UNIVERSIDAD

TECNOLGICA NACIONAL
FACULTAD REGIONAL
AVELLANEDA

Dispositivos Electrónicos
Módulo 1 – Física de los semiconductores
Clase 3 – Generación y Recombinación

Ramiro Muiño
Departamento de Electrónica
UTN - Facultad Regional Avellaneda
rmuino@fra.utn.edu.ar
Generación y Recombinación

Objetivos

En esta clase vamos a tratar las siguientes cuestiones:

§ ¿Qué es la generación en un semiconductor?

§ ¿Qué es la recombinación en un semiconductor?

§ ¿Cuántos electrones y lagunas hay en un semiconductor puro en equilibrio térmico a una cierta
temperatura?

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Generación y Recombinación

Contenido

§ Generación
§ Recombinación
§ Equilibrio Térmico
§ Concentración de portadores en equilibrio térmico

Lectura recomendada:

Tremosa, Cap. 2, §§ 2.9.3

Selva, Cap. 2, §§ 2.2
Julian, Cap. 2, §§ 2.3

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Generación

GENERACION = ruptura de un enlace covalente que da lugar a un electrón y un hueco.

• requiere energía de una fuente externa (térmica, óptica, etc.)

• tasa de generación: 𝐺 = 𝐺!" + 𝐺#$ + … [𝑐𝑚%&. 𝑠 %']
cantidad de enlaces rotos por unidad de volumen y por
unidad de tiempo
• 𝐺(!" → generación térmica debida a la vibración de la red
Banda
conduccion
cristalina en el material intrínseco
𝐸"
• 𝐺(!" = 𝑓(𝑇) → solo depende de la temperatura.

Banda
𝐸! Independiente de la adición de impurezas.
valencia

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Recombinación

RECOMBINACION = formación de un enlace al unirse un electrón y un hueco.

• libera energía en forma de luz o calor

• tasa de recombinación : 𝑅 = [𝑐𝑚%&. 𝑠 %']
• para que haya recombinación → un electrón de
Generacion Recombinacion
conducción debe encontrar una laguna.
• la presencia de impurezas ionizadas no afecta a la
recombinación →

Un electrón encuentra un enlace • 𝑅( = 𝑓(𝑛, 𝑝, 𝑇) característica del material

incompleto y lo ocupa intrínseco ideal

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Equilibrio Térmico

EQUILIBRIO TERMICO

Diremos que existe “equilibrio térmico” cuando se cumplen las siguientes condiciones:

• Estado estacionario (se ha extinguido cualquier transitorio de Generación/Recombinación)

• Ausencia de fuentes de energía externas (solo térmica)

En “equilibrio térmico”:
• tasa de generación à 𝐺(!" = 𝑓(𝑇)
• tasa de recombinación à 𝑅( = 𝑓(𝑛# , 𝑝# , 𝑇)
• las concentraciones de portadores no varían por término medio →
• la velocidad de generación debe equilibrar a la velocidad de recombinación:
𝐺(!" (𝑇) = 𝑅( (𝑛# , 𝑝# , 𝑇)
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Generación y Recombinación

Para una dada temperatura, desarrollamos a 𝑅( en serie de Taylor para dos variables:

𝑅( 𝑛# , 𝑝# , 𝑇 = 𝑎( 𝑇 + 𝑏( 𝑇 𝑛# + 𝑐( 𝑇 𝑝# + 𝑟( 𝑇 𝑛# 𝑝# + 𝑒( 𝑇 𝑛#) 𝑝# + 𝑓( 𝑇 𝑛# 𝑝#)+ . . .

Evidentemente 𝑎( 𝑇 = 𝑏( 𝑇 = 𝑐( 𝑇 = 0 ya que no puede haber recombinación sin ambos tipos de

portadores o con un solo tipo de portador.

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Generación y Recombinación

Para pequeñas concentraciones:

𝑅( 𝑛# , 𝑝# , 𝑇 = 𝐺(!" 𝑇 = 𝑟( 𝑇 𝑛# 𝑝# →

𝐺(!" 𝑇
𝑛# 𝑝# =
𝑟( 𝑇

Para el caso particular de un material intrínseco donde 𝑛# = 𝑝# →

𝐺(!" 𝑇
𝑛() =
𝑟( 𝑇
%#
$
𝑛! " 𝑇 = 𝐶𝑡𝑒. 𝑒 # &'

𝑛( ≡ concentración de electrones y lagunas en un material intrínseco (distribución de portadores en

las bandas)
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Generación y Recombinación

Conclusiones importantes:

- Para un semiconductor ideal dado, 𝑛( es función de 𝑇 → 𝑛( (𝑇)

- Para un dado semiconductor en equilibrio térmico:

𝑛# 𝑝# = 𝑛()(𝑇) Ley de acción de masas

el producto 𝑛# 𝑝# es una constante que depende solo de la temperatura.

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Generación y Recombinación

Tomamos como ejemplo un semiconductor “tipo n”:

El aumento de electrones de conducción debido al agregado de impurezas donoras (n* > n+ ) hace
disminuir el número de lagunas (p* < n+ ) con el fin de evitar que los electrones de conducción
adicionales se recombinen con los huecos más de prisa de lo que permitiría la generación térmica de
pares, la cual permanece invariable.

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Concentración de portadores en equilibrio térmico

La ley de acción de masas nos da la relación necesaria para determinar las concentraciones de electrones
y huecos en semiconductores extrínsecos, conocida la concentración intrínseca 𝑛( .

𝑛# 𝑝# = 𝑛()

En un material que contiene tanto aceptores como donores, debido a la neutralidad eléctrica

𝜌 = densidad de carga (C/cm" ) = 0 = 𝑞𝑝# + 𝑞𝑁, − 𝑞𝑛# − 𝑞𝑁-

la suma de la carga positiva fija (𝑁, ) y móvil (𝑝# ) debe ser igual a la suma de la carga negativa fija (𝑁- )
y móvil (𝑛# )

𝑁- + 𝑛# = 𝑁, + 𝑝#
𝑁 es la contaminacion
𝑛# − 𝑝# = 𝑁, − 𝑁- = 𝑁 efectiva

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Concentración de portadores en equilibrio térmico

Reemplazamos 𝑝# = 𝑛()/𝑛# en la ecuación de neutralidad de carga:

𝑛()
𝑛# − −𝑁 =0 → 𝑛# ) − 𝑛# 𝑁 − 𝑛() = 0
𝑛#

Resolvemos la cuadrática →
Por lo general se contamina con 𝑁 >> 𝑛!
) por lo que la raiz cuadrada se reduce a 𝑁 /2
𝑁 𝑁
𝑛# = + + 𝑛()
2 2
Son ecuaciones generales. En la mayoría de los
) casos prácticos se puede simplificar dependiendo
𝑛() 𝑁 𝑁
𝑝# = =− + + 𝑛() de los valores de 𝑁# , 𝑁# y 𝑛$ . Hay tres casos
𝑛# 2 2 particulares

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Concentración de portadores en equilibrio térmico

(1) Cuando 𝑁, = 𝑁- → 𝑁 = 0 y el material se comporta como “intrínseco”

𝑛# = 𝑝# = 𝑛(

(2) 𝑁, − 𝑁- ≅ 𝑁, ≫ 𝑛( → material “tipo n”

𝑛() 𝑛(
𝑛# ≅ 𝑁, y 𝑝# ≅ ≅ 𝑛 ≪ 𝑛(
𝑁, 𝑁, (

(3) 𝑁- − 𝑁, ≅ 𝑁- ≫ 𝑛( → material “tipo p”

𝑛() 𝑛(
𝑝# ≅ 𝑁- y 𝑛# ≅ ≅ 𝑛 ≪ 𝑛(
𝑁- 𝑁- (
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Concentración de portadores en equilibrio térmico

figura extraída de Pedro Julian

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Concentración de portadores en equilibrio térmico

figura extraída de Pedro Julian

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Concentración de portadores en equilibrio térmico

figura extraída de Pedro Julian

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Ejemplos

Ejemplo 1
Una muestra de Silicio a 300K se dopa con Fosforo utilizando N. = 1. 10'/ cm%& ¿Cuales son las
concentraciones resultantes de portadores?

Sabemos que en el Silicio a 300K, n! = 10"# cm$%

Dado que se verifica que N& ≫ n! , podemos utilizar la aproximación [2], por lo tanto, la concentración de portadores
negativos es:

n' = N& = 1. 10"( cm$%

y la concentración de lagunas es:

n)! 10)#
p' = = "( = 10( cm$%
N& 10

Nótese que la población de lagunas se ha reducido a 100.000 portadores, mientras que la de electrones ha aumentado 5 ordenes
de magnitud.
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Ejemplos

Ejemplo 2
Hallar las concentraciones de portadores n% y p% en una muestra de Germanio a las temperaturas de 200K y
300K, si se agregan 2,4.10¹³ átomos/cm³ de Sb

De tabla n! (T) tenemos que: 200K ; n! = 7. 10* cm$%

300K ; n! = 2,4. 10"% cm$%

Sb es un material pentavalente entonces, N& = 2,4. 10"% , N+ = 0 y N = 2,4. 10"% , reemplazando valores en [3]:

2,4. 10"% 5,8. 10)/

n'()##-) = + + 4,9. 10"* = 2,4. 10"% cm$%
2 4

n)! 4,9. 10"*

p'()##-) = = "%
= 2,04. 10/ cm$%
n' 2,4. 10

Vemos que n' ≫ p' en este caso se podría haber aplicado la solución aproximada.

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Ejemplos

2,4. 10"% 5,8. 10)/

𝑛0(%##1) = + + 5,8. 10)/ = 3,9. 10"% 𝑐𝑚$%
2 4

5,8. 10)/
𝑝0(%##1) = "%
= 1,49. 10"% 𝑐𝑚$%
3,9. 10

Vemos que, debido al aumento de temperatura, n' y p' son del mismo orden

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Autoevaluación

§ ¿A que se llama Generación?

§ ¿A que se llama Recombinación?
§ ¿Que representa la condición de equilibrio térmico para un material?
§ ¿Cuales son las dos relaciones que existen entre las concentraciones de portadores de un
semiconductor en equilibrio térmico?

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Resumen de la clase

§ Para un dado semiconductor en equilibrio térmico 𝑛# 𝑝# es una constante:

𝑛# 𝑝# = 𝑛() Ley de acción de masas

§ Semiconductor intrínseco: semiconductor "puro” 𝑛# = 𝑝# = 𝑛(

§ Semiconductor extrínseco: las concentraciones de portadores pueden ser manipuladas mediante

la introducción de átomos "dopantes" de otras especies:

0()
- semiconductor tipo n: 𝑛# ≅ 𝑁, ; 𝑝# ≅ 1*

0()
- semiconductor tipo p: 𝑝# ≅ 𝑁- ; 𝑛# ≅
1+

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Próxima clase

§ Distribucion de portadores en las bandas

§ Estadistica de Maxwell-Boltzman
§ Estadistica de Fermi-Dirac

Lectura recomendada:

Tremosa, Cap. 4
Selva, Cap. 4

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