TRABAJO PRÁCTICO N° 2

Juntura PN
Problema 1
Para una juntura p-n en la cual la región n está dopada con una concentración 10 veces más que la de la
región p, ¿en qué región es la zona de deplexión (agotamiento, transición o carga espacial) más grande? ¿Por
qué factor?

Problema 2
Para una juntura en la cual la tensión desarrollada es 0,7 V, ¿cuáles son las concentraciones de dopaje en las
dos regiones si: a) ellas son iguales, b) ellas tienen una relación 10 a 1. Para cada caso, ¿cuál es el ancho de la
región de agotamiento y la distancia en que ésta se extiende a cada lado de la juntura?. Para una juntura que
tiene 30 m por 50 m de tamaño, ¿cuál es la magnitud de la carga espacial en cada lado?.

Problema 3
Para una juntura p-n dada polarizada inversamente, la corriente en terminales es de 10 nA. Si la corriente de
deriva a la temperatura de operación es de 15 nA, ¿cuál debe ser la corriente de difusión dependiente de la
tensión a esta dada tensión inversa?.

Problema 4
Para un punto de operación particular en una juntura p-n polarizada inversamente, un cambio de 1 V produce
una corriente transitoria en aumento, correspondiente a un flujo neto de carga de 0,1 pC. ¿Cuál es la
capacidad de transición o agotamiento de la juntura p-n, correspondiente a esta tensión de operación?

Problema 5
Para una juntura particular en la cual m = 1,6, se mide una capacidad Cj de 1,8 pF a una tensión inversa de 2 V,
y de 0,2 pF a una tensión de 10 V. ¿Cuáles son los valores correspondientes de Vo, Cjo y Cj a 0 V?

Problema 6
En una juntura p-n particular en la cual la tensión de ruptura es 120 V, puede disipar 50 mW mientras se
mantiene la temperatura de la unión a un valor suficientemente bajo para evitar un daño permanente. ¿Qué
corriente inversa continua probablemente produzca una falla permanente?. Si la corriente circula solamente
el 10% del tiempo en los picos de una tensión cíclica aplicada, ¿qué corriente de pico puede ser tolerada?

Problema 7
En un diodo de aplicación en conmutación de alta velocidad, el tiempo de vida de los portadores minoritarios
en exceso de los huecos es de 1 ns. Si la movilidad de los huecos en el silicio dopado es de 400 cm 2/Vs,
considerando la relación de Einstein, encuentre una estimación de la longitud de difusión para el diodo
conduciendo en directo. Para esta longitud de difusión, ¿a qué distancia del borde de la región de agotamiento
(o deplexión) la densidad de huecos en exceso alcanzará el 10 % de su valor allí?.

Problema 8
Para una juntura de 3 m x 5 m, con NA = 1017/cm3 y ND = 1016/cm3, en la cual los tiempos de vida de los
portadores minoritarios son p = 1 ns y n = 2 ns, y las movilidades de huecos y electrones son 400 y 1100
cm2/Vs, respectivamente, encontrar IS.

Problema 9
Usando la ecuación ni2  BT 3 e  EG / kT , evalúe la dependencia con la temperatura de IS en %/°C a la
temperatura ambiente (por ejemplo 300 K).

Problema 10
Para el diodo del problema 8, que conduce una corriente de 1 mA, ¿qué fracciones de la corriente son
transportadas por los huecos y los electrones?. Estime las cargas almacenadas de portadores minoritarios
(huecos y electrones). ¿Cuál es el tiempo medio de tránsito T del diodo?. ¿Cuál es la capacidad de difusión de
pequeña señal asociada?
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Problema 11
Para una juntura que conduce 1 mA a 700 mV, para la cual n = 2 y una capacidad de difusión asociada de 1 pF,
cuál es el tiempo medio de tránsito T correspondiente?. Para una juntura 10 veces mayor cuál sería T?. En la
juntura original, cuál es la carga total almacenada a 1 mA?. Y a 10 mA?.

Problema 12
A partir de la ecuación de la carga Q calcule la capacidad de difusión de una juntura caracterizada por n, v e i
en la ecuación del diodo.

Problema 13
Un diodo tiene NA = 1017/cm3, ND = 1016/cm3, ni = 1,51010/cm3, Lp = 5 m, Ln = 10 m, A = 2500 m2, Dp (en la
región n)= 10 cm2/s, y Dn (en la región p)= 18 cm2/s. El diodo está polarizado directamente y conduce una
corriente de I = 0,1 mA. Calcule: a) IS; b) el voltaje V de la polarización directa; c) la componente de la
corriente I debida la inyección de huecos y la debida a la inyección de electrones a través de la unión; d) p y
n ; e) exceso de carga Qp de huecos en la región n, y el exceso de carga Qn de electrones en la región p, y por lo
tanto el total de carga Q minoritaria almacenada, y el tiempo de tránsito T ; f) la capacitancia de difusión.

a) 210-15 A b) 0,616 V c) 91,7 A 8,3 A d) 25 ns 55,6 ns e) 2,29 pC 0,56 pC 2,75 pC 27,5 ns f) 110 pF.

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