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Modulacion de Doble Banda Lateral Con Portadora Suprimida
Modulacion de Doble Banda Lateral Con Portadora Suprimida
Facultad de Ingeniería
Escuela de Ingeniería Electrónica y Telecomunicaciones
Universidad de Cuenca
Cuenca, Ecuador
santiago.agila@ucuenca.ec
xavier.alvarezm@ucuenca.ec
I. INTRODUCCIÓN
Modulación de amplitud.
Modulación de amplitud – Funciones a estudiar.
[1] La modulación de amplitud varia la amplitud de la onda
A continuación realizamos el análisis de las funciones a utilizar:
portadora senoidal de acuerdo con la señal de banda base, es
decir la señal modulada tendrá la frecuencia de la onda
2
𝑐(𝑡) = 𝐴𝑐 cos(2𝜋𝑓𝑐 𝑡)
Modulación de doble banda lateral-Portadora suprimida
Donde: (DSB-SC).
Donde:
Figura 2. AM DSB-SC.
De donde:
DSB-SC (Análisis en frecuencia).
𝑘𝑎 = Sensibilidad de amplitud
Debido a que en la Modulación de amplitud de doble banda
lateral la onda portadora c(t), es completamente independiente
En base a esta constante realizamos los siguientes análisis:
de la señal de mensaje m (t), lo cual significa que la transmisión
de onda portadora representa un desperdicio de potencia( que
a. |𝑘𝑎 𝑚(𝑡)| < 1
es una desventaja de AM). Esto implica que sólo una fracción
de la potencia total transmitida es afectada por m (t).
Lo cual nos garantiza que la envolvente sea siempre
positiva. Por esta razón en esta modulación suprimimos la componente
portadora de la onda modulada, para este proceso realizamos el
b. |𝑘𝑎 𝑚(𝑡)| > 1 siguiente análisis en frecuencia:
En este caso la onda portadora se sobremodula, por esta La onda modulada viene dada por:
razón se debe evitar la sobremodulación
𝑠(𝑡) = 𝑐(𝑡)𝑚(𝑡)
c. 𝑓𝑐 ≫ 𝑊
Donde:
Esta condición debe satisfacerse, caso contrario no será
posible visualizar una envolvente en forma satisfactoria. 𝑚(𝑡) = 𝐴𝑚 cos(2𝜋𝑓𝑚 𝑡)
Modulación lineal.
Y
Debido a que la modulación de amplitud, es una modulación
𝑐(𝑡) = 𝐴𝑐 cos(2𝜋𝑓𝑐 𝑡)
lineal, entonces de forma general se escribe de la siguiente
manera:
Entonces:
𝑠(𝑡) = 𝐴𝑚 𝐴𝑐 cos(𝑤𝑚 𝑡) cos(𝑤𝑐 𝑡) Figura 3. Señal del mensaje y su respectivo espectro en frecuencia.
cos(𝑤𝑐 + 𝑤𝑚 )𝑡 + cos(𝑤𝑐 − 𝑤𝑚 )𝑡
𝑠(𝑡) = 𝐴𝑚 𝐴𝑐 [ ] Señal de la portadora y su espectro.
2
𝐴𝑚 𝐴𝑐 𝐴𝑚 𝐴𝑐
𝑠(𝑡) = cos(𝑤𝑐 + 𝑤𝑚 )𝑡 + cos(𝑤𝑐 − 𝑤𝑚 )𝑡
2 2
1 1
cos(𝑎𝑡) = 𝑒 𝑗𝑎 + 𝑒 −𝑗𝑎
2 2
𝐴𝑚 𝐴𝑐 1 𝑗(𝑤 +𝑤 ) 1 −𝑗(𝑤 +𝑤 )
𝑠(𝑡) = ( 𝑒 𝑐 𝑚 + 𝑒 𝑐 𝑚 )
2 2 2
𝐴𝑚 𝐴𝑐 1 𝑗(𝑤 −𝑤 ) 1 −𝑗(𝑤 −𝑤 )
+ ( 𝑒 𝑐 𝑚 + 𝑒 𝑐 𝑚 )
2 2 2
𝐴𝑚 𝐴𝑐 1 𝑗(𝑤 +𝑤 ) 1 −𝑗(𝑤 +𝑤 )
𝑠(𝑡) = [( 𝑒 𝑐 𝑚 + 𝑒 𝑐 𝑚 )
2 2 2
1 1
+ ( 𝑒 𝑗(𝑤𝑐 −𝑤𝑚 ) + 𝑒 −𝑗(𝑤𝑐 −𝑤𝑚 ) )]
2 2
𝐴𝑚 𝐴𝑐 𝐴𝑚 𝐴𝑐
𝑠(𝑤) = [𝑤𝑐 + 𝑤𝑚 ] + [𝑤𝑐 − 𝑤𝑚 ]
4 4
𝐴𝑚 𝐴𝑐 𝐴𝑚 𝐴𝑐
+ [−𝑤𝑐 + 𝑤𝑚 ] + [−𝑤𝑐 − 𝑤𝑚 ]
4 4
C3
1nF
L1
V1 33µH C2
12V R16 1nF
4.7kΩ
Q10
Figura 6. Espectro en frecuencia sin portadora (DSB-SC)
R17 MPSH10
III. DESARROLLO
4.7kΩ
(1𝑛𝐹)(1𝑛𝐹)
50 %
𝐶𝑒𝑞 =
1𝑛𝐹 + 1𝑛𝐹 R2
10kΩ
R1
10kΩ R5
Key = A
𝐶𝑒𝑞 = 0.5𝑛𝐹 10kΩ
U3A
4
3 C2
1 C1 1
𝑓𝑜 = R4
2
4.7uF
2𝜋√𝐿𝐶𝑒𝑞 0.1uF 1kΩ TL084ACN
11
V1
1 300mVpk R3
𝑓𝑜 = 3kHz 10kΩ
2𝜋√(33𝜇𝐻)(0.5𝑛𝐹) 0°
𝑓𝑜 = 1.239𝑀ℎ𝑧
Circuito realizado
Figura 8. Circuito Preamplificador –Configuración Resta de
voltaje
0°
1.2MHz
1Vrms
V1
0°
20kHz
1Vrms
V2
Key=A 50 %
50kΩ
R14
750Ω
R13
750Ω
R12
51Ω
R10
51Ω
R11
6.8kΩ
R15
-8V
2N3904
Q1
R1
500Ω
D2
1N4007
VDD
2N3904
R2
500Ω
1kΩ
2N3904
Q4
2N3904
Q5
R8
Q2
51Ω
R9
Figura 9. Configuración Resta de voltaje-amplificador
operacional
2N3904
C1
0.1µF
Q6
2N3904
2N3904
Q3
Como queremos obtener un voltaje de salida de
Q7
R3
aproximadamente 2.2V, procedemos a: 500Ω
2N3904
Q8
1kΩ
R7
(𝑅3 )(𝑅2 + 𝑅4 )𝑉1 𝑅4 𝑉2 R4
1kΩ
𝑉𝑜 = −
(𝑅1 + 𝑅3 )(𝑅2 ) 𝑅2
R6
3.9kΩ
VCC
(10𝐾Ω)(1𝐾Ω + 6𝐾Ω)(12𝑉) 𝑅4 (6𝑉)
R5
3.9kΩ
12V
2.1𝑉 = −
(10𝐾Ω + 10𝐾Ω)(1𝐾Ω) 1𝐾Ω
Tektronix
Tektronix
𝑅4 (6𝑉)
XSC4
2.1𝑉 = 36𝑉 − XSC1
G
P
G
P
1 2 3 4
1𝐾Ω
1 2 3 4
T
T
𝑅4 = 5.6𝐾Ω
Figura 10. Circuito modulador de producto (Simulador-
Como podemos observar en la figura 8, utilizamos un Multisim).
potenciómetro para obtener dicho valor.
Como se puede observar en la figura 10, en la entrada se
c. Modulador de producto. introduce dos señales con dos generadores de funciones
senoidales de 1.2 Mhz y 20Khz respectivamente, de la misma
Para el modulador de producto realizamos el siguiente circuito, manera en las dos salida se encuentra un osciloscopio, para la
mismo que a la salida elimina la portadora debido a la corriente visualización de las ondas.
básica, la cantidad de portadora que aparece en la salida se
puede controlar añadiendo desplazamientos a los pares A continuación se muestra el circuito completo, en el mismo se
diferenciales de portadora. podrá observar amplificadores operacionales entre las señales
de entrada y el modulador de producto, los mismos que se
encuentra configurados como adaptador de impedancias.
en la figura 8.
e.
XSC2
Tektronix R23
C3 VCC
1nF P 1 2 3 4 T 12V 560kΩ
G VEE
R8 R7 U1B
4
-12V U1D 5
4
L1 12
V1 R5
33µH C2 1kΩ C1 1kΩ R6 7
11
3.9kΩ R21 U1A 14
12V R16 1nF R9 0.1µF 3.9kΩ 6
2 13
4.7kΩ 10kΩ
11
TL084ACD
11
R20 3
Q10
4
10kΩ TL084ACD
Tektronix
R22 VSS
R17 MPSH10 560kΩ 12V R24 P 1 2 3 4 T
4.7kΩ G
20kΩ
Q1 Q3 R25
R18 U1C 2N3904
Q2 Q7
2N3904 10kΩ
Modulador de producto.
50 %
VCC VCC
12V 12V R30
VCC
Key Q4
R26 12V= A R13 R12 R10 R11 Q8 XSC4
10kΩ 750Ω 750Ω 51Ω 51Ω 2N3904
R27 10kΩ 2N3904
10kΩ U2A R14 Tektronix
4
3 C5
C4 1 50kΩ D2 R4
R29 R15 1N4007
P 1 2 3 4 T
2 Key=A 50 % 1kΩ G
4.7uF 6.8kΩ
0.1uF 1kΩ TL084ACN
11
R2 R3
V4 R1
500Ω 500Ω
500Ω
300mVpk R28 VCC2
3kHz
d.
10kΩ -12V
0°
VDD
-8V
7
Figura 14. Señal del mensaje - simulación Figura 16. Señal resultante - simulación
IV. MATERIALES
Resistor (𝟓𝟔𝟎𝑲𝛀) 2
Resistor (𝟏𝟎𝑲𝛀) 5
Resistor (𝟐𝟎𝑲𝛀) 1 BIBLIOGRAFIA
Inductor (𝟑𝟑𝝁𝑯) 1
Edwin Xavier Alvarez Murudumbay (13 de Julio de 1994.
Capacitor Electrolitico (𝟎. 𝟏𝝁𝑭) 2 Cañar-Ecuador). Estudios secundarios: Instituto Tecnológico y
Capacitor Electrolitico (𝟏𝒏𝑭) 1 Colegio Nacional: Juan Bautista Vázquez- Especialidad: Técnico
Capacitor Ceramica (𝟎. 𝟏𝝁𝑭) 1 en Comercio y Administración Especialización Aplicaciones
Informáticas. Actualmente es estudiante de Ingeniería
Capacitor Ceramica (𝟎. 𝟏𝝁𝑭) 1 Electrónica y Telecomunicaciones en la Universidad de Cuenca
Transistor bc547 8
Jefferson S. Agila, nació en Loja-Ecuador el 17 de diciembre de
1994. Realizó sus estudios secundarios en la Unidad Educativa
Eloy Alfaro donde obtuvo el título de Bachiller en Físico
V. CONCLUSIÓNES Matemático. En el año 2013 ingresó a la Universidad de Cuenca.
VI. RECOMENDACIONES
Se recomienda tratar de implementar el circuito con tiempo y
hacer las pruebas necesarias para que el sistema responda de
manera adecuada y así poder llegar a tener resultados óptimos
Se recomienda armar el circuito en una protoboard que tenga
una calidad alta ya que al ser circuitos de alta frecuencia los
protoboards de mala calidad tienden a distorsionar la señal, ya
que la salida del circuito es de amplitud máxima de 40mV pico-
pico.
REFERENCIA
http://83.212.103.151/~mkalochristianakis/tei/2015/telecom/a
m_fundamentals.pdf