UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN

FACULTAD DE PRODUCCION Y SERVICIOS

PROGRAMA DE ESTUDIOS DE INGENIERIA

ELECTRICA

CURSO: TECNICAS DE ALTA TENSION GRUPO: A

DOCENTE: Mg. MIKHAIL VENANCIO CARCAUSTO
TAPIA
TAREA: TRADUCCION DE TEXTO DE INGENIERIA DE
ALTA TENSION (2.3 Y 2.4)
ALUMNOS: GRUPO 3
CESAR AUGUSTO BARCO ALVAREZ
BRYAN ERICK GUSTAVO TURPO CHAMBI
JOSE ALVARO AQUINO MAMANI

AREQUIPA-PERU
2022
2.3 Conducción y Campos de desplazamiento en dieléctricos
homogéneos
Para los campos estáticos, estacionarios y de cambio lento (cuasi-estáticos) en
materiales aislantes, el campo eléctrico puede considerarse como no rotacional, es decir,
como un campo electrostático. El campo eléctrico inducido no se produce o puede
despreciarse. Por lo tanto, la definición de diferencias de potencial y tensiones es
aceptable.

Si todo el volumen de campo que se va a considerar está formado por un único material
aislante (dieléctrico) homogéneo (uniforme), la distribución del campo no está
determinada por las propiedades del material (permitividad, conductividad) y los
cálculos del campo eléctrico se basan en las mismas relaciones. Por lo tanto, los
métodos de cálculo del campo, que se describen a continuación, pueden aplicarse para
la mayoría de los.

En primer lugar, se realiza la evaluación analítica directa de las ecuaciones de campo

(secciones 2.3.1 y 2.3.2). Permite el cálculo de configuraciones de campo básicas con
campos homogéneos, esféricamente simétricos y cilíndricamente simétricos. A partir
de esto se pueden aproximar algunas configuraciones de campo de alta tensión
importantes.
Un método gráfico (sección 2.3.3) permite determinar un croquis de campo cualitativo
o semicuantitativo utilizando algunas reglas de redacción sencillas. A menudo esto es
muy valioso para una primera estimación cualitativa de las condiciones del campo.
El método de mapeo conforme (sección 2.3.4) permite calcular algunos casos
especiales, por ejemplo, el aumento de la tensión de campo en los bordes de un
condensador de placas paralelas (campo de borde).

Mediante los campos de cargas equivalentes (sección 2.3.5) también es posible calcular
configuraciones de campo importantes, por ejemplo, esfera contra esfera o cilindro
contra plano.

En muchos casos, sólo el campo máximo es de interés. Para muchas configuraciones de

campo, puede derivarse de casos ya calculados mediante relaciones de similitud y
factores de geometría (factor de eficiencia de campo de Schwaiger, Sección 2.3.6).

Antes de que se dispusiera de métodos numéricos de cálculo de campos, la única

posibilidad de determinar las intensidades de campo en sistemas con electrodos de
forma arbitraria era la medición de los campos de conducción eléctrica en un líquido
semiconductor (cuba electrolítica) o en un papel semiconductor (trazador de campos),
sección 2.3.7).

2.3.1 Evaluación analítica de la ecuación de continuidad (Ley de Gauss)

2.3.1.1 Método de cálculo general

Si la ecuación (2.1-17), es decir, la ecuación de continuidad para la corriente de

conducción y desplazamiento

se integra en el tiempo, resulta la "ley de Gauss", Ec. (2.1-21) y (2.3-1). Establece que
la integral de la densidad de flujo D sobre cualquier superficie cerrada, es decir, el flujo
total de desplazamiento ∬ 𝐷 ∙ 𝑑𝐴, es igual a la carga 𝑄 encerrada.

Con la ecuación (2.3-1), se pueden realizar cálculos de campo para algunas

configuraciones básicas en cuatro pasos:

Paso 1:

Para configuraciones con campos simétricos, la Ec. (2.3-1) se resuelve para la magnitud
D del vector de desplazamiento D, con el fin de obtener una relación entre la carga
generadora de campo 𝑄 y la intensidad del campo eléctrico 𝐸 = 𝐷/𝜀.

Figura 2.3-1: Electrodo con simetría esférica en el espacio libre (ley de Gauss).

Ejemplo: Electrodo esférico en el espacio libre

La magnitud de la intensidad del campo eléctrico E se calculará en función de la tensión
V y del radio r para la disposición esféricamente simétrica según la figura 2.3-1. Se
supone que el contra electrodo con las contra cargas negativas está infinitamente
alejado.
Paso 1:
La superficie de una esfera con el radio r se elige como superficie cerrada para la
integración. De este modo se aprovecha la simetría de la configuración, ya que la
densidad de desplazamiento tiene una magnitud constante 𝐷(𝑟) en toda la superficie
elegida. Además, los vectores D y 𝑑𝐴 son paralelos entre sí, en toda la superficie
cerrada. El producto escalar 𝐷 ∙ 𝑑𝐴 es igual al producto de las magnitudes 𝐷 ∙ 𝑑𝐴 . La
densidad de desplazamiento es constante en toda la superficie de integración, y se puede
sacar de debajo del signo integral en la Ec. (2.3-1):

La integral restante sobre la superficie cerrada da la superficie 𝐴(𝑟) = 4𝜋𝑟 2 mismo:

Esto da

La magnitud de la intensidad del campo eléctrico disminuye proporcionalmente a

1/𝑟 2 , es decir, cuadráticamente con el radio.

Paso 2:

En la ingeniería de alta tensión, la intensidad del campo eléctrico E debe darse

normalmente como una función de la tensión aplicada V. Esto es posible, si la
intensidad de campo, que se deriva de la ley de Gauss según la Ecuación (2.3-1), se
integra según la Ecuación (2.1-7):

De este modo se determina una relación entre Q y V, es decir, 𝑄 = 𝑓(𝑉).

Paso 3:
Según la ecuación (2.1-10), la relación entre Q y V define la capacitancia C de la
configuración de campo:
Paso 4:

La relación deseada entre la intensidad de campo E y la tensión V

Se deriva del primer paso con 𝐸 = 𝑓(𝑄) y del segundo paso con 𝑄 = 𝑓(𝑉).

Paso 5:
En un paso adicional, se pueden determinar los valores máximos de la intensidad de
campo y resolver problemas de optimización, por ejemplo, la minimización de la
intensidad de campo máxima.

Ejemplo: Electrodo esférico (continuación)

Paso 2:
Siguiendo con el ejemplo anterior, la tensión entre la superficie del electrodo con radio
r = R y el contra electrodo (que lleva las contra cargas negativas) con el
radio 𝑟 → ∞ viene dada por

si la integración se realiza de forma radial, es decir, en paralelo al campo eléctrico E.

Por tanto, da

Paso 3:
De ahí se deriva la capacitancia:

Paso 4:
Según las ecuaciones (2.3-2) y (2.3-5) de los pasos 1 y 2, la intensidad del campo
eléctrico es
Paso 5:
La máxima intensidad de campo se encuentra en la superficie del electrodo para el
menor radio posible ro R, es decir

2.3.1.2 Campos con simetría esférica

El campo eléctrico de una "esfera conductora en el espacio libre" se calculó en el

ejemplo anterior, véase la figura 2.3-1 y las ecuaciones (2.3-6) a (2.3-8). La máxima
intensidad de campo se produce en la superficie del electrodo.

Nota: El campo de la esfera conductora en el espacio libre con un radio 𝑅 → 0

desvanecido se aproxima al campo de una carga puntual. Este caso teórico es importante
para los cálculos de campo con el método de simulación de carga equivalente, Sección
2.3.5.

Cuanto menor sea el radio de curvatura R de un electrodo, mayor será la intensidad del
campo eléctrico de borde, Ec. (2.3-8).

Por lo tanto, en la ingeniería de alta tensión deben evitarse los bordes afilados (con
radios pequeños R), para evitar el sobreesfuerzo eléctrico del material aislante
adyacente.

Ejemplo: Electrodo de punta afilada

El campo en las proximidades de un electrodo puntual metálico se calculará
aproximadamente como un campo esférico simétrico con R = 1 mm. ¿Cuál es la tensión
de pico esperada para el inicio de las descargas en el aire (Ê𝑖 = 5 𝑘𝑉/𝑚𝑚)?

De la ecuación (2.3-8) concluimos que 𝑉̂ = Ê𝑚𝑎𝑥 ∙ 𝑅 = 5 𝑘𝑉.

Nota: Las altas intensidades de campo en los electrodos puntuales de bordes afilados
sólo se producen en un pequeño volumen cercano al punto. Por lo tanto, la intensidad
de campo de incepción es significativamente mayor que el valor de pico comúnmente
utilizado Ê𝑖 = 3 𝑘𝑉/𝑚𝑚 = 30 𝑘𝑉/𝑚𝑚 , que es válido para espacios de aire en el
rango de los centímetros, Figura 3.2-15. El inicio de la descarga no puede describirse
exactamente especificando una intensidad de campo de inicio constante, véase el
capítulo 3.
En la ingeniería de alta tensión, los aumentos de tensión de campo en los bordes afilados
se reducen con radios de curvatura suficientes. En muchos casos, las piezas de bordes
afilados deben protegerse con electrodos de blindaje (por ejemplo, esferas o toroides).
Las intensidades de campo en la superficie pueden estimarse por aproximación a partir
de la Ec. (2.3-8) si se suponen condiciones aproximadamente esféricas simétricas con
un contra electrodo muy alejado:

La capacitancia en el aire puede describirse aproximadamente según la Ecuación (2.3-

6) utilizando la regla general

Nota: Si el contra electrodo (por ejemplo, la pared, el techo o el suelo conectados a

tierra) está situado a una distancia finita, se producen mayores capacitancias e
intensidades de campo. Los métodos de cálculo numérico del campo logran una
precisión considerablemente mayor que la estimación analítica, sección 2.3.5.

Ejemplo: Electrodos de apantallamiento

Los diámetros de los electrodos de apantallamiento para uso en aire (Ê 𝑏𝑑 =

30 𝑘𝑉/𝑐𝑚, 𝜀𝑟 = 1) y el aceite aislante (Ê𝑏𝑑 = 150 𝑘𝑉/𝑐𝑚, 𝜀𝑟 = 2,2) se
dimensionarán para las amplitudes de 𝑡𝑒𝑛𝑠𝑖ó𝑛 Û = 10 𝑘𝑉, 100 𝑘𝑉 𝑦 1 𝑀𝑉 de forma
que las intensidades de campo no superen los 2/3 de la intensidad de campo de ruptura.

Los diámetros se derivan de la ecuación (2.3-8):

Nota: Los resultados muestran que los laboratorios de alta tensión necesitan electrodos
de apantallamiento con diámetros en el rango del metro.

Se pueden diseñar equipos de alta tensión mucho más compactos mediante materiales
aislantes eléctricamente más resistentes (por ejemplo, aceite aislante o hexafluoruro de
azufre SF6 ).

Hay que tener en cuenta que 𝐸𝑏𝑑 del aceite aislante no es un valor constante, sino que,
entre otras cosas, depende de la anchura de los conductos de aceite ("efecto volumen",
"efecto distancia" o "efecto tamaño", véanse los capítulos 3 y 5).
Un llamado condensador esférico consiste en una esfera interior con el radio R1 y un
contra electrodo que consiste en una esfera exterior concéntrica con el radio finito R2 ,
Figura 2.3-2a.
El cálculo de la intensidad de campo se realiza en cinco pasos, análogos a los pasos de
cálculo para el electrodo esférico en el espacio libre:
El uso de la ley de Gauss (ecuación (2.3-1), paso 1) en la configuración esféricamente
simétrica según la figura 2.3-2a da la misma ecuación (2.3-2) de nuevo debido a las
condiciones de campo similares. E disminuye con el radio r proporcionalmente a 1/𝑟 2
(paso 1).

Figura 2.3-2a: Condensador esférico (o cilíndrico, respectivamente).

Figura 2.3-2b: Curvas de intensidad de campo E(r) para el condensador esférico.

La integración de la intensidad de campo según la Ecuación (2.3-2) (Paso 2) no debe
realizarse desde el radio R hasta el infinito, porque el campo está limitado al espacio
entre los electrodos interior y exterior, es decir, la integración debe realizarse entre los
radios R1 y R2. Insertando los nuevos límites de integración y V12 = V, obtenemos

La capacitancia de un condensador esférico viene dada por 𝐶 = 𝑄/𝑉 (Paso 3):

La curva de intensidad de campo entre los electrodos interiores y exteriores se obtiene

a partir de las ecuaciones (2.3-2) y (2.3-11) (paso 4):

Para el valor extremo 𝑅2 >> 𝑅1 las ecuaciones (2.3-12) y (2.3-13) se aproximan a las
ecuaciones (2.3-6) y (2.3-7).

La intensidad de campo máxima en la esfera interior con 𝑟 = 𝑅1 (Paso 5) es mayor en

comparación con la esfera en el espacio libre, Figura 2.3-2b. Las áreas bajo las curvas
de intensidad de campo corresponden a la integral de la función E(r), es decir, a la
tensión aplicada V.

Obtenemos la máxima intensidad de campo a partir de la Ec. (2.3-13) para el radio 𝑟 =

𝑅1 en la superficie de la esfera interior (intensidad de campo superficial o de borde):

A partir de las intensidades de campo calculadas se pueden resolver problemas

de optimización mediante la determinación de valores extremos:
Para un radio exterior dado R2 el radio interior R1 se elegirá de manera que la intensidad
de campo máxima (intensidad de campo de superficie/borde) E1 sea mínima.

En los casos extremos 𝑅1 → 0 y 𝑅1 → 𝑅2, existen intensidades de campo

superficiales/de borde infinitamente altas E1.
Por lo tanto, el radio interior óptimo R1 para una intensidad de campo superficial
mínima E1 está entre 0 y R2 , y se determina, si la derivada de E1 con respecto a la
variable R1 se fija en cero, véase la Ec. (2.3-14):

Obtenemos para R1 y E1min:

Otro ejemplo de problemas de optimización es la maximización de la energía

almacenada capacitivamente 𝑊 = ½ 𝐶 𝑉 2 mediante la variación del radio interior R1
para un radio exterior R2 dado y una intensidad de campo admisible 𝐸𝑏𝑑 . Esto es
especialmente importante para los condensadores en los que se quiere almacenar la
mayor cantidad de energía para unas dimensiones dadas.

La energía almacenada capacitivamente se calcula según las ecuaciones (2.3-12) y (2.3-

14)

En los casos extremos 𝑅1 → 0 𝑦 𝑅1 → 𝑅2 la energía del campo es mínima, es decir,

𝑊 → 0. El radio R1 para la máxima energía del campo se determina, si la derivada de
W con respecto a la variable R1 se fija en cero:

El resultado para R1 es

Para muchas aplicaciones en la ingeniería de alta tensión, el campo eléctrico puede

considerarse esféricamente simétrico, ya sea por aproximación o en regiones de campo
limitado, Figura 2.3-3.
2.3.1.3 Campos con simetría cilíndrica
 El llamado “condensador cilíndrico” consiste en cilindros concéntricos (coaxiales) con
los radios R1 y R2, Figura 2.3-4.

Figura 2.3-3: Ejemplos de campos con simetría esférica y cilíndrica en ingeniería de

alta tensión (aproximaciones).
Para empezar, se desprecian las distorsiones de campo en los bordes de los cilindros, es
decir, se supone que hay un campo bidimensional, que no cambia a lo largo del eje de los
cilindros.

El cálculo de las intensidades de campo se realiza en cinco pasos, como en el caso del
campo esférico simétrico:
Para la aplicación de la ley de Gauss, la Ec. (2.3-1), Paso 1, se define una superficie
cerrada, completamente que encierra el cilindro interior. Consta de una superficie lateral
cilíndrica con el radio r y la longitud del cilindro z, y dos superficies extremas planas,
Figura 2.3-4.

Las líneas de densidad de desplazamiento dieléctrico D son casi ortogonales a los vectores
de los elementos de área dA de las áreas finales. Por lo tanto, para la integración en toda
la superficie cerrada, la contribución de las zonas extremas puede ser neta. En la
superficie lateral D y dA están en

Figura 2.3-4: Configuración de electrodos con simetría cilíndrica (arriba) con perfil
de intensidad de campo (abajo).
paralelas, por lo que el producto vectorial puede sustituirse por el producto escalar de
las magnitudes. D(r) es casi constante en la superficie lateral y puede sacarse de debajo
del signo de la integral. La integración restante de dA sobre la superficie lateral da el
valor de la superficie 𝐴 = 2𝜋𝑟𝑧

La magnitud de la intensidad del campo eléctrico disminuye con el radio r

proporcionalmente a 1/r:

La integración de la intensidad de campo E(r) desde el cilindro interior al exterior según

el paso 2 y la Ec. (2.3-3) con 𝑉12 = 𝑉 da:

La capacidad del condensador cilíndrico es

𝐶 = 𝑄/𝑈 (Paso 3):

En el paso 4 se evalúa el perfil de intensidad de campo entre los cilindros interior y

exterior a partir de las ecuaciones (2.3-17) y (2.3-19):

El área bajo la curva de intensidad de campo es igual a la tensión (diferencia de

potencial) entre los cilindros, que es la integral de E(r) en dirección radial, Figura 2.3-
4.

En el paso 5 se obtiene la intensidad de campo máxima a partir de la ecuación (2.3-21)

para el radio r = R1:

También para campos cilíndricamente simétricos encontramos: cuanto menor sea el

radio de curvatura R1 del cilindro interior, mayor será la intensidad del campo eléctrico
en el cilindro interior, Ec. (2.322). Sin embargo, el aumento de la intensidad de campo
es menor que en el campo esféricamente simétrico. También hay que evitar los radios
pequeños en los campos cilíndricamente simétricos para mantenerse por debajo de la
intensidad de ruptura de los materiales dieléctricos adyacentes.

La ecuación (2.3-22) da la intensidad de campo máxima para el campo cilíndrico

simétrico ideal y no la intensidad de campo en los bordes de los cilindros. Allí pueden
producirse aumentos significativos de la tensión de campo y campos locales elevados
en función de los perfiles de los electrodos en sus bordes.

Nota: Es natural considerar un "conductor cilíndrico en el espacio libre", como se hizo

para la "esfera en el espacio libre", es decir, se supone que el caso extremo con el contra
electrodo con las contra cargas negativas está infinitamente alejado, es decir, 𝑅2 → ∞.
Si la intensidad de campo se integra de acuerdo con la Ec. (2.3-17), el resultado es un
voltaje infinito (diferencia de potencial), lo cual puede verse directamente en la Ec. (2.3-
18). Para una diferencia de potencial finita y 𝑅2 → ∞ la intensidad de campo será cero,
véase la Ec. (2.3-21).

Por lo tanto, siempre es necesario considerar un cilindro exterior con un radio finito
𝑅2 < ∞ en un campo cilíndricamente simétrico.
El campo entre dos cilindros se aproxima al campo de una "carga lineal" ideal para el
caso extremo 𝑅1 → 0 𝑦 𝑅2 → ∞. Este caso extremo teórico es importante para los
cálculos de campo con el método de la carga equivalente junto con las "cargas
puntuales" y otras cargas equivalentes (sección 2.3.5). Sin embargo, las contra cargas
no se encuentran a una distancia infinita, sino que también son cargas lineales a
distancias finitas.

A partir de las intensidades de campo calculadas se pueden resolver problemas de

optimización mediante la determinación de valores extremos:
Para un radio exterior dado R2 el radio interior R1 se elegirá de forma que la intensidad
de campo máxima (intensidad de campo de superficie/borde) E1 sea mínima.

En los casos extremos 𝑅1 → 0 𝑦 𝑅1 → 𝑅2, existen intensidades de campo

superficiales/de borde infinitamente altas E1. Por lo tanto, el radio interior óptimo R1
para una intensidad de campo superficial mínima E1 se encuentra entre 0 y R2 , y se
determina a partir de la ecuación (2.3-22), si la derivada de E1 con respecto a la variable
R1 se fija en cero.
Durante la diferenciación, las reglas de la derivada de una fracción deben aplicarse
primero a la fracción entera. Además, las reglas de la derivada de un producto deben
aplicarse a la diferenciación del denominador [6].

𝑅1 𝑦 𝐸1𝑚𝑖𝑛 se derivan de la Ecuación (2.3-22):

Nota: El número irracional e = 2,71828... Es la base del logaritmo natural y

ocasionalmente se le llama "número de Euler" o "constante de Napier".

Otro ejemplo de problemas de optimización es la maximización de la energía

almacenada capacitivamente 𝑊 = ½ 𝐶 𝑉 2 mediante la variación del radio interior R1
para un radio exterior dado R2 y una intensidad de campo admisible 𝐸𝑏𝑑 . Esto es
especialmente importante para los condensadores en los que se quiere almacenar la
mayor cantidad posible de energía para unas dimensiones dadas.
La energía máxima almacenada se calcula según Ecuaciones (2.3-20) y (2.3-22)

En los casos extremos 𝑅1 → 0 y 𝑅1 → 𝑅2 la energía del campo es mínima, es decir,

𝑊 → 0. El radio R1 para la máxima energía del campo se determina, si la
derivada de W con respecto a la variable R1 se fija en cero:
El resultado para R1 es

En muchas aplicaciones de la ingeniería de alta tensión, el campo eléctrico puede

considerarse cilíndricamente simétrico, ya sea por aproximación o en regiones de
campo limitadas. En la figura 2.3-3 ya se muestran algunos ejemplos. Los campos
cilíndricamente simétricos también se dan en los cables de alta tensión, en los
conmutadores con aislamiento de gas, en los casquillos y cerca de los conductores
cilíndricos.

Ejemplo: Alambre fino

El campo en las proximidades de un alambre delgado se aproximará mediante un campo
cilíndrico simétrico con R1 = 1 mm y R2 = 1 m. ¿Cuál es la tensión de pico V esperada
para el inicio de las descargas eléctricas en el aire (Ê𝑖 = 4 𝑘𝑉/𝑚𝑚)?

De la ecuación (2.3-22) se concluye que

Nota: Las altas intensidades de campo en conductores delgados con radios muy
pequeños sólo se producen en un pequeño volumen cercano al conductor. Por lo tanto,
la intensidad de campo de incepción es significativamente mayor que el valor
comúnmente utilizado Ê𝑖 = 3 𝑘𝑉/𝑚𝑚 = 30 𝑘𝑉/𝑐𝑚 que es válido para el aire en el
rango de los centímetros, Figura 3.2-15. El inicio de la descarga no puede describirse
exactamente mediante una intensidad de campo de inicio constante, Capítulo 3.

Ejemplo: Conductor y cable tubular

Los diámetros de los conductores de alta tensión con conductores exteriores coaxiales
se dimensionarán para su uso en conductores tubulares aislados en aire (Ê𝑏𝑑 =
30 𝑘𝑉/𝑐𝑚, 𝜀𝑟 = 1), en conductores tubulares aislados en aceite (Ê𝑏𝑑 = 150 𝑘𝑉/
𝑐𝑚, 𝜀𝑟 = 2,2) y en cables aislados en termoplástico (polietileno, Ê𝑏𝑑 = 450 𝑘𝑉/
𝑐𝑚, 𝜀𝑟 = 2,2). Las tensiones de pico serán Û = 10 𝑘𝑉/ 100 𝑘𝑉/ 1 𝑀𝑉; no se
superarán los 2/3 de la resistencia a la rotura y el diámetro exterior será lo más pequeño
posible.
Los diámetros exteriores más pequeños se consiguen si la relación de los radios
𝑅2 /𝑅1 = 𝑒 se elige de forma que la intensidad de campo máxima E1 sea mínima.
Con Ê1 𝑚𝑖𝑛 = 0,67 Ê𝑏𝑑 obtenemos
Nota: El mismo resultado se obtiene mediante la determinación del valor extremo, es
decir, si se resuelve la ecuación (2.3-22) para R2, y si la derivada de R2 con respecto a
R1 se pone a cero para determinar el mínimo.

Nota: El resultado muestra que la aplicación de materiales aislantes eléctricamente

fuertes (aceite aislante, SF6 , polietileno) permite diseños muy compactos.

Figura 2.3-5: Campo eléctrico uniforme en un condensador de placas paralelas

(aproximación sin considerar las distorsiones del campo en los bordes de los
electrodos.
en comparación con el aire. La suposición de un valor constante para Êbd no tiene en
cuenta que la fuerza eléctrica del aceite aislante y del polietileno disminuye con el
aumento del espesor del aislamiento ("efecto volumen", "efecto tamaño"). Las tensiones
y las intensidades de campo mencionadas son intensidades de corta duración, como las
que pueden utilizarse para los diseños con respecto a las pruebas de tensión de corta
duración. Las tensiones e intensidades de campo admisibles en servicio son
significativamente menores, especialmente para el aceite y el polietileno (secciones
2.2.2 a 2.2.4). La capacitancia por unidad de longitud C' sólo depende de la permitividad
𝜀𝑟 , porque la relación de radios es la misma en todos los casos.

2.3.1.4 Campos uniformes (homogéneos)

Entre dos electrodos planos paralelos a una distancia d existe un campo eléctrico
uniforme con la intensidad de campo constante E = V/d ("condensador de placas
paralelas"). En el primer caso, se despreciarán las distorsiones del campo en los bordes
de los electrodos. Incluso en este caso sencillo, el cálculo de la intensidad de campo se
realiza en los cinco pasos mencionados anteriormente, sólo para ilustrar el método:
Para la aplicación de la ley de Gauss (ecuación (2.3-1), paso 1) se define una superficie
cerrada que encierra completamente uno de los electrodos. Consta de una superficie A
entre las partes planas de los electrodos y de caras adicionales en las partes exteriores
del volumen de campo, que prolongan la superficie A para formar una superficie
cerrada, Figura 2.3-5.

En las caras exteriores sólo penetra un pequeño flujo de desplazamiento ∬ 𝐷 𝑑𝐴; por
tanto, se desprecia su contribución al flujo total sobre la superficie cerrada.

Entre los electrodos, D y dA están en paralelo, por lo que el producto de los vectores
puede sustituirse por el producto escalar de las magnitudes. D es casi constante en la
superficie A y puede sacarse de debajo del signo de la integral. La integración restante
de dA sobre la superficie A da el área de la propia superficie A:

Por lo tanto, la magnitud de la intensidad del campo eléctrico E es constante para todos
los valores de x entre los electrodos:

La integración de la intensidad de campo E(x) según la Ecuación (2.3-3) (Paso 2) de un

electrodo a otro da
Esto significa que

La capacitancia del condensador de placas paralelas se deduce de 𝐶 = 𝑄/𝑉 (Paso 3):

La curva de intensidad de campo entre los electrodos

Figura 2.3-6: Cargas espaciales en el dieléctrico de un condensador de placas

paralelas (véase la figura 2.3-5).
se calcula a partir de las ecuaciones (2.3-25) y (2.326), paso 4:

El área bajo la curva de intensidad de campo es igual a la tensión (diferencia de

potencial) entre los electrodos, que es la integral de E(x) en la dirección x, Figura 2.3-
5.

La indicación de la intensidad de campo máxima (paso 5) es innecesaria para el campo

uniforme. No obstante, pueden producirse aumentos de la tensión de campo en los
bordes fuertemente curvados de los electrodos (véanse también las figuras 2.3-8 y 2.3-
9).

2.3.1.5 Distorsiones de campo por cargas espaciales

Las descargas eléctricas en dieléctricos gaseosos pueden generar "nubes de carga

espacial" que modifican ("distorsionan") fuertemente el campo eléctrico local. Las
cargas espaciales también pueden generarse en materiales aislantes líquidos y sólidos
bajo la influencia de tensiones eléctricas.
Ejemplo: Carga espacial en un condensador de placas paralelas
La influencia de las cargas espaciales y el método básico de cálculo se explican para el
ejemplo de un campo uniforme con densidad de carga espacial 𝜂. (densidad de carga
volumétrica) constante y positiva. Se supone que la contra cargas están en el electrodo
negativo, Figura 2.3-6:
Durante la aplicación de la ley de Gauss (ecuación (2.3-1), paso 1) hay que considerar
que la carga total encerrada dentro de la superficie cerrada depende de la posición real
de la superficie entre los electrodos. La carga total se compone de la suma de las cargas
en el electrodo cerrado y las cargas (espaciales) dentro del volumen aislante cerrado:

Esto significa que la magnitud de la intensidad del campo eléctrico E entre los
electrodos ya no es constante, sino que aumenta linealmente con x y se hace máxima en
el contra electrodo en x = d, Figura 2.3-6:
El cálculo posterior puede realizarse de forma análoga a los pasos descritos
anteriormente, pero hay que considerar que la carga total almacenada 𝑄𝑡𝑜𝑡 está formada
por el positivo carga Q en el electrodo y la carga positiva ∭ 𝜂 𝑑𝑉 = 𝑑 𝐴 𝜂 almacenada
en el dieléctrico.

De este modo, la capacidad 𝐶 = 𝑄𝑡𝑜𝑡 /𝑉 aumenta. El potencial ya no disminuye

linealmente con x, sino que es descrito por un polinomio de segundo orden, que puede
derivarse por la integración de la Ec. (2.3-29), Figura 2.3-6.

En los campos no uniformes, por ejemplo, en los campos con simetría esférica o
cilíndrica, las cargas espaciales pueden aumentar o disminuir la no homogeneidad
(geométrica) del campo, dependiendo de la polaridad. De este modo, el comportamiento
de la descarga en campos no uniformes se ve fuertemente influenciado ("efecto de
polaridad", sección 3.2.5.2).
Nota: Especialmente en el aislamiento de un condensador formado por capas con
materiales diferentes (sección 2.4), las cargas espaciales almacenadas en el material y
las cargas superficiales en las interfaces pueden provocar una peligrosa "recarga" de los
electrodos y una "tensión de recuperación", incluso después de un cortocircuito
temporal de los electrodos (sección 2.4.4.3). Por lo tanto, los condensadores deben estar
cortocircuitados permanentemente.

2.3.2 Solución analítica de la ecuación de Poisson

La continuidad de la densidad de desplazamiento se describe mediante la ecuación (2.3-
1) en forma integral. El equivalente en forma diferencial es

Según la ecuación (2.1-8) la intensidad de campo es

y se puede derivar la ecuación de Poisson. Puede utilizarse para campos electrostáticos

(no rotacionales):

Nota: La ecuación de Poisson se llama ecuación de Laplace para 𝜂 = 0.

Los operadores diferenciales div (divergencia), grad (gradiente), ∇(nabla, operador de

Hamilton, operador del) y ∆ (delta, operador de Laplace)
se expresan de forma diferente según el sistema de coordenadas (coordenadas
cartesianas, cilíndricas y esféricas) [2], [3], [6].
La ecuación de Poisson se escribe en coordenadas cartesianas (x, y, z)

en coordenadas cilíndricas (r, α, z)

y en coordenadas esféricas (r, α, ƌ)

Nota: La derivación de las ecuaciones (2.3-32) a (-34) se omite y se remite a la literatura

[2], [3], [6].

La aplicación de la Ecuación de Poisson se ejemplificará para el campo uniforme de un

condensador de placas paralelas sin cargas espaciales, Figura 2.3-5. No obstante, se
pueden calcular todos los demás casos de la sección 2.3.1.

Ejemplo: Campo uniforme sin cargas espaciales

Paso 1: Al principio, la ecuación de Poisson se simplifica a Ecuación de Laplace (𝜂 =

0) que sólo depende de la variable x. Naturalmente, se utilizan coordenadas cartesianas
aquí, con 𝜑(𝑥, 𝑦, 𝑧) = 𝜑(𝑥). Ahora la Ec. (2.3-32) es

Paso 2: La ecuación diferencial simplificada se resuelve en forma general, mediante

dos integraciones en este caso:

Paso 3: Las constantes de integración k1 y k2 se determinan a partir de las condiciones

de. A partir de
Con las soluciones 𝑘2 = 𝑉 y 𝑘1 = −𝑉/𝑑 el potencial es

Paso 4: Para una distribución de potencial dada, el campo eléctrico se define de forma
inequívoca. El vector de la intensidad del campo eléctrico E puede obtenerse mediante
el cálculo del gradiente según la ecuación (2.1-8). En un campo uniforme con
coordenadas cartesianas (x, y, z) el resultado es

da una magnitud constante de la intensidad de campo

Nota: Si la ecuación de Poisson se evalúa en coordenadas cilíndricas o esféricas, el

cálculo del gradiente (el vector de campo resp.) debe realizarse también en coordenadas
cilíndricas o esféricas, Ec. (2.1-8), [2], [3], [6]. De acuerdo con los pasos descritos
anteriormente, las simetrías de la configuración deben utilizarse para la simplificación
de la ecuación de Poisson. La solución general de la ecuación diferencial da una
expresión general para la distribución del potencial y las constantes de integración
deben determinarse mediante las condiciones de contorno. La intensidad del campo
electrostático se obtiene a partir de la distribución de potencial mediante el cálculo del
gradiente.

2.3.3 Asignación gráfica de campos (para campos planos)

Normalmente, las configuraciones técnicas de campo en la ingeniería de alta tensión

difieren en mayor o menor medida de las configuraciones básicas tratadas en los
capítulos anteriores. Por lo tanto, es útil dibujar las distribuciones cualitativas de las
líneas de campo y las líneas equipotenciales gráficamente, es decir, a mano alzada, sólo
por aproximación y sin cálculos complicados.
Si se tienen en cuenta algunas reglas de dibujo, se puede crear un mapa de campo o un
patrón de campo para una configuración plana (bidimensional). Esto da una impresión
cualitativa de la tensión eléctrica, pero con el cuidado adecuado a menudo también es
posible determinar aproximadamente las intensidades de campo y las capacitancias.

El mapeo gráfico del campo da una buena impresión de la distribución de las líneas de
campo y de las líneas equipotenciales. Por lo tanto, puede utilizarse para apoyar la
comprensión física básica y para realizar comprobaciones de plausibilidad de las
distribuciones de campo calculadas numéricamente, es decir, para excluir errores de
cálculo gruesos.
El valor de la cartografía gráfica reside en la rápida creación de un mapa de visión
general cualitativa, que no puede sustituir a un cálculo numérico, pero que puede
prepararlo y complementarlo. Además, la cartografía gráfica requiere un análisis
exhaustivo de la geometría del campo. De este modo se crea una valiosa y profunda
comprensión del carácter físico de la tensión eléctrica.

Las reglas de dibujo se deducen de las propiedades de las líneas de campo y las líneas
equipotenciales. (A menudo se denominan simplemente "líneas de potencial"). Al
principio se habla de un campo plano, bidimensional, que no cambia en la tercera
dimensión y que puede dibujarse en el plano de dibujo, Figura 2.3-7:
1.) Las líneas de campo y las líneas equipotenciales son ortogonales (rectangulares entre
sí).

2.) Las superficies de los electrodos son superficies equipotenciales (normalmente los
potenciales de referencia y de alta tensión son 0 % y 100 %).
3.) Las líneas de campo y las superficies de los electrodos son ortogonales (deducido de
1. y 2.).
4.) La distancia a entre dos líneas equipotenciales está siempre relacionada con la misma
diferencia de potencial ∆V. La distancia b entre dos líneas de campo (o líneas de
desplazamiento) está siempre relacionada con la misma carga ∆Q en los electrodos, es
decir, con el mismo flujo de desplazamiento. De esto se deduce que la capacitancia del
elemento ∆C = ∆Q/∆V, que está relacionada con cada "caja" o elemento con una
longitud z, es igual para todas las "cajas" (elementos) en el mapa de campo:

Esto significa que la relación de aspecto b/a es igual para todos los elementos:

La mejor forma de mapear el campo es dibujar elementos cuadrados, es decir, si se elige

b/a = 1.
La relación de aspecto es correcta, si los cuatro lados del elemento cuadrado toquen un
círculo inscrito, Figura 2.3-7.
Las herramientas tradicionales de la cartografía gráfica de campo son el papel en blanco,
el lápiz y el borrador (goma); también son buenas opciones los programas gráficos
sencillos que facilitan la mejora iterativa del mapa.
Es aconsejable comenzar el dibujo en una zona en la que se conozca la distribución de
potencial. Los contornos de los electrodos dan una orientación para la distribución de
las líneas equipotenciales.
Como primera aproximación, las líneas de campo se dibujan ortogonalmente a las líneas
equipotenciales y a los contornos de los electrodos. Las relaciones de aspecto de los
recuadros resultantes tienen que ser constantes según la ecuación (2.3-36). Las
irregularidades con respecto a las reglas de trazado (1. a 4.) indican cómo debe
mejorarse el mapa real mediante el reposicionamiento de las líneas de campo y las líneas
equipotenciales.
En la práctica, a menudo será necesario un mayor número de pasos de iteración para
lograr un resultado satisfactorio.
El método gráfico de mapeo de campos se explicará para el ejemplo prácticamente
importante de los campos en los bordes de un condensador de placas paralelas, Figura
2.3-8 y 2.3-9:

Ejemplo: Campo de borde de un condensador de placas paralelas

Paso 1 (Figura 2.3-8a): En primer lugar, se dibuja la distribución de potencial conocida

en la parte uniforme o conocida del campo (1). El curso posterior de las líneas
equipotenciales se orienta aproximadamente con los contornos de los electrodos dados
(2).
Nota: Es aconsejable empezar sólo con un pequeño número de líneas equipotenciales
(por ejemplo, líneas para el 0 %, 25 %, 50 % 75 % y 100 %). El mapa completado puede
refinarse más por interpolación si es necesario.

Paso 2 (Figura 2.3-8a): El mapa se complementa con líneas de campo rectangulares a

las líneas equipotenciales, con la relación de aspecto b/a = 1. Es aconsejable proceder a
lo largo de un contorno de electrodo (por ejemplo, en el lado de alta tensión).

La inscripción de los círculos muestra si las relaciones de aspecto de las cajas difieren
significativamente del valor deseado 1 en los casos (3).

Paso 3 (Figura 2.3-8b): Ahora se mejora el mapa inicial. En este ejemplo se aumenta la
distancia entre la línea del 25 % y el electrodo inferior (4). El 75 %
Figura 2.3-7: Mapeo gráfico de líneas de campo y líneas equipotenciales para campos
bidimensionales.

La línea equipotencial se desplaza más cerca del electrodo superior (lado interior y
borde), la distancia hacia el lado exterior aumenta considerablemente (5). Hay que tener
en cuenta que la intensidad de campo en la región del borde del electrodo debe disminuir
desde el electrodo superior hacia el inferior, es decir, la distancia de las líneas
equipotenciales aumenta.

Una comprobación de las relaciones de aspecto y de los ángulos muestra que el mapa
de campo aún debe mejorarse.

Paso 4 (Figura 2.3-8c): El patrón de campo final se obtiene mediante aproximaciones

iterativas con respecto a las reglas de dibujo.
En el ejemplo dado es aconsejable comenzar con la inscripción de círculos en la región
con el campo uniforme y proceder hacia las regiones con campos no uniformes (6). La
posición y la dirección de las líneas equipotenciales y de las líneas de campo, así como
los diámetros de los círculos inscritos, deben ajustarse de forma iterativa y paso a paso.
La evaluación de un patrón de campo completo proporciona información aproximada
sobre la ubicación y la magnitud de la intensidad de campo máxima, los perfiles de
intensidad de campo a lo largo de los contornos y la capacitancia que debe asignarse al
campo eléctrico.
La intensidad de campo para cualquier elemento del patrón de campo es

∆V es la diferencia de potencial y a es la distancia entre dos líneas equipotenciales para

el elemento considerado ("caja"). E es la intensidad del campo medio en el elemento
("caja"), su precisión depende de la exactitud del dibujo.
 Figura 2.3-8:
Mapeo gráfico de las líneas de campo y de las líneas equipotenciales para el campo
de borde bidimensional (plano) de un condensador de placas parciales en diferentes
etapas de iteración:
a) Una primera aproximación que no coincide con las reglas de dibujo en muchos
artículos.
b) Mapa mejorado según el desajuste en un paso anterior.
c) Un mapa más mejorado que, en general, se ajusta a las normas de dibujo.
Para las conclusiones cualitativas, la iteración c) suele ser suficiente.
 Las intensidades de campo, que se toman de los patrones gráficos de campo, deben
manejarse con cuidado. En general, los valores cuantitativos precisos requieren un
análisis numérico o analítico si es posible.
Todo el volumen de campo puede considerarse como una conexión en serie y en
paralelo de capacitancias de elementos iguales ∆C, Figura 2.3-7. El número de ramas
paralelas 𝑛𝑝 y el número de conexiones en serie 𝑛𝑠 pueden contarse a partir del mapa
de campo. Según la Ecuación (2.3-35) y con 𝑏/𝑎 = 1 la capacidad total es

A menudo, la determinación de la capacitancia es posible con menos inexactitud. La

capacitancia es una cantidad integral y las inexactitudes gráficas se compensan entre sí
como resultado de la visión integral de todo el espacio del campo.

Ejemplo: Campo de borde de un condensador de placas paralelas (continuación)

Paso5 (Figura 2.3-8c y 2.3-9): El punto de máxima intensidad de campo se encuentra

en el lado interno de la curvatura del electrodo. La magnitud de la intensidad de campo
máxima es

La distancia mínima 𝑎𝑚𝑖𝑛 entre el 100 % y el 75 % de la línea equipotencial es casi la

mitad que en la región uniforme del campo. Por lo tanto, el factor de aumento de la
tensión de campo es aproximadamente 2. De hecho, la intensidad de campo máxima
real será algo mayor porque la intensidad de campo no es constante dentro del elemento
cuadrado más pequeño, y la medición según la ecuación (2.3-37) da un valor medio sólo
para el elemento. Se puede determinar un perfil de intensidad de campo a lo largo del
contorno del electrodo del 100 % a partir del patrón de campo con la Ec. (2.3-37), Figura
2.3-9.

La capacitancia del condensador ideal de placas paralelas 𝐶0 = 𝜀𝐴/𝑑 tiene que ser
incrementada por una capacitancia adicional de campo de borde 𝐶𝑒𝑑𝑔𝑒 ∶ 𝐶𝑡𝑜𝑡 =
𝐶0 + 𝐶𝑒𝑑𝑔𝑒 . 𝐶𝑒𝑑𝑔𝑒 se calcula con la Ecuación (2.3-38) para z = 1 m en el aire y
para la región que se muestra en la Figura 2.3-8c (es decir, sólo la región con los
"círculos", pero sólo en la curvatura y en el lado exterior):

El método gráfico descrito puede utilizarse para campos bidimensionales planos. Sin
embargo, también puede aplicarse a campos con simetría de rotación, que también son
bidimensionales. Para el ejemplo de la figura 2.3-7, se supone ahora que hay un eje de
rotación horizontal en la línea inferior de la figura. De este modo, los elementos en forma
de barra ∆C con la longitud z se transforman en elementos circulares en forma de anillo
con la circunferencia 2𝜋𝑟:
Debido a que ∆C = ∆Q/∆V = constante, la relación de aspecto de los elementos es

Por lo tanto, la relación de aspecto b/a debe ajustarse en función de r, proporcionalmente

a 1/r. Así, el dibujo preciso de una imagen de campo es mucho más difícil.
El trazado gráfico de campos también puede aplicarse a configuraciones con varios
dieléctricos (sección 2.4). Además de las reglas de dibujo descritas anteriormente, es
necesario considerar las "leyes de refracción" para las líneas de campo y las
líneas equipotenciales en las interfaces entre materiales aislantes, Figura 2.4-10 y 2.4-
25.

Figura 2.3-9: Perfil cualitativo de la magnitud de la intensidad de campo a lo largo

del contorno del electrodo 100 % (coordenada s).

En el caso de los campos tridimensionales, sólo es posible realizar dibujos cualitativos

aproximados sin ninguna información cuantitativa. En general, las líneas de campo
tridimensionales no se sitúan en un plano de dibujo, sino que penetran en él
normalmente. Por lo tanto, no es posible dibujar las líneas de campo en un plano. Un
mapa de campo bidimensional tiene que limitarse a las líneas equipotenciales, que son
las líneas de intersección entre la superficie equipotencial y el plano de dibujo. Los
patrones de campo significativos sólo pueden ser calculados con cálculos numéricos de
campo (Sección 2.5).
No obstante, los bocetos son valiosos para apoyar la imaginación y la comprensión
física del ingeniero, pero no deben sobrevalorarse.

2.3.4 Mapeo conformado (para campos planos)

El mapeo conforme es un método para el cálculo analítico de algunos importantes
campos bidimensionales de alta tensión.
Nota: El mapeo conforme era de gran importancia antes de que se dispusiera de métodos
de cálculo de campos numéricos. Hoy en día tiene un interés principalmente histórico:
Sólo hay unas pocas configuraciones de campo importantes que todavía se basan en el
mapeo conforme.

Figura 2.3-10: Mapeo conforme de líneas de campo y líneas equipotenciales desde el

plano z complejo al plano w.

La idea básica del mapeo conforme es transformar el plano 𝑥, 𝑦 (junto con una
configuración de electrodos complicada dada) en un plano 𝑢, 𝑣, donde la configuración
de los electrodos puede calcularse fácilmente. Después, la solución se transforma
inversamente, de nuevo en el plano 𝑥, 𝑦, Figura 2.3-10.

Para ello, el plano geométrico 𝑥, 𝑦 se considera como un plano complejo 𝑧 (𝑧 = 𝑥 +

𝑗𝑦) y el plano geométrico 𝑢, 𝑣 como un plano complejo 𝑤 (𝑤 = 𝑢 + 𝑗𝑣). De este
modo, los dos ejes geométricos se sustituyen por un eje real y otro imaginario. El
llamado mapeo conforme se realiza mediante una función compleja
Mapea los puntos del plano z en el plano w. La función compleja tiene dos propiedades
importantes [2], [3], [6], Figura 2.3-10:

• Las figuras de tamaño finito pueden estar sujetas a deformaciones por el mapeo
conforme, pero los ángulos entre las curvas, y por lo tanto la ortogonalidad de las
líneas de campo y las líneas equipotenciales se conserva, es decir, el mapeo que
conforma es isogonal.
• Las cifras de tamaño suficientemente pequeño conservan su forma, y los
elementos infinitesimales descritos por líneas de campo y líneas
equipotenciales conservan su relación de aspecto durante la transformación.

Nota: Estas afirmaciones no son válidas para el origen, que es una singularidad (polo).

Esto significa que los campos potenciales, que se calculan en el plano z, conservan su
carácter de campo potencial durante la transformación en el plano w y viceversa, Figura
2.3-10. Sin embargo, el patrón de campo macroscópico puede deformarse.

Nota: Matemáticamente, toda función regular de una cantidad compleja 𝑓(𝑧) = 𝑓(𝑥 +
𝑗𝑦) cumple la ecuación de Laplace (2.3-22) para el caso bidimensional, es decir, si la
carga espacial 𝜂 es nula:

Desde

se concluye además que

Esta ecuación sólo puede cumplirse si las partes real e imaginaria son ambas cero. Esto
significa que las funciones 𝑢(𝑥, 𝑦) y 𝑣(𝑥, 𝑦) son ambas soluciones de la ecuación de
Laplace.

Si las curvas en el plano w, definidas por 𝑣 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. ~𝜑, se consideran líneas

equipotenciales (figura 2.3-10 derecha), la función 𝜑(𝑥, 𝑦)~ 𝑣(𝑥, 𝑦) = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. define
la distribución de potencial en el plano 𝑥, 𝑦. Las curvas ortogonales con 𝑢 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.
pueden considerarse entonces como líneas de campo, Figura 2.3-10.

Ejemplo: La función 𝒘 = 𝒛𝟐

La función 𝑤 = 𝑧 2 = (𝑧 ∙ 𝑒 𝑗𝛼 )2 = 𝑧 2 ∙ 𝑒 𝑗2𝛼 duplica los ángulos α de todos los

vectores complejos z que emanan del punto nulo. Por lo tanto, la función puede
utilizarse para transformar un electrodo formado por dos paredes ortogonales en el
plano x,y (α = 90°) en un electrodo plano en el plano u,v (2α = 180°), Figura 2.3-11.
En el plano u,v, el campo sobre un electrodo plano es un campo uniforme y el potencial
aumenta linealmente con la tensión V y con la distancia v (k es una constante):

Esta es la ecuación para las líneas equipotenciales en el plano w. La relación entre el

plano w y el plano z viene dada por

Por lo tanto, las líneas equipotenciales (𝑣 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.) son hipérbolas en el plano x,y,
simétricas con respecto a la línea bisectriz entre los ejes x e y:

Para las líneas de campo (𝑢 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡.) existen hipérbolas simétricas respecto a los ejes
x e y:

La distribución de potencial en el plano 𝑥, 𝑦 es

En el plano 𝑥, 𝑦, el potencial de los electrodos rectangulares se fija en cero

(electrodo de referencia). La línea equipotencial con la distancia diagonal a desde el
origen se selecciona como contra electrodo con el potencial 𝜑 = 𝑉. La constante 𝑘 =
2/𝑎2 se determina con la condición 𝜑 = 𝑉 para 𝑥 = 𝑦 = 𝑎⁄21⁄2:
 Figura 2.3-11:
Mapeo conforme de las líneas de campo y líneas equipotenciales para un electrodo
rectangular:𝑤 = 𝑧 2

La intensidad del campo eléctrico E es el gradiente de 𝜑:

La magnitud es

En la esquina interior del electrodo de referencia (𝑥 → 0, 𝑦 → 0) ya no hay intensidad

de campo, es decir, 𝐸 → 0.

En la superficie del electrodo hiperbólico de alta tensión 1/2 en el eje de simetría (𝑥 =

𝑦 = 𝑎/21⁄2 ) la intensidad de campo es 𝐸 = 2 𝑉/𝑎, es decir, el doble que en un
campo uniforme con la misma distancia de electrodos a. Sin embargo, las intensidades
de campo aumentan más fuera del eje de simetría.

La situación cerca del eje de simetría es comparable a la de un conductor curvo (por

ejemplo, un conductor tubular) en la esquina de un edificio.
Generalmente es difícil encontrar una función que transforme una configuración dada
en una configuración básica calculable. Por lo tanto, se utiliza una técnica diferente:
partiendo de funciones dadas 𝑤 = 𝑓(𝑧), se investigan las configuraciones de campo
que surgen en el plano x, y.
De este modo, se puede calcular analíticamente un gran número de configuraciones
técnicamente relevantes. Mientras tanto, cualquier configuración de campo puede
calcularse directamente de forma numérica (sección 2.5). Por lo tanto, no es necesario
discutir todos los muchos casos especiales que son más o menos adecuados para el
mapeo conforme; se pueden encontrar en la literatura [2], [3], [4], [16], [17].
La figura 2.3-12 muestra algunas configuraciones calculables y las transformaciones
correspondientes. Algunas se analizan a continuación.

Ejemplo: Haz de conductores

Para reducir las intensidades de campo en las superficies de los conductores de las líneas
aéreas de alta tensión (para los niveles de tensión 𝑉𝑚 = 245 𝑘𝑉 y superiores), los
conductores individuales se sustituyen normalmente por haces de conductores.

Figura 2.3-12: Ejemplos de campos bidimensionales que pueden calcularse mediante

mapeo conforme. (Véase la bibliografía).
Un haz de conductores está formado por n subconductores paralelos de radio 𝑟0 . Están
distribuidos uniformemente en un círculo de radio R y tienen el mismo potencial, Figura
2.3-12 superior. Un radio equivalente R' para un conductor cilíndrico único con la
misma capacitancia frente a un contraelectrodo distante se calcula mediante la función
𝑤 = 𝑙𝑛 𝑧 para radios pequeños de subconductores 𝑟0 << 𝑅 [2]:

Si se conducen dos haces de conductores idénticos en paralelo con la distancia a, la

carga puede determinarse a partir de los cálculos de la capacitancia según la sección
2.3.5.3. De ello se deduce la intensidad de campo máxima en la superficie del conductor
[2]:

La relación de reducción de la intensidad de campo E con respecto a la intensidad de

campo 𝐸0 en la superficie de un solo conductor con el radio 𝑟0 es

Estas ecuaciones también son válidas para haces de conductores que se conducen a una
distancia h por encima de un plano conductor (tierra), si a y V se sustituyen por 𝑎 =
2ℎ 𝑦 𝑉 = 2 ∆𝑉𝐿⁄𝐺 . Este plano se considera entonces como un plano de simetría en
una configuración con dos haces de conductores paralelos, véase también la sección
2.3.5.3.

Ejemplo: Campo de borde de un condensador de placas paralelas

El campo en el borde de un condensador de placas paralelas es especialmente
importante para la ingeniería de alta tensión, Figura 2.3- 12 inferior. Durante la
transformación en el plano w se consigue un campo uniforme mediante un giro de 180°
de la superficie superior del electrodo en el sentido de las agujas del reloj en torno a un
eje situado en el borde del electrodo. Las líneas equipotenciales en el campo uniforme
del plano w se definen por la ecuación 𝑣 = 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡. .

En el plano z hay líneas equipotenciales, que se doblan alrededor del borde del electrodo
superior. Cerca del borde, la intensidad de campo aumenta fuertemente; se aproxima a
una magnitud infinita en el propio borde. En el electrodo inferior la intensidad de campo
disminuye en dirección hacia el exterior.
El volumen entre los electrodos está dividido en dos partes por la superficie
equipotencial que está representada por la línea 𝑣 = 𝜋/2, el llamado perfil de
Rogowski: En el volumen superior las líneas equipotenciales se curvan alrededor del
electrodo superior y las intensidades de campo a lo largo de estas líneas alcanzan
máximos locales 𝐸 > 𝐸0 = 𝑉/𝑎. En el volumen inferior la intensidad de campo nunca
supera el valor del campo uniforme 𝐸 ≤ 𝐸0 = 𝑉/𝑎. Los electrodos con forma de perfil
de Rogowski (electrodos de Rogowski) son de gran importancia en la ingeniería de alta
tensión, ya que con ellos se pueden evitar los aumentos de tensión de campo en los
bordes de los electrodos. Una aplicación importante es la comprobación de la resistencia
a la rotura de los materiales.

A lo largo del perfil de Rogowski, la intensidad de campo disminuye continuamente en

dirección al exterior. Por lo tanto, la curvatura del electrodo podría aumentar más para
conseguir una construcción más compacta. Esto es necesario para tensiones más altas
con electrodos muy grandes. Las dimensiones más pequeñas se consiguen si la
intensidad de campo se mantiene constante a lo largo del electrodo curvado: 𝐸 = 𝐸0 .
El contorno correspondiente se denomina "perfil de Borda", que también puede
determinarse mediante mapeo conforme o mediante optimización numérica iterativa. El
perfil de Borda es un contorno en espiral con un radio de curvatura continuamente
decreciente. Una aplicación importante es la graduación del campo en los accesorios de
entrada de cables y en los empalmes de cables, Figura 2.436, 7.1.1-4 y -5.

Nota: Los electrodos con un contorno conformado según el perfil de Borda se

denominan frecuentemente, pero de forma imprecisa, electrodos Rogowski.

En muchos casos prácticos suele ser suficiente utilizar un borde de electrodo cilíndrico
con un radio de curvatura constante R mayor que la distancia del electrodo d:

La distancia d es la distancia entre dos electrodos de placa redonda idénticos, véase la

figura 2.3-5. Por lo tanto, la distancia en las figuras 2.3-8 y 2.3-9 es 𝑑/2.

Nota: El aumento de la tensión de campo se estima para este caso, si se supone un

campo cilíndricamente simétrico con 𝑅1 = 𝑅, 𝑅2 = 𝑅 + 𝑑/2 𝑦 𝑅 = 𝑑 de acuerdo
con las ecuaciones (2.3-22) y (2.3-28). El resultado 𝐸1 /𝐸0 = 2,47 sobreestima
fuertemente el aumento de la tensión del campo, que es significativamente menor. Se
obtiene un mejor resultado si se supone un mayor "radio exterior efectivo" 𝑅2 = 2𝑅 +
𝑑/2 en el borde del electrodo, Figura 2.3-8c). El resultado 𝐸1 /𝐸0 = 1,1 es coherente
con el aumento de la tensión de campo real, que también puede estimarse mediante
Factor de eficiencia de campo de Schwaiger, Sección 2.3-6 [22].

Estas estimaciones muestran que los resultados dependen en gran medida de las
hipótesis simplificadoras. Por lo general, las estimaciones no pueden sustituir a los
cálculos analíticos o numéricos exactos. Sin embargo, al igual que el mapeo gráfico del
campo (Sección 2.3.3), las estimaciones de intensidad de campo son una buena
herramienta para tener una idea de los órdenes de magnitud.
2.3.5 Método de simulación de carga

El método de simulación de carga (CSM) es otra herramienta tradicional para el cálculo

analítico de configuraciones específicas de campo de ingeniería de alto voltaje.
También se puede utilizar para el cálculo numérico de cualquier campo electrostático
(Sección 2.5).
El método de simulación de carga se basa directamente en la física de los campos
electrostáticos, por lo que los campos fuente se generan por superposición de los
campos de muchas cargas individuales. Sin embargo, estas cargas equivalentes no se
colocan en las superficies de los electrodos donde deberían estar en realidad. En su
lugar, se parte de distribuciones de carga simplificadas (cargas puntuales, cargas
lineales, cargas anulares, etc.) y luego se seleccionan los contornos de los electrodos de
las superficies equipotenciales resultantes. Por lo tanto, el método a veces se denomina
"método indirecto" [67]. Las cargas representan solo un número limitado de cargas
equivalentes, dando el mismo campo electrostático entre los electrodos que un número
infinito de cargas reales. En inglés, el término "método de simulación de carga" (CSM)
es común, pero el método también se denomina "método de carga equivalente".

En los capítulos siguientes se analizan campos importantes de la ingeniería de alta

tensión, es decir, campos en las proximidades de dos cargas puntuales (Sección 2.3.5.1),
entre dos esferas conductoras (Sección 2.3.5.2), en las proximidades de dos cargas
lineales en paralelo (Sección 2.3.5.3) y entre cilindros conductores (Sección 2.3.5.4).
Por sus simetrías, estos casos también incluyen los campos entre esferas o cilindros y
planos conductores [2].

Esto permite calcular analíticamente algunas configuraciones de campo importantes, p.

electrodos de apantallamiento esféricos junto a paredes planas, vías de chispas esféricas
(vías de chispas de medición), conductores cilíndricos junto a paredes planas y líneas
aéreas.

2.3.5.1 Esferas conductoras (cargas puntuales)

Los campos en la vecindad de las esferas conductoras resultan de la superposición de
campos o potenciales de cargas puntuales.
El potencial en la vecindad de una carga puntual única Q se deriva de la intensidad del
campo eléctrico de acuerdo con la ecuación. (2.3-2) por integración de r a f:

El potencial de referencia es M(f) = 0. Se asume la contracarga -Q para r = f. El campo

de dos cargas puntuales Q1 y Q2 resulta de la superposición de los potenciales; r1 y r2
son las distancias desde las cargas puntuales Q1 y Q2 hasta un punto de referencia P en
el que se forma el potencial M al superponer los potenciales M1 + M2 = M, Figura 2.3-
13:
Ejemplo: “Cargas de imagen” con igual magnitud y polaridad opuesta
Si las cargas Q1 = Q y Q2 = -Q1 = -Q tienen la misma magnitud, pero polaridad opuesta,
la condición para las superficies equipotenciales es

Las contracargas -Q1 = -Q y -Q2 = +Q están infinitamente lejos y se compensan entre

sí en este caso. Debido a la posición simétrica de espejo de las cargas Q1 = +Q y Q2 =
Q con respecto a la superficie equipotencial plana M = 0, se pueden utilizar los términos
"cargas imagen" y "superficie de reflexión".
De acuerdo con la Ec. (2.3-46) el potencial M = 0 resulta para radios infinitos r1 y r2 y
para radios finitos si r1 = r2, es decir, para el plano de simetría ortogonal a la línea de
conexión entre las dos cargas, Figura 2.3-14.
Para las posiciones reales de las cargas, los potenciales teóricamente se aproximan a
infinitos valores positivos y negativos (r1 = 0 o r2 = 0). Este es el caso extremo de la
llamada carga puntual.
Para el cálculo de configuraciones prácticas de electrodos, se deben seleccionar dos
superficies equipotenciales (por ejemplo, con M = +V/2 y M = -V/2), que sirven como
superficies de electrodos. En el ejemplo dado, sin embargo, estas superficies no son
esféricas.

Figura 2.3-13: Superposición de campos electrostáticos, que son generados por dos
cargas puntuales.
Figura 2.3-14: Perfil de potencial en la línea de conexión entre dos cargas puntuales +Q
y -Q (ver también fig. 2.3-13). +V/2 y V/2 son los potenciales de dos superficies
equipotenciales, que se seleccionaron como contornos de electrodos (diferencia de
potencial V).
Para dos cargas Q1 y Q2 con polaridad opuesta y diferentes cantidades de carga se debe
determinar la superficie equipotencial M = 0. Obviamente, este no será el plano
geométrico de simetría (como en el ejemplo anterior). Sin embargo, en un sentido más
general, Q1 y Q2 se denominan "cargas de imagen" y la superficie M = 0 como
"superficie de reflexión".
Con la ecuación (2.3-45) la condición para la superficie de reflexión M = 0 es

En el caso de polaridades opuestas, la relación de las cargas k = Q1/(-Q2) es una

cantidad positiva y la ecuación. (2.3-47) describe una ecuación circular. Esto se
mostrará en la siguiente, Figura 2.3-15. El punto central (punto medio) M del círculo se
elige como el origen de un sistema cartesiano de coordenadas x,y.
De la ecuación. (2.3-47) y la Figura 2.3-15 encontramos

Esta ecuación se reordena para constituir la ecuación del círculo en el sistema de

coordenadas x,y:
Esta expresión describe un círculo alrededor del origen de coordenadas M, si el término
que contiene x (en el lado derecho de la ecuación) es cero. El primer término, que es
independiente de x e y, es entonces igual al cuadrado del radio r0:

A partir de esto se definen dos ecuaciones para la posición b de la carga equivalente Q2

y para el radio r0 de la línea equipotencial. Entonces b se deriva del segundo término
que contiene x, y este término se iguala a cero:

El primer término proporciona r0 al insertar b de la ecuación. (2.3-48):

De acuerdo con la Ec. (2.3-48) b se inserta:

Con k > 1 encontramos para el radio r0 de la línea equipotencial M = 0 la relación

Nota: Se demostró que la condición M = 0 en el plano x,y corresponde a una ecuación
circular según la Figura 2.3-15. Esto es válido para todos los planos que contengan la
línea de conexión entre las cargas Q1 y Q2. Dichos planos resultan de una rotación del
plano de dibujo en consideración sobre la línea de conexión (es decir, el eje x). La línea
equipotencial circular M = 0 se transforma así en una superficie equipotencial esférica;
la configuración bajo consideración es esféricamente simétrica.
La superficie de la esfera sigue siendo una superficie equipotencial si se inserta otra
carga Q3 en el origen M, figura 2.3-16. El potencial en cualquier punto P viene dado
por la superposición de los potenciales, que se atribuyen a las tres cargas equivalentes
Q1, Q2 y Q3:

con la ecuación (2.3-44) y M1 + M2 = 0 obtenemos para todos los puntos S en la

superficie de la esfera

Figura 2.3-15: Descripción geométrica de la superficie equipotencial M como ecuación

circular o como superficie esférica.
Ejemplo: Esfera metálica sin carga
Una esfera metálica sin carga (radio r0) está expuesta al campo de una carga puntual
Q1. Se da la distancia d entre Q1 y el punto central M de la esfera. Se determinarán las
siguientes cantidades:
(1) Magnitud y posición de la carga equivalente,
(2) Potencial de la superficie de la esfera,
(3) Distribución potencial en el volumen de campo y
(4) Intensidad de campo máxima.

Nota: La esfera metálica sin carga en un campo eléctrico puede considerarse como un
modelo de partícula conductora o como un electrodo en potencial libre.
(1) Cargos equivalentes
Una configuración con una superficie equipotencial esférica puede describirse mediante
tres cargas equivalentes Q1, Q2 y Q3 según la Figura 2.3-16. La especificación de una
esfera sin carga significa que las cargas Q2 y Q3 deben ser iguales en magnitud y
opuestas en polaridad:

Q2 se puede determinar con las Ecs. (2.3-47) a (-49) de las cantidades dadas Q1, r0 y
d:

La magnitud de la carga equivalente Q2 es

La división de la Ec. (2.3-48) por la ecuación. (2.3-49) da

La posición b de la carga equivalente Q2 se calcula con la ecuación. (2.4-53):

Por tanto, la magnitud Q2 y la posición b de la carga equivalente se expresan mediante

las cantidades dadas Q1, r0 y d. Q2 es la llamada "carga de imagen" con respecto a Q1,
la "superficie de reflexión" es la superficie de la esfera en este caso. De acuerdo con la
Ec. (2.3-52), las cargas equivalentes Q3 y Q2, tienen la misma magnitud, pero polaridad
opuesta.

Figura 2.3-16: Esfera conductora con potencial, descrita por tres cargas equivalentes.
Nota: Las cargas consideradas Q1, Q2 y Q3 provocan la distribución correcta del campo
en el exterior de la esfera conductora, pero no representan la distribución de carga real
en el electrodo, por lo que se denominan cargas equivalentes. En un electrodo
conductor, las cargas reales se distribuyen continuamente sobre la superficie debido a
las fuerzas electrostáticas. La densidad de carga del área es igual a la densidad de
desplazamiento dieléctrico local, Eq. (2.1-3) y Figura 2.3-17. Solo las magnitudes de
carga total son idénticas a las cargas equivalentes.
(2) Potencial de la superficie de la esfera
Antes de la inserción de la carga Q3, la superficie de la esfera tiene el potencial M = 0
debido a las cargas imagen Q1 y Q2, Figura 2.3-15. Con Q3 y las ecuaciones. (2.3-51)
a (-53) el potencial es
Por lo tanto, el potencial de la superficie de la esfera es idéntico al potencial del punto
central M en el campo de la carga puntual Q1 antes de la inserción de la esfera. Esto
también es válido para cualquier configuración de campo, que siempre puede generarse
a partir de la superposición de cargas únicas equivalentes, Figura 2.3-17.

Figura 2.3-17: "Distorsión" de un campo electrostático uniforme por una esfera

conductora sin carga neta. El potencial de la esfera es igual al potencial del punto central
M antes de la inserción de la esfera. La distribución de carga en esta imagen se refiere
a portadores de carga reales que se distribuyen continuamente sobre la superficie de la
esfera. En contraste con esto, los cálculos se realizan con algunas "cargas equivalentes",
que se encuentran en el eje x, ver fig. 2.3-16.
(3) Distribución potencial en el volumen de campo
En el volumen de campo en el exterior de la esfera conductora, el potencial viene dado
por la superposición de los potenciales, asignados a las tres cargas:
con la ecuación (2.3-44) y la Figura 2.3-16 encontramos

Q2 y Q3 pueden ser reemplazados por Q1 según la ecuación. (2.3-53) y (-52):

En esta ecuación, las distancias r1, r2 y r3 entre P y las cargas equivalentes Q1, Q2 y
Q3 deben ser reemplazadas por las coordenadas del punto P, Figura 2.3-16. Las
intensidades de campo se calculan a partir del gradiente del potencial de acuerdo con la
ecuación. (2.1-8).
(4) Intensidades de campo máximas
La máxima intensidad de campo se produce en el eje x para x = -r0 en el punto A de la
superficie de la esfera. El campo eléctrico en el eje x solo tiene una componente x; de
acuerdo con la Ec. (2.1-8a) se puede determinar por la derivada del potencial M con
respecto a x.
En el intervalo -d < x < -r0, el potencial M(x) se calcula a lo largo del eje x a partir de
la ecuación. (2.3-57) con r1 = d + x, r2 = -(b + x) y r3 = -x.
Las distancias r1, r2 y r3 entre P y las cargas equivalentes son cantidades (magnitudes)
positivas y por lo tanto deben insertarse en el intervalo considerado -d < x < -r0 en el
eje x negativo según la definición anterior; x define la posición del punto P considerado
en el eje x, Figura 2.3 16:

La componente x de la intensidad del campo eléctrico Ex se calcula a partir del gradiente

del potencial M:
La máxima intensidad de campo E se encuentra en x = - r0 en el punto A. Es igual a la
componente x de la intensidad de campo Ex en este punto:

Después de cancelar r0, la intensidad de campo máxima en el punto A en x = - r0 es

Esta ecuación permite calcular la mejora de la tensión de campo causada por la esfera.
Antes de la inserción de la esfera, la carga Q1 provoca la intensidad del campo eléctrico

en el punto A según la Ec. (2.3-2). Con las Ecs. (2.3-59) y (-60), la relación entre la
intensidad de campo mejorada y la original es

Para un campo casi uniforme E0, la distancia d es d >> r0 y la intensidad del campo
aumenta por un factor de 3, Figura 2.3-18:
Figura 2.3-18: Realce de campo por una esfera conductora sin carga (arriba) y por una
elevación de electrodo hemisférico en un electrodo plano (abajo) en el campo
originalmente uniforme.
Nota: Este resultado muestra que las partículas conductoras pueden causar aumentos de
tensión de campo peligrosos en los aislamientos. Muy a menudo, las partículas reales
difieren más o menos de la forma esférica ideal y, por lo tanto, provocan mejoras de
tensión de campo significativamente mayores. ¡El procesamiento limpio de materiales
aislantes para la prevención de impurezas conductoras es un requisito básico de la
fabricación de tecnología de alto voltaje!
En el caso especial de un campo uniforme (d >> r0) la configuración es simétrica con
respecto al plano equipotencial MS, Figura 2.3-17. Este plano se puede ver entonces
como un electrodo plano con una elevación de electrodo hemisférica, Figura 2.3-18. La
intensidad de campo máxima es tres veces mayor que en el campo uniforme no
perturbado.
La mejora de la tensión de campo causada por un hemisferio conductor en un electrodo
plano también se puede considerar como un modelo para la mejora de la tensión de
campo en una superficie de electrodo irregular. La irregularidad de las superficies de
los electrodos es responsable del inicio temprano de la descarga en electrodos a voltajes
con intensidades de campo macroscópicas significativamente inferiores a las
intensidades de campo de inicio previstas (en el aire, ÊD es de aproximadamente 30
kV/cm).

2.3.5.2 Campo entre dos esferas conductoras (brecha de esfera a esfera)

El método de simulación de carga también permite calcular el campo entre dos
electrodos esféricos (disposición de esfera a esfera) y entre un electrodo esférico y un
plano de simetría (disposición de esfera a plano). Las aplicaciones prácticas importantes
son los espacios entre esferas o los electrodos de blindaje esféricos de alto voltaje cerca
de una pared plana. Por lo tanto, el cálculo iterativo comparativamente laborioso se
explica aquí, Figura 2.3-19:
Se especifican dos esferas conductoras con el radio r0, la distancia del punto central d
y la diferencia de potencial 'M = V. El cálculo se realiza en dos pasos:
(1) Al colocar cargas equivalentes, las superficies esféricas especificadas se aproximan
a las superficies equipotenciales calculadas.
(2) Las intensidades de campo se determinan a partir de la superposición de campos de
carga equivalentes después del posicionamiento de las cargas.
(1) Cargos equivalentes
(a) Al principio, una carga equivalente Q se coloca en el punto central de una esfera
virtual 1. Debido al campo esféricamente simétrico, la superficie esférica 1 es una
superficie equipotencial. El potencial M1 = V/2 se determina eligiendo la magnitud de
Q. Ahora bien, la superficie esférica 2 no es una superficie equipotencial debido al
campo radialmente simétrico de la carga Q en el punto central de la esfera 1, Figura 2.3-
19a.
(b) La superficie esférica 2 se puede transformar en una superficie equipotencial con el
potencial M2 = 0 colocando una carga de imagen Q´ a una distancia b´ de su punto
central, figura 2.3-19b. Los cargos Q y Q´ son comparables a los cargos Q1 y Q2 en la
Figura 2.3-15. Después del posicionamiento de Q´, la esfera 1 deja de ser una superficie
equipotencial.
(c) La esfera 1 vuelve a ser una superficie equipotencial al colocar una carga equivalente
Q´´ como carga imagen con respecto a Q´, Figura 2.3-19c. La carga Q en el punto
central 1 provoca un campo esféricamente simétrico con superficies equipotenciales
concéntricas. El potencial es la suma de los potenciales relacionados con la carga Q y
el par de cargas (Q´, Q´´):

Ahora la esfera 2 ya no es una superficie equipotencial.

(d) La esfera 2 vuelve a ser una superficie equipotencial si Q´´´ se posiciona como una
imagen de carga con respecto a Q´´, Figura 2.3 19d. El potencial de la esfera 2 vuelve
a ser cero:

Ahora la esfera 1 ya no es una superficie equipotencial.

(e) Si se colocan más cargas imagen alternativamente, el estado de dos superficies
equipotenciales esféricas con los potenciales M1 = V/2 y M2 = 0 se puede aproximar
iterativamente.
Si se forma una segunda fila análoga de cargas de polaridad opuesta (comenzando con
la carga equivalente -Q en el punto central de la esfera 2), los potenciales de las dos
esferas 1 y 2 se aproximan por los potenciales M1 = 0 y M2 = - V/2. Tras la
superposición de las dos filas de cargas se obtiene la diferencia de potencial buscada
entre las dos esferas 'M = V/2 - (-V/2) = V.
A continuación, se compilan las ecuaciones necesarias para el cálculo de la magnitud y
posición de las cargas equivalentes. El listado se refiere a los pasos (a) a (e) que se
describieron anteriormente:
(a) Q provoca la superficie equipotencial 1 (M1 = V/2) según la ecuación. (2.3-44):

(b) Q´ y Q provocan la superficie equipotencial 2 (M2 = 0) según la Ec. (2.3-55) y (-

53):

(c) Q´´ y Q´, junto con Q, dan lugar a la superficie equipotencial 1 (M1 = 0 + V/2 =
V/2). La distancia d a la contracarga debe reducirse la distancia b´:

(d) Q´´´ y Q´´, junto con Q´ y Q, originan la superficie equipotencial 2 (M2 = 0 + 0 =

0). La distancia d a la contracarga debe reducirse la distancia b´´:

(e) y así sucesivamente .......

Nota: Debido al carácter recursivo, estas ecuaciones son adecuadas para producir un
programa de iteración numérica simple. Este ejemplo ilustra la idea básica del cálculo
de campo numérico con el método de simulación de carga, que iterativamente aproxima
los contornos de los electrodos dados colocando cargas equivalentes.
Ejemplo: espacio entre esferas con r0 = 0,2 d
Se calculará un espacio entre esferas para el caso especial con r0 = 0,2 d. Para ello se
evalúan numéricamente las Ecuaciones (2.3-63..), Figura 2.3-20. La primera fila de
carga (fondo blanco) genera el potencial M1= V/2 en la esfera 1, la segunda fila de
carga (fondo gris) genera el potencial M2 = -V/2 en la esfera 2. Fila no. 1 comienza con
la carga equivalente +Q en el punto central de la esfera 1, alineación no. 2 con la carga
equivalente -Q en el punto central de la esfera 2. Cabe señalar que cada fila contiene
cargas en ambas esferas alternativamente. Todas las cargas positivas están alineadas
dentro de la esfera 1, todas las cargas negativas dentro de la esfera 2. Con un número
creciente de pasos de iteración, la magnitud de las cargas y las distancias a las cargas
adyacentes se reducen drásticamente.
La capacitancia de la brecha de esfera se puede calcular con la ecuación. (2.1-10) y (2.3-
63a) de las sumas de carga en las esferas:

Sorprendentemente, esta capacitancia es menor que la capacitancia

entre una esfera del mismo tamaño y un contraelectrodo concéntrico infinitamente

lejano, Eq. (2.3-6).
El plano de simetría entre las esferas es un plano equipotencial con potencial M = 0. El
arreglo calculado también cubre el caso de un electrodo esférico contra un electrodo
plano (arreglo esfera a plano). En comparación con la Ec. (2.3-74) la capacitancia se
duplica:
 Figura 2.3-20: Posición y magnitud de las cargas equivalentes para el cálculo de un
espacio entre esferas con r0 = 0,2 d.
(2) Intensidades de campo máximas
Los potenciales asignados a las cargas equivalentes pueden superponerse, como en la
sección 2.3.5.1 anterior. La distribución de campo se deriva de la distribución potencial
utilizando la generación de gradientes.
Para la determinación de la máxima intensidad de campo en la línea de conexión de los
puntos centrales de las esferas en las superficies de las esferas (punto A, Figura 2.3-19)
es posible sumar las magnitudes de los vectores de campo directamente porque todos
los vectores de campo relacionados con las cargas equivalentes están en paralelo en este
punto.
De acuerdo con la Ec. (2.3-2) la componente de campo de una sola carga es

El índice “i” es el número de una sola carga equivalente, ri es la distancia entre la carga
equivalente Qi y el punto de campo A, Figura 2.3-19.
En el punto A, tanto las cargas positivas en la esfera 1 como las cargas negativas en la
esfera 2 generan vectores de campo en la misma dirección. Por lo tanto, la suma de
todos los componentes de campo Ei debe realizarse con el mismo signo positivo.
De acuerdo con la polaridad alterna de las cargas, los signos en la Ec. (2.3-66) alterna
también:

Nota: La magnitud de campo correcta en el punto A también se logra si todas las cargas
se insertan como magnitudes y todos los sumandos se superponen con signo positivo.
Las cargas pertenecen alternativamente a la primera fila de carga (empezada en la esfera
1 con +Q) ya la segunda fila (empezada en la esfera 2 con -Q).
La primera línea de la ecuación contiene la suma de todas las contribuciones de las
cargas positivas en la esfera 1. La distancia entre +Q y el punto A es igual al radio de la
esfera r0, cada una de las siguientes distancias se reduce en b´, b´´, b, …
La segunda línea de la ecuación contiene la suma de todas las contribuciones de las
cargas negativas en la esfera 2. Ahora la distancia entre -Q y el punto A es igual a (d -
r0), las siguientes distancias también se reducen en b´, b b, ....
Ya no tiene sentido insertar la Ec. (2.3-63) en la ecuación. (2.3-66). De hecho, se utilizan
los valores numéricos de las cargas equivalentes y sus posiciones.
Ejemplo: espacio entre esferas (continuación)
En el ejemplo anterior se trataba de un hueco esférico con r0 = 0,2 d y se determinaron
las cargas equivalentes Q, Q´, Q´´, Q´´´ y sus posiciones b, b´, b´´, b´´´. Al insertar los
valores numéricos en la Ec. (2.3-66) encontramos con

de acuerdo con la Ec. (2.3-63a):

El radio de las esferas es r0 = 0,2 d, la distancia entre los puntos centrales de las esferas
es d y la "distancia de chispa" entre las esferas es s = 0,6 d.
Los resultados se pueden comparar con la intensidad de campo en un condensador de
placas paralelas

con la intensidad de campo en la superficie de una sola esfera

y la máxima intensidad de campo en un espacio esférico con un espacio muy grande (d

>> r0)

2.3.5.3 Cargos por línea paralela

Algunas configuraciones importantes en ingeniería de alto voltaje se pueden calcular
por medio de cargas lineales con una carga Q uniformemente distribuida a lo largo de
la longitud de la línea L. A continuación, se analiza el campo eléctrico en la vecindad
de dos cargas lineales paralelas con igual magnitud pero polaridad opuesta. , Figura 2.3-
21.

Figura 2.3-21: Cargas lineales infinitamente largas en paralelo (vista tridimensional).

La distribución de potencial en el volumen de campo está determinada por la
superposición de los dos potenciales asignados a las dos cargas lineales. Es un campo
bidimensional, por lo que es suficiente la consideración de un plano ortogonal a las
cargas lineales, figura 2.3-22. Las contracargas y el potencial de referencia MB = 0 no
pueden considerarse a una distancia infinita como para el campo esféricamente
simétrico. Aquí, ocurriría una diferencia de potencial infinita, consulte la sección
2.3.1.3. A efectos de cálculo, se introducen radios finitos rB1 y rB2 para especificar las
distancias entre las cargas y las contracargas coaxiales. Pueden eliminarse más adelante,
si se asumen contracargas a grandes distancias, Figura 2.3-22. El cálculo se realiza con
la suposición y superposición de dos campos cilíndricos simétricos alrededor de las dos
líneas de carga.

Figura 2.3-22: Cargas lineales infinitamente largas en paralelo (vista seccional).

La superposición de los potenciales M1 y M2, que están asignados a las cargas +Q y –
Q, se realiza en el punto P. Con la Ec. (2.3-18) encontramos

Si se supone que el potencial de referencia está lejos, es decir, si

las distancias al potencial de referencia rB1 y rB2 se pueden reducir:

De acuerdo con la Ec. (2.3-67) superficies equipotenciales M = const. son descritas por
la condición

Durante la discusión de las cargas puntuales en la Sección 2.3.5.1, ya se mostró que tal
condición es una ecuación circular para el plano de dibujo bajo consideración, véase la
Ec. (2.3-47) ff. Por lo tanto, todas las superficies equipotenciales son superficies
cilíndricas en el campo bidimensional bajo consideración de las cargas lineales
paralelas.
Se puede demostrar que las líneas de campo también son círculos. Todos pasan por las
intersecciones de los ejes de carga lineal +Q y -Q con el plano de trazado [2]. Esto da
como resultado un método de representación gráfica para un campo y una línea
equipotencial, Figura 2.3-23:
• Al principio, se traza un círculo con el radio r = a/2 a través de los puntos del eje
de carga +Q y -Q. Los dos semicírculos describen dos líneas de campo.
• En cualquier punto P1, P2, ... el "círculo de línea de campo" y el "círculo de línea
equipotencial" se cortan ortogonalmente.
• Debido a la simetría, todos los puntos centrales M1, M2, ... de los círculos de línea
equipotencial se encuentran en el eje x. Además, los radios M1P1, M2P2, ... tocan
tangencialmente el círculo de la línea de campo, y los puntos centrales se
determinan a partir de las intersecciones de las tangentes en P1, P2, ... con el eje
x.
• Las líneas de campo adicionales se trazan como círculos con puntos centrales en
el eje y.
El potencial de los puntos P1, P2, ... y de las superficies equipotenciales asociadas viene
dado por la Ec. (2.3-67). El plano de simetría entre las cargas +Q y -Q es una superficie
equipotencial con potencial de referencia M = 0. Las líneas de campo y las líneas
equipotenciales en ambos lados están dadas por reflexión en el plano de simetría. Los
valores potenciales tienen polaridades opuestas en ambos lados, Figura 2.3-23.
Cualquier superficie equipotencial causada por las cargas de línea equivalentes puede
interpretarse como contornos de electrodos para cálculos de campo con el método de
simulación de carga. El campo de las cargas de línea paralela contiene algunos arreglos
de electrodos de alto voltaje importantes que se analizan como ejemplos en la Sección
2.3.5.4. Incluyen cilindros paralelos, conductores cilíndricos al lado de electrodos
planos, conductores tubulares excéntricos y conductores de líneas aéreas, Figura 2.3-
23.

Figura 2.3-23: Diseño gráfico de un patrón con líneas de campo y líneas

equipotenciales para cargas de líneas paralelas

2.3.5.4 Campos en las cercanías de conductores cilíndricos

Ejemplo 1: Conductores cilíndricos paralelos (cilindro a cilindro, “línea de dos
conductores”)
Si se dan dos conductores cilíndricos de radio r0 y la distancia d de los puntos centrales,
se desconoce la distancia a de las cargas lineales equivalentes, es decir, se debe
determinar la posición b de las cargas equivalentes, Figura 2.3-24.
Las relaciones geométricas ya fueron consideradas en el caso del campo entre dos
cargas puntuales. En ambos casos, la relación r2/r1 = k = const. describe un círculo con
un radio r0 y una distancia b entre el punto central del círculo y la posición de la carga
equivalente, Eq. (2.3-47) y (-68).

Figura 2.3-24: Conductores cilíndricos paralelos, cálculo con cargas de línea

equivalentes.
Nota: En el caso de cargas puntuales, el factor k tiene un significado geométrico y
describe una relación de cargas. Esto significa que k se da para cargas dadas, y que solo
hay una línea equipotencial circular (superficie equipotencial esférica resp.). En el caso
de cargas en líneas paralelas, no existe relación entre k y las magnitudes de carga. Por
lo tanto, puede haber cualquier número de líneas equipotenciales circulares (o
superficies equipotenciales cilíndricas).
Las relaciones geométricas Eq. (2.3-48) y (-49) por lo tanto se pueden tomar de la
Sección 2.3.5.1:

La posición desconocida b (o a) de los cargos equivalentes se expresará ahora mediante

las cantidades dadas r0 y d. el factor k debe eliminarse en el proceso. Con

La distancia entre las cargas equivalentes es

Si el radio del conductor r0 se reemplaza por el diámetro d0 = 2r0, obtenemos

De acuerdo con la Figura 2.3-24, la distancia b = (d - a)/2 entre el eje del conductor y
la línea de carga se determina a partir de esto.
La distribución potencial a lo largo del eje x, donde ocurren las intensidades de campo
eléctrico más altas, se deriva de la ecuación. (2.3-67):

Las distancias r1(x) y r2(x) tienen que estar definidas en intervalos, para que las
distancias sean positivas. En el intervalo de interés -a/2 < x < +a/2 (entre las cargas
lineales) el potencial es

El perfil de intensidad de campo E(x) = Ex(x) a lo largo del eje x se deriva de la

ecuación. (2.3-71):

El mismo resultado se obtiene por superposición directa de las intensidades de campo,

Eq. (2.3-17).
La Figura 2.3-25 muestra los perfiles de potencial y fuerza de campo a lo largo del eje
x entre los conductores de acuerdo con las Ecs. (2.3-71), (-72).
Dentro de los propios conductores, las ecuaciones del método de simulación de carga
dan resultados falsos. El potencial dentro de un conductor ideal es constante, la
intensidad del campo eléctrico tiende a cero.
Fuera de los conductores, para x > d/2 + r0 y para x < -d/2 - r0, las magnitudes de
potencial y de intensidad de campo disminuyen en la dirección hacia afuera. Las
intensidades de campo en el exterior de los conductores son significativamente más
bajas que las intensidades de campo en los lados internos donde los conductores están
uno frente al otro.
Para el cálculo de la capacitancia C, la diferencia de potencial V se determina en función
de la carga equivalente Q de la ecuación. (2.3-71):

La capacitancia es igual a la relación C = Q/U:

Con la distancia a entre las cargas según la Ec. (2.3-70), la capacitancia se puede escribir
como función de las cantidades geométricas d y r0:

Nota: La desviación de la Ec. (2.3-74) de la ecuación. (2-3-73) requiere algunos pasos

intermedios. Por lo tanto, es razonable cancelar la expresión (d/2 - r0) -1/2 en el
argumento del logaritmo y hacer que el denominador sea racional expandiendo la
fracción.
Para grandes distancias d y en consecuencia para pequeños radios r0, es decir, para d
>> r0, Eq. (2.3-74) se simplifica:
Nota: Esta aproximación también se puede derivar directamente de la Ec. (2.3-73), si se
supone que la distancia a entre las cargas es igual a la distancia d entre los conductores
para distancias grandes d, Eq. (2.3-70). Por lo tanto, encontramos para el numerador en
el argumento del logaritmo

el denominador es

ya que la distancia b entre la carga lineal y el eje del conductor es pequeña en

comparación con el radio r0 del conductor.
Los límites de validez de la aproximación Eq. (2.3-75) resultan de una estimación del
error para diferentes razones d/r0:

Es decir. para muchas disposiciones de electrodos en ingeniería de alto voltaje, la

ecuación simplificada. (2.3-75), si la distancia d de los conductores es mucho mayor
que el radio r0.
La máxima intensidad de campo resulta de la ecuación. (2.3-72) en la superficie del
conductor en x = d/2 - r0.
Para obtener una solución exacta, Q se reemplaza por Q = C·V con C de acuerdo con la
Ec. (2.3-74):

Para d >> r0, es decir, para grandes distancias d o pequeños radios de conductor r0, Eq.
(2.3-76) se simplifica:
Para cables delgados, el voltaje de inicio para descargas de corona se puede derivar, si
se conoce la intensidad de campo de inicio Ei para descargas:

Los límites de validez de la ecuación. (2.3-77) y (2.3-78) resultan de una estimación del
error para diferentes razones d/r0:

Por lo tanto, las ecuaciones aproximadas. (2.3-77) y (2.3-78) para la intensidad de

campo máxima y para el voltaje de inicio de la corona solo son lo suficientemente
precisos para relaciones grandes d/r0. Por lo tanto, en general, la solución exacta de la
Ec. (2.3-76) debe ser utilizado.
Figura 2.3-25: Conductores cilíndricos paralelos: perfiles de potencial e intensidad de
campo a lo largo de la línea de conexión de los puntos centrales del conductor (eje x)
en el plano x, y. Los perfiles dentro de los conductores no pueden determinarse a
partir de las cargas equivalentes.

Ejemplo 2: cilindro a plano

Una disposición común de electrodos de alto voltaje es un conductor cilíndrico, que se
conduce a una altura h por encima o al lado de un plano conductor. Este caso puede
reducirse al ejemplo anterior de cilindros paralelos, si el plano conductor se considera
como un plano de simetría o una superficie equipotencial con el potencial M = 0 y si la
disposición se complementa simétricamente con un segundo cilindro (imagen
conductor), Figura 2.3-26. La capacitancia C del arreglo es el doble de la capacitancia
C´ de los cilindros paralelos asociados. Con la ecuación (2.3-75) y d´= 2h >> r0 la
capacitancia es

La máxima intensidad de campo se obtiene de la ecuación. (2.3-76) o (-77), si la tensión

V y la distancia d se reemplazan por V´ = 2 V y d´ = 2 h >> r0:

Para el voltaje de inicio de corona de un alambre delgado sobre un plano conductor

encontramos
 Figura 2.3-26: Conductor cilíndrico sobre un plano conductor. Cálculo de campo
mediante carga de imagen simétrica.
Ejemplo 2a: cilindro a plano (ejemplo numérico)
Los diámetros y distancias de los conductores cilíndricos por encima de planos
conductores deben dimensionarse para aplicación en aire (Ê = 30 kV/cm, Hr = 1) y en
aceite aislante (Ê = 150 kV/cm, Hr = 2,2) para las tensiones de pico ÛV = 10 kV, 100
kV y 1 MV sin que las intensidades de campo superen los 2/3 de las tensiones de ruptura.
Además, se calculará la capacitancia por unidad de longitud de la configuración. En
todos los casos se supondrá igual la relación h/r0 = 10.
Solución: Debido a la relación d/r0 = 20, la ecuación aproximada. (2.3-80) para la
máxima intensidad de campo proporcionará un error de aprox. 10 % (ver estimación
anterior). Por lo tanto, la ecuación exacta. (2.3-76): si se factoriza 2r0 en el
denominador, la ecuación se puede resolver para r0. Para d y V se deben insertar los
términos 2h y V´ = 2V:

La capacitancia se puede estimar a partir de la Ec. (2.3-79) con un pequeño error.

Nota: Como se muestra en todos los ejemplos con el electrodo esférico (Sección
2.3.1.2), con el conductor tubular cilíndricamente simétrico (Sección 2.3.1.3) y con la
disposición de cilindro a plano (en el ejemplo actual) también se muestra aquí que los
equipos aislados en aire para la gama MT necesitan distancias de aislamiento y radios
de curvatura del orden de metros.
Son posibles dimensiones mucho más compactas con materiales eléctricamente fuertes
(por ejemplo, aceite aislante o gas hexafluoruro de azufre SF6).
Atención: Las fuerzas eléctricas que se suponen constantes en estos ejemplos por
simplicidad, no son constantes en la realidad. Dependen, por ejemplo, del tipo y la
duración de la tensión del campo eléctrico, del grosor del material aislante, del volumen
aislante, de la superficie del electrodo, de la falta de homogeneidad del campo o de las
influencias ambientales (presión, temperatura, contenido de agua , .... ) por ejemplo.
La capacitancia por unidad de longitud no cambia con las dimensiones h y r0 debido a
la suposición de una relación constante h/r0, que determina la capacitancia, en este
ejemplo.

Ejemplo 3: cable de tierra aéreo (efecto de blindaje y mejora de la tensión de

campo)
Los cables puestos a tierra por encima de las líneas aéreas se utilizan para proteger las
fases contra la caída directa de rayos. Aquí, se investigará hasta qué punto el campo
electrostático vertical en la atmósfera (es decir, en el aire) está influenciado por un cable
puesto a tierra (radio r0, altura h sobre el suelo), Figura 2.3-27.

Figura 2.3-27: Distorsión del campo eléctrico en el aire por un cable de tierra
conductor aéreo.
Se supone que el campo original en el aire E0 es uniforme; está dirigido en la dirección
x negativa. el potencial es
En el cable de tierra se influye una carga Q cuyo campo ES se superpone al campo
original E0. El campo adicional de las cargas en el alambre contra el plano puesto a
tierra puede ser
calculado a partir de la superposición de los campos asociados con Q y con una carga
de imagen - Q en el eje x en x = -h. De acuerdo con la Ec. (2.3-67), el potencial es

En la superficie del cable puesto a tierra (y en el plano de simetría, es decir, en la

superficie del suelo), la suma de los potenciales debe ser cero. Esta condición se puede
utilizar para calcular la magnitud de la carga influenciada Q:

Para todos los puntos de la superficie del alambre, las distancias a las cargas
equivalentes +Q y -Q son r1 | r0 y r2 | 2h aproximadamente. Debido a la gran altura h
>> r0, las cargas equivalentes están cerca de los ejes del alambre y su imagen. Con x |
h la carga es

La intensidad de campo en el eje x es la derivada del potencial con respecto a x de

acuerdo con la ecuación. (2.3-72) o es la superposición de las intensidades de campo
según la Ec. (2.3-17). Q se inserta de (2.3-82):

Nota: La discusión de los signos muestra que el campo original E0 y el campo adicional
de las cargas tienen direcciones opuestas debajo del cable de tierra (0 < x < h). Sobre el
cable de tierra (x > h), el campo E0 en el aire y la contribución de campo de la carga
equivalente superior +Q se superponen con el mismo signo; la contribución de campo
de la carga imagen –Q está en la dirección opuesta, Figura 2.3-27.
La intensidad de campo en la superficie del suelo (x = 0) es

Nota: Para una relación h/r0 = 1000, la intensidad del campo es Ex(0) = 0,74 E0, es
decir, solo hay un blindaje débil del campo original en la superficie del suelo. La
eficiencia de blindaje mejorada se logra mediante una rejilla de pantalla, p. por una
disposición de cables conectados a tierra paralelos a pequeños intervalos.
En el lado superior del alambre, la contribución asociada con la carga equivalente
superior Q predomina de acuerdo con la Ec. (2.3-82). La contribución causada por la
carga de la imagen distante -Q y el campo original E0 puede despreciarse. Con las
condiciones x = h + r0 y 2h/r0 >> 1 Eq. (2.3-83) proporciona

Nota: Para una relación h/r0 = 1000, existe una mejora de la tensión de campo de E/E0
= 132. En casos de intensidades de campo E0 muy altas, es posible que se produzcan
descargas en los bordes afilados de los conductores puestos a tierra. Especialmente
durante la descarga de un rayo, un canal de descarga se propaga desde la nube hacia el
suelo y provoca un aumento muy alto de la intensidad del campo eléctrico local en una
región de campo limitada. Esto puede considerarse como un aumento del campo
primario E0 que inicia descargas ascendentes a partir de cables de líneas aéreas,
pararrayos u otras estructuras puestas a tierra. Las descargas se propagan hacia arriba,
se encuentran con la descarga hacia abajo dentro de un rango limitado y provocan un
camino conductor hacia el suelo.

Figura 2.3-28: Cálculo de conductores excéntricos con cargas lineales equivalentes en

paralelo
Ejemplo 4: Conductor tubular excéntrico
El campo eléctrico entre conductores tubulares excéntricos (cilindros) se puede calcular
con cargas lineales paralelas, si el conductor exterior y el interior se interpretan como
superficies equipotenciales en el campo de dos cargas lineales simétricas especulares,
Figura 2.3-23 y 2.3-28.
Se dan los radios del cilindro r0i y r0a y el desplazamiento lateral de los ejes del cilindro
c (excentricidad). Se desconoce la distancia a de las cargas equivalentes y las distancias
di y da de los puntos centrales. Por lo tanto, las Ecuaciones (2.3-70) ff no se pueden
aplicar directamente.
La solución puede basarse en el hecho de que la distancia de carga a es igual tanto para
la disposición con cilindros grandes (r0a, da) como para la disposición con cilindros
pequeños (r0i, di). con la ecuación (2.3-70) y la Figura 2.3-28 obtenemos la siguiente
solución

A partir de esto se determinan todas las cantidades geométricas desconocidas en la

Figura 2.3-28. La distancia de carga a se determina a partir de la ecuación. (2.3-70), la
distancia da es da = di + 2c.
En lugar de un difícil cálculo general, aquí se recomienda una evaluación numérica con
valores numéricos específicos.
Ejemplo numérico:
Se investigará cuánto cambian la capacitancia y la intensidad de campo máxima para
un arreglo con conductores tubulares excéntricos (r0i = 5 cm, r0a = e · r0i = 13,59 cm,
c = 1 cm) en comparación con configuraciones coaxiales. De la ecuación. (2.3-86)
obtenemos di = 158.73 cm.
De esto se derivan da = 160,73 cm y a = 158,41 cm. La máxima intensidad de campo
en la superficie del cilindro interior se puede determinar a partir de la ecuación. (2.3-
76) con d = di y r0 = r0i, si el voltaje V se interpreta como diferencia de potencial 'Mii
entre los dos cilindros interiores.

La diferencia de potencial 'Mii tiene que estar relacionada con la diferencia de potencial
'Mai(r) entre los cilindros exterior e interior en el lado derecho: El eje x corta los
cilindros interiores en xi = ±(di/2 - r0i) = ± 74,37 cm y los cilindros exteriores en xa =
±(da/2 - r0a) = ±66,78 cm. Para los puntos xi y xa en el eje x negativo, los potenciales
se pueden calcular con la ecuación. (2.3-71):

A partir de esto, se dan las diferencias de potencial:

La razón de las diferencias de potencial es

La intensidad de campo máxima se calcula a partir de la ecuación. (*):

En el caso de simetría cilíndrica, la máxima intensidad de campo según la ecuación.

(2.3-22) es

La mejora de la tensión de campo causada por la excentricidad c = 1 cm es del 7,2 %:

Nota: La capacitancia Cai entre el cilindro interior y el exterior puede calcularse si las
capacitancias Cii y Caa entre los cilindros del mismo tamaño se calculan con la Ec. (2.3-
74). Entonces, Cii puede considerarse como un circuito en serie que consta de Cia, Caa
y Cai, Figura 2.3-28.
A partir de esto también se determina la magnitud de la carga equivalente Q = Cai·'Mai.
ecuación (2.3-71) y (-72) permiten calcular los perfiles de potencial y de intensidad de
campo a lo largo del eje x.
Ejemplo 5: Línea aérea trifásica (“Capacidad de trabajo”)
Una línea aérea trifásica es un sistema multifásico, que consiste en una serie de
conductores cilíndricos paralelos con diferentes potenciales y aislados entre sí. El
cálculo de sistemas multifásicos es posible mediante cargas lineales equivalentes y sus
cargas imagen. Para un análisis detallado se puede consultar la literatura básica [2], [4].
Como ejemplo, se considerará una línea aérea trifásica conectada a un sistema de
tensión CA trifásico (valores eficaces complejos de las tensiones de fase: V10, V20,
V30). Se supone una simetría perfecta de las tensiones, las propiedades del conductor
(parámetros de línea por unidad de longitud) y las corrientes (I1, I2, I3).
Durante el cálculo de sistemas trifásicos, las líneas y los cables se describen mediante
impedancias de línea determinadas por resistencias en serie, inductancias en serie,
capacitancias en paralelo y conductancias en paralelo.
El método de simulación de carga permite el cálculo de la llamada "capacitancia de
trabajo" de un sistema trifásico. Esta no es la capacitancia entre conductores con carga
opuesta, tal disposición no existe en un sistema trifásico.
La capacidad de trabajo Cb está definida por la corriente de carga capacitiva monofásica
IC1 en una línea aérea trifásica simétrica sin carga. En la red de secuencia positiva (es
decir, en un circuito equivalente monofásico transformado) se establece la siguiente
relación:

Físicamente, la corriente de carga IC1 no solo se alimenta del campo de desplazamiento

que está asociado con el voltaje de fase a tierra V10. Los campos entre la fase L1
considerada y las otras fases L2 y L3 provocan que se acoplen corrientes de
desplazamiento adicionales, es decir, hay influencias adicionales de las tensiones fase a
fase V12 y V31, Figura 2.3-29. Para calcular con la simple Ec. (2.3-87) a pesar de esto,
es necesario definir una capacitancia de trabajo Cb cuya magnitud tenga en cuenta la
influencia de todas las interferencias.
Nota: La simple suposición de un circuito equivalente monofásico, constituido
únicamente por la denominada red de secuencia positiva, y considerando los
acoplamientos capacitivos por la magnitud de la capacitancia de trabajo, sólo es válida
en el caso de perfecta simetría. Esto significa que el sistema trifásico debe construirse
simétricamente y que también debe operarse simétricamente.
Desde el punto de vista físico, el circuito equivalente monofásico (la llamada red de
secuencia positiva) no es idéntico a la fase L1 sola. Los acoplamientos capacitivos y
magnéticos a las fases vecinas se tienen en cuenta por las magnitudes de las
capacitancias de trabajo y las inductancias de trabajo.
En el caso de sistemas trifásicos asimétricos, los tres circuitos acoplados L1, L2 y L3
se transforman en tres circuitos desacoplados (red positiva, red negativa y red
homopolar) para permitir un cálculo más sencillo y claro. (método de las componentes
simétricas [20]). Ya no se puede especificar una capacitancia de trabajo porque ya no
se cumple la condición de voltajes y campos simétricos.
En el caso especial de simetría perfecta, el circuito equivalente monofásico es idéntico
a la red de secuencia positiva. De acuerdo con la Ec. (2.3-87) 1/(jZ Cb) = V10/IC1 es
la “impedancia de secuencia positiva” de la línea descargada (se desprecian los
componentes resistivo e inductivo). La capacitancia de trabajo Cb se calculará a partir
de la relación de la carga q1 en la línea L1 a la tensión de fase v10. Las cantidades q1 y
v10 son los valores instantáneos de las cantidades variables en el tiempo. La corriente
de carga i C1(t) o IC1 tiene que transportar la carga q1 hacia y desde el conductor. La
influencia del suelo se tiene en cuenta mediante cargas de imagen, Figura 2.3-29.

Figura 2.3-29: Cálculo de la "capacitancia de trabajo" para un sistema trifásico

simétrico con el método de simulación de carga. La influencia del suelo se tiene en
cuenta mediante cargas de imagen.
El voltaje v10 es igual al potencial M1, que se establece por la superposición de las
contribuciones de todos los pares de carga equivalentes:

Para líneas aéreas, las distancias de carga a12,a13, D12, D13 y D11 | 2h son muy
grandes en comparación con el radio del conductor r01. El potencial en la superficie del
conductor L1 se determina con la ecuación. (2.3-67):
La distancia de cualquier carga (con la excepción de q1) a la superficie del conductor
L1 es aproximadamente igual a la distancia de la carga a la carga q1. La distancia de q1
a la superficie del conductor es aproximadamente igual a r01.
En un sistema geométricamente perfectamente simétrico, las distancias equivalentes
son iguales entre sí. En la práctica, el intercambio cíclico de las posiciones de fase
compensa las asimetrías:

Con esto se simplifica la expresión para el potencial del conductor L1:

En un sistema trifásico simétrico la suma de las cargas es cero:

Esto da la condición

Para el potencial M1 se sigue que

De esto se deriva la capacitancia de trabajo:

Vale la pena señalar que la capacitancia de trabajo, que posiblemente podría (pero
engañosamente) entenderse como capacitancia entre el conductor L1 y tierra, no
depende de la distancia h entre el conductor y tierra. La capacidad de trabajo depende
exclusivamente de la distancia a entre los conductores y del radio del conductor r0.
Para líneas aéreas con haces de conductores, el radio r0 debe ser reemplazado por el
radio equivalente mucho más grande R´ de acuerdo con la ecuación. (2.3-40), es decir,
da una capacidad de trabajo mayor que para conductores individuales. Se puede calcular
a partir de la Ec. (2.3-88).
Si se operan varios sistemas de CA trifásicos muy cerca uno del otro, p. en la misma
torre se influye en la capacidad de trabajo. El cálculo anterior para M1 debe
complementarse con otros términos asociados con los conductores de CA adicionales.
Debido a las distancias relativamente grandes, generalmente son de menor importancia.
Generalmente, el método de simulación de carga también permite calcular la capacidad
de trabajo de un cable trifásico o de una línea trifásica aislada en gas, para los cuales las
distancias entre los conductores son comparables con los radios de los conductores [2].
En la práctica, se utilizan valores medidos y especificados por los fabricantes, pero solo
son válidos para un producto específico. Los cables de alta y muy alta tensión se diseñan
como cables monofásicos con campos cilíndricos simétricos, de modo que la capacidad
de trabajo corresponda a la capacidad línea a tierra según la Ec. (2.3-20).

La magnitud típica de la capacitancia de trabajo por unidad de longitud es

aproximadamente Cb/L | 10 nF/km para líneas aéreas y Cb/L | 120 nF/km para cables
poliméricos monofásicos (con Hr = 2,2 y Ra/Ri = e , Ec. (2.3-20)). Para cables de papel
impregnados de aceite y para cables con una relación Ra/Ri de radio más pequeña (por
ejemplo, cables de media tensión con una gran sección transversal del conductor),
pueden darse valores significativamente más altos.

Nota: Debido a la alta potencia reactiva capacitiva, la transmisión económica de energía

CA con cables normalmente se limita a longitudes de unas pocas decenas de km.

Figura 2.3-30: Capacitancias de acoplamiento y tierra (coeficientes de capacitancia)

de un sistema trifásico.
La medida de la capacitancia de trabajo Cb se realiza mediante capacitancias parciales,
Figura 2.3-30. La corriente de carga IC1 se constituye a partir de la superposición de
todas las corrientes de desplazamiento que se acoplan en L1 y que se calculan a partir
de los coeficientes de capacitancia K1j y las diferencias de potencial asociadas V1j:

Debido a la simetría, K12 = K31:

Mediante un diagrama vectorial se puede demostrar que V12 - V31 = 3 V10 en un

sistema trifásico simétrico. De esta manera obtenemos

La comparación con la Ec. (2.3-87) da la capacitancia de trabajo:

La capacitancia a tierra K10 y la capacitancia de acoplamiento K12 se determinan a

partir de dos mediciones:
Durante la primera medición, L2 y L3 están conectados a tierra, es decir, K20 y K30
están en cortocircuito. La capacitancia medida C* entre L1 y tierra es

Durante la segunda medición, los conductores L1, L2 y L3 están conectados entre sí.
La capacitancia medida C** entre L1-L2-L3 y tierra ahora es

Para las capacidades parciales encontramos

A partir de esto, la capacitancia de trabajo se puede expresar como una función de los
valores medidos C* y C**:
Para el cálculo de las intensidades de campo, la magnitud de las cargas equivalentes se
puede determinar con la ecuación. (2.3-88). El cálculo se realiza en un momento
específico que se caracteriza por valores instantáneos específicos de los potenciales (o
tensiones de fase a tierra) M1, M2, M3 y por los valores instantáneos de las cargas
equivalentes asociadas q1, q2, q3, Figura 2.3-31. Sin embargo, el cálculo analítico de
las intensidades de campo a partir del gradiente de potencial resultante (oa partir de la
superposición vectorial de las diferentes componentes del campo) es muy complejo.
Además, el resultado sólo es válido para el instante considerado. Para otros puntos en
el tiempo, se producen otras distribuciones de campo, es decir, otras ubicaciones,
direcciones y magnitudes de la intensidad de campo máxima.

Figura 2.3-31: "Instantánea" del instante de máxima intensidad de campo en las

superficies de L1 y L2 (se desprecia la influencia del suelo).
Nota: La máxima diferencia de voltaje entre las fases L1 y L2 se da para un voltaje
sinusoidal v10(t) = sen Zt en el punto de tiempo Zt = 60o con magnitud 3 · 2 ·Vph. El
potencial de la fase L3 es cero en este momento. Si los conductores están dispuestos en
una configuración triangular (es decir, en un triángulo equilátero) y si se desprecian las
influencias de tierra, la máxima intensidad de campo se encuentra en las superficies de
los conductores de L1 y L2 cerca de la línea de conexión entre estas dos fases, Figura
2.3 -31. Porque

L1 y L2 se pueden aproximar como conductores cilíndricos paralelos, figura 2.3-25.

2.3.6 Relaciones de similitud, Factor de eficiencia de campo (Factor de utilización
de Schwaiger)
En las secciones anteriores, se describieron los métodos analíticos comunes para el
cálculo de campos electrostáticos (y cuasi-estáticos). Por supuesto, los problemas de
alto voltaje y los ejemplos discutidos no están completos, tienen un carácter más
ejemplar, para introducir los métodos y las formas de pensar.
Está claro que no existe un procedimiento estándar que dé siempre el resultado deseado.
A menudo es necesario tener mucha intuición, formación y experiencia para encontrar
los mejores métodos de cálculo y las simplificaciones adecuadas.
Es una mejora sustancial para una solución rápida y práctica si se puede evitar hacer
cálculos complejos propios, es decir, si se pueden utilizar los resultados ya disponibles.
Dichos resultados de cálculo se dan en la literatura básica sobre la teoría de la ingeniería
eléctrica, p. para capacitancias de diferentes configuraciones de electrodos [2].
En ingeniería de alto voltaje, también se debe responder la pregunta central: "¿Cuál es
la intensidad de campo máxima en la disposición de aislamiento dada?"
El resultado se puede especificar independientemente de la tensión aplicada, si la
intensidad de campo máxima Emax se da como un múltiplo de la intensidad de campo
media E0 entre los electrodos. E0 es igual a la intensidad de campo uniforme en un
condensador de placas paralelas con la misma distancia de electrodo s:

E0 también se puede considerar como la intensidad de campo media entre los

electrodos:

La intensidad de campo máxima para un voltaje dado V se determina a partir de la

ecuación. (2.3-91) insertando E0 = V/s.
El factor K = E0/Emax es el factor de eficiencia del campo o factor de utilización según
Schwaiger [21], describe el “grado de uniformidad” del campo. La cantidad inversa 1/K
se conoce como el grado de falta de uniformidad. En un campo uniforme Emax = E0 y
el factor de eficiencia de campo es K = 1. En un campo muy fuertemente no uniforme
Emax >> E0 y el factor de eficiencia de campo o factor de utilización es K << 1.
Ejemplo: electrodo hemisférico
La intensidad de campo máxima en la superficie de un electrodo hemisférico en un
plano conductor se calculó en la Sección 2.3.5.1, Figura 2.3-18. El resultado es Emax =
3 E0, es decir, el factor de eficiencia de campo de Schwaiger o el factor de utilización
es K = 0,333 = 33,3 %.
Los factores de eficiencia de campo están disponibles en tablas similares a catálogos de
la literatura para una gran cantidad de arreglos de electrodos [4], [22], [23]. La
determinación de K se realiza en tres pasos:
1. En primer lugar, el tipo de disposición de electrodos se selecciona de las tablas, p.
cilindro a plano, esfera a esfera, toroide a plano, disco a disco, ... .
2. Para cada uno de los tipos de electrodos se da un factor geométrico específico p en
función de los parámetros geométricos. A partir de la distancia entre electrodos s y el
radio de curvatura r correspondiente se determina principalmente:

Si son necesarios radios R, alturas h o distancias d adicionales para la descripción de la

disposición de electrodos, se deben determinar parámetros adicionales. En su mayoría
están relacionados con r, p. R/r, h/r o d/r.
3. Para cada tipo de electrodo se proporciona una curva que muestra el factor de
eficiencia de campo K en función del factor de geometría p:

Si se requiere la definición de un parámetro adicional, una sola curva no es suficiente.

Se debe utilizar un conjunto de curvas para diferentes valores del parámetro adicional.

Ejemplo: condensadores cilíndricos y esféricos

En el catálogo de geometría, los capacitores cilíndricos y esféricos se describen con el
mismo factor de geometría p = (r + s)/r, debido a su idéntica vista en sección, Figura
2.3-32. Sin embargo, existen diferentes curvas para los campos con geometría
bidimensional (cilindros coaxiales) y para los campos con simetría rotacional (esferas
concéntricas).
Las expresiones analíticas para los factores de eficiencia de campo, que se representan
gráficamente en la Figura 2.3-33, se pueden derivar de las ecuaciones (2.3-22) y (2.3-
14) para las máximas intensidades de campo, si los radios R1 y R2 se reemplazan por r
y (r + s), se sustituyen las tensiones V por E0·s y se introduce el factor geométrico con
p = (r + s)/r :

Para aplicaciones prácticas, estas ecuaciones se dan como tablas de valores o como
gráficos. El factor de geometría p se calcula a partir de la geometría dada y K se toma
del diagrama asociado, Figura 2.3-33.
Ejemplo numérico: Para un conductor tubular coaxial aislado en aire con Da = 30 cm y
Di = 10 cm se debe determinar la tensión máxima posible ÛV, si se acepta Êmax = 15
kV/cm.
A partir de los diámetros r = 5 cm, se calcula s = 10 cm y p = 3. El factor de eficiencia
de campo K | 0.55 se puede tomar de la Figura 2.3-33. con la ecuación (2.3-91)
encontramos

Nota: Si un arreglo de electrodos considerado puede relacionarse con un arreglo ya

archivado y evaluado, la determinación de factores de eficiencia de campo es muy
ventajoso para una aproximación rápida de valores numéricos, especialmente para
arreglos de electrodos, que no pueden ser tratados analíticamente o son difíciles de
tratar. analíticamente.
La precisión limitada del método es particularmente una desventaja. En campos muy
no uniformes, los valores numéricos del factor de eficiencia de campo K son muy
pequeños y se pueden leer de un diagrama (como la Figura 2.3-33, por ejemplo) solo
con una precisión muy baja. Por lo tanto, es preferible una solución analítica y, además,
es adecuada para procesos de optimización (consulte las secciones 2.3.1.2 y 2.3.1.3).

Figura 2.3-32: Configuración de electrodos y factores de geometría con referencia a

las curvas para la determinación de los factores de eficiencia de campo (ejemplo)
Figura 2.3-33: Factor de eficiencia de campo en función del factor de geometría para
arreglos con cilindros coaxiales (1) y esferas concéntricas (2).
La figura 2.3-33 ilustra una relación interesante entre disposiciones planas y
rotacionalmente simétricas con vistas seccionales idénticas: debido a la curvatura
adicional, el factor de eficiencia de campo de la disposición esférica disminuye
drásticamente en comparación con la configuración cilíndrica. En las expresiones
analíticas para K, se puede eliminar el factor p y la relación

entre arreglos esféricos y cilíndricos, Figura 2.3-34.

De acuerdo con [22], esta también es una aproximación útil para la relación general
entre los factores de eficiencia de campo de las configuraciones de campo plano y las
configuraciones rotacionalmente simétricas equivalentes para Kplane > 0.6 (o Kcyl. >
0.6). Para campos no uniformes más fuertes con factores de eficiencia de campo más
pequeños, la Figura 2.3-34 solo se puede usar para aproximaciones aproximadas.

Ejemplo: hueco de esfera

Se debe estimar la intensidad de campo máxima en un espacio entre esferas con r0 =
0,2 d (consulte la Sección 2.3.5.2, ejemplo “espacio entre esferas”).
En primer lugar, se determinará el factor de eficiencia de campo de una configuración
de plano equivalente con la misma vista en sección. Es una disposición de dos
conductores cilíndricos paralelos con r = r0 y con la distancia de los electrodos
(distancia de descarga) s = 0,6 d = 3 r.
Del método de simulación de carga obtenemos con la ecuación (2.3-76)

Por lo tanto

De la Figura 2.3-34 el factor de eficiencia de campo para el arreglo equivalente con

simetría rotacional

se toma. Como era de esperar, la disposición es significativamente menos uniforme. La

máxima intensidad de campo

está en buen acuerdo con Emax = 2.21·V/s, calculado con el método de simulación de
carga en la Sección 2.3.5.2 (ejemplo de espacio esférico).
Se puede ver en el ejemplo numérico anterior que la Figura 2.3-34 y la Eq. (2.3-95)
pueden ser herramientas útiles para el cálculo de arreglos rotacionalmente simétricos,
si el factor de eficiencia de campo del arreglo plano equivalente se puede determinar
fácilmente. Sin embargo, el método es sólo una aproximación.
 Figura 2.3-34: Comparación de los factores de eficiencia de campo de arreglos de
electrodos planos y rotacionalmente simétricos para el ejemplo de capacitores
cilíndricos y esféricos.
2.3.7 Medición de Campos de conducción Estacionarios
Normalmente, los campos eléctricos a determinar no se pueden medir directamente o no
existen métodos de medición adecuados (ver Capítulo 6). Por lo tanto, dependemos de la
determinación indirecta por cálculo.
Además de los métodos analíticos descritos, se establecieron procedimientos para la
medición punto por punto de los campos de conducción estáticos, con el fin de determinar
distribuciones de potencial complejas. En las aplicaciones prácticas, estos métodos han
sido sustituidos en gran medida por métodos numéricos de cálculo de campos más
flexibles y precisos.
No obstante, la analogía entre los campos de conducción en estado estacionario (a tensión
CC) y los campos de desplazamiento cuasi estáticos (que varían lentamente)) (a tensión
CA) es de importancia básica y de gran valor educativo.
2.3.7.1 Analogía entre campo de desplazamiento dieléctrico y el campo de
conducción estática
La determinación de los campos de potencial mediante la medición de los campos de
conducción estáticos se basa en la analogía con los campos de desplazamiento dieléctrico
que cambian lentamente, véase también la sección 2.1.4. Esto significa que la
permitividad 𝜺 y la densidad de desplazamiento 𝑫 tienen que ser sustituidas por la
conductividad 𝜿 y la densidad de corriente de conducción 𝑱, Ec. (2.1-19) y (-20):

es equivalente a
(2.3-96)
Para ambos tipos de campo, la intensidad de campo eléctrico E se determina a partir de
ecuaciones formalmente idénticas. En lugar de la carga Q como fuente del campo, se
inyecta la corriente I en el arreglo:
es equivalente a

(2.3-97)

La intensidad de campo eléctrico E y las magnitudes derivadas, el potencial 𝜑 y la tensión

V, son equivalentes para los dos diferentes tipos de campos. En particular, la ecuación de
Laplace (2.3-31) sin cargas espaciales ni fuentes de corriente en el volumen aislante

(2.3-98)
es igualmente válido en ambos casos.

Esto significa que los cálculos de campo descritos para los campos electrostáticos
causados por cargas son también válidos para los campos de conducción estáticos. A la
inversa, las distribuciones de potencial que se midieron en campos de conducción
estáticos son válidas para campos de desplazamiento cuasi estáticos generados por cargas
Nota: Los campos calculados con cargas fijas (estático) suelen denominarse "campos
eléctricos estáticos".

Sin embargo, se trata de una imagen auxiliar, ya que el estado estático no puede existir
en un material aislante real debido a su conductividad (residual). Un campo de
conducción estacionario se desarrollará inevitablemente.

Sin embargo, el campo electrostático causado por las cargas es una buena aproximación
para los campos de desplazamiento que cambian lentamente en materiales aislantes con
una conductividad muy baja (residual), si la densidad de corriente de conducción J puede
despreciarse en comparación con la densidad de corriente de desplazamiento dD/dt,
véase también la sección 2.1.4.4
Básicamente, hay dos métodos de interés para la medición de campos de conducción, la
medición bidimensional en papel semiconductor y la medición tridimensional en líquidos
semiconductores.
2.3.7.2 Mediciones en papel semiconductor ("Papel resistivo")

Los campos de conducción bidimensionales pueden ser generados con la ayuda de papel
semiconductor por medio de electrodos conductores, que se presionan sobre el papel o
que se pintan con barniz conductor. El borde del papel debe estar alejado de la región de
campo de interés para evitar distorsiones del campo por los límites artificiales.
Tras la aplicación de una tensión CC a los electrodos, la medición de las magnitudes de
potencial se realiza para todos los puntos de interés mediante una sonda metálica, que se
coloca sobre el papel, punto tras punto.
Normalmente, la medición se realiza en un circuito de puente con un indicador nulo para
conseguir una medición sin reacción.
Durante la medición es útil ajustar el puente a un valor de potencial distinto para poder
seguir la línea equipotencial asociada en la superficie del papel por medio de la sonda.
Marcando adecuadamente los puntos se genera un gráfico equipotencial.
Las mediciones en papel semiconductor permiten considerar diferentes conductividades
𝜿 (y diferentes permitividades 𝜺 apilando papeles en diferentes números). Sin embargo,
se requiere un buen contacto entre las hojas.
2.3.7.3 Mediciones en líquidos semiconductores ("tanque electrolítico")

Cualquier disposición de campo tridimensional puede medirse (trazador de campo) punto

por punto bajando el arreglo de electrodos en un líquido semiconductor (por ejemplo, en
un electrolito a base de agua). En principio, se puede analizar el propio electrodo original,
si se dispone de un tanque electrolítico de tamaño suficiente.
Las limitaciones del campo en las paredes de la cuenca no deben influir en el campo de
la región de interés. Por lo tanto, las dimensiones de la cuenca tienen que ser grandes en
muchos casos.
La simulación de diferentes permitividades con líquidos de diferentes conductividades,
que deben estar en contacto en sus interfaces sin ninguna mezcla, no es fácilmente
realizable.
Un patrón de campo tridimensional requiere la medición de una gran cantidad de datos.
Por ello, se recomienda un proceso de medición automático con posicionamiento de la
sonda de medición ("trazador de campo").
Por supuesto, la sonda que se sumerge introducida en el líquido debe estar aislada del
mismo, a excepción de la punta de medición real.

2.4 Campos de conducción y desplazamiento en dieléctricos no

homogéneos
La materia en el campo eléctrico tiene una influencia significativa en la formación del
campo y la distribución del potencial:

• Los campos adicionales son causados por la polarización, es decir, por el

desplazamiento de los portadores de carga (iones, átomos cargados, moléculas y
grupos de moléculas) o por la orientación de los dipolos existentes en el campo
eléctrico. Esto se describe mediante la permitividad 𝜺 del material aislante.
• El movimiento de los portadores de carga en el campo eléctrico provoca el llamado
campo de conducción. Este se describe mediante la denominada conductividad 𝜿 del
material aislante.
En la sección 2.3, los campos en dieléctricos homogéneos se calcularon con
permitividades constantes 𝜺 y conductividades constantes 𝜿, es decir, se supuso que había
un dieléctrico perfectamente homogéneo en el volumen de campo, o que no había
absolutamente ninguna materia (vacío perfecto). No se consideran las dependencias de
los parámetros ambientales (por ejemplo, la temperatura), las dependencias del campo
(no linealidades) ni las dependencias de la dirección (isotropía).

En estas condiciones, no hay ninguna influencia de los parámetros del material 𝜺 y 𝜿 en

la distribución de potencial y, en la magnitud y dirección del campo eléctrico E.
Sin embargo, en realidad las cantidades de campo D y J dependen de las propiedades del
material. De este modo, la capacitancia C del arreglo de electrodos
 (2.4-1)

también depende de la permitividad 𝜺. Además, la resistencia volumétrica R y la

conductancia G del arreglo de electrodos es una función de la conductividad 𝜿 :

(2.4-2)

Nota: A partir de estas ecuaciones, la "constante de tiempo de autodescarga" del material

aislante se obtiene como

(2.4-3)
(véase también la sección 2.1.4.3, ejemplo de la autodescarga de un dieléctrico). Es decir,
para una capacitancia C dada se puede calcular directamente la resistencia R, si se conoce
𝑇𝑑 .

Los materiales aislantes homogéneos sólo pueden encontrarse en algunas zonas de un

sistema de aislamiento de ingeniería de alta tensión, por ejemplo, como aislamiento de
aire en líneas aéreas, como aislamiento de gas presurizado en aparamenta cerrada (GIS)
o como aislamiento de cables en cables coaxiales. Los sistemas de aislamiento en
servicio necesitan siempre otros componentes de aislamiento, por ejemplo, aisladores de
cuerda (líneas aéreas), aisladores de poste (aparamenta cerrada) o terminaciones de cable
(cables).
Por lo general, no basta con considerar únicamente las partes aislantes homogéneas, sino
que también hay que tener en cuenta las partes con diferentes materiales aislantes. Los
sistemas de aislamiento complejos (por ejemplo, en transformadores, cojinetes o
accesorios de cables) siempre constan de varios componentes con diferentes materiales
aislantes (por ejemplo, aceite, papel impregnado, cartón prensado impregnado, láminas
poliméricas, porcelana, resina epoxi, silicona o aire).
Las distribuciones de campo y potencial en arreglos con varios materiales aislantes
pueden diferir significativamente de las distribuciones de campo y potencial en arreglos
homogéneos. Especialmente en las interfaces, hay refracciones de vectores de campo,
refracciones de líneas equipotenciales y discontinuidades de cantidades de campo.
A continuación, se explica la razón física y la descripción matemática de la polarización
y la conductividad en los materiales aislantes (sección 2.4.1). Esto permite calcular las
estructuras básicas de aislamiento con interfaces ortogonales, paralelas e inclinadas a la
dirección del campo (sección 2.4.2).
La utilización de métodos de cálculo analítico de campos para sistemas aislantes (sección
2.4.3) permite el cálculo de algunos casos especiales importantes, por ejemplo, para
aislamientos de condensadores en capas, superficies de electrodos revestidas, sistemas de
barrera, rupturas y ranuras, burbujas y vacíos, y para puntos triples e intersticios en las
superficies de los electrodos.
En un primer momento, la discusión se refiere al campo de desplazamiento dieléctrico
cuasiestático (para una tensión CA) y a materiales con diferentes permitividades 𝜺.
Debido a las analogías descritas en la sección 2.3.7.1, los resultados pueden trasladarse
al campo de conducción estacionario (para una tensión CC) y a materiales con diferentes
conductividades 𝜿 (sección 2.4.4).

2.4.1 Conductividad y polarización

En la mayoría de los casos, la estructura atómica de la materia, es decir, la presencia de
protones y electrones cargados, no puede detectarse directamente debido a una
distribución estadísticamente uniforme de las cargas. Éstas son móviles (libres) o
inmóviles (fijas).

2.4.1.1 Conductividad
Las fuerzas del campo eléctrico aceleran las cargas móviles y los impactos las frenan.
Promediando estadísticamente, hay una velocidad de deriva constante v y una densidad
de corriente constante J, que son proporcionales a la intensidad del campo eléctrico E
[24], [25]. La ecuación material (2.1-20) describe esta relación con el coeficiente de
proporcionalidad 𝜿 (conductividad):

(2.4-4)

Nota: En los gases, la relación lineal ya no es válida para altas intensidades de campo. Al
principio, hay efectos de saturación y luego, la corriente vuelve a aumentar debido a la
producción de más portadores de carga por los impactos. (ver Capítulo 3).

En los materiales aislantes líquidos y sólidos, la Ec. (2.4-4) puede utilizarse a menudo
como una buena aproximación. Según el tipo de portadores de carga móviles, se
distinguen la conductividad iónica y la conductividad electrónica.
Las conductividades de los materiales aislantes dependen en gran medida de los
materiales utilizados, las impurezas, los procesos de fabricación y las condiciones de
servicio (por ejemplo, de la temperatura, a veces también de la duración de la tensión y
la intensidad de campo). Por ejemplo, las conductividades suelen aumentar
exponencialmente con la temperatura. Las diferencias entre distintos materiales aislantes
pueden ser de muchos órdenes de magnitud. En el capítulo 4 se ofrece una evaluación
más precisa.
La confiabilidad de un cálculo de campo para un campo de conducción estacionario (es
decir, para un voltaje de CC de estado estable) depende en gran medida de la confiabilidad
de los valores de conductividad utilizados. Para aplicaciones prácticas, se debe prestar
especial atención a la determinación de valores de conductividad relevantes.

2.4.1.2 Polarización
Las fuerzas del campo eléctrico pueden desplazar portadores de carga positivos y
negativos inmóviles entre sí, y se produce la polarización del material aislante, Figura
2.4-1. Existen varios mecanismos de polarización diferentes [24], [25]:

• El desplazamiento de la capa de electrones negativos en relación con el núcleo

positivo deforma el átomo. Se denomina polarización electrónica (de los electrones)
o polarización por deformación.
• El desplazamiento de los átomos que llevan cargas diferentes deforma las moléculas.
Se llama polarización de los átomos o polarización por deformación también
• El desplazamiento de elementos de red con carga diferente en una red cristalina
provoca la polarización de la red.
• La orientación de grupos de moléculas polares, moléculas o partículas (los llamados
dipolos eléctricos) se denomina polarización molecular o polarización de orientación.
• Además, la acumulación de portadores de carga en interfaces macroscópicas o
microscópicas entre materiales con diferentes conductividades provoca la
polarización del dieléctrico, es decir, la llamada polarización interfacial.

La influencia de los diferentes procesos de polarización es siempre la misma: A partir de

la superposición de muchos campos dipolares, se genera un campo eléctrico adicional
𝑬𝑫𝒊𝒑 , que se superpone al campo original 𝑬𝟎 del mismo arreglo sin material aislante
("campo de vacío"), Figura 2.4-2b:

Figura 2.4-1: Polarización de materiales aislantes por las fuerzas de un campo

eléctrico (derecha).
 (2.4-5)

El campo dipolar, generado por las cargas desplazadas, se dirige de manera opuesta al
campo de vacío original. Por lo tanto, la magnitud del campo resultante es

(2.4-6)

Las relaciones físicas se explicarán mediante un experimento mental:

Se inserta un material aislante en un condensador con la carga Q, Figura 2.4-2a y -2b. Por
lo tanto, la carga Q en los electrodos no cambia si el condensador no está conectado a una
fuente de voltaje externa, es decir, carga constante Q = D·A y densidad de desplazamiento
dieléctrico constante.

se asumen. Con la ecuación (2.4-6) D es

El término 𝑃 = −𝜀𝑜 · 𝐸𝐷𝑖𝑝 se denomina polarización (di)eléctrica. Tiene la misma
dimensión que la densidad de desplazamiento eléctrico D. El vector 𝑷 = − 𝜺𝒐 · 𝑬𝑫𝒊𝒑
puede verse como la fracción de la densidad de desplazamiento D, para la cual el campo
eléctrico es compensado por las cargas polarizadas. Generalmente la densidad de
desplazamiento es

(2.4-7)

La fracción 𝜺𝒐 · 𝑬 está asociada con aquellas cargas en el electrodo, que no son

compensadas por las cargas polarizadas en el material aislante. En consecuencia, generan
un campo eléctrico E que se reduce en comparación con 𝑬𝟎 , ver también Ec. (2.4-5) y (-
6).
Normalmente, la influencia de la polarización, es decir, la influencia del material aislante,
se describe mediante un factor 𝜺𝒓 , la denominada permitividad relativa (constante
dieléctrica relativa). Así, queda definida la Ecuación Material general o Relación
Constitutiva (2.1-2) y (-19):

(2.4-8)

La permitividad absoluta del vacío 𝜺𝒐 (constante eléctrica) y la permitividad relativa 𝜺𝒓 a

menudo se combinan como permitividad 𝜺 (coeficiente dieléctrico/constante):

(2.4-9)
De la igualdad de las Ecuaciones (2.4-7) y (-8) la polarización P es derivada:

(2.4-10)

En el vacío no hay polarización, es decir, P = 0 y 𝜺𝒓 = 1. En presencia de materia siempre

encontramos 𝜺𝒓 > 1. De acuerdo con la Ec. (2.4-1), la inserción de un material dieléctrico
provoca un aumento de capacitancia:

(2.4-11)
Nota: Hasta ahora se ha supuesto que un condensador, tanto sin como con material
dieléctrico, lleva una carga constante definida Q. En este caso, la inserción del dieléctrico
está asociada a una polarización que reduce la intensidad de campo 𝑬 = 𝑬𝒐 /𝜺𝒓 y la
tensión del condensador V, Figura 2.4-2.

Un razonamiento similar puede realizarse también para un condensador con una tensión
V y una intensidad de campo E constante, ambas sostenidas por una fuente de tensión
externa. En este caso, la inserción de un dieléctrico se asocia con una polarización que
une cargas adicionales en los electrodos, además de la carga existente en los electrodos
𝑄0 , Figura 2.4-3. Las cargas adicionales deben ser suministradas por una corriente de la
fuente conectada. El aumento de la carga 𝑄 en los electrodos corresponde al aumento de
la densidad de desplazamiento.

(2.4-12)
Entonces la polarización P en la Ecuación (2.4-7) puede interpretarse como la densidad
de desplazamiento, que se asocia con las cargas adicionales que se unen en los electrodos.
Los valores de las permitividades relativas dependen en gran medida de los mecanismos
de polarización correspondientes, Fig. 2.4-4. A continuación se presentan algunos valores
típicos (para temperatura ambiente y frecuencia de alimentación f = 50/ 60 Hz):

• En un vacío perfecto, no hay materia polarizable. Por lo tanto, la permitividad es 𝜀𝑟

= 1.
• En los gases hay poca materia en comparación con los líquidos y los sólidos, y los
átomos o moléculas no tienen carácter polar. Debido a la polarización de los
electrones, se produce un pequeño aumento, a menudo insignificante, de la
permitividad relativa. Para aire a temperatura ambiente encontramos 𝜀𝑟 = 1.0006.
• Los materiales con moléculas simétricas no polares tienen permitividades
comparativamente pequeñas, causadas por polarización de electrones, átomos o redes.
Para aceite mineral y para polietileno (PE) la permitividad relativa es
aproximadamente 𝜀𝑟 = 2,2 a 2,3.
• Las moléculas asimétricas y más complejas suelen tener momentos dipolares
elevados. Debido a la polarización molecular (polarización de orientación), existen
permitividades relativas más altas. Algunos valores son 𝜀𝑟 = 3,5 para cloruro de
polivinilo (PVC), 𝜀𝑟 = 3,5 ... 4 para resina epoxi (EP), 𝜀𝑟 = 5 para aceite de ricino y
hasta 𝜀𝑟 = 7 para fibras de celulosa.
• Los líquidos con moléculas polares de alta movilidad tienen permitividades muy altas
debido a la polarización molecular (polarización de orientación). Encontramos 𝜀𝑟 =
40 aproximadamente para la glicerina y 𝜀𝑟 = 81 para el agua.

Nota: Tanto el agua como la glicerina tienen una conductividad iónica

comparativamente alta. Por lo tanto, pueden usarse como dieléctricos solo para
esfuerzos de impulso muy cortos.

• Permitividades relativas extremas 𝜀𝑟 > 1000 se pueden observar en los llamados

ferroeléctricos. Cerca de la temperatura de transformación de una estructura cristalina,
las condiciones de unión pueden cambiar y causar la llamada "catástrofe de
polarización", es decir, un aumento extremo de la permitividad, bajo la influencia del
campo eléctrico [25]. Este efecto depende en gran medida de la temperatura y la
intensidad del campo; ocurre solo en la dirección de ciertos ejes de cristal. Para
titanato de bario 𝜀𝑟 = 3000 ... 7000 aproximadamente.
 Figura 2.4-4: Ejemplos de mecanismos de polarización en materiales aislantes.
Las permitividades no son cantidades constantes; varían principalmente con la
temperatura T y la frecuencia f del campo eléctrico, consulte la Figura 2.4-5 y la Sección
4.2.
Con el aumento de la temperatura, por un lado, aumenta la movilidad de los dipolos dados
y, por otro lado, el movimiento browniano y la agitación térmica provocan una
destrucción creciente de la orientación del dipolo por colisiones. Por lo tanto, una
temperatura creciente puede asociarse con una permitividad relativa 𝜀𝑟 creciente al
principio, debido a la movilidad creciente de los dipolos que antes estaban “congelados”
a temperaturas más bajas. Esto suele ir acompañado de un cambio estructural del material
aislante. El aumento adicional de las temperaturas da como resultado una disminución de
las permitividades relativas, Figura 2.4-5 (arriba) y Figura 4.2-13.

Con el aumento de la frecuencia, la polarización se ve influida por la inercia de la masa

y la interacción de los dipolos, que es máxima para la orientación de los dipolos más
grandes y mínima para la polarización de los electrones. Al aumentar la frecuencia, los
dipolos no pueden seguir los cambios de campo sin demora, debido a la inercia de su
masa. Por lo tanto, la permitividad relativa depende en gran medida de la frecuencia
(dispersión): generalmente, 𝜀𝑟 disminuye con el aumento de la frecuencia en pasos, que
están asociados con la caída gradual de diferentes procesos de polarización, Figura 2.4-5
(abajo), 4.2-3 y 4.2 -13.
Nota: Similar a las pérdidas resistivas en un campo de conducción (pérdidas de
corriente), las pérdidas de polarización (disipación, pérdidas dieléctricas) ocurren
durante el proceso de polarización. Estas pérdidas son causadas por colisiones y
disipación de energía durante la reorientación repetitiva de los dipolos con la frecuencia
del campo aplicado. A bajas frecuencias, las pérdidas por polarización son pequeñas
debido a la baja tasa de repetición. A altas frecuencias, ya no hay polarización y, en
consecuencia, no hay disipación. Las pérdidas máximas se producen en el rango de la
frecuencia de transición, Figura 2.4-5 abajo, ver Capítulo 4.
Para campos CA sinusoidales, la corriente de desplazamiento dieléctrico y una corriente
de pérdida ficticia (que describe las pérdidas tanto por corriente de conducción como por
polarización) se pueden describir en el dominio de la frecuencia mediante una
permitividad relativa compleja. La parte real es igual a 𝜀𝑟 y la parte imaginaria describe
las pérdidas, consulte la Sección 4.2.4.
2.4.2 Arreglos multidieléctricos

Para los arreglos multidieléctricos, las condiciones de contorno especiales para las
cantidades de campo de los campos que cambian lentamente en las interfaces dieléctricas
pueden derivarse de las ecuaciones de Maxwell (Sección 2.4.2.1). Los arreglos
multidieléctricos con interfaces ortogonales, paralelas e inclinadas a la dirección del
campo se discuten para el campo de desplazamiento dieléctrico, que normalmente se
asume para campos alternos en materiales aislantes (Sección 2.4.2.2 a 2.4.2.4). El campo
de conducción estacionario a tensiones CC se trata de forma análoga en la sección 2.4.4.
2.4.2.1 Condiciones de frontera en las interfaces
Se considera la interfaz entre dos materiales aislantes diferentes, Figura 2.4-6. A partir de
la integración de la intensidad de campo eléctrico E a lo largo de una trayectoria cerrada
muy pequeña P1-P2-P3-P4-P1 a ambos lados de la interfaz, la ley de Faraday da, según
la Ec. (2.1-32)
 Figura 2.4-5: Dependencia general de la permitividad relativa de los parámetros
temperatura T y frecuencia f para un dieléctrico con orientación/polarización
molecular (esquema), véase la figura 4.2-13

Por lo tanto, las componentes tangenciales de la intensidad del campo eléctrico son
iguales a ambos lados de la interfaz:

(2.4-13)

Si la línea P1-P2-P3-P4-P1 se considera como el contorno de una superficie cerrada, se

puede concluir a partir de la ecuación de continuidad/ley de Gauss. (2.1-35) que toda la
corriente que ingresa al volumen cerrado por un lado de la interfaz tiene que salir por el
otro lado. Esta condición se expresa por la continuidad de los componentes normales de
las densidades de corriente (tanto la densidad de corriente de conducción como la de
desplazamiento):

(2.4-14)

En muchos casos, es posible limitarse a los casos especiales del campo de conducción
estacionario (sin corriente de desplazamiento) y el campo de desplazamiento dieléctrico
(sin corriente de conducción).
Por lo tanto, en el caso del campo de conducción estacionario (con tensión CC), la
componente normal de la densidad de corriente de conducción J pasa continuamente a
través de la interfaz:

(2.4-15)
Para el campo de desplazamiento dieléctrico (a tensión CA, si se puede despreciar la
corriente de conducción) la componente normal de la densidad de desplazamiento D pasa
continuamente por la interfaz:
 (2.4-16)
A continuación, se analiza únicamente el campo de desplazamiento dieléctrico.
Normalmente se puede suponer en los materiales aislantes para los campos alternos de
frecuencia de potencia y superiores.
Debido a la analogía de las ecuaciones (2.4- 15) y (-16), los resultados pueden trasladarse
al campo de conducción estacionario para campos de CC (sección 2.4.4). Para ello, en
particular, la relación de las permitividades 𝜀1 /𝜀2 debe sustituirse por la relación de las
conductividades 𝜅1 /𝜅2

Figura 2.4-6: Vectores de la rigidez eléctrica en una interfaz entre dos dieléctricos.
2.4.2.2 Interfaz ortogonal (normal) al campo ("desplazamiento del campo")
Para los dieléctricos "intercalados", si la interfaz entre dos capas dieléctricas
(𝑐𝑜𝑛 𝑝𝑒𝑟𝑚𝑖𝑡𝑖𝑣𝑖𝑑𝑎𝑑𝑒𝑠 𝜀1 = 𝜀0 ∙ 𝜀𝑟1 𝑦 𝜀2 = 𝜀0 ∙ 𝜀𝑟2 ) es ortogonal al campo eléctrico, la
densidad de desplazamiento pasa continuamente por la interfaz, Figura 2.4-7. Las
magnitudes de las cantidades de campo D y E son idénticas a las magnitudes de las
componentes normales. Según la Ec. (2.4-16) las densidades de desplazamiento D1 = D2
son iguales, es decir
 (2.4-17)

Las magnitudes de las intensidades de campo y las permitividades son inversamente

proporcionales entre sí.
El dieléctrico con la permitividad más baja se somete a esfuerzos con una intensidad de
campo más alta que el material con la permitividad más alta. Este efecto se denomina
"desplazamiento de campo" en el dieléctrico con menor permitividad.
Nota: El desplazamiento de campo es de fundamental importancia en la ingeniería de
alta tensión. Por ejemplo, las capas aislantes llenas de aire o gas, que tienen una rigidez
eléctrica comparativamente baja, se someten a esfuerzos con intensidades de campo
fuertemente aumentadas debido al efecto de desplazamiento de campo. Los huecos llenos
de gas, las grietas, las cavidades, los agujeros de contracción y los vacíos son algunas
de las razones más frecuentes/comunes de aislamientos defectuosos y descargas
parciales, Figura 2.4-8. Las descargas parciales (DP) provocan principalmente una
erosión progresiva del material aislante, que finalmente conduce a la rotura.
En los campos no uniformes, el efecto de desplazamiento de campo puede utilizarse para
reducir la presión en las regiones con esfuerzos de campo elevados y para desplazar parte
de la presión hacia las regiones con intensidades de campo más bajas.
Para el campo parcialmente uniforme del condensador de placas paralelas según la figura
2.4-7, la tensión es

Con la Ec. (2.4-17) las intensidades de campo son

(2.4-18)

(2.4-19)
Ejemplo: Placa de resina epoxi en un condensador de placas paralelas aislado en
aceite

Se inserta una placa de resina epoxi (𝑑2 = 12 𝑚𝑚, 𝜀𝑟2 = 4,4) en un condensador de
placas paralelas aislado en aceite (𝑑 = 20 𝑚𝑚, 𝜀𝑟1 = 2,2). Los cambios de campo se
calcularán para V = 80 kV AC.
Antes de la inserción de la placa, la intensidad de campo es Ê0 = Û𝑉/𝑑 = 4 𝑘𝑉/𝑚𝑚.
Tras la inserción de la placa, las intensidades de campo para el hueco de aceite y para la
placa de resina epoxi son Ê1 = 5,71 𝑘𝑉/𝑚𝑚 = 1,43 ∙ Ê0 y Ê2 = 2,86 𝑘𝑉/𝑚𝑚 =
0,71Ê0 , calculados con las ecuaciones (2.4-18) y (-19) y con 𝑑1 = 8 𝑚𝑚. La
intensidad de campo en el aceite se incrementa en un 43 % mediante la inserción de la
placa.

Nota: El mayor desplazamiento del campo se produce para un hueco de aceite muy fino.
Con 𝑑1 << 𝑑2 ≅ 𝑑 la intensidad de campo es Ê1 ≅ 𝑉/(0 + 𝑑 𝜀𝑟1/𝜀𝑟2) = Ê0 ∙
𝑒𝑟2/𝑒𝑟1 = 2 ∙ Ê0.

Figura 2.4-7: Dos dieléctricos en un condensador de placas paralelas con una interfaz
ortogonal al campo eléctrico ("desplazamiento de campo")

Figura 2.4-8: Ejemplos de efectos de desplazamiento de campo en la ingeniería de alta

tensión.
Ejemplo: Barrera aislante en un condensador de placas paralelas aislado por aire

Se introducirá una barrera aislante (𝑑2 = 4 𝑐𝑚, 𝜀 𝑟2 = 5) en un condensador de placas

paralelas aislado por aire (d = 5 cm). La intensidad de campo de inicio de la descarga
parcial (macroscópica) 𝐸𝑝𝑑 es de 15 kV/mm. Se calcularán las tensiones de inicio de las
descargas parciales 𝑉𝑝𝑑 , con el fin de investigar si la rigidez eléctrica puede aumentarse
mediante la inserción de la barrera

Sin barrera, la 𝑉𝑝𝑑 es de 75 kV. En un campo uniforme, el inicio de las descargas se

acompaña directamente de una ruptura. Con una barrera, 𝑉𝑝𝑑 es de 27 kV según la
ecuación (2.4-18). A esta tensión, el entrehierro se rompe (ruptura parcial), pero la barrera
impide al principio una ruptura total. Después de algún tiempo, la actividad de descarga
permanente en el entrehierro erosionará la mayor parte de las barreras aislantes (hechas
de materiales orgánicos). Así, la barrera aislante deteriora la calidad del aislamiento.
Nota: En los aislamientos de alta tensión, el efecto del deterioro de la rigidez eléctrica
debido a los efectos de desplazamiento del campo se contrarresta con una impregnación
completa de todos los huecos y brechas con un aceite aislante eléctricamente fuerte.
2.4.2.3 Interfaz paralela al campo (Interfaz tangencial)
Si la interfaz entre dos dieléctricos y el campo eléctrico están en paralelo (tangencial), la
intensidad de campo es igual en ambos lados. E es tangencial a la interfaz y es continua
según la Ec. (2.3-13), Figura 2.4-9:

(2.4-20a)

Según la Ec. del material (2.4-8), las densidades de desplazamiento a ambos lados de la
interfase se determinan por:

(2.4-20b)
Por lo tanto, las densidades de desplazamiento en los dos dieléctricos son diferentes
debido a las diferentes polarizaciones. En consecuencia, hay más carga en las áreas de la
superficie del electrodo adyacente al material con mayor permitividad que en las áreas de
la superficie del electrodo adyacente al material con menor permitividad

Debido a la igualdad de intensidades de campo en ambos materiales, podría suponerse

que una interfaz en paralelo al campo eléctrico debería ser una buena disposición de
aislamiento. Sin embargo, a menudo se observa que la intensidad eléctrica de una interfaz
tangencial es inferior a la de los dos materiales adyacentes.
Este problema interfacial, aparentemente paradójico, puede tener diferentes causas según
el tipo de interfaz:

• Las propiedades del material cerca de la superficie suelen ser diferentes de las
propiedades del material a granel. A menudo, los electrones sólo están débilmente
ligados en trampas de impurezas. Por lo tanto, se dispone de portadores de carga
adicionales para la generación de avalanchas y descargas en la superficie
• Además, los depósitos de capas extrañas conductoras y semiconductoras pueden
provocar desplazamientos de potencial y aumentos del esfuerzo de campo en la
superficie. Un flashover desencadenado como resultado de esto se denomina
"flashover de contaminación"
Nota: Los esfuerzos CC son especialmente críticos porque las capas semiconductoras de
contaminación pueden tener una muy alta conductividad en comparación con el material
aislante

Fig. 2.4-9: Dos dieléctricos en un condensador de placas paralelas con una interfaz
paralela al campo ("interfaz tangencial").

Figura 2.4-10: Vectores de la intensidad del campo eléctrico, inclinados hacia la

interfaz entre dos dieléctricos.

También en el caso de esfuerzos CA, la fuerte contaminación de las superficies de los

aisladores junto con la humedad puede causar distorsiones de campo y flashovers. Por
ello, los aisladores están equipados con perfiles de cobertizo, que garantizan zonas
relativamente limpias y secas; véase también la figura 1-1 por ejemplo. En casos extremos
se utilizan materiales hidrofóbicos (repelentes al agua), por ejemplo, elastómeros de
silicona.

• Las superficies de los aisladores nunca son totalmente lisas y paralelas al campo.
Debido a la rugosidad microscópica de la superficie, existen zonas microscópicas con
interfaces ortogonales al campo, de modo que pueden producirse aumentos locales de
esfuerzo en el campo a través de desplazamientos del mismo.
2.4.2.4 Interfaz inclinada (en ángulo) respecto al campo ("Ley de refracción")

Si el vector de la intensidad de campo eléctrico E y el vector área A (ortogonal a la

interfase) encierran un ángulo 𝛼 entre 0° y 90°, el campo eléctrico está "inclinado respecto
a la interfase", Figura 2.4-10. Existen diferentes ángulos 𝛼1 y 𝛼2 a ambos lados de la
interfaz, es decir, las líneas de campo y las líneas equipotenciales están sujetas a
refracción en la interfaz.

Figura 2.4-11: "Refracción" de las líneas de campo y equipotenciales en la interfaz

entre dos dieléctricos.

La llamada "ley de refracción" para el campo de desplazamiento dieléctrico se deriva de

las ecuaciones (2.4-13) y (-16). Como las componentes normales de la densidad de
desplazamiento D son continuas en la interfase, esto da:

Además, la componente tangencial de la intensidad del campo eléctrico es continua, es

decir
La división de las dos condiciones de continuidad da como resultado

El cociente de las componentes tangencial y normal es igual a la tangente del ángulo 𝛼1

o 𝛼2 , Figura 2.4-10:

(2.4-21)
La ecuación (2.4-21) se llama "ley de refracción" para las líneas de campo eléctrico y
para las líneas equipotenciales ortogonales.

Establece que el ángulo 𝛼 entre el vector de campo E y el vector normal de la superficie

dA disminuye o aumenta con la permitividad 𝜀. En el material con mayor permitividad
(mayor "densidad dieléctrica"), las líneas de campo se refractan lejos de la normal de la
superficie. En el material con menor permitividad (menor "densidad dieléctrica") las
líneas de campo se refractan hacia la normal de la superficie. Si las permitividades son
muy diferentes, las líneas de campo salen del material con la permitividad mucho más
alta casi normal a la superficie.

Las líneas equipotenciales son perpendiculares a las líneas de campo. En el material de

mayor permitividad se refractan hacia la normal de la superficie, y en el material de menor
permitividad se refractan alejándose de la normal de la superficie respectivamente, Figura
2.4-11. Por lo tanto, los ángulos 𝛼1 y 𝛼2 también pueden considerarse como ángulos entre
las líneas equipotenciales y el propio contorno de la superficie. Los ángulos de la figura
2.4-11 representan una relación de aproximadamente 𝜀𝑟1 /𝜖𝑟2 = 1/3.

En el caso de los campos planos bidimensionales, pueden aplicarse los métodos del
mapeo gráfico de campos. Según la Ecuación (2.3-35), el concepto de capacitancias
parciales iguales, para las secciones transversales rectangulares definidas por las líneas
de campo y equipotenciales, daría como resultado la condición.

(2.4-22a)
Por lo tanto, la relación de aspecto de los rectángulos se modificaría en proporción a las
permitividades.
Sin embargo, para la cartografía práctica, es más conveniente suponer rectángulos iguales
(por ejemplo, cajas cuadradas) en todo el volumen del campo:
 (2.4-22b)
De este modo, la distancia de las líneas de campo es proporcional a la distancia de las
líneas equipotenciales y da una impresión gráfica de la magnitud de la intensidad del
campo eléctrico, Figura 2.4-11.
Para la estimación de la capacitancia, deben calcularse las diferentes capacitancias
parciales en las distintas regiones según la Ecuación (2.3-35), y luego se combinan en una
red equivalente. Alternativamente, los elementos con la misma capacitancia parcial
pueden marcarse en un gráfico de campo/línea de potencial, Figura 2.4-12 (líneas de
campo y potencial en negrita).
2.4.3 Cálculo analítico de arreglos dieléctricos multicapa

En general, los arreglos dieléctricos multicapa se calculan con los métodos descritos en
la sección 2.3. Además, deben cumplirse las condiciones de contorno según las
ecuaciones (2.4-13) y (-16).

A continuación, se analizan algunos arreglos dieléctricos importantes de varias capas:

En la sección 2.4.3.1 se describen los aislamientos multicapa planos, cilíndricamente
simétricos y esféricamente simétricos. Los vectores de campo serán ortogonales a las
interfaces (dieléctricos multicapas transversales).
Los enlaces débiles o los defectos en los aislamientos se presentan a menudo como
arreglos multicapa, por ejemplo, como huecos y grietas (sección 2.4.3.2), como
intersticios y puntos triples (sección 2.4.3.3) o como agujeros, vacíos e inclusiones
(sección 2.4.3.4). Las interfaces están sometidas a fuerzas de campo eléctrico (sección
2.4.3.5).

Figura 2.4-12: Esquema de elementos con capacitancias parciales iguales (líneas en

negrita), para la estimación de la capacitancia en un arreglo bidimensional
2.4.3.1 Arreglos multicapa planos, cilíndricos y esféricos

Muy a menudo, los aislamientos se diseñan como arreglos multicapa, que se tensan lo
más normalmente posible respecto a las interfaces para evitar esfuerzos tangenciales a lo
largo de las interfaces débiles.

Ejemplos:
1. Los dieléctricos de los condensadores están formados por varias capas de papeles finos
o laminas de polímero. Los espacios vacíos y los huecos se rellenan completamente con
un líquido de impregnación. En la mayoría de los casos, el dieléctrico puede considerarse
como un arreglo multicapa plano.
2. Los conductores de alta tensión entre los devanados de un transformador y los bushings
se conducen a través del aceite aislante y se envuelven con una capa de papel para mejorar
el aislamiento. A tensiones muy elevadas puede ser necesaria una subdivisión del hueco
de aceite mediante barreras cilíndricas de cartón prensado para garantizar una resistencia
eléctrica suficiente.
3. Los bushings de alta tensión son arreglos multicapa cilíndricos y simétricos, que
constan de un cuerpo aislante principal (núcleo), separaciones aislantes subsidiarias,
aislantes de alojamiento y medios ambientales, véase la figura 1-1. No obstante, se puede
suponer que la dirección del campo eléctrico es aproximadamente radial en determinadas
regiones (entre las capas de clasificación).

A continuación, se discute el cálculo analítico de los aislamientos multicapa básicos en

arreglos planos, cilíndricamente simétricos y esféricamente simétricos, Figura 2.4-13.
Los dieléctricos están siempre estratificados transversalmente al campo eléctrico, es
decir, E y la densidad de desplazamiento D son siempre normales (ortogonales) a las
interfaces (paralelas al vector área A). Por consiguiente, las interfaces se consideran
superficies equipotenciales.

Debido a la continuidad de la densidad de desplazamiento

(2.4-23)
se aplica para cualquier interfaz en x = xk (o r = rk), y la intensidad del campo eléctrico
cambia bruscamente en la interfaz, con la relación inversa de las permitividades:

(2.4-24)
En la figura 2.4-13 se eligió una gradación de las relaciones de permitividad según 6: 4:
2: 1, tanto en la dirección x como en la r, respectivamente. Para los tres arreglos, la
intensidad del campo eléctrico aumenta en un 50% en la primera interfaz (en x1 y en r1)
y en un 100% en las dos interfaces siguientes, Figura 2.4-13 (centro).
En un arreglo plano hay un campo uniforme dentro de una sola capa dieléctrica, es decir,
E es constante sección por sección. Debido al desplazamiento del campo, la intensidad de
campo 𝐸𝑁 en el dieléctrico N es el 600 % de la intensidad de campo E1 en el dieléctrico
1.
En un arreglo cilíndrico simétrico de longitud z

(2.4-25)
se aplica generalmente para cualquier capa dieléctrica k, según la ecuación (2.3-17).

El perfil de intensidad de campo de la figura 2.4-13 es el resultado de la disminución de

las intensidades de campo 𝐸𝑘 (𝑟) ~1/𝑟 en los dieléctricos considerados y de los cambios
bruscos de intensidad de campo en las interfaces. En comparación con el arreglo plano
hay una homogeneización de la tensión, es decir, en el lado exterior hay una disminución
y en el lado interior hay un aumento del esfuerzo del campo eléctrico
Según la ecuación (2.3-2),

(2.4-26)
generalmente se aplica para los arreglos esféricamente simétricos. El perfil de intensidad
de campo de la Figura 2.1-13 es el resultado de la disminución de la intensidad de campo
𝐸𝑘 (𝑟) 1/𝑟^2 en los dieléctricos considerados y los cambios bruscos de intensidad de
campo en las interfaces. En comparación con los arreglos plano y cilíndrico, hay una
fuerte disminución en el lado exterior. El dieléctrico núm. 1, que en los otros arreglos está
sometido a poco esfuerzo, está expuesto a los mayores esfuerzos.
 Figura 2.4-13: Arreglos multicapa planos, cilíndricos y esféricos (arriba) con los
perfiles de intensidad de campo correspondientes (centro) y los perfiles de potencial
(abajo). Los perfiles de la figura corresponden a una relación de permitividad de
aproximadamente 6: 4: 2: 1 en la dirección x o en la dirección r respectivamente.
Nota: Teóricamente, también se pueden conseguir intensidades de campo constantes en
arreglos cilíndricos y esféricos simétricos, si las permitividades relativas de acuerdo con
(2.4-25) y (-26) se supone que disminuyen continuamente con
y

(clasificación del potencial de refracción). Lamentablemente, no existe una solución

técnicamente práctica para esto. La aproximación de los perfiles de permitividad perfecta
mediante capas discretas con permitividades adecuadas no será normalmente posible: En
la práctica, la elección de los materiales aislantes es muy limitada debido a muchas
restricciones (por ejemplo, esfuerzos mecánicos, térmicos o químicos, costos, etc.). Los
problemas de optimización suelen tener que resolverse mediante aplicación de ciertos
materiales con propiedades determinadas.
Ejemplo: Electrodo esférico revestido

En el caso de los arreglos multicapa con simetría esférica según la figura 2.4-13 (derecha)
hay un gran esfuerzo en el dieléctrico interior 1 (por ejemplo, el recubrimiento de resina
epoxi con 𝜀𝑟1 = 6) y un esfuerzo mucho menor en el dieléctrico exterior dieléctrico N
(por ejemplo, la cámara de aire con 𝜀𝑟𝑁 = 1). Debido a la rigidez eléctrica mucho mayor
de la resina epoxi, no tendría sentido no tendría sentido tratar de homogeneizar el perfil
de intensidad de campo. Los aislamientos multicapa deben diseñarse de manera que los
materiales con mayor rigidez eléctrica soporten un mayor esfuerzo dieléctrico que los
materiales eléctricamente más débiles.

Para el cálculo del arreglo plano se puede suponer una densidad de desplazamiento
constante, Figura 2.4-13 (izquierda):

Las intensidades de campo en las diferentes capas son

Con la tensión total

la densidad de carga
y la intensidad de campo 𝐸𝑘 en cualquier capa k

(2.4-27)
se calcula. La distribución de potencial resulta de la integración seccional de las
intensidades de campo eléctrico, Figura 2.4-13 (abajo a la izquierda).
La capacitancia del arreglo plano se determina a partir de la conexión en serie de las
capacitancias parciales

o de la mencionada relación entre Q y V con 𝜀𝑘 = 𝜀0 𝜀𝑟𝑘 :

(2.4-28)
Para el cálculo de un arreglo cilíndrico simétrico, se debe considerar la dependencia de
la densidad de desplazamiento con el radio r, Figura 2.4-13 (centro). La ecuación (2.4-
25) para la intensidad de campo 𝐸𝑘 (𝑟) en cualquier capa k resulta de

La longitud del arreglo es z. La integración de 𝐸𝑘 (𝑟) en la dirección radial proporciona

la tensión parcial

La suma de las tensiones parciales da la tensión total V. Después, Q puede expresarse en

función de V y puede eliminarse en la ecuación (2.4-25):
Esta expresión es válida en cualquier capa k, es decir, para 𝑟𝑘−1 < 𝑟 < 𝑟𝑘 .

La distribución de potencial resulta de la integración seccional de las fuerzas del campo

eléctrico, Figura 2.4-13 (parte inferior central). La capacitancia del arreglo cilíndrico se
determina a partir de la conexión en serie de las capacitancias parciales según la Ec. (2.3-
20)

o de la relación C = Q/V con 𝜀𝑘 = 𝜀0 𝜀𝑟𝑘 :

(2.4-30)

También para el cálculo de un arreglo esférico hay que tener en cuenta que la densidad
de desplazamiento depende del radio r, Figura 2.4-13 (derecha). La ecuación (2.4-26)
para la intensidad de campo 𝐸𝑘 (𝑟) en cualquier capa k resulta de

La integración de 𝐸𝑘 (𝑟) en dirección radial proporciona la tensión parcial

La suma de las tensiones parciales da la tensión total V. Después, Q puede expresarse

como una función de V y puede ser eliminada en la ecuación (2.4-26):

(2.4-31)

Esta expresión es válida en cualquier capa k, es decir, para 𝑟𝑘−1 < 𝑟 < 𝑟𝑘 .

La distribución de potencial resulta de la integración seccional de las intensidades de

campo eléctrico, Figura 2.4-13 (abajo a la derecha).
La capacitancia de un arreglo esférico puede determinarse a partir de la conexión en serie
de las capacitancias parciales esféricamente simétricas según la ecuación (2.3-12).
o de la relación C = Q/V con 𝜀𝑘 = 𝜀0 𝜀𝑟𝑘 :

(2.4-32)

Ejemplo: Conductor cilíndrico revestido

Para un conductor cilíndrico de alta tensión (r0 = 2 cm), el espesor o el radio r1 de un
revestimiento de resina fundida (𝜀𝑟1 = 5) se determinará de manera que la intensidad de
campo máxima en el gas circundante sea mínima. El conductor es conducido en un cable
de tierra coaxial lleno de aire (r2 = 10 cm), Figura 2.4-14 (arriba). El valor pico de la
tensión CA aplicada será V = 100 kV.

Figura 2.4-14: Conductor revestido de resina fundida en un conductor de tierra tubular

lleno de gas (arriba) e intensidad de campo máxima en el gas en función del
grosor/radio del revestimiento (abajo)

La máxima intensidad de campo en el gas se produce en la superficie del revestimiento

de resina fundida en r = r1.

El cálculo de 𝐸𝐺𝑎𝑠(𝑚𝑎𝑥) = 𝐸2 (𝑟1) se realiza según la ecuación (2.4-29). El

dimensionamiento del revestimiento de resina fundida (radio r1) para la intensidad de
campo mínima en r = r1 puede realizarse generalmente como determinación del valor
extremo por diferenciación, véase el capítulo 2.3.1.2. Sin embargo, para mayor claridad,
se prefiere una solución numérica en este caso, Figura 2.4-14 (abajo).
Como solución tenemos un espesor de recubrimiento de 3,5 cm, es decir, en r1 = 5,5 cm
hay un mínimo de intensidad de campo Ê2 (𝑟1) = 23 𝑘𝑉/𝑐𝑚, que está por debajo de la
intensidad de ruptura del aire en condiciones atmosféricas estándar (Ê𝐷 = 30 𝑘𝑉/𝑐𝑚).

Para 𝑟1 → 𝑟0 = 2 𝑐𝑚 y para 𝑟1 → 𝑟2 = 10 𝑐𝑚 existen intensidades de campo

superiores a Ê𝐷 . El diagrama muestra que un revestimiento de 1 cm de grosor ya
proporciona el 60 % de la máxima reducción posible de la intensidad de campo.
La aplicación de SF6 aumentaría la rigidez eléctrica en un factor de aproximadamente
tres y sería posible aplicar tensiones aproximadamente tres veces mayor.
Nota: Se pueden encontrar configuraciones de conductores similares con conductores que
se encuentran bajo aceite y envueltos con papel impregnado de aceite.
Ejemplo: Electrodo de alta tensión revestido
Se comparará un electrodo de alta tensión esférico con un radio r1 = 3 cm con un electrodo
más pequeño con un radio r0. Mediante un recubrimiento de resina fundida con er1 = 5,
el radio se aumenta a r1 = 3 cm. Se supone que el contraelectrodo está alejado, r2 >> r1,
Figura 2.4-15.

Figura 2.4-15: Electrodo metálico esférico (izquierda) y electrodo revestido (derecha)

con los mismos radios externos.
Las tensiones admisibles que pueden aplicarse a los dos electrodos, se determinarán para
una intensidad de campo máxima admisible Ê𝑅𝑒𝑠𝑖𝑛𝑎 = 200 𝑘𝑉/𝑐𝑚 en el revestimiento
de resina fundida y Ê𝐴𝑖𝑟 = 20 𝑘𝑉/𝑐𝑚 en el aire ambiente.
1.) Según la ecuación (2.3-8), la tensión en el electrodo esférico metálico no debe superar
2.) El electrodo revestido debe dimensionarse de tal manera que la intensidad de campo
en la superficie del conductor en 𝑟 = 𝑟0 sea precisamente 𝐸1 (𝑟0 ) = Ê𝑅𝑒𝑠𝑖𝑛𝑎 =
200 𝑘𝑉/𝑐𝑚, y que la intensidad de campo en la superficie del revestimiento en r =
r1 sea precisamente 𝐸2 (𝑟1) = Ê𝐴𝑖𝑟𝑒 = 20 𝑘𝑉/𝑐𝑚. Con la Ec. (2.4-31) y 𝑟2 →
∞, se derivan dos condiciones:

Si se calcula la relación de las dos intensidades de campo la tensión y el paréntesis en el

denominador se eliminan:

La solución para r0 es r0 = 0,42 cm. Con este valor, la tensión máxima V puede ser
calculada calcularse a partir de una de las dos condiciones mencionadas anteriormente:

Así, la tensión admisible en el electrodo revestido es el doble de la tensión admisible en

el electrodo metálico. Sin embargo, en los electrodos más grandes es difícil producir
revestimientos gruesos, que no tengan defectos y que sean capaces de transportar la mayor
parte de la tensión. Para las aplicaciones prácticas, se utilizan electrodos metálicos
grandes y toroides, si hay espacio suficiente en el aire ambiente

2.4.3.2 Huecos y grietas

Los huecos y las grietas en los aislamientos sometidos a grandes esfuerzos son defectos
que deben evitarse siempre. Los huecos llenos de gas permanecen entre las capas de
aislamiento, por ejemplo, si la impregnación de los intersticios residuales es incompleta.
Las grietas con frecuencia son causadas por el envejecimiento del material tras largos
periodos y se originan sobre todo por esfuerzos mecánicos y térmicos. Las grietas también
pueden originarse por esfuerzo de contracción durante el curado de los cuerpos aislantes
de resina fundida.

Los huecos y las grietas paralelas al campo eléctrico son especialmente críticos porque
cubren una parte importante de la distancia de aislamiento (hasta toda la distancia de
aislamiento) con una interfaz de muy baja rigidez eléctrica y con esfuerzo tangencial.
Normalmente, la distribución macroscópica del campo no se ve muy influenciada, pero
dentro del hueco y en las interfaces se producen aumentos microscópicos del esfuerzo del
campo y reducciones significativas de la intensidad eléctrica, véase la sección 2.4.2.3
(Dieléctrico multicapa paralelo/ tangencial).
Ejemplo: Los plásticos reforzados con fibra de vidrio (PRFV) tienen una resistencia
mecánica extraordinariamente mejorada debido a las fibras de vidrio, que están
incrustadas en la matriz polimérica. Las varillas y los tubos de resina epoxi reforzada se
utilizan como piezas sometidas a esfuerzos mecánicos y eléctricos en aisladores de
suspensión, aisladores de poste y aisladores de carcasa. Estas aplicaciones requieren una
unión química duradera de la resina y las superficies de vidrio, sin huecos ni defectos. La
unión puede lograrse mediante la aplicación de un revestimiento (imprimación) en la
superficie del vidrio (imprimación de vidrio de silano). Una imprimación incompleta o
defectuosa provoca el desprendimiento de las fibras de la resina. En las grietas y
cavidades muy largas que se producen puede acumularse humedad, lo que provoca una
importante disminución de la rigidez dieléctrica.
Los huecos y grietas ortogonales al campo eléctrico pueden considerarse
aproximadamente como arreglos multicapa con interfaces normales al campo eléctrico,
sección 2.4.2.2. La intensidad de campo 𝐸𝑖 en una grieta o brecha llena de gas (𝜖𝑟𝑖 = 1)
se ve aumentada por el factor 𝑒𝑟 /𝑒𝑟𝑖 = 𝑒𝑟 en comparación con la intensidad de campo
original, debido al efecto de desplazamiento del campo según la Ec. (2.4-17):

(2.4-33)
Debido a la baja rigidez eléctrica de los huecos llenos de aire, la tensión de inicio de las
descargas parciales es muy baja. Las descargas pueden erosionar los materiales aislantes
y, en última instancia, pueden provocar la rotura (rotura por erosión).
Ejemplo: Desprendimiento de un dieléctrico

La resina de colada epoxi de un condensador cilíndrico (𝑅2 = 5 𝑐𝑚, 𝑅1 = 𝑅2/𝑒, 𝜀𝑟 =

4) se encoge durante el curado sobre el conductor interior, y se desprende parcialmente
del conductor exterior, dejando un hueco circunferencial con la anchura entre 0 y 1 mm,
Figura 2.4-16. Se calculará el valor r.m.s. de la tensión aplicada 𝑉𝑝𝑑𝑖 , para la cual se
espera el inicio de las descargas parciales.

La rigidez dieléctrica del aire en condiciones atmosféricas normales es aproximadamente

Ê = 30 kV/cm = 3 kV/mm; disminuye al aumentar las distancias, véase la figura 3.2-15.
Por lo tanto, la fuerza del entrehierro es menor para la mayor anchura de entrehierro 𝑑𝑖 =
1 𝑚𝑚. Para esta distancia, la rigidez Ê (1 mm) > 4 kV/mm. Si se supone una intensidad
de campo constante en el hueco circunferencial, se espera que el inicio de la descarga se
produzca a 𝑑𝑖 = 1 𝑚𝑚.
La tensión de inicio 𝑉𝑝𝑑𝑖 se calcula a partir de la ecuación (2.3- 21) para la intensidad de
campo en el radio exterior r = R2 y de la ecuación (2.4-33) para el aumento del esfuerzo
de campo en el hueco

Figura 2.4-16: Desprendimiento de un dieléctrico del conductor cilíndrico exterior

durante la contracción sobre el conductor cilíndrico interior.

Con una intensidad de campo de inicio de descarga parcial Ê𝑖 > 4 𝑘𝑉/𝑚𝑚, la tensión
de inicio de descarga parcial es 𝑉𝑝𝑑𝑖 > 5 𝑘𝑉 (valor de pico) o 𝑉𝑝𝑑𝑖 > 3,5 𝑘𝑉 (valor
r.m.s.)
Nota: El inicio de la descarga a V = 3,5 kV representa prácticamente una pérdida
extrema de rigidez eléctrica. Sin la formación de un hueco, la más relevante intensidad
de campo se produciría en r = R1. Si la intensidad de campo admisible en la resina epoxi
es Êmax = 40 kV/mm, la tensión máxima admisible sería Vmax = 74 kV (valor pico) o
Vmax = 52 kV (valor r.m.s) según (2.3-22).
Nota: Bushing de papel ligado con resina
Los núcleos de bushing RBP utilizados anteriormente son cuerpos aislantes "sólidos"
("papel duro") envueltos con papel Kraft y aglutinados o laminados con resina fenólica
sin estar totalmente impregnados (RBP, resin-bonded paper). Los núcleos de los bushings
no podían impregnarse completamente sin volúmenes de aire residuales para evitar altos
esfuerzos mecánicos y grietas durante el proceso de curado. Por lo tanto, podrían
producirse descargas parciales ya en la tensión de servicio, tanto ortogonales como
paralelas a las capas de papel, pero la resina fenólica tiene una durabilidad que es
suficiente en muchos casos. Sin embargo, según los criterios modernos, las descargas
parciales permanentes y la erosión son un defecto de calidad importante, ya que no se
pueden excluir las descargas superficiales paralelas a las capas de papel, las roturas
parciales y las roturas totales.
Hoy en día, se utilizan cuerpos aislantes RIP sin cavidades ni descargas (PIR, papel
impregnado de resina) como núcleos de bushing. Se envuelven con papel crepé, se secan,
se impregnan completamente con resina epoxi líquida al vacío y se curan.
Ejemplo: Condensador dieléctrico de láminas poliméricas

El dieléctrico de un condensador se enrolla a partir de una lámina de polipropileno

(𝑒𝑠𝑝𝑒𝑠𝑜𝑟 12 𝜇𝑚, 𝜀𝑟 = 2,2). Entre las capas adyacentes hay huecos no impregnables
llenos de aire con un espesor máximo de 7 μm. La tensión admisible para aislamiento de
cuatro capas se estimará.

Como la rigidez eléctrica disminuye con el aumento de la anchura del hueco, se espera el
inicio de la descarga para la anchura máxima 𝑑𝑖 = 4 𝜇𝑚. Según la ley de Paschen para
el aire, la rigidez eléctrica aproximada del hueco es 𝑉𝑖 > 360 𝑉 o Ê𝐼 > 90 𝑉/𝜇𝑚, véase
la sección 3.2.2.4
Según la ecuación (2.4-33), la intensidad de campo en el dieléctrico polimérico es
aproximadamente Ê = Ê𝑖 /𝜀𝑟 > 41 𝑉/𝜇𝑚. Por lo tanto, todo el dieléctrico con un
espesor 𝑑 = 4 ∙ 12 𝜇𝑚 = 48 𝜇𝑚 puede ser esforzado con una tensión en el rango de
𝑉 > 48 𝜇𝑚 ∙ 41 𝑉/𝜇𝑚 = 2 𝑘𝑉. Esta es una estimación aproximada de la tensión de
inicio de la descarga parcial solamente, un cálculo más preciso del aislamiento multicapa
según la Ecuación (2.4-27) no sería muy útil.

Nota 1: Son posibles tensiones más altas si se puede reducir la anchura máxima del
entrehierro. En ese caso, debe garantizarse que la intensidad de campo en las láminas
poliméricas no supere la rigidez eléctrica correspondiente.

Nota 2: El comportamiento de las descargas parciales en los dieléctricos de los

condensadores fabricados con láminas o papeles se determina esencialmente de los
bordes de las láminas metálicas, que están envueltas como electrodos junto con las capas
dieléctricas. En los bordes se producen fuertes distorsiones de campo, aumentos de
esfuerzo de campo e intersticios sin láminas o papeles. Por lo tanto, la impregnación de
los condensadores de alto voltaje de alta tensión es siempre necesaria.

2.4.3.3 Intersticios (puntos triples)

Las interfaces sometidas a esfuerzos tangenciales son puntos especialmente débiles de un
arreglo de aislamiento, Figura 2.4-17 (izquierda). Por lo tanto, esta "disposición tipo
soporte" se evita siempre que sea posible y la interfaz se dispone de forma ortogonal al
campo eléctrico formando una "superficie de fluencia", Figura 2.4-17 (derecha). De este
modo, los esfuerzos tangenciales se reducen considerablemente y disminuyen hacia el
exterior hasta alcanzar valores pequeños insignificantes. Debido a la proximidad de los
tres materiales, la región microscópica considerada se denomina "punto triple" o
intersticio entre el electrodo y la placa dieléctrica
Desafortunadamente, hay un esfuerzo de campo eléctrico normal aumentado en el
intersticio entre la placa aislante y el electrodo doblado debido al efecto de
desplazamiento de campo. Si el material del intersticio (por ejemplo, el aire) sólo tiene
una débil rigidez eléctrica, la tensión de inicio de la descarga parcial puede ser muy baja.
Con tensiones (significativamente) más altas, las descargas pueden crecer hasta
convertirse en descargas superficiales/de arrastre y provocar una descarga superficial. Por
ello, la disposición del aislamiento se denomina "superficie de fuga".

Figura 2.4-17: Placa aislante entre electrodos: "Disposición tipo soporte" con esfuerzo
tangencial de la interfaz (izquierda) y "superficie de fluencia" con esfuerzo normal del
intersticio lleno de aire (derecha)

Nota: La superficie de fuga es un problema básico de la ingeniería de alta tensión, que no

puede evitarse en muchos arreglos técnicos. Por lo tanto, se toman muchas medidas
tecnológicas para evitar la aparición de descargas en los intersticios cercanos a los puntos
triples y para evitar la aparición de descargas superficiales [26].

Figura 2.4-18: "Superficie de fluencia" con intersticio muy esforzado (izquierda) y

modelo equivalente de una sección pequeña para un cálculo aproximado (derecha)
 Figura 2.4-19: Intensidad de campo en un intersticio en función de la anchura del
entrehierro a 8 kV (valor de pico) para placas aislantes de 5 mm y 10 mm de espesor
(abajo) comparada con la rigidez eléctrica (arriba). Se supone que la relación de
permitividad es de 1:5

Para una estimación aproximada de la tensión de inicio de la descarga parcial 𝑉𝑝𝑑𝑖 , se

supone simplemente que hay pequeñas secciones con campo regionalmente uniforme,
Figura 2.4-18. La interfaz es ortogonal al campo, siendo uniforme pero diferente a ambos
lados de la interfaz. La anchura del hueco d1 en el intersticio aumenta con la distancia x
desde el punto triple. Se considera una sección Δ𝑥 con regiones de campo
aproximadamente uniforme 1 (intersticio) y 2 (placa aislante). Según la ecuación (2.4-
18), la intensidad de campo en el intersticio es

Ejemplo:
Borde del electrodo en una placa aislante
Se analiza un borde de electrodo sobre una placa aislante según la figura 2.4-18. La figura
2.4-19 muestra el análisis numérico de la ecuación (2.4-34) para una tensión total V = 8
kV (V = 5,7 kV r.m.s.), para los espesores de aislamiento d2 = 5 y 10 mm y para la
relación de permitividad 𝜀𝑟1 /𝜀𝑟2 = 1/5
Hay una intensidad de campo decreciente en el intersticio con el aumento de la anchura
del hueco d1. Si el espesor aislante d2 se duplica de 5 mm a 10 mm, la intensidad de
campo en d1 = 0 se reduce a la mitad de la magnitud, pero la disminución posterior a
través de d1 es más lenta.
La figura 2.4-19 muestra también una curva de la rigidez eléctrica en el intersticio. El
aumento de la resistencia con la disminución de la anchura del entrehierro d1 es típico
para muchos materiales aislantes, por ejemplo, para el aire, el SF6 y el aceite aislante. La
curva de la imagen es aproximadamente válida para el aire a presión atmosférica y
temperatura ambiente.
Para una placa aislante con un espesor d2 = 5 mm, la intensidad de campo en el hueco
alcanza la rigidez eléctrica del hueco aproximadamente a d1 = 1,2 mm, y se producen
descargas parciales. Evidentemente, la tensión V = 8 kV (valor V = 5,7 kV r.m.s.) es la
tensión de inicio de la descarga parcial 𝑉𝑝𝑑𝑖 (𝑉𝑝𝑑𝑖 𝑟. 𝑚. 𝑠. ). Normalmente, se dan valores
r.m.s.
Si se duplica el espesor del aislamiento (es decir, d2 = 10 mm), no se producen descargas
a ÛV = 8 kV (V = 5,7 kV). Sin embargo, la figura 2.4-19 muestra que la curva de la
rigidez eléctrica se alcanza si la tensión (es decir, la intensidad de campo) sólo se
incrementa en un 40% aproximadamente.
Nota: Evidentemente, no existe una relación lineal entre el espesor del aislamiento d2 y
el valor de pico de la tensión de inicio de la descarga parcial 𝑉𝑝𝑑𝑖 :

Según la ecuación (2.4-34), la intensidad de campo en el intersticio depende del producto

d2-er1/er2. De acuerdo con el modelo descrito, el valor máximo de la tensión de inicio de
la descarga parcial para las descargas superficiales es

A partir de la figura 2.4-19 se podría determinar un factor de proporcionalidad teórico K

= 18 (para el aire). Desgraciadamente, los experimentos muestran que el factor puede ser
significativamente menor. Probablemente, el modelo teórico (con campos regionalmente
uniformes según la figura 2.4-18) es demasiado simple. Además, no se tienen en cuenta
los efectos de superficie ni las diferentes formas de los electrodos. No obstante, las
dependencias generales de la Ec. (2.4-35) están en buen acuerdo con los experimentos
para el exponente a = 0,44...0,5 [22],[23]
En los bordes afilados de los electrodos los factores son aproximadamente K = 8 para el
aire y K = 21 para el SF6 [23]. Para el aceite aislante se puede obtener un factor K = 20 a
partir de [23]
Nota: Para los diferentes bordes de los electrodos bajo el aceite, los factores entre 21,6
(conductor envuelto en papel sobre aislamiento de papel) y 15,6 (para los bordes afilados
de los electrodos sobre el aislamiento de papel) se reportan sin tener particularmente en
cuenta la relación 𝜀𝑟1/𝜀𝑟2 ≃ 1/2, que ya está incluida en estos factores [22].
Ejemplo: Bordes de electrodos de lámina metálica en los aislamientos de los
condensadores
En los condensadores bobinados, los electrodos de lámina metálica y las láminas o
papeles aislantes se enrollan juntos; los huecos y vacíos restantes se rellenan
completamente con un medio de impregnación, Figura 2.4-20. La conexión eléctrica de
las láminas, que están desplazadas a la izquierda y a la derecha una respecto de la otra, se
realiza en los extremos con lengüetas metálicas o mediante contactos finales de gran
superficie a través de todos los bordes de las láminas que sobresalen, Figura 2.4-20
(arriba)
En los intersticios entre las capas dieléctricas de los bordes de las láminas metálicas se
producen intensidades de campo muy elevadas. El punto crítico no es el esfuerzo de
campo normal (radial) en el medio de impregnación en los electrodos doblados (como en
el ejemplo anterior). En este caso, el esfuerzo tangencial (axial) en las interfaces
dieléctricas es el principal problema, que surge debido a los aumentos extremos del
esfuerzo de campo en los bordes de los electrodos fuertemente curvados, Figura 2.4-20
(abajo)

Se realiza un cálculo aproximado para una disposición cilíndrica simétrica equivalente

con 𝑅1 = 𝑑𝑀 /2 𝑦 𝑅2 = 𝑑𝑀 /2 + 𝑑𝐼.

El borde curvado del electrodo con un radio de curvatura muy pequeño 𝑅1 = 𝑑𝑀 /2 se

considera el "conductor interno"; las láminas metálicas adyacentes se consideran el
"conductor externo" y se sustituyen por un cilindro auxiliar con el radio 𝑅2 = 𝑑_𝑀/2 +
𝑑𝐼. En una primera aproximación, los arreglos multicapa de los dieléctricos no influyen
en la magnitud máxima de la rigidez eléctrica en el medio de impregnación debido a la
dirección tangencial del campo 𝐸𝑒𝑑𝑔𝑒 en el borde del electrodo, Figura 2.4-20 (abajo).
Esto significa que el campo es paralelo (tangencial) a la superficie de las láminas o
papeles, véase la figura 2.4-9
Con la Ec. (2.3-22), la intensidad de campo en el borde de la lámina (intensidad de campo
en el borde) viene dada por

y el aumento de la intensidad de campo es el recíproco del factor de eficiencia de campo

𝜂
 Figura 2.4-20: Condensador tipo rollo con contactos finales de gran superficie de las
láminas metálicas desplazadas axialmente (arriba) y vista en sección para el borde
derecho de las láminas con líneas equipotenciales (abajo)
El análisis numérico de la ecuación (2.4-36) muestra que pueden producirse aumentos
significativos del esfuerzo en el campo, incluso para los bordes redondos, Figura 2.4-21
(curva inferior). Si se consideran otros aumentos por imperfecciones de la superficie, un
factor de 3 es realista según la Ec. (2.3- 62), y los aumentos de esfuerzo de campo son
aún más extremos, Figura 2.4-21 (curva superior)

Figura 2.4-21: Aumento del campo en un elemento condensador tipo rollo en los
bordes de un electrodo de lámina metálica. Curva inferior: Cálculo con la suposición
de un campo cilíndricamente simétrico. Curva superior: Teniendo en cuenta el aumento
de campo adicional por las imperfecciones de la superficie
Ejemplo numérico:

Un condensador se compone de bobinas aisladas de papel con un grosor de aislamiento

𝑑𝐼 = 50 𝜇𝑚, que están impregnadas de aceite mineral. Los bordes de las láminas de
aluminio de 6 μm de espesor están doblados, para garantizar una curvatura suave en los
bordes. El inicio de la descarga parcial se midió a una tensión CA r.m.s. de 3 kV. Se
calcularán los esfuerzos de campo entre las láminas y en los bordes de las mismas.

La intensidad de campo entre las láminas dentro de los papeles es 𝐸0 =

3 𝑘𝑉 / 50 𝜇𝑚 = 60 𝑘𝑉/𝑚𝑚 para la región de campo uniforme. Debido al
desplazamiento del campo, hay un mayor esfuerzo en los huecos llenos de aceite de
impregnación, 𝐸0−𝑎𝑐𝑒𝑖𝑡𝑒 = 𝜀𝑟−𝑝𝑎𝑝𝑒𝑟 /𝜀𝑟−𝑜𝑖𝑙 ∙ 𝐸0 ≃ 120 𝑘𝑉/𝑚𝑚. En los bordes se
calcula un aumento del esfuerzo de campo 𝐸𝑒𝑑𝑔𝑒 /𝐸0 = 3,7 a partir de la Ec. (2.4- 36)
o de la Figura 2.4-21 con 𝑑𝑀 = 2 ⋅ 6 𝜇𝑚 = 12 𝜇𝑚 (el espesor se duplica en los bordes
plegados) y 𝑑𝑀 /𝑑𝐼 = 0,24. Esto da una intensidad de campo en los bordes de 220
kV/mm. Dicha rigidez eléctrica puede esperarse de anchos de huecos de aceite en un
rango de unos pocos μm [27]. Sin embargo, la intensidad de campo muy alta estimada
sólo se produce muy cerca del borde fuertemente curvado. La intensidad de campo
disminuye muy fuertemente con el aumento de la distancia ~1/r, es decir, a una distancia
de 6 μm (r = 12 μm) es de 110 kV/mm y a una distancia de 18 μm (r = 24 μm) es de sólo
55 kV/mm
Nota: Normalmente, el cálculo de las intensidades de los campos de borde y de las
tensiones de inicio de las descargas parciales (DP) no es posible para las aplicaciones
prácticas, debido a los numerosos parámetros desconocidos. Por lo tanto, es necesario
realizar experimentos con diferentes diseños de aislamiento, con el fin de determinar el
esfuerzo aceptable. En el caso de las láminas de aluminio con bordes afilados, la tensión
de inicio de la descarga parcial disminuiría de 3 kV a 2,5 kV (E0 = 50 kV/mm) en el
ejemplo mencionado. Por otro lado, se podría conseguir un aumento significativo de la
intensidad del campo de incepción de DP mediante líquidos aislantes sintéticos
especiales
Teóricamente, el volumen de un condensador puede minimizarse eligiendo un grosor
óptimo 𝑑𝑀 para las láminas metálicas:

Para 𝑑𝑀 → 0 el factor de aumento del esfuerzo de campo se hace infinito, es decir, la

intensidad de campo admisible y la densidad de energía se aproximan a cero. Para 𝑑𝑀 >
> 𝑑𝐼 el volumen muerto de la lámina 𝑣𝑀 es mucho mayor que el volumen de
almacenamiento de energía del dieléctrico 𝑣𝐼 y la densidad de energía se aproxima a cero.
En medio debe haber un máximo de densidad de energía global.
Esta ecuación puede utilizarse para la determinación de la densidad de energía máxima
w, si se da la intensidad de campo de borde admisible y si se utilizan las ecuaciones de
los volúmenes y la Ec. (2.4-36) para E0:
La derivada de w con respecto a la relación dI/dM se establece igual a cero. La ecuación
trascendental resultante se resuelve iterativamente con dI/dM = 0,24. Esto significa que,
en teoría, la lámina metálica debería tener un grosor aproximadamente cuatro veces
superior al del aislamiento

En la práctica, lo óptimo se puede suponer para láminas mucho más finas: La intensidad
de campo de borde admisible no es constante. Aumenta considerablemente al disminuir
el radio de curvatura. El mejor diseño de aislamiento debe determinarse
experimentalmente, como se ha mencionado anteriormente
2.4.3.4 Cavidades y esferas dieléctricas
Las cavidades completamente cerradas en un medio con mayor permitividad son defectos,
pueden observarse, por ejemplo, como burbujas en líquidos aislantes, como agujeros de
contracción en cuerpos de resina epoxi o como vacíos en aislantes de porcelana, Figura
2.4-22
Las esferas dieléctricas en un material con menor permitividad también pueden resultar
defectuoso, por ejemplo, las partículas no conductoras en el petróleo o en el gas
El efecto básico del desplazamiento del campo ya se discutió para los huecos y las grietas
en la sección 2.4.3.2. Para los defectos esféricos limitados por todos los lados, la
distorsión del campo es menos pronunciada
Al resolver la ecuación de Poisson/Laplace (2.3- 34) para la disposición esférica
simétrica, Figura 2.4-22, hay que considerar como condición de contorno que existe un
campo uniforme E0 a distancia infinita. Además, las condiciones de contorno de la Ec.
(2.4-13) y (-16) tienen que cumplirse en la superficie de la esfera. La solución es un campo
uniforme dentro de la esfera [2]

Figura 2.4-22: "Esfera dieléctrica" como modelo de una cavidad en un material

aislante o como modelo de una partícula dieléctrica
Fuera de la esfera, en la superficie de la esfera en el eje x (que está determinado por el
campo vector E0), la solución es

La comparación de las Ec. (2.4-38) y (-39) muestra que la relación de magnitudes de los
vectores de campo normales a la interfase es el recíproco de la relación de permitividad,
véase la Ec. (2.4-17), dieléctrica transversal. La continuidad de las componentes
tangenciales E1 = E2 se aplica en el eje y en la superficie de la esfera

En el caso de una cavidad dieléctrica con una permitividad menor 𝜀1 < 𝜀2, la intensidad
de campo E1 en la cavidad aumenta en comparación con E0. El valor máximo es E1 =
1,5E0 para 𝜀1 << 𝜀2, según la ecuación (2.4-38), es decir, en una cavidad esférica sólo
hay un aumento limitado del esfuerzo de campo. Lo más grave es que la cavidad llena de
gas normalmente tiene una rigidez eléctrica débil en comparación con un dieléctrico
circundante altamente esforzado. Por lo tanto, las tensiones de inicio de las descargas
parciales son significativamente menores que las de un material aislante sólido o líquido
sin defectos
En el caso de una partícula dieléctrica, con una permitividad e1 mayor que la permitividad
e2 del material circundante, la intensidad de campo E2 fuera de la esfera es mayor que
dentro de la esfera. El valor máximo es E2 = 3E0 en el eje x en la superficie de la esfera
para e1 >> e2, según la Ec. (2.4-39). Por lo tanto, las partículas dieléctricas pueden causar
aumentos significativos de la intensidad de campo en medios líquidos y gaseosos, y
pueden reducir la rigidez eléctrica, especialmente en los líquidos
2.4.3.5 Fuerzas eléctricas en las interfaces

A menudo es especialmente problemático que las partículas puedan seguir las fuerzas del
campo eléctrico y se acumulen en la región de mayor intensidad de campo.
El esfuerzo mecánico de tracción ejercido por un campo eléctrico ortogonal a una interfaz
es [2]

La fuerza actúa desde la mayor hacia la menor permitividad paralela al campo (esfuerzo
de tracción longitudinal)
En un campo no uniforme, las fuerzas en los lados opuestos de un cuerpo dieléctrico ya
no son iguales. La fuerza resultante tira del cuerpo hacia una intensidad de campo
creciente.
Ejemplo:
En el aceite aislante, las impurezas fibrosas se alinean en paralelo a las líneas de campo,
especialmente en las regiones no uniformes del campo. Esto reduce significativamente la
rigidez eléctrica de los huecos de aceite largos (ruptura de puentes de fibras, mecanismo
de partículas sólidas en suspensión).
También en las instalaciones de conmutación aisladas por gas, la rigidez eléctrica se
reduce por la presencia de partículas dieléctricas (y conductoras) [28].

Además, la componente de campo Et tangencial a una interfaz ejerce una fuerza ortogonal
a la interfaz y hacia la permitividad más baja. La llamada presión lateral es

El esfuerzo de tracción en las superficies metálicas de los electrodos

resulta del campo que siempre está actuando ortogonalmente a la superficie y paralelo al
campo.

Nota: Las ecuaciones (2.4-40) a (-42) pueden deducirse cada una de ellas de un balance
de energía para un desplazamiento imaginario de la interfase por un desplazamiento
infinitesimal Δ𝑥 por la fuerza deseada F. Esto resulta en un cambio de energía del campo
eléctrico, que es igual al trabajo mecánico ejercido 𝐹 ∙ 𝛥𝑥. La presión mecánica o el
esfuerzo de tracción 𝜎 se determina si la fuerza F se divide por el área A [2]

2.4.4. Tensión Directa y Transitorios

Existe una perfecta analogía entre el campo de conducción estacionario DC pura y el

campo de desplazamiento dieléctrico anteriormente discutido dieléctrico.
De esta analogía se deducen los principios del campo de conducción (apartado 2.4.4.1).
Pueden utilizarse para el cálculo de algunos ejemplos típicos de sistemas de aislamiento
sometidos a DC (apartado 2.4.4.2). En muchos casos, no existen condiciones
estacionarias: Si una DC se conecta, se invierte la polaridad o se modifica su magnitud,
se genera un campo de desplazamiento. Entonces, se produce un proceso transitorio que
se aproxima a una nueva condición estacionaria (apartado 2.4.4.3).

2.4.4.1 Analogías con el Campo de Desplazamiento Dieléctrico

Las ecuaciones básicas del material (2.1-19) y (2.1-20) contienen una analogía perfecta
entre los campos de la densidad de desplazamiento dieléctrico D y la densidad de
corriente de conducción J.
Las ecuaciones correspondientes y las condiciones de contorno se comparan entre sí a
continuación para el campo de desplazamiento (izquierda) y el campo de conducción
(derecha):

La continuidad de las componentes normales para las cantidades de campo D y J se da

con las Ec. (2.4-15) y (2.4-16):

Según la ecuación (2.4-13) la componente tangencial de la intensidad del campo eléctrico

E también es continua en las interfaces, tanto para el campo de desplazamiento como para
el campo de conducción:

En lugar de una capacitancia C en el campo de desplazamiento, existe una conductancia

G = 1/R (recíproca de la resistencia) en el campo de conducción. Las siguientes
ecuaciones describen un condensador de placa paralela, por ejemplo:

La comparación muestra que todas las relaciones para el campo de desplazamiento

dieléctrico son también válidas para el campo de conducción estacionario, si la
permisividad por la conductividad de la densidad de desplazamiento D por la densidad de
corriente de conducción J y la capacitancia C por la conductancia G. Esto también es
válido para las ecuaciones deducidas (2.4-17) a (2.4-32), que están relacionadas con
interfaces ortogonales, paralelas e inclinadas a la dirección del campo eléctrico.
Para la interfaz ortogonal al campo eléctrico, la continuidad de la densidad de corriente
de conducción J1 = J2 = J ortogonal a la interfase es válida. Por analogía con la Ec. (2.4-
17), se concluye que

Las magnitudes de intensidad de campo y las conductividades están en relación inversa

entre sí. Análogamente con el desplazamiento del campo dieléctrico el material con la
menor conductividad es con una mayor intensidad de campo que el material que el
material de mayor conductividad.
Nota: Las conductividades suelen diferir en varios órdenes de magnitud. Así, el material
con conductividad más alta está casi completamente sin tensión, pero el material con la
conductividad más baja conductividad está estresado con casi toda la tensión. Se trata de
un desplazamiento de campo casi completo.
La figura 2.4-23 muestra la distribución de campo y potencial para la relación de
conductividad K1 : K2 = 1 : 10.

Las componentes normales de la conducción Jn son ciertamente continuas en la interface,

pero las componentes normales de la densidad de desplazamiento Dn no son continuas.

Figura 2.4-23: Distribución de campo y potencial en dos dieléctricos con una interfaz
ortogonal al el campo eléctrico DC (relación de conductividad 1 : 10).

La diferencia entre las densidades de desplazamiento D1n y D2n es igual a la densidad de

la carga en la interfaz. Este efecto se denomina llamado polarización interracial, Figura
2.4-23:

En el caso de un cortocircuito en los electrodos la carga superficial (polarización

interfacial) no desaparece inmediatamente, sino que disminuye con la constante de
tiempo R2C1, que viene determinada por las geometrías y por las propiedades del
material K2 y E1, véase también la figura 2.1-16. Si el cortocircuito se abre demasiado
pronto, se produce una inesperada recarga de los electrodos (la llamada "tensión de
recuperación"), (véase el apartado 2.4.4.3).
Ejemplo: Condensador con dieléctrico mixto
En los dieléctricos de los condensadores, formados por capas de papel impregnadas de
aceite y películas poliméricas de alta resistividad, se produce un desplazamiento de
campo casi completo en las películas poliméricas. Un ejemplo numérico ya se discutió
en la Sección 2.1.4.2. El ejemplo muestra que las películas poliméricas producen casi
por completo el aislamiento. Las capas de papel se utilizan principalmente como
mechas de impregnación.
Para una interfaz paralela al campo eléctrico tangencial E no está teóricamente
influenciado por los materiales adyacentes, es decir E1=E2=E, según la ecuación (2.4-
45). Las densidades de corriente son diferentes a ambos lados de la interfaz debido a las
diferentes conductividades: J1 = K1E y J2 = K2E. Según la ecuación (2.4-46) hay
diferentes conductividades relacionadas con el área y resistencias a ambos lados de la
interfaz.
Hay que tener en cuenta que para la tensión de DC, la interfaz paralela a un campo de
CC es especialmente crítica: Los depósitos conductores y las capas de contaminación
conductoras (por ejemplo, causadas por contaminaciones, impurezas o humedades)
pueden causar distorsiones de campo y aumentos extremos de la tensión de campo si
hay des uniformidades en la capa, Figura 2.4-24.
Para una interfaz inclinada hacia el campo eléctrico las diferentes conductividades
causan una refracción de las líneas de campo de DC y de las líneas equipotenciales de
CC en el campo de conducción estacionario (ley de refracción) por analogía con la
ecuación (2.4-21):

𝛼1 y 𝛼2 , son los ángulos entre el área del vector A (ortogonal a la interface) y los vectores
de campo E1 y E2, Figura 2.4-25.

Figura 2.4-24: Interfaz paralela a un campo de corriente continua. Izquierda:

Distribución de potencial ideal. Derecha: Distribución de potencial con una capa de
contaminación conductora que provoca una de los campos.
 Figura 2.4-26: Refracción de las líneas de campo y de las líneas de potencial en un
campo de conducción estacionario en la interface entre materiales aislantes con mucha
diferencia de conductividad.

Figura 2.4-25: Vectores de la intensidad de campo eléctrico y líneas de potencial en

una interface inclinada al campo eléctrico para dos dieléctricos con diferentes
conductividades ("Refracción" de las líneas de campo y de potencial en una interface
inclinada para un campo de conducción estacionario).

En muchas aplicaciones prácticas, las conductividades a ambos lados de la interfaz son

muy diferentes. Para K2 >> K1, el ángulo 𝛼2 se aproxima a 90o, incluso para ángulos muy
pequeños 𝛼1 . En el material más conductor 2, las líneas de campo son casi paralelas y las
líneas de potencial son casi ortogonales a la interfaz, Figura 2.4-26 (abajo). En el material
más resistivo 1, las líneas de campo son casi ortogonales y las líneas equipotenciales son
casi paralelas a la interfaz, Figura 2.4-26 (arriba).
Nota: Esta circunstancia se explica claramente por el hecho de que una corriente sólo
puede fluir casi paralela a la interfaz en el material comparativamente conductor. Por lo
tanto, las líneas de campo deben orientarse casi paralelas y las líneas equipotenciales casi
ortogonales a la interfaz. En el material altamente resistivo, las líneas de campo son casi
ortogonales a la interfaz, lo que es similar a la situación cerca de un electrodo conductor.
Ejemplo: En los equipos aislados en aceite para altas tensiones DC, la distribución de
potencial en el aceite puede controlarse formando un conducto de aceite uniforme de
mayor conductividad entre las barreras de cartón prensado altamente resistivas y otras
componentes aislantes altamente resistivas (por ejemplo, para casquillos) [7].
En el caso de los dieléctricos de capas inclinadas también hay una carga superficial en la
interfaz. También se puede calcular a partir de la diferencia de las componentes normales
de la densidad de desplazamiento D.
El cálculo de los campos de DC no sólo se complica por la posibilidad de grandes
diferencias de las conductividades. Además, a menudo es difícil obtener valores
numéricos fiables ya que la conductividad depende de la composición exacta del material,
de la tecnología del fabricante y muy fuertemente de la temperatura. A continuación, se
describen algunos ejemplos

• Las diferentes mezclas de porcelana tienen diferentes conductividades.

• La conductividad del papel impregnado de aceite aumenta con el contenido de
agua.
• La relación de conductividad en un aislamiento de cartón-aceite de aceite puede
ser de 100:1 a 20 °C (temperatura de prueba). prueba). A 90° C (temperatura de
servicio) la relación es de sólo 10 : 1.
Ya se ha mencionado en el apartado 2.4.1.1 que en la práctica es muy importante
determinar valores de conductividad fiables y aplicables. Debido al alto grado de posibles
variaciones, un cálculo de campo con valores de conductividad erróneos puede conducir
a resultados totalmente erróneos.

2.4.4.2 Campos Típicos de DC

A continuación, se exponen algunos ejemplos de campos típicos de DC Debido a las
elevadas diferencias de conductividad, las fuertes dependencias de la temperatura y la
sensibilidad a las capas de contaminación, hay distribuciones de campo que son
completamente diferentes de AC comparable.
Ejemplo 1:

Condensador con dieléctrico mixto

El ejemplo de un condensador de DC con un dieléctrico mixto, hecho de películas
poliméricas y papel impregnado de aceite con una conductividad cien veces mayor ya se
ha discutido varias veces (apartados 2.1.4.2 y 2.4.4.1). Se ha demostrado que casi toda la
tensión tiene que ser aislada por las películas poliméricas eléctricamente fuertes de la
tensión. Las capas de papel se liberan de la tensión eléctrica en gran medida debido a su
conductividad significativamente mayor.
La desventaja es que el volumen de papel no contribuye al almacenamiento capacitivo.
Por lo tanto, es deseable por razones de peso diseñar el aislamiento sin papel, que sólo se
utiliza como "mecha. Entonces, hay que garantizar una buena impregnación mediante una
textura adecuada a la superficie de las láminas.

Nota: En el caso de la AC, los papeles se someten a un esfuerzo de fuerza de campo, que
es la mitad que en las películas poliméricas debido al desplazamiento del campo, véase
la Ec. (2.4-17) con E2/E1 = 2. No obstante, la intensidad de campo en el papel puede ser
la cantidad crítica que limita la tensión debido a la gran fuerza eléctrica de las películas
poliméricas. Por lo tanto, el diseño no aprovecha plenamente la excelente resistencia
eléctrica de las películas poliméricas, por lo que es deseable sustituir el papel por películas
poliméricas (dieléctrico toda película).
Ejemplo 2: Cable HVDC
En un cable de DC de alta tensión con un dieléctrico homogéneo, existe un campo
cilíndrico simétrico. Según la ecuación (2.3-21), la intensidad de campo disminuye
proporcionalmente a 1/r entre los conductores interior y exterior, Figura 2.4-27 (curva 1).
Durante la operación de servicio, el conductor interno se calienta por las pérdidas óhmicas
debidas a la corriente. Como resultado, hay un gradiente de temperatura T(r) desde el
interior hacia el exterior. Debido a la fuerte dependencia de la temperatura de la
conductividad, también se produce un gradiente de conductividad Esto da lugar a un
campo continuo desde el interior hacia el exterior. En función de la temperatura del
conductor y del material aislante, el perfil del campo está más o menos, Figura 2.4-27
(curvas 2 y 3).

No obstante, el diseñador del cable tiene que tener en cuenta que el cable tiene que
soportar la tensión no sólo en el funcionamiento de servicio, sino también en el arranque
en frío.
 Figura 2.4-27: Cable de DC con un gradiente de conductividad causada por un
gradiente de temperatura y una modificación de distribución del campo inicial (curva
1) debido a la acumulación de carga espacial (curvas 2 y 3).

La variación continua de la conductividad está acompañada por la acumulación de carga

en el material aislante. A diferencia de los dieléctricos multicapa, la carga no se acumula
en las interfaces, aquí se distribuye como carga espacial en la totalidad del material
aislante no homogéneo. Esto conduce finalmente a la desviación del perfil de tensión de
campo del perfil inicial ~1/r.
La carga espacial es de gran importancia para el funcionamiento del cable porque la carga
restante puede causar aumentos de tensión de campo muy elevados después de una
inversión de polaridad. Además, la carga espacial puede causar una recarga peligrosa del
cable, si se abre un cortocircuito entre conductor interior y exterior se abre de nuevo.
Debido a la alta capacitancia de los cables largos, incluso las "tensiones de recuperación"
relativamente bajas pueden acumular significativas y peligrosas.

Ejemplo 3: Casquillo HVDC

Un electrodo de alta tensión en aceite se conectará a través de un casquillo
capacitivamente, tanto para AC como para DC, Figura 2.4-28. En la tensión AC, las capas
de gradación capacitiva tienen aproximadamente los potenciales previstos, debido a sus
capacitancias mutuas. De este modo la tensión tangencial en la superficie del casquillo se
reduce significativamente Figura 2.4-28 (arriba).

También en la DC, la distribución de potencial prevista se consigue aproximadamente

dentro del núcleo del casquillo, debido a las resistencias mutuas de las capas de
clasificación, es decir, que el escalonamiento es ahora resistivo y ya no es capacitivo. En
el exterior del casquillo, hay una distribución de potencial completamente diferente
dentro del aceite, Figura 2.4-28 (centro).

La distribución está determinada principalmente por la geometría del electrodo y el

casquillo altamente resistivo actúa como un límite altamente resistivo del volumen de
aceite comparativamente conductor. De esta manera, puede producirse una tensión
tangencial muy alta de la superficie del casquillo.
Esta concentración de campo puede evitarse mediante un diámetro de electrodo muy
grande en depósitos de aceite muy grandes (cilindro). Sin embargo, esto no suele ser una
solución económica.
En el caso de las estrechas condiciones de instalación dadas, la intensidad de campo
tangencial puede reducirse mediante un sistema de:
 Figura 2.4-28: Conexión de un electrodo de alta tensión en aceite a través de un
casquillo a la tensión AC (arriba) y a la tensión DC (centro y abajo). Mejora de la
distribución de potencial a tensión DC mediante barreras de cartón prensado de alta
resistencia (abajo) [7].

Barreras cilíndricas de cartón prensado con diferentes longitudes (sistema de barrera de

cartón prensado), Figura 2.4-28 (abajo). De este modo, se formará un conducto de aceite
uniforme, con un flujo de corriente entre alta tensión y tierra y con una distribución
uniforme de potencial.
La capacidad de graduación de las barreras en DC se basa en la graduación del potencial
externo en el conducto de aceite, que se ajusta a las capas de clasificación de los
casquillos. El casquillo interno no puede influir en el campo de conducción estacionario
fuera del del casquillo [7], [10].
A una temperatura elevada, las diferencias de conductividad entre los materiales y la
capacidad de graduación se reducen. Un cálculo con suficiente precisión sólo puede
lograrse mediante cálculos numéricos sobre el terreno (véase Sección 2.5) con valores
correctos de conductividad.

Según la ley de refracción Ec. (2.4-49), se concluye que las líneas de potencial en el
oleoducto emanan de los materiales altamente resistivos (casquillo y barreras) casi
ortogonalmente, véase la figura 2.4-26. Alrededor del electrodo las interfaces son
ortogonales al campo (y paralelas a las líneas equipotenciales). Aquí, el campo se
desplaza desde las brechas de aceite comparativamente conductoras a las barreras
altamente resistivas. Por lo tanto, el grosor y el número de las barreras deben ser tales que
las barreras puedan soportar toda la tensión DC.
Nota: Las barreras tienen una función importante también en tensión AC. Aunque la
influencia de las barreras finas en la intensidad del campo de AC en los huecos de aceite
es pequeña, la eléctrica de estas brechas se mejora significativamente con una subdivisión
en huecos más pequeños.

Ejemplo 4: Pasamuros HVDC

En los aisladores exteriores de los pasamuros se desarrollan capas de contaminación por
deposición de polvo y suciedad. La exposición al agua por lluvia o por condensación de
humedad provoca una conductividad superficial comparativamente alta conductividad
superficial, Figura 2.4-29.
Con tensión AC, la distorsión del campo por la conducción en la superficie (corrientes de
fuga) es normalmente despreciable, debido a las corrientes de desplazamiento capacitivo.
En la tensión DC, las capas de contaminación húmeda, que tienen una conductividad
significativamente mayor que el aislante del casquillo, provocan distorsiones de campo
muy fuertes, especialmente si la capa de contaminación no cubre la superficie de forma
completa y uniforme.
En las instalaciones HVDC para exteriores, la lluvia no uniforme sobre los aisladores de
casquillos (por ejemplo, en el lado de sotavento de un edificio) es especialmente crítica a
tensiones más altas, Figura 2.4-29. La alta tensión puede desplazarse a lo largo de la
superficie durante largas distancias hasta la zona de transición entre la superficie seca y
la húmeda. Este es comparable con un electrodo afilado.

Figura 2.4-29: Lado del aire de un pasamuros HVDC con la formación de una capa
superficial húmeda y conductora. A causa de la lluvia no uniforme, sólo una parte de la
superficie se puentea a la tensión DC, véanse las figs. 2.4-1 y -2.
Superficie de fluencia (Figuras 2.4-17, -18 y -24) con aumentos extremos de la tensión
de campo tangencial y radial que puede provocar un flameo (en el mejor de los casos) o
una rotura radial del casquillo (en el peor de los casos).
Por lo tanto, a menudo es necesario aplicar pasta de silicona hidrofóbica (repelente al
agua) en la superficie del aislante, para evitar la formación de películas líquidas
conductoras en la superficie de porcelana fácilmente mojable. La aplicación y la
renovación periódica de la pasta de silicona puede evitarse si se sustituye el aislante de
porcelana por un aislante compuesto de un tubo de plástico reforzado con fibra de vidrio
(GRP) (es decir tubo de resina episódica reforzada) con caucho de silicona (SIR) [7], [8],
[9], [10], véase el apartado 5.3.4 con la figura 5.3-18.

Ejemplo 5: Condensador de almacenamiento de energía

Los condensadores de almacenamiento de energía se cargan con corriente continua y, en
general, se descargan mediante pulsos eléctricos u oscilaciones de alta frecuencia
amortiguadas.
Durante la condición de carga, es decir, durante una tensión DC, la distribución de
potencial cerca del borde de una lámina es significativamente diferente de la distribución
de AC mostrada en Figura 2.4-20, véase la Figura 2.4-30. El hueco de impregnación que
termina en el intersticio en el borde de la lámina, está lleno de aceite y normalmente tiene
una mayor conductividad KZ que las películas aislantes adyacentes con películas aislantes
con K1. De este modo, se forma un hueco comparativamente uniforme, donde una
corriente de conducción puede fluir a través del aceite y graduar el potencial, Figura 2.4-
30 (abajo). De este modo la tensión en los bordes de la lámina se reduce
considerablemente.
Por lo tanto, la resistencia a la corriente DC del dieléctrico de un condensador es, en la
práctica, significativamente mayor que que la resistencia a la corriente AC. A menudo se
puede suponer un factor de aproximación.

La tensión crítica en un condensador de almacenamiento de energía no se produce durante

la tensión de DC en estado estacionario sino durante el impulso de descarga rápida o la
oscilación de la descarga. El tiempo asociado mediante el campo de desplazamiento es
más parecido a la Figura 2.4-30 (arriba). Además, las cargas espaciales se acumulan en
las interfaces de las películas poliméricas durante la fase anterior de DC en estado
estacionario anterior. Durante una descarga oscilante, se producen polaridad, y se
superpone un campo de desplazamiento que varía con el tiempo en estado estacionario.
Por lo tanto, la tensión del campo eléctrico en los bordes de las láminas es mucho mayor
que para una tensión pura de DC o AC por sí sola, véase el apartado 7.3.3.

La vida útil de un condensador de almacenamiento de energía o un condensador de

impulsos viene dada, por tanto, por el número de descargas posibles en función de la
tensión de carga, la frecuencia de la descarga y la magnitud relativa de la primera
amplitud con polaridad invertida (relación de oscilación inversa) [29].
2.4.4.3 Procesos transitorios

El esfuerzo de voltaje de CC mencionado anteriormente asume una condición de estado

estable, lo que requiere tiempos muy largos entre horas y días para materiales aislantes
altamente resistivos. De acuerdo con la Ec. (2.1-41), los tiempos deben ser mucho más
largos que las constantes de tiempo de autodescarga de los materiales relevantes:

Para la aplicación de un voltaje DC, se deben distinguir las siguientes fases (ver Figura
2.1-16):

Figura 2.4-30: Tensión de campo eléctrico en los bordes de las láminas metálicas en un
dieléctrico de condensador a tensión CA (arriba) y tensión de campo reducida a tensión
CC (abajo) debido a una conductividad comparativamente alta en el intersticio lleno de
aceite entre el plástico Película.
a) Si el voltaje de CC se aplica como un paso dentro de un tiempo muy corto (en
comparación con las constantes de tiempo relevantes del sistema dieléctrico), se puede
suponer un campo de desplazamiento dieléctrico al principio. Está determinado por las
permitividades H. Las configuraciones geométricamente simples se pueden describir
mediante redes equivalentes que consisten solo en capacitancias.
b) Luego, tiene lugar un proceso transitorio, que consiste en procesos de carga y descarga
entre los diferentes dieléctricos. Una descripción matemática requiere las ecuaciones
materiales (constitutivas) D = H E y J = N E junto con la ecuación de continuidad (2.1-
35) en su forma general. Deben considerarse tanto la densidad de corriente de conducción
J como la densidad de corriente de desplazamiento wD/wt.
Los arreglos geométricamente simples a menudo se pueden describir mediante redes
equivalentes que consisten en capacitancias C (para la descripción de la corriente de
desplazamiento) y resistencias R (para la descripción de la corriente de conducción).
Luego se calculan los voltajes y las corrientes con los métodos de análisis de redes. La
transformada de Laplace es muy útil para este propósito [2], [30], [31].

Nota: La descripción de un material por una sola permitividad (capacitancia) y una sola
conductividad (resistencia) ignora que el proceso de polarización del material toma
tiempo y puede continuar por tiempos relativamente largos hasta que se alcanza el estado
estacionario. Por lo tanto, los procesos de polarización se describen mediante un circuito
equivalente más complejo, que contiene elementos RC con diferentes constantes de
tiempo para describir los diferentes mecanismos de polarización, consulte la Sección 4.3.

c) Después del decaimiento del proceso transitorio, se alcanza un estado estacionario, que
depende únicamente de las conductividades (o resistividades) de los materiales aislantes
(Sección 2.4.4.1 y 2.4.4.2). Los arreglos geométricamente simples pueden describirse
mediante una red equivalente que consta solo de resistencias.
En las aplicaciones de CC, a menudo sucede que un estado dado cambia a otro estado por
un proceso transitorio. Algunos ejemplos son los transitorios después de una inversión de
polaridad (p. ej., durante una prueba de tensión HVDC), después de un aumento o
disminución de la magnitud de la tensión de CC, después de un cortocircuito, después de
un proceso de descarga o durante el desarrollo de una tensión de recuperación.
Un cálculo de las transiciones mencionadas se puede realizar en los siguientes pasos:
a) En primer lugar, se tiene que calcular el estado inicial. En el caso más sencillo, este es
el estado estacionario. En una red equivalente, el estado inicial viene dado por el estado
de carga inicial de las capacidades equivalentes. El estado inicial de un arreglo complejo,
que ya no puede ser descrito por una red equivalente, normalmente tiene que ser descrito
por un patrón de campo calculado numéricamente o un diagrama de línea equipotencial.
b) El paso de voltaje subsiguiente puede ser descrito por una fuente de voltaje en una red
equivalente. En disposiciones más complejas, que se describen mediante diagramas de
campo o equipotenciales, el campo de desplazamiento dieléctrico asociado con el paso de
voltaje puede superponerse a la distribución de campo inicial en forma de diagrama de
campo. Esto da la tensión dieléctrica directamente después del paso de tensión [7], [10].
c) El proceso transitorio se puede determinar mediante un análisis de red transitoria en un
circuito equivalente. Para disposiciones geométricamente complejas, los cálculos de
campo numérico deben basarse en la teoría de campo transitorio. Para aplicaciones
prácticas, a menudo es suficiente calcular el estado final estable.
A continuación, se comentan algunos ejemplos prácticos:
El ejemplo 1 trata de la aplicación de un voltaje de CC a un dieléctrico de capacitor de
múltiples capas. El voltaje de recuperación después del cortocircuito de un capacitor se
considera en el ejemplo 2. El ejemplo 3 muestra que puede haber aumentos de tensión en
algunas capas dieléctricas durante un proceso transitorio. El ejemplo 4 analiza las
condiciones de campo complejas en un sistema de barrera durante una inversión de
polaridad de un voltaje de CC.

Ejemplo 1: Aplicación de un voltaje DC

Los campos capacitivos de estado estacionario y cuasiestáticos en un dieléctrico de
capacitor de dos capas ya se analizaron en las secciones 2.1.4.2 y 2.1.4.4. El dieléctrico
de dos capas está hecho de películas poliméricas y papeles impregnados de aceite con d1
= d2 = 30 μm, Hr1 = 2.2, Hr2 = 4.4, N1 = 10-16 S/m y N2 = 10-14 S/m, Figura 2.1-11, -
15 y -16. Se discutirá el proceso transitorio.
Como las interfaces entre los materiales también son superficies equipotenciales, el
proceso transitorio se puede describir con una red equivalente que contiene las
capacidades C1 y C2 junto con las resistencias en paralelo R1 y R2:
Inmediatamente después de la aplicación de la tensión continua, el campo de
desplazamiento dieléctrico provoca una "distribución de tensión capacitiva", es decir, las
películas poliméricas se tensan con 2/3 y los papeles con 1/3 de la tensión.
En un proceso transitorio aproximadamente exponencial, la capacitancia C1 de las
películas poliméricas de alta resistividad se carga sobre la resistencia R2 de los papeles
impregnados de aceite comparativamente conductores (constante de tiempo W = R2C1)
hasta que se alcanza la distribución de voltaje de estado estacionario ("óhmico"). Esto
puede tardar muchas horas en completarse.
Las películas poliméricas siempre tienen que soportar todo el voltaje de CC, los papeles
se estresan con solo el 1 % del voltaje total.
Ejemplo 2: Tensión de recuperación
Para el condensador en el ejemplo mencionado anteriormente, el voltaje de estado estable
en la capacitancia equivalente C1 (películas poliméricas) es casi el voltaje total
(aproximadamente 0,99·V), mientras que C2 (papeles) solo se carga a 0,01·V, Figura 2.4-
31 (izquierda).
 Figure 2.4-31: DC voltage stress and recovery voltage at a dielectric consisting of
plastic films and oil-impregnated paper with a hundred times the conductivity (more
explanations see in the text).
Durante un cortocircuito del capacitor en las terminaciones externas, la carga Q1 | C1·V
se distribuye entre las dos capacidades parciales paralelas C1 y C2, que tienen la misma
tensión, pero con polaridad opuesta. El voltaje entre las terminaciones exteriores es por
lo tanto cero. Teóricamente, los voltajes son v1' = -v2' = (1/3)·(C1·V)/C1 = V/3 para C2
= 2 C1, si se desprecia Q2 = C2·0.01·V, Figura 2.4-31 (medio). La diferencia de las
energías almacenadas capacitivamente, antes y después del cortocircuito, se disipa como
pérdida óhmica en la resistencia del cortocircuito. Si el cortocircuito no se vuelve a abrir,
las capacidades paralelas C1 y C2 se descargan exponencialmente a través de R2 << R1
con la constante de tiempo W = (C1 + C2)·R2.

Sin embargo, si el cortocircuito se abre de nuevo, inmediatamente después de la conexión

de los terminales, las capacidades parciales, que están cargadas a v1' = V/3 y v2' = -V/3,
solo pueden descargarse por autodescarga a través de las resistencias equivalentes
asociadas con las constantes de autodescarga W 1 = R1C1 = H 1/N1 y W 2 = R2C2 = H
2/N2. En el ejemplo dado, la descarga exponencial de C2 sería cincuenta veces más rápida
que la descarga exponencial de C1, por lo que el voltaje resultante en las terminales
abiertas es v'(t) = v1'(t) + v2'(t), lo que se denomina “voltaje de recuperación”, Figura
2.4-31 (derecha).
Nota: Esta explicación del voltaje de recuperación se basa en las cargas que se almacenan
en las interfaces del dieléctrico y en las inversiones de carga entre diferentes materiales.
Se produce una recarga similar si hay cargas espaciales almacenadas en el dieléctrico
(consulte el ejemplo sobre cables HVDC en la Sección 2.4.4.2) o si la carga se almacena
mediante efectos de polarización, Sección 4.3.2.1.
Nota: Los capacitores cargados y los voltajes de recuperación son algunos de los
principales peligros para el trabajo experimental con altos voltajes. Por lo tanto, los
equipos con capacidades elevadas (p. ej., condensadores, cables) deben tener un
cortocircuito permanente. Además, en una conexión en serie de condensadores, todas las
unidades individuales deben tener un cortocircuito individual: un cortocircuito solo en los
terminales finales no evitaría que los condensadores individuales se carguen
(opuestamente). Por razones de seguridad, no se debe suponer que los capacitores
individuales son idénticos (aunque solo sea porque los gradientes de temperatura pueden
causar diferencias) y que se cargan y descargan simultáneamente.
Nota: Hay intentos de usar parámetros de voltajes de recuperación para el diagnóstico
dieléctrico, p. para transformadores y cables [32], [33], consulte la Sección 6.4.7.5.

Ejemplo 3: Mejoras transitorias de la intensidad de campo en dieléctricos multicapa

Después de la aplicación de un voltaje de CC a un dieléctrico multicapa, la transición de

la distribución de potencial capacitiva inicial a la distribución de potencial óhmico final
puede ir acompañada de tensiones inesperadas y mejoradas temporalmente que no se
pueden reconocer a partir de los estados inicial y final.
Discutimos un dieléctrico de tres capas que consiste en una barrera de plástico que separa
dos espacios de aceite con diferentes calidades de aceite (aceite viejo y nuevo), Fig. 2.4-
32. Se supone que las constantes de tiempo de autodescarga del aceite viejo, la barrera
plástica y el aceite nuevo tienen la relación 1 : 100 : 10. Se supondrá que la relación de
las capacidades equivalentes es 1 : 2 : 2. Con W = RC, la relación de las resistencias
equivalentes es 1 : 50 : 5.

Figura 2.4-32: Dieléctrico de tres capas con diferentes constantes de tiempo de

autodescarga (por ejemplo, con las relaciones 1 : 100 :10), véase la fig. 2.4-33 con las
correspondientes curvas de tensión tras la aplicación de una tensión continua V.
Después de la aplicación del voltaje de CC, primero se produce una distribución de voltaje
capacitivo, debido al campo de desplazamiento dieléctrico, Figura 2.4-33. El dieléctrico
1 está estresado con la mitad del voltaje, los dieléctricos 2 y 3 llevan cada uno una cuarta
parte del voltaje V.

Debido a la breve constante de tiempo de autodescarga W1 del dieléctrico 1, C1 se

descarga rápidamente y v1(t) disminuye muy rápidamente. Por lo tanto, los otros
dieléctricos 2 y 3 deben transportar una fracción adicional del voltaje total V. Las
capacidades equivalentes C2 y C3 se recargan primero a través de R1. Por lo tanto, los
voltajes v2(t) y v3(t) aumentan simultáneamente al principio, Figura 2.4-33.

Figura 2.4-33: Curvas de tensión para un dieléctrico de tres capas según la fig. 2.4-32,
con una mejora de voltaje temporal en el dieléctrico 3 después de la aplicación de un
voltaje de CC.
Entonces, la constante de tiempo de autodescarga más baja del dieléctrico 3 se hace
evidente por una descarga adicional de C3 junto con una recarga adicional de C2 a través
de R3 a voltajes aún más altos.
El voltaje v3(t) aumenta al principio y disminuye a largo plazo. En el medio hay un
máximo distinto.

Este máximo es significativamente más alto que el voltaje inicial en este material y
muchas veces más alto que el voltaje final en estado estable. Por lo tanto, tenemos un
posible sobreesfuerzo del dieléctrico 3 en el curso del proceso transitorio, que a menudo
se ignora.
En estado estacionario, la tensión se distribuye de acuerdo con las resistencias
equivalentes, es decir, el dieléctrico 1 se solicita con el 2 %, el dieléctrico 2 con el 89 %
y el dieléctrico 3 con el 9 % de la tensión total V.
Nota: En comparación con el aceite, la alta tensión en la barrera de plástico aún puede ser
tolerable porque los materiales sólidos normalmente pueden someterse a esfuerzos con
una fuerza de campo mucho mayor que los líquidos.
El nivel exacto de la sobretensión en el dieléctrico 3, que se describe cualitativamente
aquí, puede calcularse mediante un análisis de red. El resultado depende en gran medida
de la naturaleza del dieléctrico multicapa observado. A menudo se pueden encontrar
arreglos especialmente críticos, si la distribución inicial y final son muy diferentes.

Ejemplo 4: inversión de polaridad de un voltaje de CC

Pueden ocurrir distribuciones de campo muy complejas, migraciones de campo y
aumentos significativos de la tensión de campo en relación con la inversión de polaridad
(PR) de un voltaje de CC en un sistema de barrera de placa de aceite, como se usa en el
aislamiento HVDC, p. en transformadores convertidores o reactores de filtrado.
Normalmente, estos campos ya no pueden ser descritos por circuitos equivalentes, y es
necesario realizar cálculos numéricos de campo, Sección 2.5.
Se discute un arreglo plano con dos barreras de alta resistividad entre dos electrodos
planos en aceite comparativamente conductor, para dar una explicación cualitativa de las
condiciones cuando se invierte el voltaje, Figura 2.4-34. La disposición de aislamiento se
puede considerar como un modelo muy simplificado de un sistema de barrera según la
Figura 2.4-28.
Si se aplica un voltaje de CC negativo al electrodo superior, se desarrolla un campo de
conducción de estado estacionario en el aceite paralelo a las interfaces entre el aceite y
las barreras, Figura 2.4-34a. Puede estar relacionado con una corriente de conducción del
electrodo inferior al superior, conducida entre las barreras altamente resistivas. Dentro
del conducto de aceite, la distancia entre las líneas equipotenciales es grande y la
intensidad de campo es baja, si el conducto de aceite es lo suficientemente largo. Por lo
tanto, el sistema de barrera puede nivelar el campo en el conducto de aceite. Las barreras
se tensan con casi todo el voltaje de CC, en las regiones donde no se superponen. Las
barreras deben diseñarse en consecuencia, p. por diseño multicapa con suficiente espesor.
La inversión de polaridad se puede describir mediante la superposición de un paso de
voltaje positivo con el doble de la amplitud del voltaje de CC. Provoca un fuerte campo
de desplazamiento dieléctrico, que se superpone al campo de conducción inicial [7],
Figura 2.3-34b. En una aproximación de primer orden, se desprecia el desplazamiento del
campo desde las barreras hacia el petróleo.
La superposición da como resultado una tensión muy alta en el conducto de aceite, Figura
2.4-34c. Solo una pequeña parte de la tensión se elimina de las barreras. Curiosamente,
existen “islas” con un potencial superior al 100 % e inferior al 0 % de la tensión de CC
aplicada. Estas islas son causadas por cargas superficiales positivas y negativas que se
acumularon en las superficies de las barreras durante el estado estacionario anterior, vea
también la Figura 2.4-23.
Después de la inversión de polaridad tiene lugar un proceso de transición durante el cual
las capacidades de las barreras se recargan esencialmente a través de la resistencia en
serie de los conductos de aceite. Finalmente, se forma una nueva distribución de campo
estacionario para un voltaje de CC positivo que es igual y opuesto al original, Figura 2.4-
34d.
Nota: La experiencia con las pruebas de voltaje de CC de equipos con aislamiento de
aceite con sistemas de barrera muestra que los minutos posteriores a la inversión de la
polaridad suelen ser críticos. Durante este tiempo pueden producirse descargas
parciales que desaparecen posteriormente. Esta es una indicación de intensidades de
campo altas y decrecientes directamente después de la inversión de polaridad, vea la
Figura 2.4-34c.

2.4.5 Clasificación de campo en las interfaces

Los arreglos de aislamiento con interfaces tangenciales a fuertes campos eléctricos son
especialmente críticas en la ingeniería de alto voltaje para cualquier tipo de voltaje, CA,
CC y esfuerzos de impulso. La mayoría de los problemas surgen en las interfaces con el
aire eléctricamente débil, es decir, en las llamadas superficies.
Pueden desencadenarse descargas eléctricas, tanto por el campo normal en el intersticio
lleno de aire en un punto triple (ver Sección 2.4.3.3) como por el campo tangencial en el
borde de un electrodo (ver Sección 3.2.6), Figura 2.4- 35 arriba (derecha e izquierda). Los
voltajes de inicio son comparables para ambos casos, Eq. (2.4-35) y (3.2 -72). Si una
descarga es provocada por un voltaje de CA, los fuertes componentes del campo
tangencial provocan poderosas descargas superficiales, debido a las altas capacidades
laterales parásitas y las altas corrientes de CA capacitivas en el canal de descarga. Por lo
tanto, los materiales aislantes pueden dañarse severamente por la erosión en la superficie,
Sección 3.2.6.
Los arreglos con intensidades de campo tangencial altas y con capacitancia lateral alta (es
decir, con espesores de aislamiento pequeños) son susceptibles a descargas superficiales.
Se pueden encontrar en muchas disposiciones de aislamiento y se denominan "superficies
de fuga", Figura 2.4-35 (abajo). Se dan algunos casos comunes, p.

• en disposiciones con simetría rotacional (por ejemplo, para cables, Sección 7.1.1
o para pasatapas, Sección 7.1.2),
• en arreglos planos (por ejemplo, en los bordes de un capacitor de placas paralelas,
o para láminas aislantes delgadas, Figura 2.4-20)
• y para la superficie de aislamiento de conductores rectangulares aislados (por
ejemplo, para barras colectoras aisladas o aislamientos de devanados de estator,
Figura 7.1.6-4).

Figura 2.4-35: Activación de descargas superficiales por componentes de campo

tangencial y normal (superior izquierda y derecha). Superficie de fuga con alta tensión
tangencial y material aislante delgado (abajo, se desprecia la refracción de las líneas
equipotenciales).
Es una tarea básica de la ingeniería de alto voltaje mantener bajas las tensiones eléctricas
tangenciales en las superficies. Esto se puede lograr con diferentes tecnologías para
clasificación de campo o clasificación potencial, que se explican en el ejemplo de los
accesorios de entrada de cables [464], Figura 2.4-36.

Figura 2.4-36: Tecnologías para clasificación de campo y potencial en superficies de

fuga típicas, superficies rotacionalmente simétricas de aislamiento de cable (ejemplo).
La clasificación del campo refractivo solo se puede utilizar para voltajes variables en el
tiempo (CA o impulso). Las graduaciones resistivas y no lineales dependen en gran
medida de la frecuencia del voltaje aplicado (sensibilidad de frecuencia).
Todos los métodos de graduación de campo y potencial tienen en común que reducen las
intensidades de campo tangencial en interfaces y superficies. Sin embargo, estas
interfaces y superficies todavía están normalmente muy solicitadas y deben tratarse con
especial cuidado. Esto significa que las contaminaciones, los depósitos, el acceso de agua,
las inclusiones de aire, los huecos y otros defectos deben evitarse con gran fiabilidad
durante el proceso de producción y la operación del servicio.