TALLER #4

Estudiante: Kristhian Santiago Palomino Fajardo

Docente: Carlos Vargas Hernández

Universidad Nacional de Colombia Sede Manizales

Facultad de ciencias exactas y naturales
Estado sólido
10/07/2023
Introducción
En este informe se abordarán dos aspectos fundamentales relacionados con el silicio y su
comportamiento electrónico. En primer lugar, se analizará la densidad de estados en la banda
de valencia y la banda de conducción del silicio, que son regiones de energía clave para
comprender las propiedades electrónicas de este material semiconductor. En segundo lugar, se
graficará la función de energía de Fermi, que representa el nivel máximo de energía ocupado
por los electrones en el silicio a una temperatura determinada.

Explicación
En el taller realizado en Mathcad, se utilizaron las ecuaciones y cálculos pertinentes para
determinar la densidad de estados en la banda de valencia y la banda de conducción del
silicio. Estas bandas son importantes para comprender la capacidad de conducción eléctrica
del silicio, ya que la banda de valencia contiene electrones fuertemente ligados a los átomos y
la banda de conducción permite el movimiento libre de los electrones.

Además, se graficó la función de energía de Fermi para el silicio. Esta función proporciona
una representación visual del nivel de energía máximo ocupado por los electrones en el silicio
a una temperatura dada. La representación gráfica de la función de energía de Fermi ayuda a
comprender la distribución de los estados electrónicos y su relación con las propiedades
eléctricas del silicio.

En resumen, a través del uso de Mathcad, se calcularon la densidad de estados en la banda de

valencia y la banda de conducción del silicio, y se graficó la función de energía de Fermi para
este material.

Cálculos y resultados
Calcularemos la densidad de estados de la banda de valencia y banda de conducción para el
silicio.
Primero definiremos algunas variables, donde

me : Masa del electrón Ttemp : Temperatura mp : Masa efectiva de portadores

mn : Masa efectiva de huecos Eg : Energía del gap ni : Portadores intrínsecos

me ≔ 9.11 ⋅ 10 -31 ⋅ kg Ttemp ≔ 300 ⋅ K mp ≔ 0.81 ⋅ me mn ≔ 1.18 ⋅ me

eV ≔ 1.602 ⋅ 10 -19 ⋅ J Eg ≔ 1.1 ⋅ eV = ⎛⎝1.762 ⋅ 10 -19⎞⎠ J

Haciendo uso de las ecuaciones presentadas por el profesor en clase, calcularemos

las densidades, donde

Nc : Densidad de banda de conducción Nv : Densidad de banda de valencia

3
―
2 3
⎛ mn ⎞ ―
1
Nc ≔ 2 ⋅ ⎜――― ⎟ ⋅ ⎛⎝k ⋅ Ttemp⎞⎠ 2 = ⎛⎝3.217 ⋅ 10 19⎞⎠ ――
2
⎝2⋅π⋅ℏ ⎠ cm 3
 3
―
2 3
⎛ mp ⎞ ―
1
Nv ≔ 2 ⋅ ⎜――― ⎟ ⋅ ⎛⎝k ⋅ Ttemp⎞⎠ 2 = ⎛⎝1.83 ⋅ 10 19⎞⎠ ――
2
⎝2⋅π⋅ℏ ⎠ cm 3
3
― ⎛ -Eg ⎞
3
⎛ k ⋅ Ttemp ⎞ 2 ― ⎜――――⎟
1
ni ≔ 2 ⋅ ⎜――― ⎟ ⋅ ⎛⎝mn ⋅ mp⎞⎠ 4 ⋅ e ⎜⎝ 2 ⋅ k ⋅ Ttemp ⎟⎠ = ⎛⎝1.401 ⋅ 10 10⎞⎠ ――
2
⎝2⋅π⋅ℏ ⎠ cm 3

Podemos comprobar este valor, haciendo uso de la siguiente fórmula, como

1
―
⎛ ⎛ -Eg ⎞⎞ 2
⎜―――⎟
1
ni2 ≔ ⎜⎝Nc ⋅ Nv ⋅ e ⎜⎝ temp ⎟⎠⎟⎠ = ⎛⎝1.401 ⋅ 10 10⎞⎠ ――
k⋅T

cm 3

Para el cálculo de la energía de fermi que está en función de Ev y Ec, lo que haremos es tomar
como punto de refencia Ev=0, por lo que
⎛⎝Eg⎞⎠
Tvec ≔ 0 , 100 ‥ 1000 Ef ≔ ―― = ⎛⎝8.811 ⋅ 10 -20⎞⎠ J
2

⎛ k ⋅ Tvec ⋅ K ⎛ Nv ⎞⎞ 1
Ef ⎛⎝Tvec⎞⎠ ≔ ⎜Ef + ―――― ⋅ ln ⎜―― ⎟⎟ ―――――
⎝ 2 ⎝ Nc ⎠⎠ 1.602 ⋅ 10 ⋅ J
-19

Ef ((0)) = 0.55 Ef ((300)) = 0.543

Ahora graficamos la energía de fermi en función de la temperatura

Conclusiones
1. La densidad de estados en la banda de valencia y la banda de conducción del silicio
muestra características distintivas. En la banda de valencia, se observa una alta densidad de
estados, lo que indica que la mayoría de los electrones están fuertemente ligados a los átomos
y no pueden participar en la conducción eléctrica. Por otro lado, la banda de conducción
presenta una baja densidad de estados, lo que permite la existencia de electrones libres que
contribuyen a la conductividad eléctrica del silicio.

2. La función de energía de Fermi graficada para el silicio revela la posición del nivel de
Fermi en relación con la banda de valencia y la banda de conducción. En el caso del silicio, el
nivel de Fermi se encuentra dentro de la banda de valencia, lo que indica que el material se
comporta como un semiconductor intrínseco.

Bibliografía
Fermi Energies, Solid Properties. (s/f). Gsu.edu. Recuperado el 8 de julio de 2023, de http://
hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/Tables/fermi.html