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Fsica de Dispositivos Semiconductores.

1.- Demuestre que existe una discontinuidad en el potencial electrosttico de una magnitud 4,
en donde es el momento dipolar por unidad de rea, en los lados opuestos de una capa dipolar
elctrica.
R: El potencial electrosttico, se define de la siguiente forma.

=
Por lo tanto
=
Para describir el potencial entonces primero debes de conocer el Campo elctrico. Vamos a
considerar que el campo elctrico dentro de una capa dipolar elctrica es similar al campo
elctrico dentro de un capacitor de placas paralelas con densidades y .

Por simetra el campo es normal a las placas. Si aplicando la Ley de Gauss a la superficie de la
imagen tenemos

= = 4
Entonces el campo elctrico es uniforme y es igual a:

= 4
Ahora encontraremos el potencial electrosttico
=

= 4 = 4
0

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Por lo tanto
= 4
Adems tenemos el dipolo elctrico est dada por la expresin:
=
Donde es la distancia de separacin entre las dos cargas, por lo tanto haciendo las debidas
sustituciones en las ecuaciones tenemos que:
= 4
2.- Se intenta medir el potencial de contacto interno de una unin p-n conectando un voltmetro
de alta impedancia con conductores de cobre, a contactos que se encuentran en los lados
opuestos del cristal que contiene una unin. El voltmetro indica una lectura cero. Un
potencimetro sustituye al medidor, pero la lectura sigue siendo cero. Explique fsicamente la falla
de estos dos mtodos y analice los potenciales de contacto entre el cobre y las regiones de tipo n y
de tipo p.
R: La medicin hecha con el voltmetro es cero debido a que este es de alta impedancia por lo que
no registra el potencial de contacto interno.
La medicin hecha con el potencimetro se presenta el problema de los contactos que presentan
una cierta resistividad por lo que no se registra medicin alguna.
3.- Utilice el teorema de flujo elctrico de Gauss para demostrar que el campo elctrico debe ser
continuo en todas partes dentro de la superficie excepto en donde hay una distribucin de carga.
La ley de Gauss es:

= = 4

Donde Q es la carga total encerrada en la superficie cerrada (superficie gaussiana) empleada


para obtener el flujo del campo elctrico.

Para resolver el problema calculemos el campo elctrico creado por una placa cargada
uniformemente como se muestra a continuacin.

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El flujo del campo elctrico a travs de cualquier superficie cerrada es siempre el


mismo (ley de Gauss); en este caso, por simplicidad de clculo, se ha elegido una
superficie gaussiana cilndrica. El flujo a travs de la superficie lateral del cilindro es
nulo (ninguna lnea de campo la atraviesa, pues el campo es normal al vector
superficie). La nica contribucin no nula al flujo es la que se produce a travs de la
base (que es el campo debido a la base de la superficie gaussiana que est entre las
placas). El flujo del campo elctrico a travs del cilindro es entonces:

= = (0) =
Aplicando el teorema de Gauss tenemos

= = = 4

Por lo tanto
= 4

= 4

Finalmente podemos concluir que el Campo elctrico


condensador.

es continuo dentro del

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5.- Encuentre expresiones aproximadas para los potenciales, los campos y el ancho de las capas de
carga espacial asociadas con una unin linealmente gradual en la que
( < 0)
( > 0)

= 0, =
= 0, =

Donde es una constante. Suponga que la cada total de potencial en la regin de carga espacial
es 0 0 y que 0 0 . Nota: use una extensin de los mtodos expuetos en la seccin
12.4.
R: La densidad de carga espacial esta da por

() = {

( < 0)
( > 0)

El campo elctrico y el potencial en la regin de carga espacial puede ser determinado de la


ecuacin de Poisson:

2 +

()

=
=
=
2

Las ecuaciones anteriores se pueden integrar para obtener el campo elctrico:

2
( 0 2 ) +
=
=

Entonces con las condiciones de contorno = 0 en los bordes de la regin de carga espacial,
tenemos:

(0 ) = (0+ ) = 0 = 0
Por lo tanto
=

2
( 0 2 )
2

El valor mximo del campo elctrico est localizado en x = 0 y tiene un valor:


=

2 0

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Integrando nuevamente se puede obtener el potencial electrosttico:

() =

() =

2
3
( 0 2 ) =
( 02 ) +
2
2 3

Con la condicin de contorno = 0 en = 0 , el potencial a travs de la unin es:


3
3
() =

( 02 ) +
2 3
3 0
La magnitud del potencial en = 0 es igual para la barrera de potencial interconstruido
para esta funcin. Entonces tenemos:
2 03
(0 ) =
=
3
Si un voltaje en polarizacin inversa es aplicado a la unin, la barrera de potencial
aumenta. La barrera de potencial interconstruido en la ecuacin anterior es reemplazada por la
barrera de potencial + . Despejando para de la ecuacin anterior y usando la barrera de
potencial total, obtenemos el ancho de la regin de carga espacial:
3 3
( + )
0 = .
2