30 Receptores de Radio Modernos Electrónica Completa

13/10/2015 Receptores
de radio modernos » Electrónica completa
Electronica Completa Ing
Alberto Picerno Leccion 30/
Receptores de radio modernos
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En el momento actual puede encontrar radios que se encuentran en diferentes etapas de desarrollo.
Va a encontrar las clásicas con tándem, dial y potenciómetro de volumen, sin microprocesador, que
son las más económicas y menos durables; otras tienen tándem y frecuencímetro digital
reemplazando al dial (que también opera como reloj de tiempo real y despertador) y control de
volumen con dos pulsadores; estas últimas poseen microprocesador y por último, las más
desarrolladas que poseen sintonía por teclado, control de volumen a pulsadores y reloj de tiempo
real y despertador con un microprocesador muy desarrollado.
A continuación vamos a analizar al reemplazo moderno del potenciómetro de control de volumen y
luego el reemplazo del tándem por componentes de estado sólido sin desgaste.
Control de volumen en estado sólido
Existen muchos circuitos que controlan una atenuación por variación de una tensión continua de
control. En nuestro caso podríamos considerarlos como un resistencia variable cuyo valor depende
de una tensión aplicada al circuito en un lugar distinto al camino de la atenuación; para entender el
concepto vamos a presentar el control de volumen de estado sólido mas simple que se basa en dos
diodos de silicio.
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13/10/2015 Receptores de radio modernos » Electrónica completa
(http://electronicacompleta.com/wp
content/uploads/receptorradiomoderno
01.png)
Fig.1 Atenuador controlado por tensión a

diodos (máxima salida)
Ya conocemos las características alineales del diodo; las mismas nos permitieron utilizarlo como
detector de señales o rectificador y luego como conversor. Justamente en este uso el diodo no pasa
del corte a la conducción total, sino que utiliza la pequeña sección curva de sus características. Es
decir donde el diodo no tiene resistencia infinita o nula, sino un cierto valor de resistencia que
depende de la tensión continua aplicada al mismo.
En nuestro circuito atenuador se utilizan dos diodos que estan polarizados por dos fuentes.
Una, variable, es el potenciómetro de control de volumen que posteriormente veremos que se
trata de una pata del microprocesador.
La otra, fija, la provee en este caso el generador de funciones y se ajusta con offset en este
caso en .7V.
Tal como esta diseñado el circuito cuando el potenciómetro está a nivel mínimo el resistor R2 hace
conducir a pleno a D1 y mantiene cortado a D2 llevando la salida a máximo que es lo que puede
observarse en el osciloscopio y en las sondas, en las que observamos que ingresan 20 mV pap y
salen 15,6. Observe que utilizamos un diente de sierra para que se puedan observar fácilmente las
distorsiones del circuito.
En la figura 2 llevamos el potenciómetro a 1V observando que en este caso se obtiene el caso
contrario al anterior porque conduce D2 y se corta D1 produciéndose la máxima atenuación del
circuito que lleva la salida a 641 uV pap.
content/uploads/receptorradiomoderno.png)
Fig.2 Atenuador controlado por tensión a

diodos (mínima salida)
En realidad a 0,8V la salida es casi igual que a 1V es decir que podemos considerar que esa tensión
continua es la de salida nula. Si probamos el atenuador a 0,4V en el potenciómetro encontramos que
la salida es de 7 mV lo que nos indica que el control es casi lineal.
Un problema de este atenuador a diodos es que no admite una gran señal de alterna, porque se
producirían distorsiones de la misma; prácticamente nosotros lo trabajamos al límite de su
funcionamiento sin distorsión.
De cualquier modo este circuito fue entregado solo para que el alumno pueda realizar una adecuada
práctica en el laboratorio virtual o real. En las radios modernas el atenuador controlado por tensión
se encuentra dentro del único integrado analógico que las mismas suelen poseer y el reparador suele
ignorar de que tipo de atenuador se trata. Solo puede controlar la pata por donde entra la tensión
continua de control y tal ves el nivel de entrada al amplificador de audio de potencia que sigue al
atenuador.
Tamden en estado sólido
Un tándem son dos o más capacitores variables unidos al mismo eje.
Lo que se necesita para reemplazarlo es un capacitor controlado por tensión. Ese componente existe
y es un viejo conocido nuestro que acabamos de utilizar: El diodo. En efecto todo diodo conectado
en inversa se comporta como un capacitor variable por tensión y llegó el momento de que
analicemos su funcionamiento interno para entender como un rectificador es además una resistencia
variable por tensión y ahora, un capacitor variable por tensión. Y además tiene otro uso que aun no
mencionamos que es el de regulador de tensión.
Nosotros vamos a ir analizando lo que podríamos llamar usos especializados del diodo de a poco a
medida que los vayamos utilizando, para reforzar la explicación teórica con la necesaria práctica de
su aplicación. Así que a continuación vamos a explicar que ocurre internamente en un diodo cuando
conduce y cuando está polarizado en inversa, hasta llegar a su comportamiento como capacitor.
Como sabemos el diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente en
un determinado sentido y se bloquea en el sentido contrario. En la Figura 30.4.1 se muestran el
símbolo y la curva característica tensiónintensidad del funcionamiento del diodo ideal. El sentido
permitido para la corriente es de A a K.
03.png)
Fig.3 Símbolo y curva característica

tensióncorriente del diodo ideal
La curva presentada es evidentemente la de un diodo ideal ya que presenta resistencia nula al paso
de la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La resistencia
nula está indicada por el hecho de que corriente se hace infinita con una tensión positiva
infinitalmente pequeña. Y la resistencia infinita está manifestada porque la corriente inversa es nula
aún para tensiones negativas infinitamente grandes. La punta de la flecha del símbolo, indica el
sentido permitido de circulación de la corriente.
Existen diodos fabricados de diferentes modos pero en el momento actual todos se fabrican a partir
de la unión de dos materiales semiconductores de características opuestas, es decir, uno de tipo P y
otro de tipo N. El material básico de ambas zonas es el silicio que posee 8 electrones en su ultima
orbita y por lo tanto tiene gran afinidad por combinarse con otros átomos de silicio, formando una
estructura cristalina.
Esos cristales son prácticamente aisladores; solo poseen una corriente de perdida debido a la
recombinación casual de sus portadores naturales que se llaman portadores minoritarios. Para que
esos cristales conduzcan la electricidad se los mezclan con materiales que poseen 7 o 9 electrones
en su orbita exterior. En el primer caso se forma una laguna (ausencia de un electrón) en el cristal,
que evidentemente tiene signo positivo y al material se lo llama tipo P. En el segundo caso se
forman electrones libres de la estructura cristalina y el material se llama N.
Ambos materiales impuros o enriquecidos son conductores de la electricidad debido al agregado de
portadores (llamados mayoritarios) pero son menos conductores que los metales y más conductores
que los aisladores. Un sándwich de material N y P forma un diodo de juntura o de unión.
A esta estructura se le añaden dos terminales metálicos para la conexión con el resto del circuito.
En la Figura 4 se presenta el esquema de los dos tipos de diodos que se fabrican actualmente, el
diodo vertical y el plano.
04.png)
Fig.4 Esquemas de diodos de unión PN
El hecho de que los diodos se fabriquen con estos materiales implica algunas desviaciones del
comportamiento con referencia al diodo ideal. Vamos a presentar en primer lugar el proceso de
formación de los diodos de semiconductores, para pasar después a exponer el comportamiento
eléctrico y las desviaciones con respecto al comportamiento ideal.
Suponga que se dispone de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una frontera
bien definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra con tipo N, como lo
indica la figura 5.
La zona P tiene un exceso de huecos, y se obtiene introduciendo átomos con 7 electrones en
la red cristalina (por ejemplo, boro).
La zona N dispone de 9 electrones (por ejemplo fósforo)
En ambos casos se tienen también portadores de signo contrario, aunque en una concentración
varios órdenes de magnitud inferior a la cantidad de átomos de silicio de la red cristalina
(portadores minoritarios).
content/uploads/receptorradio
moderno05.png)
Fig.5 Dopado del silicio para la

obtención de diodos PN
En cada zona la carga total es neutra: por cada electrón que se libera en N queda un átomo de
fósforo fijo que es un ión positivo. Y por cada hueco móvil se forma un ión negativo, es decir, no
existen distribuciones de carga neta, ni campos eléctricos internos. En el momento mismo de crear
dos zonas P y N de diferente concentración de portadores (electrones y huecos) entra en juego el
mecanismo de la difusión que tiende a llevar partículas de un lado al otro debido a la atracción de
las cargas opuestas. El efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unión de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir que los electrones de la zona N pasan a
la zona P y los huecos de la zona P pasan a la zona N.
Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto. Centrémonos en la región de la zona
P cercana a la unión. El electrón que pasa la unión se recombina con un hueco. Aparece una carga
negativa, ya que antes de que llegara el electrón la carga total era nula. Al pasar el hueco de la zona
P a la zona N, provoca un defecto de carga positiva en la zona P, con lo que también aparece una
carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para la zona N. En
consecuencia, a ambos lados de la unión se va creando una zona de carga, que es positiva en la
zona N y negativa en la zona P según lo indica la figura 6.
content/uploads/receptor
radiomoderno06.png)
Fig.6 Formación de la

unión PN
La distribución de cargas formada en la región de la unión genera un campo eléctrico que se opone
al movimiento de todos los portadores evitando la difusión total de los mismos. Es decir que cerca
de los terminales los materiales quedan como material N y P originales (antes de unirlos). En la
unión hay un equilibrio entre la fuerza de difusión debida al movimiento browniano y la atracción
de las cargas opuestas. Al final la fuerza de la difusión y la del campo eléctrico se equilibran y cesa
el traslado de portadores. En ese momento está ya formado el diodo de unión PN, y como resultado
del proceso se obtiene: una zona P, semiconductora, con una resistencia RP; una zona N,
semiconductora, con una resistencia RN y una zona llamada de agotamiento o depleción en la zona
de unión, que no es conductora, puesto que no posee portadores de carga libres (todos los
portadores están encajados en su lugar del cristal. Podemos asegurar que en ella actúa un campo
eléctrico, o bien que entre los extremos de la zona de unión actúa una barrera de potencial.
Hay que tener en cuenta que este proceso sucede instantáneamente en el momento en el que se
ponen en contacto las zonas N y P, y no necesita de ningún aporte de energía, excepto el de la
agitación térmica que produce el movimiento browniano y desencadena la difusión.
Este bloque PN en principio, no permite el establecimiento de una corriente eléctrica entre sus
terminales, puesto que la zona de depleción es aisladora. Sin embargo, si se aplica una tensión
positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico que “empujará” los huecos hacia la unión,
provocando un estrechamiento de la zona de depleción. Sin embargo, mientras ésta exista no será
posible la conducción.
07.png)
Fig. 7 Diodo PN durante la aplicación de

una tensión inferior a la de barrera
Si la tensión aplicada supera la barrera, desaparece la zona de depleción y el diodo conduce. De
forma simplificada e ideal, lo que sucede es lo que indicamos en la figura 8.
08.png)
Fig. 8 Diodo PN bajo la acción de una

tensión mayor que la de barrera
Los electrones y huecos se dirigen a la unión. En la unión se recombinan. Es decir que polarizar un
diodo PN en directa es aplicarle una tensión positiva a la zona P y negativa a la zona N. Un diodo
PN conduce cuando se lo polariza en directa porque la zona de depleción se inunda de cargas
móviles.
La tensión aplicada se emplea en vencer la barrera de potencial y mover los portadores de carga.
Al contrario de lo anterior, al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se
retiran los portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos hacia los
contactos aumentando la anchura de la zona de depleción. Esto hace que la corriente debido a los
portadores mayoritarios se haga nula.
09.png)
Fig.9 Diodo PN polarizado en inversa
Ahora bien, en ambas zonas P y N hay portadores minoritarios (los que se generan naturalmente en
el material no dopado). Un diodo polarizado en inversa lo está en directa para los minoritarios, que
son atraídos hacia la unión. El movimiento de estos portadores minoritarios crea también una
corriente, aunque muy inferior que la obtenida en polarización directa para los mismos niveles de
tensión.
Al aumentar la tensión inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la zona de
depleción, al igual que sucede en un material aislante: el campo eléctrico puede ser tan elevado que
arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio, originando un
proceso de rotura por avalancha. (Nota: Sin embargo, ello no significa necesariamente la destrucción
del diodo, mientras la potencia consumida por el mismo se mantenga limitada).
La característica tensióncorriente real puede observarse en la figura siguiente.
content/uploads/receptorradio
moderno10.png)
Fig.10 Característica VI de un

diodo de unión PN real
Para tensiones positivas, la corriente que circula es muy pequeña, hasta que no se alcanza la tensión
de barrera (VON). El paso de conducción a corte no es instantáneo: a partir de VON la resistencia
que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye progresivamente, hasta quedar limitada
sólo por las resistencias internas de las zonas P y N. La intensidad que circula por la unión aumenta
rápidamente. En el caso de los diodos de silicio, VON se sitúa en torno a 0,7 V.
Para tensiones negativas, la corriente es mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles
de tensión que en directa, hasta que se llega a la tensión de ruptura, en la que de nuevo aumenta en
forma violenta.
Ya conocemos los usos del diodo en polarización directa como rectificador, como detector y como
conversor de frecuencia. Todos estos usos se basan en la alinealidad extrema del cuadrante de
polarización positiva de la juntura o al hecho de que entre los extremos, no conductor a conductor,
el grafico de resistencia es evidentemente curvo.
Polarización inversa – El zener y el varicap
Aun no tratamos la polarización inversa que tiene tanta aplicación como la directa. En efecto; en
inversa funcionan los conocidos como diodos zener que son dispositivos reguladores de tensión. La
tensión de ruptura es fuertemente dependiente de la construcción y el dopado y entonces el
fabricante la puede manejar a su antojo entre valores de 3,3 y 150V. Por lo general los diodos zener
admiten una disipación de potencia de 500 mW para los mas pequeños y 1W para los más grandes.
Mientras no se superen estos valores el diodo puede funcionar en su tensión de ruptura todo el
tiempo que se desee. En la figura 11 se puede observar una fuente de tensión fija de 12V como
aplicación de un diodo zener.
11.png)
Fig.11 Adaptador de fuente para automóvil

12/6V 1A
En el ejemplo de aplicación se observa un zener que regula en 6,8V aplicado a la base de un
transistor de potencia. En el emisor se obtienen unos 800 mV menos pero a una corriente por la
carga de 1A prácticamente. De este modo el circuito reduce y regula los 12V de la batería del auto
para un equipo que requiera 6V y 1A de consumo. Recomendamos que el alumno pruebe el circuito
variando la tensión de fuente entre 11 y 13,5V y anote la minima variación de la tensión de salida.
También puede variar la resistencia de carga y observar que la tensión de salida prácticamente no
cambia.
El varicap es una aplicación de corriente alterna del diodo polarizado en inversa. Según la teoría
expuesta cuando el diodo se polariza en inversa solo circula una minima corriente por él debida a la
recombinación de portadores minoritarios. Pero sobre la juntura se encuentra una gran cantidad de
carga eléctrica fija, que depende de la tensión aplicada. Estas dos cualidades son las mismas que
posee un capacitor variable y por lo tanto podemos imaginarnos al diodo como un capacitor
dependiente de la tensión.
Por supuesto que el diodo varicap tiene sus limitaciones. Sobre el no puede existir una tensión
alterna muy alta porque se transformaría en un capacitor alineal cuya capacidad varia con el ciclo de
la tensión alterna superpuesta sobre él, en tanto dicha tensión sea una parte considerable de la
tensión continua de polarización inversa.
La aplicación inmediata de un diodo varicap es un circuito de sintonía de frecuencia variable que
podría ser por ejemplo la bobina de antena de un superheterodino moderno de estado sólido. En la
figura 30.5.2 mostramos el correspondiente circuito.
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del Ingeniero Picerno: (http://www.c
12.png)
Fig.12 Circuito de antena con diodo varicap

a 0V
Leyendo con el cursor podemos observar que el pico de resonancia se encuentra a unos 500 KHz. Si
se modifica la posición del cursor del potenciómetro se puede observa que la resonancia va
aumentando de frecuencia hasta que a los 12V llega a unos 1800 KHz, con lo cual se cubre toda la
banda de OM.
Los diodos varicap se fabrican en diferentes versiones de capacidad y tensión pero a grandes rasgos
podemos decir que hay diodos de baja tensión (12V) y de alta tensión (30V). Los primeros se
suelen usar en radios y los segundos en TV.
Conclusiones
En este capítulo comenzamos a analizar los receptores de radio modernos. Como necesitábamos dos
componentes controlados por tensión los buscamos y encontramos que nuestro viejo conocido, el
diodo, se podía comportar tanto como atenuador controlado por tensión y como un capacitor
controlado por tensión.
Para afianzar nuestro conocimiento indicamos dos circuitos para armar realmente o para simular y
probar en el laboratorio virtual Multisim. Aconsejamos al lector que no deje de realizar las
simulaciones que es el mejor modo de estudiar.
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13/10/2015 Receptores

Fig.1 Atenuador controlado por tensión a

Fig.2 Atenuador controlado por tensión a

Fig.3 Símbolo y curva característica

Fig.4 Esquemas de diodos de unión PN

indica la figura 5.

Fig.5 Dopado del silicio para la

Fig.6 Formación de la

Fig. 7 Diodo PN durante la aplicación de

Fig. 8 Diodo PN bajo la acción de una

Fig.9 Diodo PN polarizado en inversa

Fig.10 Característica VI de un

Fig.11 Adaptador de fuente para automóvil

Aprende Electrónica con el curso Completo en

Fig.12 Circuito de antena con diodo varicap

simulaciones que es el mejor modo de estudiar.

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Fig.1 Atenuador controlado por tensión a

Fig.2 Atenuador controlado por tensión a

Fig.3 Símbolo y curva característica

Fig.4 Esquemas de diodos de unión PN

indica la figura 5.

Fig.5 Dopado del silicio para la

Fig.6 Formación de la

Fig. 7 Diodo PN durante la aplicación de

Fig. 8 Diodo PN bajo la acción de una

Fig.9 Diodo PN polarizado en inversa

Fig.10 Característica V­I de un

Fig.11 Adaptador de fuente para automóvil

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Fig.10 Característica VI de un