran ejemplos de re-
La red equipotencial puede realizarse como des equipotenciales.
AN
una estructura mallada en tres dimensiones
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
Referencias:
1 Conductor de captura
2 Cubierta metálica del parapeto del tejado
C
3 Varillas de acero de la armadura

EX
4 Malla conductora superpuesta a la armadura

5 Terminal del conductor de la malla
6 Terminal de una barra equipotencial interna
SO
7 Conexión por soldadura o por unión abulonada

8 Conexión arbitraria
9 Armadura de acero del hormigón (con malla conductora superpuesta)
U
10 Electrodo de tierra en anillo (si existe)

11 Electrodo de tierra de la cimentación
a Distancia típica de 5 m para la malla superpuesta

b Distancia típica de 1 m para conectar esta malla con la armadura
Figura 7 - Empleo de las barras de la armadura de una estructura como conexión equipotencial
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
Referencias:
C
1 Equipo eléctrico de potencia

EX
2 Viga metálica
3 Cubierta metálica de la fachada
4 Conexión equipotencial
SO
5 Equipo eléctrico o electrónico

6 Barra equipotencial
7 Armadura de acero del hormigón (con malla conductora superpuesta)
U
8 Electrodo de tierra de la cimentación

9 Entrada común para diferentes servicios
Figura 8 - Conexión equipotencial en una estructura con armadura de acero
PARTE 4 IRAM 2184-4
Las partes conductoras (por ejemplo, cabinas, envolturas, estanterías) y el conductor de protección
(PE) de los sistemas internos deben conectarse a la red equipotencial de acuerdo con las siguientes
configuraciones (ver la figura 9).
G
AR
Configuración en estrella Configuración en malla
S M
A.
P.
Configuración
S.
básica
TI
AN
PI
Integración
M
en la red
I
equipotencial
AL
IT
IA
Referencias:
S
Red equipotencial
FI
Conductor equipotencial
Equipamiento
VO
Punto de conexión a la red equipotencial

ERP Punto de referencia de puesta a tierra (earthing reference point)
SS Configuración en estrella integrada por un punto de estrella
SI
MM Configuración en mallas integrada por una malla

LU
Figura 9 - Integración de sistemas electrónicos en la red equipotencial

C
Si se emplea la configuración S, todos los componentes metálicos (por ejemplo, cabinas, envolturas,
EX
estanterías) de los sistemas internos deben aislarse del sistema de tierra. La configuración S debe in-
tegrarse en el sistema de tierra solamente por una sola barra equipotencial que actúa como punto de
referencia de puesta a tierra (ERP), resultando el tipo SS. Cuando se emplea la configuración S, todas
SO
las líneas que conectan los equipos individuales deben correr en paralelo con los conductores equipo-
tenciales siguiendo la configuración en estrella, con el fin de impedir la formación de bucles inductivos.
Puede emplearse la configuración S cuando los sistemas internos se encuentran localizados en zonas
U
relativamente pequeñas y todas las líneas entran en la zona por un solo punto.
Si se emplea la configuración M, los componentes metálicos (por ejemplo, cabinas, envolturas, estanter-
ías) de los sistemas internos no están aislados del sistema de tierra, sino que deben estar integrados en
él a través de múltiples puntos equipotenciales, dando lugar a un tipo MM. Se prefiere la configuración M
para los sistemas internos distribuidos en zonas relativamente amplias o a lo largo de toda la estructura,
PARTE 4 IRAM 2184-4
donde existen muchas líneas entre partes individuales de los equipos, y donde las líneas entran en la
estructura por muchos puntos.
En sistemas complejos, las ventajas de ambas configuraciones (M y S) pueden combinarse como se in-
G
dica en la figura 10, dando lugar a la combinación 1 (Ss combinada con MM) o a la combinación 2 (MS
AR
combinada con MM).
A.
Combinación 1 Combinación 2
P.
S.
TI
AN
Integración
en la red
PI
equipotencial M
I
AL
IT
S IA
Referencias:
FI
Red equipotencial
Conductor equipotencial
VO
Equipamiento
Punto de conexión a la red equipotencial
SI
ERP Punto de referencia de puesta a tierra (earthing reference point)

SS Configuración en estrella integrada por un punto de estrella
LU
MM Configuración en malla integrada en una malla

MS Configuración en malla integrada por un punto en estrella
C
Figura 10 - Métodos de combinaciones para integrar las partes conductoras de los

EX
sistemas internos en la red equipotencial

SO
5.4 Barras equipotenciales

 los conductores de protección PE;
Se deben instalar barras equipotenciales para
U
conectar:  los componentes metálicos de los sistemas

internos (por ejemplo, cabinas, envolturas,
 todos los servicios conductores que entran estanterías);
en una ZPR (directamente o empleando el
DPS apropiado);  las pantallas magnéticas de las ZPR en la
periferia y en el interior de la estructura.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Siempre que sea posible, los servicios de entra-

Para la eficacia de la equipotencialidad, son da deben entrar en la ZPR por el mismo sitio y
importantes las reglas de instalación siguientes: conectarse a la misma barra equipotencial. Si los
servicios entran en la ZPR por diferentes sitios,
G
– la base de todas las medidas de equipoten- cada servicio debe conectarse a una barra equi-
AR
cialidad es tener una red equipotencial de potencial y estas barras equipotenciales deben
baja impedancia; conectarse entre sí. A este fin, se recomienda la
conexión a una barra equipotencial en anillo
– las barras equipotenciales se deben conec-
A.
(conductor de anillo).
tar al sistema de puesta a tierra por el
P.
camino más corto posible; A la entrada de una ZPR siempre se requieren
conexiones equipotenciales por medio de DPS,
S.
– las dimensiones y los materiales de las ba- con el fin de conectar todas las líneas de entra-
rras y conductores equipotenciales deben da, conectadas con los sistemas internos que se
cumplir con el apartado 5.6;
TI
encuentran en la ZPR, a la barra equipotencial.
Empleando una ZPR interconectada o extensa
AN
– las conexiones de los DPS a las barras equi-
puede reducirse el número de DPS que son ne-
potenciales, así como a los conductores
cesarios.
activos, deben ser lo más cortas posibles al
PI
objeto de minimizar las caídas de tensión in-
Los cables apantallados o los conductos metáli-
ductivas;
M
cos, conectados equipotencialmente en cada
límite de la ZPR, pueden emplearse bien para in-
– en el lado protegido del circuito (aguas abajo
I
terconectar varias ZPR del mismo orden en una
AL
de un DPS), deben minimizarse los efectos

conexión de ZPR, o bien para extender una ZPR
de la inducción mutua, bien haciendo mínima
hasta el próximo límite de zona.
la superficie del bucle o empleando cables o
IT
conductos apantallados.
5.6 Materiales y dimensiones de los com-
IA
ponentes equipotenciales
5.5 Equipotencialidad en el límite de una
S
ZPR
Los materiales, las dimensiones y las condiciones
FI
Donde se haya definido una ZPR, deben prever- de empleo deben cumplir con la IRAM 2184-3 /
se conexiones equipotenciales para todas las AEA 92305-3. Las secciones mínimas de los
componentes equipotenciales deben cumplir con
VO
partes y servicios metálicos (por ejemplo, tuber-

ías metálicas, líneas de potencia o de señal) lo indicado en la tabla 1.
que cruzan el límite de la ZPR.
SI
Los conectores abulonados deben dimensio-

NOTA. La conexión equipotencial de los servicios que en- narse en función de los valores de la corriente
LU
tran en la ZPR 1 se debe discutir con los proveedores de rayo del SPCR (ver la IRAM 2184-1 /
involucrados (por ejemplo, operadores de las líneas de AEA 92305-1) y del análisis de la dispersión de
potencia o de telecomunicación), debido a que podría
la corriente (ver el anexo B de la IRAM 2184-3 /
C
haber requisitos en conflicto.

AEA 92305-3).
EX
La conexión equipotencial debe realizarse por

medio de las barras equipotenciales, que deben Los DPS deben dimensionarse de conformidad
instalarse lo más cerca posible del punto de encon el capítulo 7.
SO
trada en la frontera de la zona.

U
PARTE 4 IRAM 2184-4
Tabla 1 - Secciones mínimas de los componentes equipotenciales
Sección b
Componentes equipotenciales Materiales a
G
(mm2)
AR
Barras equipotenciales (cobre, acero recubierto de cobre o acero galva- Cu, Fe 50
nizado)
Conductores de conexión de las barras equipotenciales al sistema de Cu 16
A.
tierra o a otras barras equipotenciales (transportan toda la corriente o la Al 25
corriente parcial del rayo) Fe 50
P.
Conductores de conexión de las instalaciones metálicas internas a las Cu 6
S.
barras equipotenciales (transporta la corriente parcial del rayo) Al 10
Fe 16
TI
Conductores a tierra de los DPS (llevan toda o parte Clase I 16
significativa de la corriente del rayo) c
AN
Clase II Cu 6
Clase III 1
Otros DPSd 1
a
PI
Si se emplean otros materiales, deben tener una sección que asegure una resistencia equivalente.
M
b
En algunos países pueden emplearse conductores de menor tamaño, siempre que cumplan con los requisitos térmicos
I
y mecánicos - ver el anexo D de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.
AL
c
Para los DPS empleados en los sistemas de potencia, se da información adicional sobre los conductores de conexión
en las IEC 60364-5-53 e IEC 61643-12.
IT
d
Otros DPS incluyen a los DPS empleados en las líneas de telecomunicación y de señal.
S IA
6 APANTALLAMIENTO MAGNÉTICO Y "componentes naturales" de la estructura (ver

FI
TRAZADO DE LAS LÍNEAS la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3).
Las pantallas espaciales son convenientes

VO
6.1 Generalidades donde es más práctico y útil proteger una zona

definida de la estructura en lugar de proteger
El apantallamiento magnético puede reducir el
SI
varias partes individuales del equipo. Las pan-

campo electromagnético así como la magnitud
tallas espaciales se deben prever en la primera
de las ondas inducidas transitorias internas. Un
LU
etapa del diseño de una nueva estructura o de

trazado apropiado de las líneas internas tam- un sistema interno nuevo. Hacerlo en instala-
bién puede minimizar la magnitud de las ondas ciones existentes puede resultar caro y con
C
transitorias inducidas. Ambas medidas son

grandes dificultades técnicas.
efectivas para reducir fallas permanentes de los
EX
sistemas internos. 6.3 Apantallamiento de las líneas internas

6.2 Apantallamiento espacial El apantallamiento puede estar limitado al ca-
SO
bleado y al equipo del sistema a proteger: a

El apantallamiento espacial define las zonas
este fin se emplean apantallamiento metálico
protegidas, que pueden cubrir toda la estructu-
U
de cables, bandejas metálicas cerradas para

ra, una parte de ella, una habitación o sólo la cables y envolturas metálicas para los equipos.
envolvente del equipamiento. El apantallamien-
to puede estar formado por una red mallada,
por una pantalla metálica continua, o incluir los
PARTE 4 IRAM 2184-4
6.4 Trazado de las líneas internas – en el límite de las zonas ZPR 1/2 o superiores,
si se cumple que la distancia de separación s
El trazado apropiado de las líneas internas mini-
entre las pantallas magnéticas y el SPCR (ver
miza los bucles inductivos y reduce la formación
G
6.3 de la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3);
de sobretensiones transitorias internas en la es-
AR
tructura. La superficie de los bucles puede – en el límite de cualquier ZPR, si es despre-
minimizarse haciendo que el trazado de los ca- ciable el número de sucesos peligrosos, ND,
bles esté próximo a los componentes naturales por descargas de rayos en la estructura, por
de la estructura que han sido puestos a tierra y/o
A.
ejemplo ND < 0,01 por año.
trazando las líneas de potencia y de señal juntas.
P.
NOTA. Para evitar interferencias puede ser necesaria una
determinada distancia entre las líneas de potencia y las
S.
líneas de señales no apantalladas
7 SISTEMA COORDINADO DE DPS
TI
6.5 Apantallamiento de las líneas externas La protección de los sistemas internos contra
las ondas transitorias requiere un planteamien-
AN
El apantallamiento de las líneas externas que
to sistemático consistente en la coordinación de
entran en la estructura incluye las pantallas de
los DPS tanto para los cables de potencia co-
los cables, los conductos metálicos cerrados pa-
mo para los de señales. El planteamiento
PI
ra cables, y los conductos de hormigón para
básico de la coordinación de los DPS (ver el
cables con la armadura interconectada. El apan-
M
anexo C) es el mismo en ambos casos.
tallamiento de las líneas externas es útil, pero
I
frecuentemente no es responsabilidad del pro- En un SMPI en el que se emplee el concepto de
AL
yectista del SMPI (ya que el propietario de las zonas de protección y con más de una ZPR
líneas externas normalmente es el proveedor de (ZPR 1, ZPR 2 y superiores) los DPS se deben
IT
la red). colocar en la entrada de la línea en cada zona

(ver la figura 2).
6.6 Materiales y dimensiones de las panta-
IA
llas magnéticas En un SMPI con solo la ZPR 1 los DPS se de-

S
ben colocar, al menos, en la entrada de la línea

En el límite de las ZPR 0A y ZPR 1, los materia-
en la ZPR 1.
FI
les y las dimensiones de las pantallas

magnéticas (por ejemplo, pantallas espaciales En ambos casos pueden necesitarse DPS adi-
VO
malladas, pantallas de los cables y envolturas cionales si la distancia entre los DPS y los
de los equipos) deben cumplir con los requisi- equipos a proteger es grande (ver el anexo C).
tos de la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 para los
SI
conductores de los terminales de captura y/o Los requisitos de ensayo de los DPS deben
los conductores de bajada. En particular: cumplir con:
LU
– el espesor mínimo de las planchas metálicas,  la IEC 61643-1 para los sistemas de potencia;
de los conductos metálicos, tuberías y panta-
C
llas de los cables, debe cumplir con la tabla 3  la IEC 61643-21 para los sistemas de tele-
EX
de la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3; comunicación y señales.
– la configuración de las pantallas espaciales La información sobre la selección e instalación

SO
malladas y la sección mínima de sus conduc- de los DPS se encuentra en el anexo C. La se-
tores, debe cumplir con la tabla 6 de la lección e instalación de la protección coordinada
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3. de los DPS debe cumplir con:
U
Las pantallas metálicas que no están previstas  las IEC 61643-12 e IEC 60364-5-53 para la
para que circule corriente de rayo por ellas, no protección de los sistemas de potencia;
requieren que las dimensiones estén de acuerdo
con las tablas 3 y 6 de la IRAM 2184-3 /  la IEC 61643-22 para la protección de los
AEA 92305-3. sistemas de telecomunicación y señales.
PARTE 4 IRAM 2184-4
En el anexo D de esta norma y en el anexo E trucción del edificio y del SMPI (por ejemplo,
de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1, se da infor- ingenieros eléctricos e ingenieros de caminos);
mación, para dimensionar los DPS, sobre las
magnitudes de las ondas transitorias creadas  se sigue el plan de gestión del apartado 9.2.
G
por los rayos en diferentes puntos de una insta-
AR
lación en una estructura. El SMPI debe mantenerse mediante inspeccio-
nes y mantenimiento. Después de cambios
importantes en la estructura o en las medidas
A.
de protección, debe llevarse a cabo una nueva
8 INTERFACES AISLANTES evaluación del riesgo.
P.
Las interfaces aislantes pueden emplearse para 9.2 Plan de gestión del SMPI
S.
reducir el efecto del IEMR. La protección de estas
interfaces contra las sobretensiones puede lo- La planificación y la coordinación de un SMPI re-
quiere un plan de gestión (ver la tabla 2), que
TI
grarse, donde sea necesario, mediante DPS. El
nivel de aislación de la interface y el nivel de pro- comienza con una evaluación inicial del riesgo
AN
tección UP deben coordinarse con las categorías (ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2) para deter-
de las sobretensiones de la IEC 60664-1. minar las medidas de protección necesarias para
reducir el riesgo a un nivel tolerable. Para conse-
PI
NOTA. El objeto y campo de aplicación de esta norma trata guir esto, deben definirse las zonas de protección.
sobre la protección de los equipos que se encuentran en las
M
estructuras, pero no sobre la protección de estructuras inter- De acuerdo con el nivel de protección definido
conectadas en las que un transformador de aislación puede en la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 y las medi-
I
AL
brindar algún beneficio.

das de protección a adoptar, se deben llevar a
cabo los pasos siguientes:
IT
9 GESTIÓN DE UN SMPI  se debe prever un sistema de puesta a tierra

que comprenda una red equipotencial y un
IA
sistema de tomas de tierra;

9.1 Generalidades
S
 las partes metálicas externas y los servicios

Para obtener un sistema de protección eficiente y
FI
entrantes se deben conectar equipotencial-

efectivo en cuanto a costos, el diseño debe lle- mente, bien directamente o por medio de los
varse a cabo en la etapa de diseño del edificio y DPS adecuados;
VO
antes de la construcción. Así se optimiza el uso

de los componentes naturales de la estructura y  los sistemas internos deben integrarse en la
se elige la mejor solución para el trazado de las red equipotencial;
SI
líneas y la colocación de los equipos.

 se puede implementar el apantallamiento
LU
Para las estructuras existentes el costo del espacial junto con el trazado y el apantalla-
SMPI es, por lo general, más alto que para una miento de las líneas;
C
estructura nueva. Sin embargo, es posible mi-

 se debe especificar los requisitos para la
EX
nimizar los costos mediante una adecuada

elección de las ZPR y empleando las instala- protección coordinada por DPS;
ciones existentes o mejorándolas.
 se debe determinar la necesidad de interfa-
SO
Una protección adecuada solamente puede ces aislantes;

conseguirse si:
 en estructuras existentes, pueden ser nece-
U
 las previsiones están definidas por un exper- sarias medidas especiales (ver el anexo B).
to en protección contra el rayo;
Después de esto, se debe volver a evaluar la re-
 existe una buena coordinación entre los dife- lación costo/beneficio de las medidas de
rentes expertos involucrados en la cons- protección seleccionadas y optimizarlas de nue-
vo mediante el método de análisis de riesgos.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Tabla 2 - Plan de gestión de un SMPI para un edificio nuevo y para grandes

cambios en la construcción o utilización de los edificios
G
Etapas Objeto Acciones a tomar por
AR
Análisis inicial Comprobar la necesidad de una protección con- Experto en protección
del riesgo a tra el IEMR. contra el rayo b
Si es necesario, seleccionar el SMPI apropiado Propietario
A.
empleando el método de evaluación de riesgos
Comprobar la reducción del riesgo después de
P.
cada medida de protección tomada
S.
Análisis final La relación costo/beneficio de las medidas de Experto en protección
del riesgo a protección seleccionadas debe optimizarse em- contra el rayo b
pleando, de nuevo, el método de evaluación de Propietario
TI
riesgos.
AN
Como consecuencia se definen:
 El SPCR y los parámetros del rayo.
 Las ZPR y sus límites.
Plan de un SMPI Definición del SMPI:
PI Experto en protección
M
 medidas de apantallamiento espacial contra el rayo
I
 redes equipotenciales Propietario
AL
 sistemas de puesta a tierra Arquitecto

 trazado y apantallamiento de las líneas Proyectista de los siste-
IT
mas internos
 apantallamiento de los servicios entrantes
Proyectista de las insta-
IA
 protección coordinada de los DPS laciones relevantes

 interfaz de aislación
S
Diseño de un SMPI Planos generales y descripciones Oficina de ingeniería o

FI
Preparación del listado de piezas equivalente

Planos detallados y tiempos de instalación
VO
Instalación, incluida Calidad de la instalación Experto en protección

la supervisión del Documentación contra el rayo
SI
SMPI Posible revisión de los planos detallados Instalador del SPCR

Oficina de ingeniería
LU
Supervisor
Aprobación del SMPI Verificación y documentación del estado de la Experto independiente en
C
instalación protección contra el rayo

EX
Supervisor
Inspecciones Asegurar la conformidad del SMPI Experto en protección
periódicas contra el rayo
SO
Supervisor
a
Ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2.
U
b
Con un amplio conocimiento sobre CEM y sobre prácticas de instalación.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Después de la instalación de unas nuevas medi-

9.3 Inspección de un SMPI das SMPI debe comprobarse la documentación
técnica en relación al cumplimiento con las
normas apropiadas y a que está completa. En
G
9.3.1 Generalidades
consecuencia, la documentación técnica debe
AR
La inspección comprende la comprobación de actualizarse continuamente como, por ejemplo,
la documentación técnica, las inspecciones vi- después de cualquier alteración o ampliación
suales y las medidas en los ensayos. El objeto del SMPI.
de la inspección es verificar que:
A.
9.3.2.2 Inspección visual
 el SMPI está de acuerdo con el diseño;
P.
La inspección visual debe realizarse para verifi-
S.
 el SMPI es capaz de realizar su función de car que:
diseño;
 no hay conexiones sueltas y que no hay ro-
TI
 cualquier nueva medida de protección adicio- turas accidentales en los conductores y
nal está incorporada correctamente al SMPI.
AN
conexiones;
Las inspecciones deben hacerse:
 ninguna parte del sistema se ha debilitado
PI
 durante la instalación del SMPI; por la corrosión, en especial a nivel del te-
rreno;
M
 después de la instalación del SMPI;
I
 los conductores equipotenciales y las panta-
AL
 periódicamente; llas de los cables están intactos e interco-

nectadas;
 después de cualquier alteración relevante de
IT
los componentes del SMPI;  no hay ampliaciones o alteraciones que re-

quieran medidas de protección adicionales;
IA
 posiblemente después de una descarga en

la estructura (por ejemplo, cuando el conta-
S
 no hay indicaciones de daños en los DPS,

dor haya indicado una descarga, cuando un en sus fusibles o en sus desconectores;
FI
testigo haya visto la descarga sobre la es-

tructura, o cuando haya evidencia visual de  se mantienen los apropiados trazados de los
VO
daños por rayos en la estructura). cables;

La frecuencia de las inspecciones periódicas  se mantienen las distancias de seguridad a
SI
debe determinarse considerando: las pantallas espaciales.

LU
 el medioambiente local, tal como suelos co-

9.3.2.3 Mediciones
rrosivos y condiciones atmosféricas corro-
sivas;
C
Se debe realizar una medición de la continuidad

eléctrica en aquellas partes del sistema de tierra
EX
 el tipo de las medidas de protección em-

y de la red equipotencial que no están visibles
pleadas.
para la inspección.
SO
NOTA. Se recomiendan los valores de la tabla E.2 de la

IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, cuando no haya requisitos NOTA. Si un DPS no tiene una indicación visual (bandera),
específicos dados por las autoridades. para confirmar, cuando se requiera, su estado operativo, las
medidas deben realizarse de acuerdo con las instrucciones
U
del fabricante.
9.3.2 Procedimiento de inspección
9.3.3 Documentación de la inspección
9.3.2.1 Comprobación de la documentación
técnica Se debe preparar una guía de inspección para
facilitar el proceso. La guía debe contener infor-
PARTE 4 IRAM 2184-4
mación suficiente para ayudar al inspector en su  cualquier desviación de la documentación

tarea, de manera que pueda documentarse to técnica;
dos los aspectos relacionados con la instalación,
sus componentes, métodos y registros de los da-  el resultado de cualquier medida realizada.
G
tos de ensayos.
AR
9.4 Mantenimiento
El inspector debe preparar un informe, que debe
unirse a la documentación técnica y a los infor- Después de la inspección, cualquier defecto de-
A.
mes de inspección previos. El informe de tectado debe corregirse sin demora. Si es
inspección debe contener información sobre: necesario, la documentación técnica debe actua-
P.
lizarse.
 el estado general del SMPI;
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo A
(Informativo)
G
Elementos básicos para la evaluación del ambiente electromagnético en una ZPR
AR
A.1 Generalidades
A.
Este anexo A da una información para la evaluación del ambiente electromagnético en el interior de
una ZPR, que también puede emplearse para la protección contra el IEMR. También es apropiada
P.
para la protección contra las interferencias electromagnéticas.
S.
A.2 Efectos perniciosos del rayo en los sistemas eléctricos y electrónicos
TI
A.2.1 Fuente del daño
AN
La primera fuente de daño es la corriente del rayo y su campo magnético asociado, el cual tiene la
misma forma de onda que la corriente de rayo.
PI
NOTA. A los efectos de la protección, la influencia del campo eléctrico del rayo normalmente es de menor interés.
M
A.2.2 Objeto del daño
I
Los sistemas internos instalados en o sobre las estructuras con un nivel de aislación limitado para
AL
soportar las ondas transitorias y los campos magnéticos, pueden dañarse u operar incorrectamente
cuando están sometidos a los efectos de los rayos y a sus campos magnéticos.
IT
Los sistemas instalados fuera de una estructura, colocados en lugares expuestos, pueden tener ries-
IA
go debido al campo magnético sin atenuar y a las ondas transitorias de la corriente total del rayo por
un impacto directo.
S
Los sistemas instalados en el interior de una estructura pueden tener riesgo debido al campo magnéti-
FI
co atenuado residual debido a las ondas transitorias internas inducidas o conducidas y a las ondas
transitorias conducidas por las líneas entrantes.
VO
Para detalles en relación con los niveles resistidos por los equipos, son relevantes las normas si-
guientes:
SI
a) el nivel nominal de impulso de la instalación de potencia se define en la tabla F.1 de la

LU
IEC 60664-1:2007. El nivel resistido se define por las tensiones nominales de impulso 1,5 kV -
2,5 kV - 4 kV y de 6 kV para los sistemas de 230/400 V y 377/480 V.
C
b) el nivel resistido por los equipos de telecomunicación está indicado en las normas ITU-T K.20[3],
EX
K.21[4] y K.45[5].
El nivel resistido está indicado, generalmente, en la hoja de especificación del producto, o puede en-
SO
sayarse:
a) contra las ondas transitorias conducidas, empleando la IEC 61000-4-5, con niveles de tensión de
U
ensayo: 0,5 kV - 1 kV - 2 kV y 4 kV, forma de onda 1,2/50 s y con niveles de corrientes de ensayo
0,25 kA - 0,5 kA - 1 kA y 2 kA, forma de onda 8/20 s;
NOTA. Con el fin de que algunos equipos cumplan con los requisitos de la norma citada pueden incorporar DPS inter-
nos. Las características de estos DPS internos pueden afectar a los requisitos de la coordinación.
PARTE 4 IRAM 2184-4
b) contra los campos magnéticos, empleando la IEC 61000-4-9, con niveles de ensayo: 100 A/m -
300 A/m - 1 000 A/m, forma de onda 8/20 s y la IEC 61000-4-10 con los niveles de ensayo:
10 A/m - 30 A/m - 100 A/m, a 1 MHz.
G
Los equipos que no cumplan con los ensayos de inmunidad y de emisión radiada en radio frecuencia
AR
(RF), tal como se indica en las correspondientes normas de CEM, pueden estar sometidos a los ries-
gos de los campos directamente radiados. Por otra parte, la falla de los equipos que cumplen con
estas normas puede despreciarse.
A.
A.2.3 Mecanismos de acoplamiento entre el objeto del daño y la fuente del daño
P.
El nivel resistido por los equipos debe ser compatible con la fuente del daño. Para alcanzar este obje-
S.
tivo, es necesario que los mecanismos de acoplamiento estén debidamente controlados mediante la
creación de las correspondientes ZPR.
TI
A.3 Apantallamiento espacial, trazado y apantallamiento de las líneas
AN
A.3.1 Generalidades
PI
El campo magnético creado en el interior de una ZPR debido a las descargas directas en una estruc-
tura o en sus proximidades en el terreno, sólo puede reducirse mediante el apantallamiento espacial
M
de la ZPR. Las ondas transitorias inducidas en los sistemas electrónicos pueden minimizarse bien
I
mediante el apantallamiento espacial, mediante el trazado y el apantallamiento de las líneas, o por
AL
una combinación de ambos métodos.
La figura A.1 da un ejemplo del IEMR en el caso de un impacto directo en la estructura, mostrando las
IT
zonas de protección ZPR 0, ZPR 1 y ZPR 2. El sistema electrónico a proteger se encuentra instalado en
la ZPR 2.
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
Pantalla (envoltura)
SO
U
Figura A.1 - Situación del IEMR debida a una descarga de rayo

PARTE 4 IRAM 2184-4
En la tabla A.1, puntos 1, 2 y 3 se definen los parámetros I0, H0, y UW de la figura A.1; en los puntos 4
y 5 se indican los parámetros de ensayo adecuados para asegurar que el equipo es capaz de sopor-
tar el esfuerzo esperado en el lugar de su instalación.
G
AR
Tabla A.1 - Parámetros relevantes de la fuente del daño y del equipo
Fuente primaria del daño IEMR
A.
Definida a partir de los parámetros de los NPR I a IV
P.
Impulso Amplitud para NPR Pendiente para NPR Efectos
s I – II – III – IV I – II – III – IV relevantes
S.
kA kA/s
1. Corriente parcial
IRAM 2184-1 / 10/350 200 – 150 – 100 – 100 20 – 15 – 10 – 10
TI
AEA 92305-1 del rayo
I0
1/200 100 – 75 – 50 – 50 100 – 75 – 50 – 50 Inducción
AN
0,25/100 50 – 37,5 – 25 – 25 200 – 150 – 100 – 100 Inducción
H0 Deducida de la I0 correspondiente
PI
Tensiones nominales de impulso para las instalaciones de potencia
M
2. Definidas como categoría de sobretensiones I a IV para las tensiones nominales de 230/400 V y 277/480 V
IEC 60664-1 Categoría de la sobretensión I a IV 6 kV – 4 kV – 2,5 kV – 1,5 kV
I
UW
AL
Nivel resistido de los equipos de telecomunicación

3. [3] [3] [5]
ITU Recomendación K.20 , K.21 y K.25 ,
IT
Ensayos para equipos sin la correspondiente norma de producto

El nivel resistido del equipo se define por los efectos conducidos del rayo (U, I)
IA
4.
UOC Impulso 1,2/50 s 4 kV – 2 kV – 1 kV – 0,5 kV
IEC 61000-4-5
S
ISC Impulso 8/20 s 2 kA – 1 kA – 0,5 kA – 0,25 kA

FI
Ensayos para equipos que no cumplen con las normas de producto CEM
El nivel de resistencia del equipo se define por los efectos radiados del rayo (H)
VO
Impulso 8/20 s
IEC 61000-4-9 H (oscilación amortiguada 25 kHz, 1 000 A/m – 300 A/m – 100 A/m
TP = 10 s)
SI
5.
Oscilación amortiguada 1 MHz
IEC 61000-4-10 100 A/m – 30 A/m – 10 A/m
LU
H
(impulso 0,2/0,5 s, TP = 0,25 s)
C
Las fuentes electromagnéticas primarias de daño sobre el sistema electrónico son la corriente I0 y el
EX
campo magnético Ho del rayo. Las corrientes parciales del rayo circulan por los servicios entrantes. Es-
tas corrientes, así como los campos magnéticos tienen, aproximadamente, la misma forma de onda. La
corriente del rayo que aquí se considera consiste en un primer impacto IF positivo (generalmente una
SO
forma de onda con una cola larga 10/350 s) y el primer impacto negativo IFN (forma de onda 1/200 s) e
impactos subsiguientes IS (forma de onda 0,25/100 s). La corriente del primer impacto positivo IF gene-
ra el campo magnético HF, la corriente del impacto negativo IFN genera el campo magnético HFN y las de
U
los impactos subsiguientes IS generan los campos magnéticos HS.
Los efectos debidos a la inducción magnética están producidos principalmente por la pendiente del fren-
te del campo magnético. Como se indica en la figura A.2, la pendiente del frente de HF puede
caracterizarse por un campo oscilante amortiguado de 25 kHz con un valor máximo HF/MAX. y un tiempo
PARTE 4 IRAM 2184-4
de valor máximo TP/F de 10 s. De la misma manera, la pendiente del frente de HS puede caracteri-
zarse por un campo oscilante amortiguado de 1 MHz con un valor máximo HS/MAX. y un tiempo de
valor máximo TP/S de 0,25 s. De manera similar, el tiempo del frente del HFN puede caracterizarse
G
por un campo oscilante amortiguado de 250 kHz con un valor máximo HFN/MAX. y un tiempo de valor
máximo TP/FN de 1 s.
AR
De esta manera el campo magnético del primer impacto positivo puede caracterizarse por una frecuen-
cia típica de 25 kHz, el campo magnético del primer impacto negativo por una frecuencia típica de
A.
250 kHz y el campo magnético de los impactos subsiguientes por una frecuencia típica de 1 MHz. Los
campos magnéticos oscilantes amortiguados para estas frecuencias están definidos, a efectos de en-
P.
sayos, en las IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10.
S.
Instalando pantallas magnéticas y DPS en las interfaces de las ZPR, el efecto del rayo sin atenuar, defi-
nido por I0 y H0, se debe reducir hasta el nivel resistido del equipo. Como se indica en la figura A.1 el
TI
equipo debe soportar el campo ambiente H2, las corrientes I2 y las tensiones U2 conducidas del rayo.
AN
La reducción de I1 a I2 y de U1 a U2 es el objeto del anexo C, mientras que la reducción de H0 a un valor
suficientemente bajo de H2 se considera aquí de la siguiente manera:
PI
En el caso de una pantalla espacial mallada, puede considerarse que la forma de onda del campo
M
magnético en la ZPRs (H1, H2) es la misma que la del campo magnético en el exterior (H0).
I
AL
Las formas de ondas oscilantes amortiguadas indicadas en la figura A.2 cumplen con los ensayos defi-
nidos en las IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10 y pueden emplearse para determinar el nivel de los
equipos para soportar el campo magnético creado por el frente del campo magnético del primer impac-
IT
to positivo HF y de los impactos subsiguientes HS.

IA
Las ondas transitorias inducidas producidas por el acoplamiento del campo magnético con los bucles de
inducción (ver A.5) deben ser inferiores o iguales a los niveles soportados por los equipos.
S
FI
Norma fundamental: IEC 61000-4-9

VO
SI
LU
C
EX
SO
U
Figura A.2a - Simulación del crecimiento del campo del primer impacto positivo
(10/350 s) mediante un solo impulso 8/20 s (oscilación amortiguada de 25 kHz)
PARTE 4 IRAM 2184-4
Norma fundamental: IEC 61000-4-10
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
Figura A.2b - Simulación del crecimiento del campo del impacto subsiguiente (0,25/100 s)
mediante oscilaciones amortiguadas de 1 MHz (múltiples impulsos 0,2/0,5 s)
PI
NOTA 1. Aunque las definiciones del tiempo hasta el valor máximo TP y las de duración del frente T1 son diferentes, aquí se
consideran sus valores iguales para una aproximación apropiada.
M
NOTA 2. La relación entre los valores máximos HF/MAX. / HFN/MAX. / HS/MAX. = 4:2:1.
I
AL
Figura A.2 - Simulación del crecimiento del campo magnético mediante

oscilaciones amortiguadas
IT
IA
A.3.2 Apantallamiento espacial con mallas

S
En la práctica, las pantallas de gran volumen de una ZPR normalmente se crean mediante los compo-
nentes naturales de la estructura tales como, las armaduras metálicas en los techos, paredes y suelos,
FI
la estructura metálica, los tejados y las fachadas metálicas. Estos componentes juntos forman una pan-
talla espacial mallada. Un apantallamiento efectivo requiere que el ancho de la malla sea inferior a 5 m.
VO
NOTA 1. El efecto de la pantalla puede despreciarse si se crea una ZPR 1 mediante un SPCR externo conforme con la
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, con anchos de mallas y distancias superiores a los 5 m. Por lo demás, un edificio con una
SI
gran armadura metálica y muchas estructuras de acero da un importante efecto de pantalla.

LU
NOTA 2. El apantallamiento en las zonas interiores subsiguientes puede realizarse bien adoptando medidas de apantallamiento
espacial, bien empleando cabinas o estanterías metálicas cerradas, o empleando envolturas metálicas para los equipos.
C
La figura A.3 muestra cómo, en la práctica, pueden emplearse las armaduras del hormigón y los bas-
EX
tidores metálicos (de puertas metálicas y de posibles ventanas apantalladas) para crear un gran
volumen apantallado en una habitación o en un edificio.
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
Referencia:
• Soldado o grapado en cada varilla y en cada cruce.

SI
NOTA. En la práctica, en grandes estructuras no es posible soldar o abulonar cada punto. Sin embargo, la mayor parte de los
LU
puntos están conectados naturalmente bien por contacto directo o mediante cableado adicional. Una solución práctica podría ser
una conexión cada 1 m.
C
Figura A.3 - Construcción de un gran volumen apantallado empleando las

EX
armaduras del hormigón y los bastidores metálicos
Los sistemas internos deben colocarse en el interior de un "volumen de seguridad" que respete las dis-
SO
tancias de seguridad a la pantalla de la ZPR (ver la figura A.4). Esto es debido al valor relativamente alto
de los campos magnéticos en la proximidad de la pantalla, por la circulación de las corrientes parciales
U
del rayo por la pantalla (en particular en la ZPR 1).

PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
NOTA. El volumen Vs debe mantener una distancia de seguridad ds/1 o ds/2 desde la pantalla de la ZPR n - ver A.4.
SO
Figura A.4 - Volumen para los sistemas eléctricos y electrónicos en una zona interior ZPR n
U
A.3.3 Trazado y apantallamiento de las líneas
Las ondas transitorias inducidas en los sistemas electrónicos pueden reducirse mediante un trazado
apropiado de la línea (minimizando la superficie del bucle de inducción), empleando cables apantallados
o conductos metálicos (se minimizan los efectos inductivos en el interior), o mediante una combinación
de ambos (ver la figura A.5).
PARTE 4 IRAM 2184-4
Referencias
G
1 Equipo
AR
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
4 Bucle de inducción
A.
P.
Figura A.5a - Sistema sin protección
S.
TI
AN
Referencias
1 Equipo
2 Cable de señal
PI
3 Cable de potencia
5 Apantallamiento espacial
I M
AL
Figura A.5b - Reducción del campo magnético en

una ZPR interior por apantallamiento espacial
IT
IA
Referencias
S
1 Equipo
FI
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
6 Línea apantallada
VO
Figura A.5c - Reducción de la influencia del campo en

SI
las líneas mediante el apantallamiento de las líneas

LU
C
Referencias
EX
1 Equipo
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
7 Superficie reducida del bucle
SO
U
Figura A.5d - Reducción de la superficie del borde

de inducción mediante un trazado de líneas apropiado
Figura A.5 - Reducción de los efectos inductivos mediante medidas de trazado

y apantallamiento de las líneas
PARTE 4 IRAM 2184-4
Los cables conductores conectados a los sistemas electrónicos se deben colocar tan cerca como sea
posible de los componentes metálicos de la red equipotencial. Es beneficioso colocar estos cables en
envolturas metálicas de la red equipotencial, por ejemplo, en conductos en forma de U o en tubos metá-
licos (ver también la IEC 61000-5-2[6]).
G
AR
Se debe prestar especial atención cuando se instalan los cables cerca de la pantalla de una ZPR (es-
pecialmente la ZPR 1) debido al valor sustancial del campo magnético en ese lugar.
A.
Cuando los cables que circulan entre estructuras separadas necesitan protección se deben colocar en
conductos metálicos. Estos conductos deben estar conectados en ambos extremos a las barras equipo-
P.
tenciales de cada estructura separada. Si las pantallas de los cables (conectadas a las redes
equipotenciales en ambos extremos) son capaces de soportar la corriente parcial del rayo prevista, no
S.
se requieren más conductos metálicos.
TI
Las tensiones y las corrientes inducidas en los bucles de la instalación dan lugar a ondas transitorias en
modo común en los sistemas electrónicos. En el apartado A.5 se indican los cálculos de estas tensiones
AN
y corrientes inducidas.
La figura A.6 muestra un ejemplo de un gran edificio de oficinas:
PI
a)
M
En la ZPR 1, el apantallamiento se consigue mediante la armadura metálica y las fachadas metáli-
cas y en la ZPR 2 mediante envolturas apantalladas de los sistemas electrónicos sensibles. Con el
I
fin de poder instalar un sistema equipotencial formado por una malla espesa, en cada habitación se
AL
colocan varios terminales de conexión equipotencial.

IT
b) Se ha extendido la ZPR 0 en la ZPR 1 para instalar una fuente de potencia de 20 kV, debido a que
no es posible, en este caso especial, la instalación en el lado de alta tensión de los DPS.
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
Malla interceptora
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
U
Figura A.6 - Ejemplo de un SMPI para un edificio de oficinas

PARTE 4 IRAM 2184-4
A.4 Campo magnético en las ZPR
A.4.1 Aproximación del campo magnético en las ZPR
G
Si no se han realizado investigaciones teóricas (ver A.4.2) o experimentales (ver A.4.3) sobre la eficacia
AR
del apantallamiento, la atenuación debe evaluarse de la siguiente manera.
A.4.1.1 Pantalla espacial mallada de la ZPR 1 en el caso de una descarga directa del rayo
A.
La pantalla de un edificio (pantalla que rodea la ZPR 1) puede formar parte de un SPCR externo y las
corrientes directas del rayo circularán a lo largo de él. Esta situación se representa en la figura A.7a
P.
considerando que el rayo impacta en un punto arbitrario del tejado de una estructura.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
NOTA. Las distancias dw y dr se determinan para el punto en consideración.

FI
Figura A.7a - Campo magnético dentro de una ZPR 1

VO
SI
LU
C
EX
SO
U
NOTA. Las distancias dw y dr se determinan para la zona límite de la ZPR 2.
Figura A.7b - Campo magnético dentro de una ZPR 2

Figura A.7 - Evaluación del campo magnético en el caso de una descarga de rayo directa
PARTE 4 IRAM 2184-4
Para calcular el valor del campo magnético H1 en un punto arbitrario en el interior de la ZPR 1 se
aplica la expresión
G

H1  kh  I0  wm / d w  dr  (A/m) (A.1)
AR
siendo:
A.
dr(m) la distancia más corta entre el punto considerado y el tejado de la pantalla de ZPR 1;
P.
dw(m) la distancia más corta entre el punto considerado y la pared de la pantalla de ZPR 1;
S.
I0 (A) la corriente del rayo en la ZPR 0A;
TI
kh (1/ m ) el factor de configuración, generalmente kh = 0,01
AN
wm (m) el ancho de la malla de la pantalla espacial de ZPR 1.
PI
M
El resultado de esta fórmula es el valor máximo del campo magnético en la zona ZPR 1 (teniendo en
cuenta la nota indicada más abajo):
I
AL
 H1/F/MAX.  kh  I F//MAX  wm / (dw  dr ) (A/m) producido por el primer impacto positivo (A.2)
IT
 H1/FN/MAX.  kh  I FN//MAX  wm / (dw  dr ) (A/m) producido por el primer impacto negativo (A.3)
IA
 Hl/S/MAX.  kh  IS/MAX.  wm / (dw  dr ) ) (A/m) producido por los impactos subsiguientes (A.4)
S
FI
siendo:
VO
IF/MAX. (A) el valor máximo de la corriente del primer impacto positivo en función del nivel de protección;
IFN/MAX. (A) el valor máximo de la corriente del primer impacto negativo en función del nivel de protección;
SI
IS/MAX. (A) el valor máximo de las corrientes de los impactos subsiguientes en función del nivel de
LU
protección.
C
NOTA 1. El campo se reduce por un factor 2, si se instala una red equipotencial mallada de acuerdo con el apartado 5.2.
EX
Estos valores de campo magnético son válidos solamente para un volumen de seguridad Vs en el in-
terior de la pantalla mallada con una distancia de seguridad ds/1 desde la pantalla (ver la figura A.4):
SO
ds/1 = wm  SF/10 (m) para SF  10 (A.5)

U
ds/1 = wm (m) para SF < 10 (A.6)
siendo:
SF (dB) el factor de apantallamiento evaluado a partir de la fórmula de la tabla A.3;

PARTE 4 IRAM 2184-4
wm (m) el ancho de la malla de la pantalla mallada.
NOTA 2. Los valores de los resultados experimentales del campo magnético en el interior de la ZPR 1 dotada con una pan-
talla mallada indican que el aumento del campo magnético cerca de la pantalla es menor que el que resulta de la ecuación
G
anterior.
AR
EJEMPLO
Como ejemplo se consideran tres pantallas malladas de cobre con las dimensiones que se dan en la
A.
tabla A.2, con un ancho medio de la malla wm = 2 m (ver la figura A.10). Esto da lugar a una distancia
de seguridad ds/1 = 2,0 m que define el volumen de seguridad VS. El valor de H1/MAX. válido en el inter-
P.
ior de VS se calcula para I0/MAX. = 100 kA, como se indica en la tabla A.2. La distancia al tejado es la
S.
mitad de la altura dr = H/2. La distancia a la pared es la mitad del largo dw = L/2 (centro) o igual a:
dw = ds/1 (peor caso cerca de la pared).
TI
AN
Tabla A.2 - Ejemplos para I0MAX. = 100 kA y wm = 2 m
Tipo de pantalla LWH H1/MAX. (centro) H1/MAX. (dw = dS/1)

(ver la figura A.10) (m)
PI(A/m) (A/m)
M
1 10  10  10 179 447
I
AL
2 50  50  10 36 447
10  10  50
IT
3 80 200
IA
A.4.1.2 Pantalla espacial mallada de la ZPR 1 en el caso de una descarga cercana

S
FI
La situación correspondiente a una descarga cercana se muestra en la figura A.8. El campo magnéti-
co incidente en torno al volumen apantallado de la ZPR 1 se puede aproximar por una onda plana.
VO
SI
LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
Figura A.8 - Evaluación del campo magnético en el caso de una descarga de rayo cercana
C
EX
El factor de apantallamiento SF de una pantalla espacial mallada para una onda plana está dado, a
continuación, en la tabla A.3.
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
Tabla A.3 - Atenuación magnética de una pantalla espacial mallada para una onda plana
Materiales SF (dB) a, b
G
25 kHz (válido para el 1 MHz (válido para los impactos subsiguientes) o
AR
primer impacto positivo) 250 kHz (válido para el primer impacto negativo)
Cobre o
20  log (8,5/wm) 20  log (8,5/wm)
A.
aluminio
Aceroc 20  log   8,5 wm  / 1  18  10–6 / rc2 
P.
 
20  log (8,5/wm)
S.
wm ancho de la malla de la pantalla (m);
rc radio de una varilla de la pantalla mallada (m).
TI
a
SF = 0 en caso de que la fórmula dé valor negativo.
b
AN
SF aumenta en 6 dB si se instala una red mallada equipotencial de acuerdo con el apartado 5.2.
c
Permeabilidad r ≈ 200.
El campo magnético incidente H0 se calcula mediante la ecuación (A.7):

PI
M
H0  I0 /  2    sa  (A/m)
I
(A.7)
AL
siendo:
IT

IA
sa (m) la distancia entre el punto de impacto y el centro del volumen apantallado.

S
De esto se deduce que el valor máximo del campo magnético en ZPR 0:

FI
 H0/F/MAX. = IF/MAX./(2    sa) (A/m) producido por el primer impacto positivo (A.8)
VO
 H0/FN/MAX. = IFN/MAX./(2    sa) (A/m) producido por el primer impacto negativo (A.9)
SI
 H0/S/MAX. = IS/MAX./(2    sa) (A/m) producido por los impactos subsiguientes (A.10)
LU
siendo:
C
IF/MAX. (A) el valor máximo de la corriente del primer impacto positivo de acuerdo con el nivel de pro-
tección elegido;
EX
IFN/MAX. (A) el valor máximo de la corriente del primer impacto negativo de acuerdo con el nivel de pro-
tección elegido;
SO
IS/MAX. (A) el valor máximo de la corriente de los impactos subsiguientes de acuerdo con el nivel de
protección elegido.
U
La reducción de H0 a H1 en el interior de la ZPR 1 puede calcularse empleando los valores de SF indi-

cados en la tabla A.3.
H1/MAX. = H0/MAX. / 10SF/20 (A/m) (A.11)
PARTE 4 IRAM 2184-4
siendo:
SF (dB) el factor de apantallamiento obtenido a partir de las fórmulas de la tabla A.3;
G
H0/MAX. (A/m) el campo magnético en la ZPR 0.
AR
En consecuencia se puede calcular el valor máximo del campo magnético en la zona ZPR 1:
 H1/F/MAX. = H0/F/MAX. / 10SF/20 (A/m) producido por el primer impacto positivo (A.12)
A.
 H1/FN/MAX. = H0/FN/MAX. / 10SF/20 (A/m) producido por el primer impacto negativo
P.
(A.13)
S.
 H1/S/MAX. = H0/S/MAX. / 10SF/20 (A/m) producido por los impactos subsiguientes: (A.14)
Estos valores de campo magnético son solamente válidos para un volumen de seguridad Vs en el in-
TI
terior de la pantalla mallada con una distancia de seguridad ds/2 desde la pantalla (ver la figura A.4).
AN
 ds/2 = wmSF/10 (m) para SF  10 (A.15)
PI
 ds/2 = wm (m) para SF < 10 M (A.16)
siendo:
I
AL
SF (dB) el factor de apantallamiento obtenido a partir de las fórmulas de la tabla A.3;
wm (m) el ancho de la pantalla mallada.

IT
Para información adicional referente al cálculo del campo magnético en el interior de la pantalla ma-
IA
llada en el caso de impactos cercanos, ver el apartado A.4.3.

S
EJEMPLO
FI
En el caso de una descarga cercana, el campo magnético H1/MAX. en el interior de la ZPR 1, depende
de: la corriente I0/MAX, del factor de apantallamiento SF de la pantalla de ZPR 1 y de la distancia sa entre
VO
el canal del rayo y el centro de la ZPR 1 (ver la figura A.8).
La corriente del rayo I0/MAX, depende del nivel de protección elegido (ver la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).
SI
El factor de apantallamiento SF (ver la tabla A.3) depende, principalmente, del ancho de la pantalla ma-
llada. La distancia sa puede ser:
LU
a) una distancia dada entre el centro de la ZPR 1 y un objeto próximo (por ejemplo, un mástil) en el
C
caso de que una descarga impacte en este objeto; o

EX
b) la distancia mínima entre el centro de la ZPR 1 y el canal del rayo, en el caso de una descarga de
rayo a tierra cerca de ZPR 1.
SO
El caso más desfavorable se da cuando se combina la corriente mayor I0/MAX, con la distancia más
próxima posible sa. Como se indica en la figura A.9, la mínima distancia sa es función de la altura H y del
largo L (o ancho W) de la estructura (ZPR 1), y del radio de la esfera rodante r correspondiente a I0MAX.
U
(ver la tabla A.4), definida a partir del modelo electro-geométrico (ver el apartado A.4 de la
IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
M
Figura A.9 - Distancia sa en función del radio de la esfera rodante y de las
I
dimensiones de la estructura
AL
IT
La distancia puede calcularse mediante las ecuaciones A.17 y A.18 siguientes:

IA
sa  2  r  H  H 2  L / 2 para H < r (A.17)

S
sa = r + L / 2 para H  r (A.18)
FI
NOTA. Para distancias menores que estos valores mínimos, las descargas impactan directamente en la estructura.
VO
Considerando una malla de cobre con un ancho medio de malla de wm = 2 m, pueden definirse tres pan-
tallas, con las dimensiones indicadas en la tabla A.5, El resultado es un SF = 12,6 dB y una distancia de
SI
seguridad ds/2 = 2,5 m que define el volumen de seguridad Vs. Los valores de H0/MAX. y de H1/MAX. que se
consideran válidos en el interior del volumen Vs se calculan para I0/MAX. = 100 kA y se indican en la ta-
LU
bla A.5.
C
Tabla A.4 - Radio de la esfera rodante correspondiente a la máxima corriente del rayo
EX
Máxima corriente del rayo Radio de la esfera rodante, r

Nivel de protección
(I0/MAX. kA) (m)
SO
I 200 313
II 150 260
U
III – IV 100 200
PARTE 4 IRAM 2184-4
Tabla A.5 - Ejemplos para I0/MAX. = 100 kA y wm = 2 m, correspondientes a SF = 12,6 dB
Tipo de pantalla LWH sa H0/máx. H1/máx.
G
(ver la figura A.10) (m) (m) (A/m) (A/m)
AR
1 10  10  10 67 236 56
2 50  50  10 87 182 43
A.
3 10  10  50 137 116 27
P.
A.4.1.3 Pantalla espacial mallada para ZPR 2 y superiores
S.
En las pantallas malladas que rodean una ZPR 2 o superiores, no circulará una significativa corriente
TI
parcial de rayo. Por tanto, en una primera aproximación, la reducción de Hn a Hn+1 en el interior de la
ZPR n+1 puede evaluarse tal como se indica en el apartado A.4.1.2 para las descargas cercanas.
AN
Hn+1 = Hn / 10SF/20 (A/m) (A.19)
PI
siendo: M
SF(dB) el factor de apantallamiento de la tabla A.3;
I
AL
Hn (A/m) el campo magnético en la ZPR n.

IT
Si Hn = H1 el valor de este campo puede evaluarse de la siguiente manera:
a) en el caso de descargas directas a la pantalla tipo malla de la ZPR 1, ver el apartado A.4.1.1 y la fi-
IA
gura A.7b, mientras que dw y dr son las distancias entre la pantalla de la ZPR 2 y la pared y el
tejado, respectivamente;
S
FI
b) en el caso de descargas cercanas a ZPR 1, ver el apartado A.4.1.2 y la figura A.8.

VO
Estos valores de los campos magnéticos son válidos sólo en el volumen de seguridad Vs en el inter-
ior de la pantalla tipo malla con una distancia ds/2 desde la pantalla, (tal como se define en el
apartado A.4.1.2 y se indica en la figura A.4).
SI
A.4.2 Evaluación teórica del campo magnético debido a descargas directas

LU
En el apartado A.4.1.1 las fórmulas para la evaluación del campo magnético H1/MAX. están basadas en
cálculos numéricos del campo magnético en tres típicas pantallas tipo malla tal como se indica en la fi-
C
gura A.10. Para estos cálculos, se considera que una descarga impacta en un borde del tejado. El
EX
canal del rayo se simula mediante una varilla conductora vertical de 100 m de largo por encima del te-
jado. El plano de tierra se simula mediante una placa conductora ideal.
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
Figura A.10 - Tipos de grandes volúmenes apantallados con mallas

VO
En los cálculos se considera el campo magnético acoplado a cada barra de la pantalla mallada inclu-
yendo todas las otras barras y el canal simulado del rayo, resultando un conjunto de ecuaciones para
calcular la distribución de la corriente en la malla. A partir de esta distribución de la corriente se deduce
SI
el campo magnético en el interior de la pantalla. Se considera despreciable la resistencia de las barras.

Por tanto, la distribución de la corriente en la pantalla mallada y el campo magnético son independientes
LU
de la frecuencia. No se consideran, tampoco, los efectos capacitivos para evitar los efectos transitorios.
C
En las figuras A.11 y A.12 se presentan algunos resultados para el apantallamiento del tipo 1 (ver la
figura A.10).
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
Figura A.11 - Campo magnético H1/MAX. en el interior de una pantalla mallada del tipo 1
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
U
Ancho de la malla wm
Figura A.12 - Campo magnético H1/MAX. en el interior de una pantalla mallada tipo 1 en
función del ancho de la malla
PARTE 4 IRAM 2184-4
NOTA 1. Los resultados experimentales del campo magnético en el interior de la ZPR 1 con una pantalla mallada indican
que, cerca de la pantalla, el aumento del campo magnético es menor que el que resulta de las ecuaciones anteriores.
NOTA 2. Los resultados de los cálculos son solamente válidos para distancias ds/1 > wm a la pantalla mallada.
G
En todos los casos se considera una corriente de rayo máxima de IO/MAX. = 100 kA. En ambas figuras
AR
A.11 y A.12, el campo magnético H1/MAX. es el campo magnético máximo en un punto, deducido a par-
tir de sus componentes Hx, Hy, Hz.
A.
H1/MAX.  H x2  H y2  H z2 (A.20)
P.
En la figura A.11, H1/MAX. se calcula a lo largo de la línea recta que va desde el punto de impacto de la
S.
descarga (x = y = 0, z = 10 m) y termina en el centro del volumen (x = y = 5 m, z = 5 m). H1/MAX. se re-
presenta como una función de la coordenada x para cada punto de esta línea, donde el parámetro es el
TI
ancho de la malla wm de la pantalla.
AN
En la figura A.12, H1/MAX. se calcula para dos puntos en el interior de la pantalla (punto A: x = y = 5 m,
z = 5 m; punto B: x = y = 3 m, z = 7 m). El resultado se representa como una función del ancho de la ma-
PI
lla wm.
M
Ambas figuras muestran los efectos de los principales parámetros que influyen en la distribución del
campo magnético en el interior de una pantalla tipo malla: la distancia desde la pared o tejado, y el an-
I
AL
cho de la malla.
En la figura A.11 debe observarse que a lo largo de otras líneas a través del volumen de la pantalla,
IT
puede haber cruces con los ejes de cero y cambios de signo en los componentes del campo magnético
H1/MAX. Las fórmulas del apartado A.4.1.1 son, por tanto, aproximaciones de primer orden de la real y
IA
más complicada distribución del campo magnético en el interior de una pantalla tipo malla.
S
A.4.3 Evaluación experimental del campo magnético producido por una descarga directa
FI
Los campos magnéticos en el interior de las estructuras también pueden determinarse mediante medi-
das experimentales. La figura A.13 muestra una propuesta, empleando un generador de corriente de
VO
rayo, de simulación de una descarga directa en un punto arbitrario de la estructura apantallada, Nor-
malmente, estos ensayos pueden realizarse a bajos niveles de corriente pero con una forma de onda de
SI
la corriente simulada idéntica a la de la descarga real.

LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
Figura A.13a - Disposición de ensayo

IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
Referencias:
EX
U Típicamente, unos 10 kV
C Típicamente, unos 10 nF
SO
Figura A.13b - Generador de corriente del rayo

U
Figura A.13 - Ensayo de bajo nivel para evaluar el campo magnético en el

interior de una estructura apantallada
PARTE 4 IRAM 2184-4
A.5 Cálculo de las tensiones y corrientes inducidas
A.5.1 Generalidades
G
Sólo se consideran bucles rectangulares tal como se indican en la figura A.14. Los bucles con distin-
AR
tas formas deben transformarse en configuraciones rectangulares con la misma superficie de bucle.
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
Figura A.14 - Tensiones y corrientes inducidas en un bucle formado por líneas

EX
A.5.2 Situación en el interior de una ZPR 1 en el caso de un impacto directo

SO
El campo magnético H1 dentro del volumen VS de una ZPR 1 se calcula mediante la expresión (ver
A.4.1.1):
U
H1  kh  I0  wm / (d w  dr ) ) (A/m) (A.21)
La tensión a circuito abierto UOC viene dada por:
UOC  o  b  ln 1  l / dl/w   kh  (wm / dl/r )  dI0 / dt (V) (A.22)
PARTE 4 IRAM 2184-4
El valor pico UOC/MAX. se produce durante el tiempo de frente T1:
UOC/MAX.  o  b  ln 1  l / dl/w   kh  (wm / dl/r ) I0/MAX. / T1 ) (V) (A.23)
G
siendo:
AR
o igual a 4    10-7 (Vs)/(Am);
A.
b (m) el ancho del bucle;
P.
dl/w (m) la distancia del bucle a la pared de la pantalla, siendo dl/w  ds/1;
S.
dl/r (m) la distancia media del bucle al tejado de la pantalla;
TI
I0/MAX. (A) la corriente máxima del rayo en la ZPR 0A;
AN
kh (1/ m ) el factor de configuración kh = 0,01;
l (m) el largo del bucle;

PI
M
T1 (s) el tiempo de frente de la corriente del rayo en ZPR 0 A;
I
AL
wm el ancho de la malla de la pantalla.

IT
La corriente de cortocircuito ISC viene dada por:
ISC  o  b ln 1  l / dl/w   kh  (wm / dl/r )  I0 / LS ) (A)

IA
(A.24)
S
En la (A.24) que se desprecia la resistencia óhmica del cable (peor caso).

FI
El máximo valor ISC/MAX. viene dado por la ecuación (A.25) siguiente:

VO
ISC/MAX.  o  b ln 1  l / dl/w   kh  (wm / dl/r )  I0/MAX. / LS ) (A) (A.25)

SI
donde LS (H) es la autoinducción del bucle.

LU
Para bucles rectangulares, la autoinducción LS puede calcularse mediante la (A.26) siguiente:
 
C

L  {0,8  l 2  b 2  0,8   l  b   0, 4  l  ln  2 b / rc  /  1  1   b / l  2 
  
EX
(A.26)
  2 
 0, 4  b  ln   2 l / rc  /  1  1   l / b    }  10 6 (H)
  
SO
donde rc es el radio del cable, en (m).

U
La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético del primer impacto positivo (T1 = 10 s)
vienen dadas por:
UOC/F/MAX.  1, 26  b  ln 1  l / dl/w   (wm / dl/r )  IF/MAX. (V) (A.27)

PARTE 4 IRAM 2184-4
ISC/F/MAX.  12,6 106  b  ln 1  l / dl/w   (wm / dl/r )  IF/MAX. / LS (A) (A.28)
La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético del primer impacto negativo (T1 = 1 s)
G
vienen dadas por las ecuaciones (A.29) y (A.30):
AR
UOC/FN/MAX.  1, 26  b  ln 1  l / dl/w   (wm / dl/r )  IFN/MAX. (V) (A.29)
A.
ISC/FN/MAX.  12,6 106  b  ln 1  l / dl/w   (wm / dl/r )  IFN/MAX. / LS (A) (A.30)
P.
La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético de los impactos subsiguientes (T1 = 0,25
s) vienen dadas por las ecuaciones (A.31) y (A.32):
S.
UOC/S/MAX.  50, 4  b  ln 1  l / dl/w   (wm / dl/r )  IS/MAX. (V) (A.31)
TI
AN
ISC/S/MAX.  12,6 106  b  ln 1  l / dl/w   (wm / dl/r )  IS/MAX. / LS (A) (A.32)
siendo:
IF/MAX. (kA) el valor máximo de la corriente del primer impacto positivo;

PI
I M
IFN/MAX. (kA) el valor máximo de la corriente del primer impacto negativo;
AL
IS/MAX. (kA) el valor máximo de corriente de los impactos subsiguientes.

IT
A.5.3 Situación en el interior de una ZPR 1 en el caso de un impacto cercano

IA
El campo magnético H1 en el interior del volumen VS de la ZPR 1 se considera que es uniforme (ver
A.4.1.2).
S
FI
La tensión a circuito abierto UOC viene dada por la ecuación (A.33):
UOC = o × b × l ×dH1 / dt (V)

VO
(A.33)
El valor cresta UOC/MAX. se produce en el instante T1, siendo:

SI
UOC/MAX. = o × b × l × H1/MAX / T1 (V) (A.34)

LU
siendo:
C
o igual a 4 10-7 (Vs)/(Am);

EX
b (m) el ancho del bucle;

SO
H1 (A/m) el campo magnético en ZPR 1 en función del tiempo;
H1/MAX. (A/m) el campo magnético máximo en ZPR 1;

U
l (m) el largo del bucle;
T1 (s) el tiempo de frente del campo magnético, idéntico al tiempo de frente de la

corriente del rayo.
PARTE 4 IRAM 2184-4
La corriente de cortocircuito ISC viene dada por la (A.35):
ISC = o × b × l × H1 / LS (A) (A.35)
G
donde se desprecia la resistencia óhmica del cable (peor caso).
AR
El valor máximo ISC/MAX. viene dado por la (A.36):
A.
ISC/MAX. = o × b × l × H1/MAX. / LS (A) (A.36)
P.
donde LS (H) es la autoinducción del bucle, (para calcular LS ver A.5.2).
S.
La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético H1/F del primer impacto positivo (T1 = 10 s)
vienen dadas por (A.37) y (A.38):
TI
UOC/F/MAX. = 0,126× b × l × H1/F/MAX. (V) (A.37)
AN
ISC/F/MAX. = 1, 26×10-6 × b × l × H1/F/MAX. / LS (A) (A.38)
PI
La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético H1/FN del primer impacto negativo (T1 = 1 s)
M
vienen dadas por (A.39) y (A.40):
I
AL
UOC/FN/MAX. = 1, 26× b × l × H1/FN/MAX. (V) (A.39)

IT
ISC/FN/MAX. = 1, 26×10-6 × b × l × H1/FN/MAX. / LS (A) (A.40)

IA
La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético H1/S de los impactos subsiguientes (T1 =
0,25 s) vienen dadas por (A.41) y (A.42):
S
FI
UOC/S/MAX. = 5,04× b × l × H1/S/MAX. (V) (A.41)

VO
ISC/S/MAX. = 1, 26×10-6 × b × l × H1/S/MAX. / LS (A) (A.42)
siendo:
SI
H1/F/MAX. (A/m) el máximo campo magnético en la ZPR 1 debido al primer impacto positivo;
LU
H1/FN/MAX. (A/m) el máximo campo magnético en la ZPR 1 debido al primer impacto negativo;
C
H1/S/MAX. (A/m) el máximo campo magnético en la ZPR 1 debido a los impactos subsiguientes.
EX
A.5.4 Situación en el interior de las LPZR 2 y superiores
El campo magnético Hn en el interior de LPZR n, para n  2 se considera que es homogéneo

SO
(ver A.4.1.3).
U
Por tanto, para el cálculo de las tensiones inducidas y de las corrientes se aplican las mismas fórmu-
las (A.4.1.2), sustituyendo H1 por Hn.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo B
(Informativo)
G
Implantación del SMPI en una estructura existente
AR
B.1 Generalidades
No siempre, en estructuras ya existentes, es posible seguir el SMPI indicado en esta norma. Este anexo
A.
trata de describir los puntos importantes a tener en cuenta y provee información sobre las medidas de
P.
protección que no son obligatorias pero que ayuda a mejorar la protección total.
S.
B.2 Lista de comprobación
En las estructuras existentes, las medidas de protección adecuadas contra los efectos del rayo necesi-
TI
tan tomarse teniendo en cuenta la construcción, las condiciones de la estructura y los sistemas
eléctricos y electrónicos existentes.
AN
Las listas de comprobación facilitan el análisis de los riesgos y la selección de las medidas de protec-
ción más adecuadas.
PI
En particular, para las estructuras existentes, se deben realizar sistemáticamente diagramas relaciona-
M
dos con los conceptos de zonas, puestas a tierra, conexión equipotencial, trazado de las líneas y
apantallamiento.
I
AL
Las listas de comprobación que se indican en las tablas B.1 a B.4 se deben emplear para recoger los
datos necesarios de la estructura existente y de sus instalaciones. En base a estos datos debe reali-
IT
zarse, de acuerdo la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2, una evaluación del riesgo, a fin de determinar la
necesidad de protección y si es así, estimar el costo de las medidas de protección a utilizar.
IA
NOTA 1. Para más información sobre la protección contra las interferencias electromagnéticas (IEM) en las instalaciones de los
S
[1]
edificios, ver la IEC 60364-4-44 .
FI
Los datos recogidos por medio de las listas de comprobación son, también, útiles en el proceso del diseño.
VO
Tabla B.1 - Características de las estructuras y de sus alrededores
Puntos Preguntas a
SI
1 ¿Mampostería, ladrillo, madera, hormigón armado, estructura metálica, fachada metálica?

LU
2 ¿Una estructura única o bloques interconectados con juntas de expansión?

3 ¿Estructuras altas, bajas, planas? (dimensiones de la estructura)
C
4 ¿Barras de la armadura conectadas eléctricamente a través de la estructura?

EX
5 ¿Clase, tipo y calidad de los materiales del tejado metálico?

6 ¿Las fachadas metálicas están equipotencializadas?
SO
7 ¿Los marcos de las puertas y ventanas están equipotencializados?

8 ¿Tamaño de las ventanas?
9 ¿Está equipada la estructura con un SPCR externo?
U
10 ¿Tipo y calidad de este SPCR?

11 ¿Naturaleza del terreno (roca, arcilla)?
12 ¿Altura, distancia y puesta a tierra de las estructuras adyacentes?
a
Para información más detallada ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Tabla B.2 - Características de la instalación
Puntos Preguntas a
G
1 ¿Tipo de los servicios entrantes (subterráneos o aéreos)?
AR
2 ¿Tipos de los aéreos (antenas u otros dispositivos externos?
3 ¿Tipo de alimentación eléctrica (alta tensión, baja tensión, aérea, subterránea)?
4 ¿Trazado de las líneas (número y situación de las guías y de los conductos de los cables?
A.
5 ¿Utilización de conductos metálicos para los cables?
P.
6 ¿Están los equipos electrónicos integrados en la estructura?
S.
7 ¿Conexiones metálicas con otras estructuras?
a
TI
AN
Tabla B.3 - Características de los equipos
Puntos Preguntas a, b
PI
¿Tipo de interconexiones de los sistemas internos (cables multiconductores apantallados o sin
M
1 apantallar, cables coaxiales, analógicos y/o digitales, desequilibrados o no, cables de fibra
óptica)? a
I
AL
a, b
2 ¿Están especificados los niveles soportados por el sistema electrónico?
a
IT
b [4]
Para información más detallada véanse las ITU-T K.21 , IEC 61000-4-5, IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10.
IA
Tabla B.4 - Otras preguntas a tener en cuenta en el concepto de protección

S
Puntos Preguntas a
FI
1 ¿Configuraciones del sistema eléctrico- TN (TN-S, TN-C o TN-c-S), TT o IT?

VO
a
2 ¿Situación del equipo?
3 ¿Interconexión de los conductores de tierra de los equipos internos con la red equipoten-
cial?
SI
a
Para información más detallada ver el anexo A.
LU
C
B.3 Diseño de un SMPI en una estructura existente

EX
El primer paso del diseño es trabajar con la lista de comprobación indicada en el apartado B.2 y realizar
el análisis del riesgo.
SO
Si el análisis indica que es necesario un SMPI, debe implementarse siguiendo los pasos indicados en
la figura B.1.
U
Asignar, a todos los lugares en los que se encuentran los equipos a proteger, las ZPR correspondien-
tes (ver 4.3).
La base del SMPI debe ser una red de apantallamiento interno y equipotencial. Esta red debe tener
mallas cuyos anchos no superen, en cualquier dirección, los 5 m. Si la disposición de la estructura no
permite la red de apantallamiento interno y equipotencial, debe instalarse en cada piso, como míni-
PARTE 4 IRAM 2184-4
mo, un anillo conductor en el interior de la pared exterior de la estructura. Este anillo conductor debe
conectarse a cada conductor de bajada del SPCR.
NOTA. Reajustar las medidas de apantallamiento en una estructura existente, frecuentemente resulta difícil y poco económico.
G
En este caso, el empleo de DPS es una alternativa efectiva.
AR
B.4 Diseño de las medidas básicas de protección para las ZPR
B.4.1 Diseño de las medidas básicas de protección para la ZPR 1
A.
Las medidas de protección deben basarse en la red de apantallamiento interno y equipotencial o en el
P.
anillo conductor situado en el interior de la pared exterior, que normalmente es el límite de la ZPR 1. Si
la pared exterior no es el límite de la ZPR 1 y no es posible una red de apantallamiento interno y de
S.
equipotencialización, debe colocarse un conductor en anillo en el límite de la ZPR 1. El conductor en ani-
llo tiene que estar conectado al conductor en anillo situado en la pared exterior, al menos, en dos puntos
TI
que se encuentren lo más alejado posible entre ellos.
AN
Las medidas de protección están basadas en la red de apantallamiento interno y equipotencial o en el
PI
anillo conductor situado en el interior de la pared exterior. Si no es posible una red de apantallamiento
M
interno y de equipotencialización, se debe instalar un conductor en anillo en el límite de la ZPR 2. Si las
dimensiones de la ZPR 2 son mayores de 5 m  5 m tiene que hacerse una subdivisión para crear ma-
I
llas que no superen los 5 m  5 m. El anillo conductor tiene que estar conectado al anillo conductor de
AL
la ZPR 1, al menos, en dos puntos que se encuentren lo más alejado posible entre ellos.
IT

IA
Las medidas de protección están basadas en la red de apantallamiento interno y equipotencial o en el

anillo conductor situado en el interior de la ZPR 2. Si no es posible una red de apantallamiento interno y
S
de equipotencialización, debe instalarse un conductor en anillo en el límite de cada ZPR 3. Si las di-
mensiones de la ZPR 3 son mayores de 5 m  5 m tiene que hacerse una subdivisión para crear mallas
FI
que no superen los 5 m  5 m. El anillo conductor tiene que estar conectado al anillo conductor de la
ZPR 2, al menos, en dos puntos que se encuentren lo más alejado posible entre ellos.
VO
B.5 Instalación de un sistema de DPS coordinado

SI
Debe diseñarse un sistema coordinado de DPS para proteger los cables que cruzan los límites de las
diferentes ZPR.
LU
Las medidas adicionales mejorarán bastante la protección mediante la equipotencialización y el sis-

C
tema de los DPS.

EX
El diseño de las bandejas de los cables, los cables situados en las escaleras y similares, tiene que me-
jorarse para conseguir un apantallamiento de esos cables.
SO
Si es posible, deben tenerse en cuenta medidas adicionales para tener medidas de protección adiciona-
les a las ya aplicadas, tales como apantallamiento de las paredes, suelos, techos, (ver el capítulo 6).
U
Diseñar medidas para mejorar la interconexión entre la estructura objeto con otras estructuras (ver el
apartado B.11).
En el caso en que se instalen nuevos sistemas en una estructura que ya tiene medidas de protección,
el proceso de diseño debe repetirse en la ubicación de estos sistemas internos.
PARTE 4 IRAM 2184-4
El proceso continuo del diseño se ilustra en el diagrama de flujo (ver la figura B.1).
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
Figura B.1 - Pasos para el diseño de un SPMI en una estructura existente
B.6 Mejora de un SPCR existente mediante el empleo del apantallamiento de la ZPR 1

SI
Un SPCR existente (conforme con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3) alrededor de una ZPR 1 puede
mejorarse:
LU
a) integrando las fachadas y los tejados metálicos existentes en el SPCR externo;

C
b) empleando las barras metálicas conductoras de la armadura desde la parte superior del tejado
EX
hasta el sistema de puesta a tierra;

c) reduciendo el espacio de los conductores de bajada y el tamaño de la malla del sistema de capta-
SO
ción a un valor inferior a 5 m;

d) instalando conexiones equipotenciales flexibles a través de las juntas de expansión entre bloques
armados adyacentes, pero estructuralmente separados.
U
B.7 Establecimiento de las ZPR para los sistemas eléctricos y electrónicos

En función del número, tipo y sensibilidad de los sistemas eléctricos y electrónicos, se definen las ZPR
interiores apropiadas, desde pequeñas zonas locales (la envolvente de un equipo electrónico), hasta
grandes zonas (el volumen completo del edificio).
PARTE 4 IRAM 2184-4
La figura B.2 muestra, en estructuras existentes, una distribución típica de ZPR, para proteger siste-
mas electrónicos con diferentes soluciones, y en particular:
La figura B.2a muestra la instalación de una sola ZPR 1, creando un volumen de protección en el inter-
G
ior del conjunto de la estructura, por ejemplo, para aumentar los niveles resistidos de tensión de los
AR
sistemas electrónicos:
a) esta ZPR 1 podría crearse empleando un SPCR, formado por un SPCR externo (terminal de captu-
ra, conductor de bajada y sistema de puesta a tierra) y un SPCR interno (conexión equipotencial y
A.
cumplimiento con las distancias de separación), de acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3;
P.
b) el SPCR externo protege a la ZPR 1 contra las descargas sobre la estructura, pero el campo magné-
tico en el interior de la ZPR 1 permanece prácticamente sin atenuar. Esto es debido a que los
S.
terminales de captura y los cables de bajada forman mallas cuyos anchos y distancias son superiores
a 5 m, por lo que el efecto de apantallamiento espacial es despreciable, como se indicó anteriormente;
TI
c) el ZPR interno requiere la conexión equipotencial de todos los servicios que entran en la estruc-
AN
tura en el límite de la ZPR 1, incluyendo la instalación de DPS en todas las líneas de potencia y de
señales. De esta manera se asegura que las ondas transitorias conducidas por los servicios en-
trantes estén limitadas, a la entrada, por los DPS.
PI
NOTA. Con el fin de evitar interferencias de baja frecuencia, las interfaces aislantes podrían ser útiles en la ZPR 1.
I M
AL
IT
S IA
FI
VO
SI
LU
C
EX
SO
Referencias:
U
E Líneas de potencia
S Líneas de señal
Figura B.2a - ZPR 1 sin apantallar con empleo de SPCR y de DPS en las entradas de las
líneas en la estructura (por ejemplo, para aumentar el nivel de tensión resistida de los
sistemas o para bucles pequeños en el interior de la estructura)
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
Referencias
FI
S Líneas de señal
VO
Figura B.2b - ZPR 1 sin apantallar con protección para los sistemas internos nuevos
mediante líneas de señal apantalladas y DPS coordinados en las líneas de potencia
SI
LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
S IA
FI
Referencias
VO
S Líneas de señal
SI
Figura B.2c - ZPR 1 sin apantallar y gran ZPR 2 apantallada para los nuevos sistemas internos
LU
C
EX
SO
U
PARTE 4 IRAM 2184-4
G
AR
A.
P.
S.
TI
AN
PI
I M
AL
IT
IA
Referencias:
S
S Líneas de señal
FI
Figura B.2d - ZPR 1 sin apantallar y dos ZPR 2 locales para los nuevos sistemas internos
VO
Figura B.2 - Posibilidades de establecer ZPR en estructuras existentes

SI
La figura B.2b muestra que en una ZPR 1 sin apantallar, los aparatos nuevos también necesitan prote-
gerse contra las ondas transitorias conducidas. Por ejemplo, las líneas de señal pueden protegerse
LU
mediante cables apantallados y las líneas de potencia mediante DPS coordinados. Esto puede requerir
DPS adicionales, ensayados con IN y DPS ensayados con una onda combinada, instalados cerca de
C
los equipos, y coordinados con los DPS de la entrada del servicio. También puede requerir un equipo
Clase II "doble aislación" adicional.
EX
La figura B.2c muestra la instalación de una gran ZPR 2 en el interior de una ZPR 1 para acomodar los
nuevos sistemas internos. El apantallamiento espacial de mallas de la ZPR 2 da una atenuación impor-
SO
tante del campo magnético. En el lado izquierdo, los DPS instalados en el límite de la ZPR 1 (transición
ZPR 0/1) y consecuentemente, los instalados en el límite de la ZPR 2 (transición ZPR 1/2) deben coor-
dinarse de acuerdo con la IEC 61643-12. En el lado derecho, los DPS instalados en el límite de la ZPR 1
U
deben seleccionarse para una transición directa ZPR 0/1/2 (ver C.3.5).
La figura B.2d muestra la instalación de dos pequeñas ZPR 2 en el interior de una ZPR 1. Se deben ins-
talar DPS adicionales tanto para las líneas de señal como para las de potencia en el límite de cada
ZPR 2. Estos DPS, de acuerdo con la IEC 61643-12, deben coordinarse con los DPS situados en el límite
de la ZPR 1.
PARTE 4 IRAM 2184-4
B.8 Protección mediante una red equipotencial
El sistema de puesta a tierra existente para la frecuencia industrial puede no ser una superficie equipo-
tencial satisfactoria para las corrientes del rayo con frecuencias de hasta varios MHz, debido a que su
G
impedancia puede ser demasiado alta a esas frecuencias.
AR
Incluso un SPCR diseñado de acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, que permite anchos de ma-
lla mayores que el valor típico de 5 m y que incluye conexiones equipotenciales como parte obligatoria
en el SPCR interno, puede no ser suficiente para los sistemas internos. Esto es debido a que la impe-
A.
dancia de este sistema equipotencial puede ser todavía muy alta para esta aplicación.
P.
Se recomienda una red equipotencial de baja impedancia con un ancho de malla de 5 m o menor.
S.
En general, la red equipotencial no se debe emplear como retorno, tanto de las líneas de potencia como
de las de señales. Por esta razón el cable PE debe integrarse en la red equipotencial, pero no el PEN.
TI
Se permite la conexión equipotencial directa de un conductor de tierra (por ejemplo, una tierra limpia
AN
específica de un sistema electrónico) a una red equipotencial de baja impedancia, porque en este caso
el acoplamiento por interferencias en los cables eléctricos o de señal será muy bajo. No se permite la
conexión directa equipotencial al cable PEN, o a otras partes metálicas conectadas a él, para impedir
PI
interferencias de frecuencia industrial en el sistema electrónico. M
B.9 Protección mediante dispositivos de protección contra sobretensiones
I
AL
Para limitar las ondas transitorias producidas por el rayo y conducidas por las líneas eléctricas, los DPS
deben instalarse a la entrada de cualquier ZPR interior (ver la figura B.2 y la figura B.8, nº 3).
IT
En edificios con DPS sin coordinación, pueden producirse daños en los sistemas internos si un DPS
situado aguas abajo o un DPS situado en el propio equipo impiden la operación adecuada del DPS
IA
situado a la entrada del servicio.

S
Con el fin de mantener la efectividad de las medidas de protección adoptadas, es necesario documentar
FI
la situación de todos los DPS instalados.

VO
B.10 Protección mediante interfaces aislantes
Las interferencias por corrientes a frecuencia industrial, tanto a través de los equipos como a través de
SI
sus líneas de señales conectadas, pueden estar motivadas por grandes bucles o por la ausencia de
una impedancia suficientemente baja en la red equipotencial. Para impedir estas interferencias (princi-
LU
palmente en instalaciones TN-C), la separación adecuada entre las instalaciones antiguas y las
nuevas, puede conseguirse mediante interfaces aislantes, tales como:
C
a) equipos aislados de Clase II (por ejemplo, doble aislación sin conductor PE);
EX
b) transformadores de aislación;
c) cables no metálicos de fibra óptica;
SO
d) acopladores ópticos.
U
NOTA. Debe verificarse detenidamente que las envolturas metálicas no tienen conexiones galvánicas accidentales con la
red equipotencial o con otras partes metálicas de las que deben estar aisladas. Esta es la situación en la mayoría de los ca-
sos, ya que los equipos electrónicos instalados en viviendas u oficinas están conectados a la tierra de referencia solamente
por los cables de conexión.
PARTE 4 IRAM 2184-4
B.11 Medidas de protección mediante el trazado y el apantallamiento de las líneas
Un trazado y un apantallamiento apropiado de las líneas son medidas efectivas para reducir las so-
bretensiones inducidas. Estas medidas son especialmente importantes si la eficacia del
G
apantallamiento espacial de la ZPR 1 es despreciable. En este caso, los siguientes principios dan
AR
una mejor protección:
a) minimizar el área de los bucles de inducción;
A.
b) evitar que la alimentación eléctrica de los nuevos equipos se produzca por las canalizaciones existen-
tes, ya que puede dar lugar a grandes superficies de inducción, lo que aumenta, de manera
P.
importante, el riesgo de falla de la aislación. Además, el trazado de las líneas eléctricas y de señal ad-
yacentes las unas a las otras puede impedir la formación de grandes bucles (ver la figura B.8, nº 8);
S.
c) emplear cables apantallados: las pantallas de las líneas de señal deben conectarse en sus dos
TI
extremos a la red equipotencial;
AN
d) emplear conductos metálicos para cables o placas metálicas conectadas equipotencialmente -
las secciones metálicas separadas se deben interconectar eléctricamente en todo su largo y en
ambos extremos. Las conexiones deben realizarse mediante pernos, superponiendo las partes,
PI
o empleando conductores equipotenciales. Con el fin de mantener baja la impedancia del con-
ducto de los cables, a lo largo del perímetro del conducto deben distribuirse varios tornillos o
M
tiras (ver la IEC 61000-5-2)[6].
I
AL
En las figuras B.3 y B.4 se dan ejemplos de una buena técnica de trazado y apantallamiento.
NOTA. Cuando la distancia entre las líneas de señal y los equipos electrónicos en las zonas generales (no designadas específi-
IT
camente para sistemas electrónicos) es superior a 10 m, se recomienda emplear líneas de señales equilibradas con puertos
aislados galvánicamente, por ejemplo, con acopladores ópticos, transformadores de aislación de señal o amplificadores de ais-
IA
lación. Además, puede ser ventajoso el empleo de cables triaxiales.

S
FI
VO
SI
LU
C
EX
Referencias
SO
1 PE, sólo cuando se empleen equipos de Clase I

2 La pantalla opcional del cable necesita conectarse equipotencialmente en los dos extremos
3 Placa metálica como pantalla adicional (ver la figura B.4)
U
4 Bucle de pequeña superficie
NOTA. Al ser la superficie del bucle pequeña, también lo es la tensión inducida entre la pantalla del cable y la placa metálica.
Figura B.3 - Reducción de la superficie de un bucle empleando cables

apantallados próximos a una placa metálica
PARTE 4 IRAM 2184-4
Referencias
1 Fijación del cable con o sin conexión equipotencial de la pantalla del cable a la placa
2 El campo magnético es mayor en los bordes que en la mitad de la placa
E Líneas eléctricas
S Líneas de señal
Figura B.4 - Ejemplo de una placa metálica como pantalla adicional
B.12 Medidas de protección para equipos instalados en el exterior
B.12.1 Generalidades
Ejemplos de estos equipos instalados exteriormente son: los sensores de cualquier tipo, incluyendo an-
tenas, sensores meteorológicos, cámaras de TV de vigilancia, sensores expuestos en plantas de
procesos (presión, temperatura, caudal, posición de válvula, etc.) y cualquier otro equipo de radio, eléc-
trico o electrónico situado en el exterior sobre estructuras, mástiles o depósitos de proceso.
B.12.2 Protección del equipo externo

Siempre que sea posible, el equipo se debe poner bajo la protección de la ZPR 0 B empleando, por
ejemplo, un terminal de captor local que lo proteja de las descargas directas (ver la figura B.5).
En estructuras altas, debe aplicarse el método de la esfera rodante (ver la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3)
para determinar si los equipos instalados en la parte superior o en los lados del edificio son posible obje-
to de una descarga directa. En ese caso, deben emplearse captores adicionales. En muchos casos, las
barandillas, escaleras, tuberías, etc. pueden realizar adecuadamente la función de un captor. Todos los
equipos pueden protegerse de esta manera, salvo algunos tipos de antenas. Algunas veces las antenas
tienen que colocarse en lugares expuestos para que su funcionamiento no se vea afectado por los con-
ductores de rayos próximos. Algunos diseños de antenas están inherentemente autoprotegidos porque
solamente algunos elementos conductores, bien conectados a tierra, están expuestos a la descarga del
rayo. Otros podrían necesitar DPS en sus cables de alimentación para impedir la circulación de transito-
rios excesivos por el cable hasta los receptores o emisores. Cuando hay un SPCR externo los soportes
aéreos deben conectarse equipotencialmente a él.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Referencias
1 Varilla de captura
2 Mástil metálico con antenas
3 Barandilla
4 Armaduras interconectadas
5 Línea que viene de ZPR 0B y necesita un DPS a la entrada
6 Las líneas que vienen de la ZPR 1 (interior del mástil) pueden no necesitar un DPS a la entrada
r Radio de la esfera rodante
Figura B.5 - Protección de antenas y otros equipos externos

PARTE 4 IRAM 2184-4
B.12.3 Reducción de las sobretensiones en los cables
Las altas tensiones y las corrientes inducidas pueden evitarse instalando los cables en conductos, cana-
lizaciones o tuberías metálicos, conectados equipotencialmente. Todos los cables correspondientes a un
equipo específico deben salir del conducto por un solo punto. Si es posible, las propiedades de apanta-
llamiento inherentes a la estructura se deben emplear al máximo haciendo que los cables vayan dentro
de los componentes tubulares de la estructura. Si esto no es posible, como en el caso de los depósitos
de proceso, los cables deben ir exteriormente pero próximos a la estructura haciendo todo lo posible pa-
ra que las tuberías metálicas, los travesaños de las escaleras de acero y cualesquiera otros materiales
metálicos conectados equipotencialmente, hagan de pantalla natural (ver la figura B.6). En los mástiles
formados por perfiles metálicos en L, los cables deben colocarse, para su máxima protección, en el
ángulo de la L (ver la figura B.7).
Referencias
1 Depósito de proceso
2 Escalera
3 Tuberías
NOTA. A, B o C son buenas alternativas para colocar las bandejas de cables.
Figura B.6 - Pantalla natural provista por escaleras y tuberías equipotenciales
PARTE 4 IRAM 2184-4
Referencias:
1 Posiciones ideales de los cables en las esquinas de las vigas en L
2 Posición alternativa para bandeja equipotencial de cables dentro del mástil
Figura B.7 - Posiciones ideales de línea en un mástil (sección de un mástil de acero en celosía)
B.13 Mejora de las interconexiones entre estructuras
B.13.1 Generalidades
Las líneas que interconectan estructuras separadas pueden ser:
a) aislantes (cables de fibra óptica no metálicos); o
b) metálicas (por ejemplo, pares de cable, multicables, guía de ondas, cables coaxiales o cables de
fibra óptica con componentes metálicos continuos).
Los requisitos de protección dependen del tipo de línea, del número de líneas y de si los sistemas de
puesta a tierra de las estructuras están interconectados.
B.13.2 Líneas aisladas
Si se emplean para interconectar estructuras separadas cables de fibra óptica sin parte metálica (es de-
cir, sin armadura metálica, sin barrera antihumedad o cable guía interno de acero), no se necesitan
medidas de protección para este tipo de cables.
B.13.3 Líneas metálicas
Sin una adecuada interconexión entre los sistemas de puesta a tierra de las estructuras separadas, las
líneas de interconexión forman un camino de baja impedancia para las corrientes del rayo. Esto puede
dar lugar a que una parte importante de la corriente del rayo circule por estas líneas de interconexión.
PARTE 4 IRAM 2184-4
En este caso:
a) la conexión equipotencial requerida a la entradas de ambas ZPR 1, bien directamente o bien por
medio de DPS, sólo protegerá a los equipos que se encuentran en el interior, mientras que las líne-
as en el exterior siguen sin estar protegidas;
b) las líneas pueden protegerse colocando un conductor adicional equipotencial en paralelo. De esta
manera, la corriente del rayo se distribuye entre las líneas y este conductor;
c) se recomienda que las líneas se dispongan en conductos metálicos cerrados e interconectados.

En este caso están protegidos tanto las líneas como los equipos.
Donde se implementen interconexiones apropiadas entre los terminales de tierra de las estructuras
separadas, también se recomienda la protección de las líneas mediante conductos metálicos interco-
nectados. Donde haya muchos cables entre las estructuras interconectadas pueden utilizarse, en lugar
de los conductos metálicos, las pantallas o las armaduras de estos cables, conectados equipotencial-
mente en cada extremo.
B.14 Integración de los sistemas electrónicos nuevos en las estructuras existentes
Cuando se añaden sistemas internos nuevos a una estructura existente, las instalaciones existentes
pueden restringir las medidas de protección a emplear.
La figura B.8 muestra un ejemplo en el que una instalación existente, situada a la izquierda, se interco-
necta con una instalación nueva, situada a la derecha. La instalación existente tiene restricciones en las
medidas de protección que pueden emplearse. Sin embargo, el diseño y la planificación de la instalación
nueva pueden permitir adoptar todas las medidas de protección necesarias.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Referencias
1 Instalaciones existentes (TN-C, TT, IT) E Líneas eléctricas
2 Instalaciones nuevas (TN-S, TN-CS, TT, IT) S Líneas de señal (apantalladas o no apantalladas)
3 Dispositivo de protección contra sobretensiones (DPS) ET Sistema de tomas de tierra
4 Aislación normalizado clase I BN Red equipotencial
5 Doble aislación clase II sin PE PE Conductor de tierra de protección
6 Transformador de aislación FE Conductor de tierra funcional (eventual)
7 Opto acoplador o cable de fibra óptica Línea de 3 conductores: L, N, PE
8 Trazado adyacente de las líneas de señal y eléctrica Línea de 2 conductores: L, N
9 Conductos apantallados para cables • Puntos de conexión equipotencial (PE, FE, BN)
Figura B.8 - Mejora del SMPI en estructuras existentes

PARTE 4 IRAM 2184-4
B.15 Síntesis de las posibles medidas de protección
B.15.1 Alimentación de potencia
La alimentación existente en la estructura (ver la figura B.8, nº 1) frecuentemente es del tipo TN-C, y
puede producir interferencias a la frecuencia de la red. Estas interferencias pueden evitarse mediante
interfaces aislantes (ver más abajo).
Si se instala una nueva alimentación (ver la figura B.8, nº 2), se recomienda el tipo TN-S.
B.15.2 Dispositivos de protección contra sobretensiones
Para controlar las ondas transitorias conducidas por las líneas, a la entrada de cualquier ZPR y, posi-
blemente en el equipo a proteger, se deben instalar DPS (ver la figura B.8, nº 3 y la figura B.2).
B.15.3 Interfaces aislantes
Para impedir las interferencias, pueden emplearse interfaces aislantes entre el equipo existente y el
nuevo: Aislación Clase II (ver la figura B.8, nº 5), transformadores de aislación (ver la figura B.8, nº 6),
cables de fibra óptica o acopladores ópticos (ver la figura B.8, nº 7).
B.15.4 Trazado de las líneas y apantallamiento
Los grandes bucles en el trazado de las líneas podrían producir tensiones y corrientes inducidas muy
grandes. Esto puede evitarse haciendo que el trazado de las líneas eléctricas y de señales se encuen-
tren adyacentes (ver la figura B.8, nº 8), disminuyendo, por tanto, el área del bucle. Se recomienda
emplear cables de señales apantallados. En estructuras amplias también se recomienda apantallamien-
tos adicionales, como por ejemplo mediante conductos metálicos conectados equipotencialmente (ver la
figura B.8, nº 9). Todas las pantallas deben conectarse equipotencialmente en ambos extremos.
Las medidas de trazado y apantallamiento de línea son tanto más importantes cuanto menor es la
eficacia del apantallamiento espacial de la ZPR 1, y cuanto mayor la superficie del bucle.
B.15.5 Apantallamiento espacial
El apantallamiento espacial de una ZPR contra los campos magnéticos requiere un ancho de malla
inferior a 5 m.
Una ZPR 1 formada por un SPCR externo de acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 (terminal
de captura, conductor de bajada, sistema de puesta a tierra) tiene, normalmente, mallas con anchos
y distancias superiores a los 5 m, por lo que resultan inoperantes a los efectos de apantallamiento. Si
se requiere una mayor efectividad en el apantallamiento, el SPCR externo debe mejorarse (ver el
apartado B.4).
Las zonas ZPR 1 y superiores pueden necesitar apantallamiento espacial para proteger los sistemas in-
ternos que no cumplan con los requisitos de emisión en radiofrecuencia y de inmunidad.
B.15.6 Conexión equipotencial
La conexión equipotencial para corrientes de rayo con frecuencias de hasta varios MHz requiere una
red equipotencial mallada de baja impedancia, con un ancho de malla de 5 m. Todos los servicios en-
trantes a la ZPR deben conectarse equipotencialmente, tan cerca como sea posible del límite de la
ZPR, bien directamente, o bien por medio de un DSP.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Si en una estructura existente no se pueden cumplir estas condiciones, deben preverse otras medi-
das de protección apropiadas.
B.16 Mejora de la alimentación y de la instalación de los cables en el interior de la estructura
Frecuentemente, en estructuras antiguas el sistema de distribución de potencia (ver la figura B.8,

nº 1) es el TN-C. Las interferencias a 50/60 Hz que provienen de la conexión con el conductor PE de
las líneas de señal conectadas a tierra, puede evitarse mediante:
a) interfaces aislantes empleando equipos eléctricos de Clase II o transformadores con doble aislación.
Esta puede ser una solución si sólo hay unos pocos equipos electrónicos (ver el apartado B.5);
b) cambiando el sistema de distribución a TN-S (ver la figura B.8, nº 2). Esta solución está recomen-
dada especialmente para sistemas de equipos electrónicos de gran extensión.
Se deben cumplir todos los requisitos de puesta a tierra, conexión equipotencial y trazado de las
líneas.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo C
(Informativo)
Selección y coordinación de los DPS
C.1 Introducción
Las descargas de los rayos en una estructura (fuente de daño S1), cerca de la estructura (S2), en un ser-
vicio conectado a la estructura (S3) y cerca de un servicio conectado a la estructura (S4) pueden producir
fallas o mal funcionamiento de los sistemas internos (ver 5.1 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).
Este anexo da información sobre la selección, instalación y coordinación del sistema de DPS. Puede
encontrarse información adicional en la IEC 61643-12 y en la IEC 60364-5-53 que tratan sobre la pro-
tección contra las sobrecorrientes y sus consecuencias, en el caso en que falle un DPS.
La falla debido a las ondas transitorias cuyo valor excede el nivel de inmunidad del equipo electrónico
no está cubierto en el objeto y campo de aplicación de la serie de IRAM 2184 / AEA 92305. Para el tra-
tamiento de este punto, el lector debe dirigirse a la IEC 61000-4-5.
Sin embargo, las ondas transitorias de los rayos producen, frecuentemente, fallas de los sistemas
eléctricos y electrónicos debido a la falla de la aislación o cuando las sobretensiones sobrepasan el ni-
vel de aislación en modo común del equipo.
El equipo está protegido si el nivel de la tensión nominal de impulso UW en sus terminales (modo común)
es mayor que la sobretensión transitoria entre los cables y tierra. Si no es así, debe instalarse un DPS.
Este DPS protegerá al equipo si su nivel efectivo de protección UP/F (nivel de protección obtenido
cuando la corriente nominal de descarga In circula añadiendo una caída de tensión U a los conduc-
tores de conexión) es más bajo que UW . Debe indicarse que si la corriente de descarga en el punto
donde está instalado el DPS excede el valor In del DPS, el nivel de protección UP será mayor, y el UP/F
puede superar el nivel resistido del equipo UW . En este caso el equipo no está protegido. De aquí que la
corriente nominal In del DPS debe seleccionarse igual o, mayor, que la corriente de descarga que pue-
de esperarse en ese punto de la instalación.
La probabilidad de que un DPS con UP/F  UW no proteja adecuadamente al equipo para el que se ha
seleccionado, es igual a la probabilidad de que la corriente de descarga en el punto en que se encuen-
tra instalado el DPS supere al valor de la corriente para el que se ha determinado UP.
La evaluación de las corrientes que se esperan en diferentes puntos de la instalación se indica en

el anexo E de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 y está basada en el NPR que se indica en la
IRAM 2184-2 / AEA 92305-2. Se requiere un análisis completo sobre la distribución de la corriente
cuando se considera el caso S1. El anexo D de esta norma da información adicional.
Se debe indicar que la selección de un DPS con valor bajo de UP (comparado con el del equipo UW ) da
lugar a un menor esfuerzo en el equipo que puede no dar lugar a una menor probabilidad de daño,
aunque sí a una mayor vida útil.
En la tabla B.3 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 se indican los valores de las probabilidades PDPS
en función del NPR.
NOTA. Los valores PDPS de los DPS que tienen mejores características de protección pueden determinarse a partir de la carac-
terística tensión-corriente.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Finalmente, si se desea una efectiva coordinación de los DPS, es importante aplicar la protección
tanto a los circuitos de potencia como de señal.
C.2 Selección de los DPS
C.2.1 Selección con respecto al nivel de protección de tensión
La selección del nivel de protección adecuado de un DPS depende de:
 la tensión resistida a impulso UW del equipo a proteger;
 el largo de los conductores que conectan el DPS;
 el largo y el trazado del circuito entre el DPS y el equipo a proteger.
La tensión resistida a impulso UW del equipo a proteger debe definirse para:
 los equipos conectados a las líneas de potencia, según las IEC 60664-1 e IEC 61643-12,
 los equipos conectados a las líneas de telecomunicación, según las IEC 61643-22, ITU-T K.20[3] y
K.21[4] y K.45[5],
 otras líneas y los terminales de los equipos según la información facilitada por el fabricante.
NOTA 1. El nivel de protección Up de un DPS está relacionado con la tensión residual para una corriente nominal definida
In. Para corrientes superiores o inferiores que pasen por el DPS, el valor de la tensión en los bornes del DPS cambiará de
manera acorde.
NOTA 2. El nivel de protección UP debe compararse con el nivel resistido UW del equipo, ensayado en las mismas condicio-
nes que el DPS (forma de onda de tensión y de corriente, energía, alimentación del equipo, etc.). Este tema está en estudio
en la IEC.
NOTA 3. Los equipos pueden contener DPS. Las características de estos DPS internos pueden afectar a la coordinación.
Cuando un DPS se conecta a un equipo a proteger, la caída de tensión inductiva U en los conducto-
res de conexión se sumará al nivel de protección UP del DPS. El nivel de protección resultante, UP/F,
definido como la tensión en la salida del DPS es el resultado del nivel de protección más la caída de
tensión en las conexiones (ver la figura C.1), y puede valorarse de la manera siguiente:
UP/F = Up + U para los DPS limitadores de tensión;
UP/F = máx. (Up, U) para los DPS de corte de tensión.
NOTA 4. Algunos DPS de corte de tensión pueden requerir que se añada a U , la tensión del arco. Esta tensión de arco pue-
de ser de algunos cientos de volts. Para combinaciones de DPS, pueden necesitarse fórmulas más complejas.
Cuando el DPS se instala en la línea de entrada en la estructura, debe considerarse U = 1 kV por me-
tro de largo. Cuando el largo de los conductores de conexión es menor o igual a 0,5 m, debe tomarse
UP/F = 1,2  UP. Cuando el DPS está sometido solo a ondas transitorias inducidas la U puede despre-
ciarse.
Durante el funcionamiento del DPS, la tensión entre los terminales del DPS está limitada a UP/F. Si el
largo del circuito entre el DPS y el equipo es muy grande, las ondas transitorias pueden producir un
fenómeno de oscilación en el caso de un circuito abierto en los terminales de los equipos, pudiendo al-
canzar la sobretensión hasta 2  UP/F, y pudiendo fallar el equipo incluso si UP/F  UW.
PARTE 4 IRAM 2184-4
En las IEC 61643-12 e IEC 60364-5-53, puede encontrarse información sobre conexión de los con-
ductores, configuraciones y niveles de los fusibles.
Además, las descargas de los rayos en la estructura o en tierra cerca de ella, pueden inducir, en el bu-
cle formado por el DPS y el equipo, una sobretensión Ul que hay que sumar a la UP/F, reduciéndose la
eficacia de la protección del DPS. Las sobretensiones inducidas aumentan con el tamaño del bucle
(trazado de la línea: largo del circuito, distancia entre el conductor PE y los conductores activos, bucles
entre líneas de potencia y de señal) y disminuye con la atenuación del campo magnético (apantalla-
miento espacial y/ó apantallamiento de las líneas).
NOTA 5. Para la evaluación de la sobretensión inducida Ul, se aplica el apartado A.4.
Los sistemas internos están protegidos si:
a) hay coordinación de energía con los DPS situados aguas arriba;
b) se cumple una de estas tres condiciones:
1) UP/F  UW : cuando el largo del circuito entre el DPS y el equipo es despreciable (caso típico de un
DPS conectado en los terminales del equipo);
2) UP/F  0,8 UW ; cuando el largo del circuito entre el DPS y el equipo no excede de 10 m (caso típi-
co de un DPS instalado en un armario de distribución o en un enchufe);
NOTA 6. Cuando las fallas de los sistemas internos pueden producir pérdidas de vidas humanas o pérdida de un servicio
público, se debe considerar la duplicación de la tensión debido a las oscilaciones y emplear como criterio UP/F  UW /2.
3) UP/F  (UW – Ul)/2; cuando el largo del circuito entre el DPS y el equipo es mayor que 10 m (caso
típico de un DPS instalado a la entrada de una estructura y en algunos casos en un armario de
distribución);
NOTA 7. En líneas de telecomunicación apantalladas, pueden aplicarse diferentes requisitos, debido a la pendiente del
[7]
frente de la onda. En el capítulo 10 del manual sobre rayos ITU-T se encuentra información sobre este tema.
Si existe el apantallamiento espacial de la estructura (o de las habitaciones) y/o de las líneas (me-
diante el empleo de cables apantallados o conductos metálicos), las sobretensiones inducidas Ul
normalmente son despreciables, pudiéndose no tener en cuenta en muchos casos.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Referencias
I Corriente parcial del rayo
Ul Sobretensión inducida
UP/F = UP + U Tensión de impulso entre el conductor activo y la barra equipotencial
UP Tensión limitada por el DPS
U = UL1+UL2 Caída de tensión inducida en los conductores equipotenciales
H, dH/dt Campo magnético y su derivada en el tiempo
NOTA. La tensión de onda transitoria UP/F, entre el conductor activo y la barra equipotencial es superior al nivel de protec-
ción Up del DPS, debido a la caída de tensión inductiva U en los conductores de equipotencialidad (incluso si los valores
máximos de UP y de U no aparecen necesariamente a la vez). Así, la corriente parcial del rayo que pasa por el DPS indu-
ce tensiones adicionales en el bucle en el lado protegido, detrás del DPS. Por lo tanto, la tensión máxima que pone en
peligro a los equipos puede ser bastante más alta que el nivel de protección Up del DPS.
Figura C.1 - Ondas de transitorias entre el conductor activo y la barra equipotencial
C.2.2 Selección en función de la localización y la corriente de descarga
Los DPS deben soportar, de acuerdo con el anexo E de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1, la corriente de
la descarga esperada en el lugar de la instalación. La utilización de los DPS depende de su resistencia,
capacidad que viene determinada para los sistemas de potencia en la IEC 61643-1 y para los siste-
mas de telecomunicación en la IEC 61643-21.
PARTE 4 IRAM 2184-4
La selección de la corriente nominal de descarga está influida por el tipo de configuración de la conexión
y por el tipo de la red de distribución de potencia. En las IEC 61643-12 e IEC 60364-5-53 pueden encon-
trarse más información sobres estos temas.
Los DPS se deben seleccionar en función del punto en que se desean instalar, de la manera siguiente:
a) A la entrada de la línea en la estructura (en el límite de la ZPR 1, por ejemplo, en el tablero de dis-
tribución principal):
1) DPS ensayados con Iimp (ensayo de Clase I)

El impulso de corriente requerido Iimp del DPS debe preverse para la corriente (parcial) del
rayo esperada en el punto de la instalación, en base al NPR seleccionado, según el aparta-
do E.2 (fuente de daño S1) y/o el apartado E.3.1 (fuente del daño S3) de la IRAM 2184-1 /
AEA 92305-1.
2) DPS ensayados con In (ensayo de Clase II)
Este tipo de DPS puede emplearse cuando las líneas entrantes se encuentran totalmente en la
ZPR 0B o cuando la probabilidad de fallas de los DPS debidos a las fuentes de daños S1 y S3
puede despreciarse. La corriente nominal de descarga requerida In del DPS debe preverse pa-
ra el nivel de la onda transitoria esperada en el punto de la instalación, en base al NPR y las
sobrecorrientes correspondientes, según el apartado E.3.2 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.
NOTA 1. El riesgo de falla de los DPS por causa de las fuentes de daño S1 y S3 pueden despreciarse, si el número
total de descargas en la estructura (ND) y en la líneas (NL) cumple con la condición ND + NL  0,01.
b) Cerca del aparato a proteger (en el límite de la ZPR 2 o superior, por ejemplo, en un tablero de dis-
tribución secundario o en una toma de corriente):
1) DPS ensayados con In (ensayo Clase II)

La corriente nominal de la descarga requerida In del DPS debe preverse para el nivel de la
onda transitoria esperada en el punto de instalación, en base al NPR seleccionado y a las
sobrecorrientes correspondientes, según el apartado E.4 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.
NOTA 2. En ese punto puede emplearse un DPS que cumpla con las características de ensayos de la clase I y de la clase II.
2) DPS ensayados con una onda combinada UOC (ensayo de Clase III)
Este tipo de DPS puede usarse cuando las líneas entrantes se encuentran totalmente en la
ZPR 0B o cuando la probabilidad de fallas de los DPS debidos a las fuentes de daños S1 y S3
puede despreciarse. La tensión del DPS requerida a circuito abierto UOC (para la que puede de-
terminarse la corriente de cortocircuito ISC, ya que el ensayo clase III se realiza con un
generador de onda combinada de 2  de impedancia) debe seleccionarse para el nivel de la
onda transitoria esperado en el punto de la instalación, en base al NPR y las sobrecorrientes
correspondientes, según el apartado E.4 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.
C.3 Instalación de un sistema de DPS coordinado
C.3.1 Generalidades
La eficacia de un sistema de DPS coordinado no solamente depende de la selección apropiada de los

DPS sino también de su instalación correcta. Los aspectos a tener en cuenta incluyen:
PARTE 4 IRAM 2184-4
 situación de DPS;
 conductores de conexión.
C.3.2 Punto de colocación de los DPS
El punto de instalación de los DPS debe cumplir con el apartado C.2.2 y está afectado en primer lugar
por:
 la fuente específica del daño, por ejemplo, descargas en una estructura (S1), en una línea (S2), a tie-
rra cerca de una estructura (S3), o a tierra cerca de una línea (S4),
 la oportunidad más próxima para dispersar la corriente a tierra (lo más cerca posible al punto de en-
trada de una línea en la estructura).
El primer criterio a tener en cuenta es: cuanto más próximo al punto de entrada de la línea se encuentre
el DPS, mayor número de aparatos situados en la estructura estarán protegidos por el DPS (criterio
económico). Después debe realizarse el segundo criterio: cuanto más próximo al equipo a proteger se
encuentre el DPS, más efectiva será la protección (criterio técnico).
C.3.3 Conductores de conexión
La sección de los cables de conexión de los DPS debe tener una sección mínima a la que se indican
en la tabla 1.
C.3.4 Coordinación de los DPS
En un sistema de DPS coordinados, la cascada de los DPS necesita coordinarse en energía de

acuerdo con las IEC 61643-12 y/o IEC 61643-22. Con este fin, el fabricante debe dar información sufi-
ciente para conseguir la coordinación por energía de los DPS.
C.3.5 Procedimiento de instalación de un sistema de DPS coordinados
Un sistema de DPS coordinados debe instalarse de la forma siguiente:
 A la entrada de la línea en la estructura (en la frontera de la ZPR 1, por ejemplo, en el armario de

control) instalar un SPD1 que cumpla con los requisitos del apartado C.2.2.
 Determinar el nivel de tensión resistida a impulso, UW , del sistema interno a proteger.
 Seleccionar el nivel de protección, UP1, del DPS 1.
 Comprobar que se cumplen los requisitos del apartado C.2.1.
Si se cumplen estos requisitos, el equipamiento está correctamente protegido por el DPS 1. En caso
contrario, se necesitaría un DPS 2 adicional.
 Si es necesario este DPS 2, se instalará lo más cerca posible del equipo (en el límite de la ZPR 2, por
ejemplo en los puntos SB o SA) debiendo cumplir con los requisitos del apartado C.2.2 y estando co-
ordinado en energía con el DPS 1 situado aguas arriba.
 Seleccionar el nivel de protección UP2 del DPS 2.

PARTE 4 IRAM 2184-4
 Comprobar que se cumplen los requisitos del apartado C.2.1.
Si se cumplen estos requisitos, el equipamiento está correctamente protegido por DPS 1 y DPS 2.
 Además, cerca del equipo (por ejemplo, en el enchufe SA), se necesitan DPS 3 adicionales que
cumplan los requisitos del apartado C.2.2 y estén coordinados en energía con los DPS 1 y DPS 2,
situados aguas arriba (ver C.2.3).
 Comprobar que se cumple que UP/F3  UW (ver C.2.1).
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo D
(Informativo)
Factores a tener en cuenta en la selección de los DPS
D.1 Introducción
Iimp, Imáx. e In son los parámetros de ensayo empleados en los ensayos de las clases I y clases II. Están
relacionadas con los valores máximos de las corrientes de las descargas que se espera que ocurran
para el nivel de probabilidad del NPR, en el punto de instalación del DPS en el sistema. Imáx. está aso-
ciada con el ensayo de la clase II e Iimp con el de clase I.
De acuerdo con la futura IEC 61643-11[8], los valores preferenciales de Iimp, Q, W/R son los que se
indican en la tabla D.1.
Tabla D.1  Valores preferentes de Iimpa
Iimpb
1 2 5 10 12,5 c 20 25
(kA)
Q (C) 0,5 1 2,5 5 6,25 c 10 12,5
c
W/R (kJ/) 0,25 1 6,25 25 39 100 156
a
La tabla D.1 hace referencia a los DPS conectados línea/neutro (conexión CT 1).
b
En general Iimp está asociada con formas de ondas más largas (por ejemplo 10/350 s) que las de Imáx.
c
Ver la IEC 60364-5-53:2001.
D.2 Factores que determinan los esfuerzos soportados por los DPS
El esfuerzo a que está sometido un DPS bajo las condiciones de las ondas transitorias, es función de
muchos y complejos parámetros interrelacionados. Estos incluyen:
 situación del DPS en la estructura - ver la figura D.1;
 método de acoplamiento del impacto del rayo a las instalaciones (ver la figura D.2) – por ejemplo,
vía un impacto directo a SPCR de la estructura (S1), o vía inducción en el cableado que entra en
el edificio por un impacto cercano (S2), o en los servicios que alimentan a la estructura (S3 y S4);
 distribución de la corriente en la estructura – por ejemplo, ¿qué porción de la corriente del rayo va al
sistema de puesta a tierra y qué porción se distribuye por tierras remotas vía servicios que entran en
la estructura, tales como sistemas de distribución de potencia, tuberías metálicas, sistemas de tele-
comunicación, etc., y por las conexiones equipotenciales de los DPS?;
 la resistencia y la inductancia de los servicios que entran en la estructura, ya que modifican las rela-
ciones de distribución de la corriente de cresta I y la carga Q;
 servicios metálicos adicionales y conectados a las instalaciones – portarán una parte de la corriente
del rayo, reduciendo la porción de la corriente que circula a través del sistema de distribución, vía las
conexiones equipotenciales de los DPS. Se debe prestar atención a la permanencia de estos servi-
cios debido a su posible reemplazo por partes no conductoras;
PARTE 4 IRAM 2184-4
 forma de onda considerada – si no es posible considerar simplemente el valor de cresta de la co-

rriente que el DPS tiene que soportar en condiciones de ondas transitorias, se debe considerar la
forma de onda de estas ondas (por ejemplo 10/350 s, cubre la corriente total y parcial del rayo,
mientras que la 8/20 s cubre la corriente inducida) y la carga total Q;
 cualquier estructura adicional que esté conectada a la estructura primaria vía servicio de potencia,
ya que afectará a la distribución de la corriente del rayo.
Referencias
1 Origen de la instalación 7 Equipo fijo a proteger
2 Tablero de distribución 8 DPS, ensayado como clase II
3 Tomacorrientes de distribución 9 DPS, ensayado como clase II o III
4 Terminal o barra de la puesta a tierra principal 10 Elemento desacoplador o largo de línea
5 DPS enyasado como clase I o II F1, F2, F3 Desconectores de protección de sobreintensidades
6 Conexión a tierra (conductor de tierra) del DPS
NOTA. Para más información ver la IEC 61643-12.
Figura D.1  Ejemplo de instalación de DPS de las clases I, II y III
PARTE 4 IRAM 2184-4
Figura D.2 - Ejemplo básico de las diferentes fuentes de daños por rayos en una
estructura y distribución de la corriente
D.3 Cuantificación estadística del nivel de amenaza de un DPS
D.3.1 Generalidades
Se han llevado a cabo muchos intentos para cuantificar el ambiente eléctrico y el nivel de amenaza
que experimentará un DPS en diferentes puntos de una estructura. Por ejemplo, a la entrada de un
servicio en una estructura, el nivel de la amenaza sobre el DPS depende del NPR elegido en función
de la valoración del riesgo de la estructura realizada con el fin de limitar el citado riesgo a un valor to-
lerable (ver el capítulo 6 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).
Esta norma da por supuesto que bajo un NPR I la magnitud del impacto directo (S1) sobre el SPCR de
la estructura puede ser tan alto como 200 kA con una forma de onda de 10/350 s (ver 8.1 y el anexo A
de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1). Sin embargo, mientras que el DPS debe seleccionarse para cumplir
con los requisitos del NPR I, de acuerdo con la valoración del riesgo, hay otros factores que pueden
afectar a la magnitud de la corriente del rayo a la que está sometido el DPS.
D.3.2 Factores de las instalaciones que afectan a la distribución de corrientes
Cuando no se ha realizado un cálculo específico de la distribución de la corriente (ver el apartado E.2

de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1), de manera general se considera que el 50% de la corriente es
conducida desde el edificio al sistema de puesta a tierra, y que el otro 50% retorna a través de las
conexiones equipotenciales de los DPS. Esto significa para un NPR I que la parte de la corriente de
la descarga inicial de 200 kA a la que está sometido cada DPS, Iimp, es de 25 kA en un sistema de
distribución de potencia de tres fases más neutro - ver la figura D.3.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Figura D.3 - Ejemplo básico de distribución de la corriente
Sin embargo, si los tres servicios metálicos alimentan a la estructura, y se adopta el modelo del apartado
E.2 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1, la corriente total, Iimp, de cada conexión equipotencial de los
DPS, en el sistema trifásico, vale 8,3 kA.
La distribución de la corriente del rayo en un sistema de distribución trifásico está muy influida por la
puesta a tierra de los servicios que entran en la estructura. Por ejemplo, en un sistema de distribución
TN-C con múltiples conexiones a tierra del neutro, se obtiene un valor de impedancia más directo e infe-
rior que el paso a tierra que da un sistema de distribución TT.
Las consideraciones simplificadas sobre la distribución de la corriente son útiles a la hora de considerar
el nivel de amenaza que puede experimentar un DPS, pero es importante tener en cuenta las conside-
raciones realizadas. Además, se ha considerado que la forma de onda de la corriente que circula por el
DPS es la misma de la corriente de la descarga inicial, aunque, en realidad, la forma de onda se ha alte-
rado por la impedancia del cableado del edificio, etc.
Para una correcta selección del DPS las simulaciones en el ordenador pueden ser una herramienta útil a
fin de considerar estos factores. Con el fin de evaluar la dispersión de la corriente del rayo en un sistema
complejo, es necesario convertir el sistema real, como se indica en el ejemplo de la figura D.2, en un cir-
cuito eléctrico equivalente.
Muchas normas han buscado la base de sus consideraciones sobre la amenaza a la que puede estar
sometido un DPS en experiencias obtenidas a lo largo del tiempo. La tabla 2 de la IRAM 2184-1 /
AEA 92305-1, básicamente, está basada en experiencias en el campo (ver la serie de IEEE C62.41[9]).
D.3.3 Consideraciones en la selección de los valores nominales de los DPS: Iimp, Imáx, In, UOC
De lo anterior, se deduce que la selección de los valores nominales apropiados de un DPS, Iimp, Imáx, In,
UOC depende de muchos parámetros complejos e interconectados.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Es importante tener en cuenta que el riesgo de daños por ondas transitorias en un sistema interno situa-
do en una estructura y que provienen de:
a) efectos inducidos en las líneas de potencia, teléfono y datos (S4);
b) acoplamientos IEMR por impactos de rayos en la proximidades de las estructura (S2);
pueden, frecuentemente, ser superiores a los debidos a los efectos de las ondas transitorias que
producen los impactos directos a la estructura (S1) o en las líneas (S3).
Muchos edificios no necesitan protección contra los impactos directos en la estructura o sobre las líne-
as entrantes, por lo que no es necesario el empleo de un DPS de clase I, mientras que puede ser
apropiado el empleo de un DPS de clase II.
De manera general, el planteamiento debe ser el de emplear un DPS de clase I cuando intervienen las
corrientes totales o parciales del rayo (S1/S3) y un DPS de clase II para los efectos inducidos
(S2/S4).
Cuando se asumen estas complejidades, hay que tener en cuenta que el aspecto más importante en la
selección de un DPS es la tensión limitada de funcionamiento mientras dura la onda transitoria así co-
mo la energía que puede soportar, (Iimp, Imáx, In, UOC), (ver la nota 4 que sigue a la tabla B.7 en la
IRAM 2184-2 / AEA 92305-2).
Un DPS, de corriente nominal In y con una tensión limitada menor al valor de la tensión resistida por el
equipo, dan protección al equipo, siempre que se consideren los factores externos que generan tensio-
nes aditivas (caídas de tensión en las conexiones, fenómenos oscilantes e inductivos). Por el contrario,
un DPS con nivel de energía superior al necesario en el punto de la instalación puede dar lugar a que
tenga una vida operativa más larga. Sin embargo, un DPS con una tensión límite inferior, si se instalan
en sistemas de potencia regulados precariamente, puede ser más susceptible a posibles daños debi-
dos a sobretensiones temporarias (TOV).
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo E
(Informativo)
Bibliografía IEC 62305-4:2010
[1] IEC 60364-4-44, Low-voltage electrical installations. Part 4-44: Protection for safety. Protection
against voltage disturbances and electromagnetic disturbances.
[2] IEC 61000 (todas las partes), Electromagnetic compatibility (EMC).
[3] ITU-T Recommendation K.20:2008, Resistibility of telecommunication equipment installed in a

telecommunications centre to overvoltages and overcurrents.
[4] ITU-T Recommendation K.21:2003, Resistibility of telecommunication equipment installed in

customer premises to overvoltages and overcurrents.
[5] ITU-T Recommendation K.45:2003, Resistibility of telecommunication equipment installed in the

access and trunk networks to overvoltages and overcurrents.
[6] IEC 61000-5-2:1997, Electromagnetic compatibility (EMC). Part 5-2: Installation and mitigation
guidelines. Earthing and cabling.
[7] ITU-T Lightning handbook:1994, The protection of telecommunication lines and equipment
against lightning discharges. Chapter 10.
[8] IEC 61643-11: Low-voltage surge protective devices. Part 11: Surge protective devices connected
to low-voltage power distribution systems. Performance requirements and testing methods.
[9] IEEE C62.41:1991, Recommended practice on surge voltages in low-voltage ac power circuits.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo F - AEA-IRAM
(Informativo)
Bibliografía
En el estudio de esta norma se han tenido en cuenta los antecedentes siguientes:
AEA - ASOCIACIÓN ELECTROTÉCNICA ARGENTINA

IRAM - INSTITUTO ARGENTINO DE NORMALIZACIÓN Y CERTIFICACIÓN
IRAM de Emergencia 2184-4:2011 / AEA 92305-4:2011 - Protección contra los rayos.
Parte 4: Sistemas eléctricos y electrónicos en estructuras.
IEC - INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION

IEC 62305-4:2010 - Protection against lightning. Part 4: Electrical and electronic systems
within structures.
NOTA AEA-IRAM. En la página web de IEC se puede encontrar una lista de todas las partes de la serie de
IEC 62305, bajo el título general Protection against lightning.
AENOR - ASOCIACIÓN ESPAÑOLA DE NORMALIZACIÓN Y CERTIFICACIÓN

UNE-EN 62305-4:2011 - Protección contra el rayo. Parte 4: Sistemas eléctricos y electró-
nicos en estructuras.
UNE-EN 62305-4:2011 Erratum:2012 - Protección contra el rayo. Parte 4: Sistemas eléc-
tricos y electrónicos en estructuras.
NOTA AEA-IRAM. Para la elaboración de esta norma IRAM / reglamentación AEA se tomó como texto básico
la norma UNE-EN 62305-4:2011 antes citada, la que se confrontó con la IEC 62305-4:2010, utilizada como
referencia principal de normalización, para obtener una versión argentina modificada de la IEC, tal como lo
especifica la guía ISO-IEC 21-1:2005.
PARTE 4 IRAM 2184-4
Anexo G - AEA-IRAM
(Informativo)
Integrantes de los organismos de estudio
El estudio de esta norma ha estado a cargo de los organismos respectivos, integrados en la forma
siguiente:
Subcomité de Protección contra rayos (Conjunto AEA-IRAM)
Integrante Representa a:
Ing. Jorge E. BLURO ESTUDIO ING. BLURO

Sr. Guillermo CACABELOS EUCA S.R.L.
Sr. Eduardo CÓRDOBA INVITADO ESPECIALISTA
Ing. Roberto DADATTO UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA NACIONAL (UTN) -
FACULTAD REGIONAL ROSARIO
Ing. ROBERTO DI VIRGILIO INVITADO ESPECIALISTA
Ing. Jorge GIMÉNEZ INSTITUTO DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS Y
TÉCNICAS PARA LA DEFENSA (CITEDEF)
Ing. Ricardo GRUNAUER INSTELEC INGENIERÍA ELÉCTRICA S.R.L.
Ing. Roberto KRETSCHMAYER DALKIA ARGENTINA S.A.
Lic. M. Gabriela NICORA INSTITUTO DE INVESTIGACIONES CIENTÍFICAS Y
TÉCNICAS PARA LA DEFENSA (CITEDEF)
Ing. Alejandro OGHIEVSKI INVITADO ESPECIALISTA
Ing. José OREB ASOCIACIÓN ELECTROTÉCNICA ARGENTINA (AEA)
Ing. Víctor OSETE ASOCIACIÓN ELECTROTÉCNICA ARGENTINA (AEA)
Ing. Daniel PEPE TOTAL AUSTRAL S.A.
Ing. Jorge PUJOLAR ASOCIACIÓN ELECTROTÉCNICA ARGENTINA (AEA)
Ing. Ángel REYNA ASOCIACIÓN ELECTROTÉCNICA ARGENTINA (AEA)
Ing. Héctor SOIBELZON TECNOLATINA S.A.
Ing. Gustavo VATTUONE COPITEC / GEMAX SRL
Ing. Jorge VIÑUELA ORGANISMO REGULADOR DE AEROPUERTOS
(ORSNA)
Sr. Juan R. ZABALA JUAN R. ZABALA Y ASOCIADOS
Ing. Juan Carlos ARCIONI IRAM
Comité General de Normas (C.G.N.)
Integrante
Ing. Juan C. ARCIONI

Ing. Roberto BARNEDA
Dr. Mario PECORELLI
Ing. Raúl DELLA PORTA
PARTE 4 IRAM 2184-4

Aea 92305-4

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El usuario de este Documento es responsable de verificar la vigencia, aclaraciones, adendas y corrigendas en ww.aea.org.

Asociación Electrotécnica Argentina - AEA

Ing. OSETE , Víctor

Presidente Ing. Ángel REYNA

Miembros Permanentes Sr. Guillermo CACABELOS

Ing. Roberto DADATTO

Ing. Roberto DI VIRGILIO

Ing. Jorge GIMÉNEZ

Ing. Ricardo GRUNAUER

Ing. Roberto KRETSCHMAYER

Lic. M. Gabriela NICORA

Ing. Alejandro OGHIEVSKI

Ing. Víctor OSETE

Ing. Daniel PEPE

Ing. Jorge PUJOLAR

Ing. Héctor SOIBELZON

Ing. Jorge VIÑUELA

(IEC 62305-4:2010, MOD)

* Corresponde a la revisión de la tercera edición, a la que esta cuarta edición

Prefacio AEA Prefacio IRAM

Asimismo la AEA es miembro de los organismos siguientes:

Electriques a Haute Tension (CIGRE)

 Asociación para la Promoción de la Seguridad Eléctrica

Prefacio AEA IRAM

y el Instituto Argentino de Normalización y Certificación (IRAM).

 Las modificaciones incorporadas por el subcomité AEA-IRAM.

Este documento reemplaza a la norma IRAM de Emergencia 2184-4:2011 / AEA 92305-4:2011.

1 OBJETO Y CAMPO DE APLICACIÓN ........................................................................ 6

9 GESTIÓN DE UN SMPI ............................................................................................. 29

Anexo A (Informativo) Elementos básicos para la evaluación del ambiente

electromagnético en una ZPR ....................................................................... 33

Anexo B (Informativo) Implantación del SMPI en una estructura existente ................ 59

Anexo C (Informativo) Selección y coordinación de los DPS ...................................... 77

Anexo D (Informativo) Factores a tener en cuenta en la selección de los DPS .......... 84

Anexo E (Informativo) Bibliografía IEC 62305-4:2010 ................................................. 89

Anexo F - AEA-IRAM (Informativo) Bibliografía ............................................................. 90

Anexo G - AEA-IRAM (Informativo) Integrantes de los organismos de estudio ........... 91

Protección contra los rayos

ior de la propia estructura:

en el terreno cerca de las líneas, y son

– las ondas transitorias internas a la estructura

eléctricos; la estructura o en el terreno próximo.

El acoplamiento se puede producir por diferen-

impedancia de puesta a tierra del sistema de

didas de protección para reducir el riesgo de los

por la inductancia de los conductores equipoten- ADVERTENCIA AEA-IRAM. A juicio de la

Esta norma no cubre la protección contra las in-

tas por la IEC 60364-4-44 [1]1) y la serie de las

nes mínimas para componentes equipo-

 Se ha introducido el primer impulso negativo electrónico y el diseñador de las medidas de

tromagnética de daños en sistemas internos. mo de efectividad en la protección.

 La selección de DPS con respecto al nivel

Esta norma no trata sobre los detalles de diseño

ra tener en cuenta los fenómenos de

2 DOCUMENTOS NORMATIVOS PARA

Todo documento normativo que se menciona a

Cuando en el listado se mencionan documen- IEC 61643-1:2005 - Low-voltage surge protective

IEC 60364-5-53:2001 - Electrical installations of

electrical equipment - Isolation, switching and los términos y definiciones incluidos en la

IEC 60664-1:2007 - Insulation coordination for

mentación a baja tensión.

compatibility (EMC) - Part 4-5: Testing and 3.2 sistema electrónico

sensibles tales como equipos de comunicación,