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OBJETIVOS:
CRONOGRAMA DE ACTIVIDADES
PRIMER SEMESTRE 2022
5 (Sept 19-23) 2
9 (Oct.17-21) 5 15%
ENTREGA DEL
LABORATORIO 4
10(Oct. 24-28) 5
11 (Oct 31 Nov.4) 6 ENTREGA DEL 15%
LABORATORIO 5
12 (Nov 7-111) 6
13 (Nov 14-18) 6 20%
ENTREGA
LABORATORIO 6
14(Nov 21-25) 7
.
4.En el informe deben aparecer los siguientes ítems: 1) Objetivos. 2) Análisis preliminar.3)
Planificación.
5. Por lo menos, una de las referencias bibliográficas debe encontrarse en la biblioteca de la
UFPS.
7. No se aceptan trabajos individuales
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OBJETIVOS
1. Verificar la operación del circuito resistivo-inductivo, conmutado a alta frecuencia.
2. Describir el funcionamiento del circuito de mando para activar los transistores de
potencia.
3. Describir la operación del circuito conmutado con el mosfet IRF 530.
4. Describir la operación del circuito conmutado IGBT ultrarrápido (GBC20U).
5. Describir la operación del circuito conmutado BJT (TIP 33C).
ANÁLISIS PRELIMINAR
1.Determinar de la data sheet de cada transistor, los valores nominales significativos:
voltaje y corriente nominales, rango de frecuencias de operación como interruptores, caídas
de voltaje en conducción, voltaje umbral, tiempos de encendido y apagado, capacitancias
de entrada, resistencias térmicas, etc.
2. Estudiar el funcionamiento de los circuitos de disparo del BJT, Mosfet, e IGBT.
3. Determinar el voltaje, la frecuencia, y la forma de onda del generador de señal, que se
debe conectar en el circuito de mando (GEN). Justificar la respuesta.
4. Analizar los modelos circuitales de los transistores BJT, Mosfet, e IGBT.
5. Dibujar los diagramas circuitales de estudio, para la conmutación con cada uno de los
transistores. Indicar en este circuito donde y como se mide la corriente promedio, el rizado
de corriente y el valor medio del voltaje en la carga.
PLANIFICACIÓN
Se adjunta una fotografía, del tablero de transistores de potencia de LAB VOLT con el cual
se ejecutará la práctica.
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Se pide:
a) Identificar los bornes de alimentación del tablero, a los cuales se conectará la fuente de
15 V, 3A.
b) Identificar en el bloque del circuito de mando, los terminales a donde se conectará el
generador de señales.
c) Identificar las características de la carga R-L-C, del bloque de carga del tablero.
d) Dibujar el diagrama circuital con modelos ideales, de un carga resistiva-inductiva de
valor R=12Ω y L=577 μH , alimentado con una fuente CD de 15 V, y conmutado por un
mosfet IRF 530, y calcular el valor de la corriente. ¿Cuál es el valor de la relación de
trabajo(D), que se utiliza? A la carga se debe conectar un diodo en antiparalelo. Consultar
en el libro texto, en la unidad I, el apartado 1.8.4.
e) ¿Cómo determinar la forma de onda de la corriente para cada uno de los transistores a
estudiar?
EJECUCIÓN
1.Conectar la fuente de potencia(15 V,3ª) al tablero LAB-VOLT
2. Conectar el generador de señales en el bloque del circuito de mando.
3. Conectar al bloque del Mosfet: a) La salida del circuito de mando (DR); b)La carga
resistiva-inductiva (R=12Ω y L=577 μH ¿, c)Un osciloscopio a los terminales del Mosfet;
d)Un multímetro para medir el valor promedio del voltaje en la carga y en el resistor R2 ,
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para medir la corriente en el circuito. Anotar los valores de voltaje y fotografiar la forma de
onda del voltaje en el mosfet, y en el resistor R2
4. Repetir el paso anterior con el bloque del BJT.
5. Repetir el paso anterior con el bloque del IGBT.
EVALUACIÓN.
1) Tabular los valores de corriente, para cada uno de los transistores estudiados y
compararlos con el valor teórico calculado en la planificación.
2) De las fotografías de los voltajes de cada uno de los transistores, determine cuál es el
más rápido.
CONCLUSIONES
1. Responder las siguientes preguntas:
a) ¿Cuál es la función del C.I. A3101 en el circuito de mando?
b) ¿Cuál es la función de la red paralela R-C, del circuito de mando?
b) Describir el funcionamiento del circuito de mando.
c) ¿Cuál es la función del diodo zener, que se conecta en la compuerta del mosfet y del
IGBT?
d) ¿Por qué se ubican unos diodos en el bloque de carga, del tablero?
2. Comparar el comportamiento del mofet, el BJT, y el IGBT.
3.Justificar las diferencias entre el valor teórico y el experimental obtenido, con cada uno
de los transistores estudiados
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OBJETIVOS
a) Diseñar el circuito de activación PWM,para el transistor de un convertidor elevador no
aislado,que trabaja con una relación de trabajo de 0.8.
b) Diseñar un circuito de activación PWM, para una rama de un puente H de mosfets,
utilizando el CI SG 3525, y el driver IR2110, para alimentar una carga de voltaje variable
0-30 V,1 A, de 100 KHz, a partir de una fuente de 60 V, 3 A.
ANÁLISIS PRELIMINAR:
a) Descargar de Internet el data-sheet del SG3525 y del IR2110
b) Estudiar la operación del SG 3525 y responder las siguientes preguntas:1) ¿Cuáles son
los pines de alimentación del circuito?.2) ¿Cómo se varía la relación de trabajo de los
transistores de salida? 3) ¿Cuál es el valor mínimo y el máximo de la relación de trabajo,de
cada una de las salidas del SG3525 ? 4) ¿Cómo es la relación matemática, entre el voltaje
del pin1, y la relación de trabajo de los transistores? 5)¿Cómo se debe modificar el circuito
de salida para activar el transistor de un convertidor elevador no aislado, que trabaja con
una relación de trabajo de 0.8?
c) Estudiar la operación del driver IR2110, y responder las siguientes preguntas: 1) ¿Cuáles
son los pines de alimentación del circuito? .2) ¿Cómo se determina el valor del capacitor
Bootstrap?
d) Estudiar el diseño del circuito snubber de encendido y apagado de los mosfet.
Se adjunta un material complementario del SG3526, y del IR2110 que ayuda a la
comprensión del funcionamiento de estos circuitos
PLANIFICACIÓN:
1) Dibujar el diagrama de conexiones de potencia y el de disparo, para alcanzar el objetivo.
2) Simular la operación del SG 3525 para D=0,2 en el transistor de alta y mostrar la forma
de onda del voltaje de salida en los pines 11 y 14
3) Elaborar el programa de mediciones para: Voltaje en la carga, Relación de trabajo,
Voltaje en el pin 1 del SG3525.Tomar 5 medidas.
4)a) Diseñar el circuito activador para los mosfet de una rama de un puente H ,para
alimentar una carga de voltaje variable de 0 a 30 V, con un SG3525,que permita modificar
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manualmente la relación de trabajo, desde 0 a 0.5, para una frecuencia de 100 KHz. b)
Modificar el circuito anterior para ajustar automáticamente la relación de trabajo, para
mantener un voltaje constante en la carga.
5)Simular el circuito anterior. Capturar las formas de onda del voltaje y corriente en la
carga
6) Diseñar y simular el snubber del mosfet. Obtener las formas de onda de voltaje y
corriente en el transistor, con y sin snubber
7)Dibujar el diagrama de conexiones del SG 3525, del driver IR 2110 y de los transistores,
Realizar el cálculo de los valores de voltaje y corriente en la carga, y compararlos con los
obtenidos en la simulación.
Simular el circuito de la figura 4 (Diagrama de conexiones para generar manualmente
diferentes relaciones de trabajo), y responder las siguientes preguntas:
EJECUCIÓN:
Elaborar el programa de mediciones: Voltaje en la carga, Relación de trabajo, Voltaje en el
pin 1 del SG3525.
Responder las preguntas formuladas por el instructor sobre la operación del circuito de
control y el driver utilizado
Armar el circuito del puente H
EVALUACION
Comparar los resultados teóricos y de la simulación, con los obtenidos experimentalmente.
Explicar y justificar las formas de onda en cada uno de los devanados del convertidor push-
pull.
CONCLUSIONES.
Responder las preguntas propuestas, para el diagrama de conexiones del SG3526, mostrado
al final de la data-sheet del circuito.
The SG3525A, SG3527A pulse width modulator control circuits offer improved
performance and lower external parts count when implemented for controlling all types of
switching power supplies. The on–chip +5.1 V reference is trimmed to ±1% and the error
amplifier has an input common–mode voltage range that includes the reference voltage,
thus eliminating the need for external divider resistors. A sync input to the oscillator
enables multiple units to be slaved or a single unit to be synchronized to an external system
clock. A wide range of deadtime can be programmed by a single resistor connected
between the CT and Discharge pins. These devices also feature built–in soft–start circuitry,
requiring only an external timing capacitor. A shutdown pin controls both the soft–start
circuitry and the output stages, providing instantaneous turn off through the PWM latch
with pulsed shutdown, as well as soft–start recycle with longer shutdown commands. The
under voltage lockout inhibits the outputs and the changing of the soft–start capacitor when
VCC is below nominal. The output stages are totem–pole design capable of sinking and
sourcing in excess of 200 mA. The output stage of the SG3525A features NOR logic
resulting in a low output for an off–state while the SG3527A utilized OR logic which gives
a high output when off.
• 8.0 V to 35 V Operation
• 5.1 V ± 1.0% Trimmed Reference
• 100 Hz to 400 kHz Oscillator Range
• Separate Oscillator Sync Pin
• Adjustable Deadtime Control
• Input Undervoltage Lockout
• Latching PWM to Prevent Multiple Pulses
• Pulse–by–Pulse Shutdown
• Dual Source/Sink Outputs: ±400 mA Peak
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This particular controller is used primarily because it permits several identical controllers to
be synchronized conveniently. This feature supports inverter applications and multi-
quadrant dc-dc converters. This particular IC has two separate outputs, each active during
half of a switching period (it was originally intended to support forward converter designs).
The two outputs are combined with an OR function to create a single switching function
with 0 ≤ D ≤ 1.
Fig 4
El pin 1 está invirtiendo la entrada, mientras que el pin 2 no invierte el pin del
amplificador de error incorporado. Este amplificador es un comparador que controla el
ciclo de trabajo de PWM. Cuando el voltaje en la entrada inversora (pin 1) es mayor que el
voltaje en la entrada no inversora (pin 2), el ciclo de trabajo disminuye.
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Pin 7;
Podemos usar este pin para configurar el tiempo muerto de IC, que significa tiempo
muerto entre pulsos.
Pin8 (arrancador suave)
Se utiliza para iniciar la operación de IC suavemente. El condensador que está conectado
con este pin y tierra determina el nivel del proceso de arranque suave
.
Pin9 (comp).
Es un pin de compensación que se usa con retroalimentación para evitar el cambio rápido
en el voltaje de salida debido al cambio de carga.
Pin10 (apagado).
SI se apaga el pin bajo, funcionará y si el pin está apagado lógicamente significa que está
conectado a 5 voltios y permanecerá en modo de apagado.
Pin11 y Pin14:
Estos dos pines son pin de salida de IC con medios de salida de tótem. Si aplicamos esta
salida a MOSFET, no es necesario el controlador MOSFET.
Pin13 y Pin15:
Estos dos pines son de alimentación .VC debe estar entre 5 voltios y 35 voltios, mientras
que Vin debe ser de 8 voltios a 35 voltios.
Pin12.
Está conectado a tierra.
Pin16.
Es pin de referencia. Se utiliza para establecer la referencia a través de los pines 1 y 2.
Aquí está el diagrama del Circuito SG3525.
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DRIVER IR 2110
Description
The IR2110/IR2113 are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with
independent high and low side referenced output channels.
Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic
construction. Logic inputs are compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to
3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for
mínimum driver cross-conduction. Propagation delays are matched to simplify use in high
frequency applications. The floating channel can be used to drive an N-channel power
MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 500 or 600 volts
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Para calcular la capacitancia Bootstrap del circuito se debe consultar la nota de aplicación
International Rectifier’s AN978 application note
OBJETIVO
Familiarizar al estudiante con el convertidor CD/CD, que se utilizan en las fuentes de poder
de una impresora.
ANÁLISIS PRELIMINAR
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PLANIFICACIÓN:
1.Identificar la fuente entregada, y hacer una inspección visual para encontrar algún
componente de apariencia defectuosa.
2.Buscar en Internet la información sobre la fuente de poder
3.Identificar los terminales de entrada y salida, indicando los valores de voltaje.
4.Dibujar el circuito de la fuente de poder, indicando en lo posible, los valores de los
componentes.
5.Describir la operación de la fuente.
EJECUCIÓN
Verificar la operación de la fuente, midiendo los valores de voltaje en los puntos relevantes
de la fuente. Verificar el valor de la potencia de la fuente
EVALUACIÓN
Comparar los resultados experimentales, con los obtenidos en la información del fabricante
CONCLUSIONES
ANÁLISIS PRELIMINAR
1. Estudiar convertidores CD/CD no aislados
2. Estudiar en los apuntes de clase, el diseño del convertidor CD/CD elevador.
3.Estudiar el uso del C.I.SG3525 para controlar el voltaje de salida de un convertidor
CD/CD no aislado, cuando varía el voltaje de entrada.
PLANIFICACIÓN:
1) Dibujar el diagrama de conexiones de la parte de potencia y control del circuito
convertidor.
2)Seleccionar los dispositivos semiconductores que pueden implementar a los interruptores
del circuito convertidor buck/boost.
3) Asumir valores razonables para los parámetros de los elementos del circuito y elaborar
del diagrama de conexiones el diagrama de modelos circuitales reales, y deducir la
relación entre el voltaje de salida al voltaje de entrada. Determinar los valores máximo
y mínimo de las relaciones de trabajo requeridas en el convertidor (El valor del D crítico)
4)Diseñar el filtro del convertidor.
5) Utilizar el CI SG 3525, para controlar el voltaje de salida, cuando varía el voltaje de
entrada.
6)Dibujar el circuito de potencia y el de control del convertidor diseñado
7)Simular en SIMULINK o cualquier otro programa, el circuito del convertidor diseñado y
capturar las formas de onda de voltaje y corriente, en la fuente y la carga del convertidor, en
:a)Voltaje de entrada 12 V y condición de vacío, b) Condición de plena carga(20 W) y con
los siguientes voltajes de salida: 5V, 36 V
8) Comparar el diseño teórico, con los resultados obtenidos en la simulación.
EJECUCIÓN
Armar el circuito del convertidor, y verificar que el voltaje de salida permanece constante,
cuando varía el voltaje de entrada, o cuando varía la carga desde la condición de vacío a
plena carga. Mostrar los valores del voltaje de salida, para tres valores diferentes del voltaje
de entrada,y para condición de vacío y plena carga.
EVALUACIÓN
Comparar los resultados experimentales, con los obtenidos en la simulación del circuito
CONCLUSIONES
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OBJETIVO:
Aplicar los conceptos y procedimientos de los circuitos magnéticos, para determinar la
curva de histéresis de un núcleo de ferrita, y diseñar con ese núcleo un inductor y un
transformador
OBJETIVOS ESPECÍFICOS.
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ANÁLISIS PRELIMINAR:
Estudiar y presentar los siguientes temas:
1) Características de los materiales magnéticos para operar en alta frecuencia. Fenómenos
de saturación, histéresis y corrientes parásitas. Circuitos para determinar el lazo de
histéresis de un material magnético.
2) Clases de núcleos y parámetros geométricos; Deducir de la ley de Ampere y de la
característica de magnetización del núcleo, una expresión para determinar los amperio-
vuelta, que producen la saturación del núcleo.
3) Cálculo de la inductancia, Inductores de núcleo con y sin entrehierro.
4) Medición de la inductancia por el método de comparación, de la impedancia del inductor
con un resistor conocido.
5) Modelos circuitales del transformador ideal y el transformador con permeabilidad finita.
Fenómenos de saturación. Pérdidas de potencia en un inductor y en un transformador.
6) Diseño de un inductor sin entrehierro, a baja frecuencia
7) Diseño de un inductor a alta frecuencia
8) Diseño de un transformador a baja frecuencia.
9) Modelo circuital del transformador a alta frecuencia.
10) Frecuencia máxima y mínima de operación en alta frecuencia de un inductor y un
transformador
11)Medición de la inductancia magnetizante,y la relación de transformación del
transformador.
12) Resolver la siguiente situación: Un núcleo magnético tiene una área de la trayectoria
magnética ( An ¿ de 6 cm , una longitud de la trayectoria magnética (l m) de 30 cm, una
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a) Any real magnetic material exhibits a maximum value of B, called the saturation flux
density Bsat, beyond which it displays permeability equal to that of vacuum. Since the flux
φ in a material is found as Ni/ℛ , where ℛ is reluctance, the current in all windings
ultimately determines whether the saturation flux density has been reached.
1
Alternatively, the flux θ is given by λ/N, or
N
∫ vdt +C . The integral of voltaje seconds
(volt-seconds‖) determines the flux, within some integration constant. A real core has two
limitations due to flux: the maximum value, determined by the integral of voltage, and the
integration constant, which can be shown to equal . Maximum volt-seconds and a
maximum dc current result from the saturation limit. Hysteresis and eddy current loss can
also be viewed as flux limitations. The applied voltages and currents must not cause
excessive power loss in the material. In a transformer, saturation should be avoided to keep
leakage flux low.
For ac applications, this means that only the volt-second integral is relevant. If a dc current
is imposed on a transformer winding, a second flux contribution appears, and can even
drive the core into saturation. In most power-frequency transformers, the number of turns is
high, and tolerance for dc current is low.
DC current must be avoided. In an inductor, dc current is intended as the basis for energy
storage. Inductors must be designed to tolerate high dc currents, while providing consistent,
linear, inductance. These two requirements are in conflict with the need for inductors of
substantial value.Another important issue in magnetics design is the current capacity of the
wire used to wind the magnetic device. For instance, a design might call for a great many
turns and a small core. While this is possible when small wire is used, the wire might melt
if the intended currents are applied. This limitation is a very real one. It is not uncommon to
require hundreds or even thousands of windings in power frequency devices, and the
temptation to use ever-smaller wire is great.
To realize a design, it is helpful to realize that only a fraction of any core opening can
actually be filled with wire (some must be allowed for insulation and for air spaces around
loose windings). It is also helpful to have some guidance about current capabilities of
copper. While no absolute rules can exist, it is often preferred not to exceed 200 to 500
A/cm² in copper wires wound on cores. This range gives some rough assistance in picking
the wire sizes needed.
A transformer design procedure might be as follows:
• Identify the frequency, voltage, current, and power requirements.
• Choose a wire size adequate for the current.
• Find the integral volt-second level needed to meet ratings.
• Identify a magnetic core with low losses over the intended frequency range, and proper l,
A, and winding opening size to support the necessary voltsecond integral.
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• Compute winding and core losses to see if they are at acceptable levels.
• Build and test the device.
An inductor design would seek to:
• Identify the frequency, voltage, and dc current requirements.
• Identify the energy storage or L requirement.
• Choose a wire size as needed.
• Find the voltsecond level needed.
• Compute a gap length, if necessary to meet energy and dc requirements.
The first is to place the inductor in series with a known resistor of good precision, for
example a 100 ohm 1% resistor is a good choice. Stimulate the circuit with a function
generator, and view the junction between the resistor and inductor on the scope, as well as
the input voltage. Tune the function generator until the junction voltage is half the input
voltage. The relationship between R and L is, as derived below:
L= R*sqrt(3)/(2*pi*f)
The advantage of this method is that it is accurate in that calibration resistors can be found
with tolerances in the 0.1% range.
It should also be noted that this applies for capacitors but the formula is slightly different
with R on the bottom:
C= sqrt(3)/(2*pi*F*R)
PLANIFICACIÓN:
1) El circuito que se adjunta (figura 1) se utiliza en la medición del lazo de histéresis de los
materiales magnéticos. En el circuito vi es proporcional a H y v ces casi proporcional a B
Se pide explicar el funcionamiento del circuito, y determinar el valor de los resistores RB,
RH, Rs y del capacitor CB, para un voltaje de la fuente de 12 V, 2 KHz.
2) En una prueba realizada con el circuito anterior a 500 Hz, para un núcleo de A =5 cm 2, y
una longitud media del circuito magnético (l ) de 30 cm, el valor medido para vi fué de 0,08
V, y el valor medido para v c fue de 1,2V. Se pregunta, cuáles son los valores de H y B en
este caso.
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1) Si conoce los datos del fabricante del núcleo, obtenga de la data sheet, la geometría del
núcleo. Si no conoce el fabricante mida con la mayor precisión posible la geometría
(longitud media del circuito magnético, Área seccional del núcleo)
2) Asumir un valor lógico para Bs y μ . Determinar el número de espiras de alambre
magneto calibre 16, que produce la saturación a 10 KHz. Arrollar sobre este núcleo, el
número de espiras calculado, y determinar el valor del voltaje máximo a 10 KHz, que
produce saturación. alambre magneto calibre 16.
3) a) Medir con el medidor R-L-C, el valor de la inductancia a 1000Hz y compara con el
valor teórico de la inductancia.
b) Medir la inductancia mediante el método de comparación de la impedancia del
inductor, con una resistencia de precisión. Consultar el texto en inglés, que se debe estudiar
en el punto 12 del análisis preliminar
4) Armar el circuito (figura 1) para medir el lazo de histéresis, estudiado en la planificación
del laboratorio. El voltaje aplicado a la bobina debe ser el calculado en el paso 3
5) Observar en el osciloscopio en el modo X-Y, el lazo de histéresis y tome una fotografía o
elabore un dibujo indicando los valores significativos del lazo de histéresis. Mida la
pendiente de cada uno de los lados del lazo de histéresis cerca al origen (B=0 y H=0).
Tome tres medidas de vi y v c ,utilizando el osciloscopio en modo normal. Tome nota de las
unidades de la pendiente
6) Disminuya la frecuencia aplicada a parir de 2 KHz, hasta que aparezca el efecto de la
saturación. Anote el valor de esta frecuencia. Mida la pendiente del lazo de histéresis en
condición de saturación. Anote el valor de v c en saturación.
7) Aplique en la fuente un offset dc, de valor pequeño (2V), y observe el cambio en el lazo
de histéresis. Registre en el cuaderno el resultado y dé una explicación para lo observado.
CONCLUSIONES
Elabore un resumen, sobre los aspectos más relevantes en el comportamiento del inductor y
el transformador, soportados por las mediciones realizadas en la práctica, indicando las
dificultades que se les presentaron, y además responda las siguientes preguntas:
1Calcular la permeabilidad no saturada del núcleo: a) De las pendientes del lazo de
histéresis. b) De la medición de la inductancia y de la geometría del inductor. Analizar los
resultados.
2) ¿Cuál es la diferencia porcentual entre el valor de la inductancia calculada y la medida
en el toroide? Analizar el resultado.
3) Calcular Bsat del lazo de histéresis. ¿Cuál es el valor esperado de ∫ vdt para el inductor
de 25 espiras.
4) ¿Cómo afecta a la operación del transformador, la conexión de una carga que demanda
una corriente CD?
5) ¿Cuántas espiras debe tener el inductor, para tener una inductancia de 10 mH?
6) ¿Con base en los límites de saturación, ¿cuál debe ser la corriente nominal del inductor?
7) ¿Cuál es la frecuencia mínima de operación del transformador?