Universidad Francisco de Paula Santander

Semiconductores

Programa de Ingeniería Electrónica Primer Semestre 2022

Ejercicios propuestos taller 4

1.- En un semiconductor, la variación de la concentración de electrones a lo largo del eje x viene

dada por la curva de la figura (1); con n(x) = n(0) – k x para 0 ≤ x ≤ d; y n(x) = n o para x > d: a)
determinar la variación de corriente, Je(x), a lo largo del eje x. b) Si el semiconductor se
encuentra en equilibrio, ¿cuál es la variación de campo eléctrico generado a lo largo del eje x?, c)
Determinar la diferencia de potencial, a temperatura ambiente, entre x = 0 y x = d. (Suponer
n(0) / no= 103).

2.- Calcular la concentración de huecos y electrones en una muestra de Ge tipo P si se sabe que
su conductividad es 100 (·cm)-1. Datos: ni(300K) = 2,4x1013cm-3; p = 1800cm2 /(V·s). Sol.:
p=3,47x1017cm-3, n=1,66x109 cm-3.

3.- Calcular la concentración de huecos y electrones de una muestra de Si tipo N cuya

conductividad es,  = 0,100(·cm)-1. Datos: ni(300K) = 1,45x1010cm-3; n = 1300 cm2 /(V·s).
Sol.: n=4,8x1014cm-3, p=4,4x109 cm-3.

4.- Una muestra de Ge está dopada con 1014donantes/cm3 y 7x1013aceptores/cm3. A la

temperatura a la que se encuentra el Ge intrínseco tendría una resistividad de 60·cm. Si se
aplica un campo eléctrico de 2V/cm Encontrar la densidad total de corriente. Sol.:
J=52,5mA/cm2.

5.- Un semiconductor a 400 K de temperatura presenta una concentración de portadores huecos

igual a: p = 2,16x1021 m -3. Sí µe =3900 cm2 V-1 s -1; µh =1900 cm2 V-1 s -1; Nc = 1,00x 1019 cm-3;
y Nv = 6,10x 1019 cm-3. Calcular la conductividad intrínseca.