DIODOS SEMICONDUCTORES

Ricardo Jimenez
2023
 LEYES DE KIRCHHOFF

Las leyes de Kirchhoff describen el comportamiento de la corriente en

un nodo y del voltaje alrededor de una malla. Estas dos leyes son las
bases del análisis de circuitos avanzados.
 DEFINICIONES

❖ Rama: Parte de un circuito que contiene sólo un único elemento, y

los nodos a cada extremo del elemento.

❖ Nodo: Es simplemente un punto de conexión de 2 ó más elementos

de un circuito.

❖ Malla: Es cualquier trayectoria cerrada a través del circuito, en la

cual ningún nodo se encuentran más de una vez.
EJERCICIO

M1 M2
RAMAS = 8

NODOS = 5

MALLAS = 4

M3 M4
 LEYES DE KIRCHHOFF

❖ LCK:
Ley de Corriente de Kirchoff
Sumatorias de Corriente igual a cero ó las corrientes de entrada
son iguales a las corrientes de salida.

❖ LVK:
Ley de Voltaje de Kirchoff
La suma de las caída de tensión ó voltaje a través de un circuito
cerrada es igual a cero
LCK

෍ 𝐼𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 = ෍ 𝐼𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎

4𝐴 + 5𝐴 + 𝐼 = 6𝐴 + 5𝐴

9𝐴 + 𝐼 = 11𝐴

𝐼 = 11𝐴 − 9A

𝐼 = 2A
 LVK

෍𝑉 = 0

−𝑉𝑓 + 𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3 = 0

−10 + 3 + 2 + 5 = 0

10 − 10 = 0 Ó 10 = 10

𝑉 =𝐼∗𝑅
𝑉 10𝑉 10𝑉
𝐼𝑓 = = = = 1𝐴
𝑅 (3 + 2 + 5)Ω 10Ω
 EJERCICIO
Encontrar los valores de tensión en los nodos A y B y sus corrientes
correspondientes en cada rama.
 I1 I3 I3 I5
I2 I4 N
O
D
O
S

Análisis para nodo A Análisis para nodo B

𝐼1 = 𝐼2 + 𝐼3 𝐼3 = 𝐼4 + 𝐼5

5𝑉 − 𝑉𝐴 𝑉𝐴 𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 𝑉𝐵 𝑉𝐵
= + = +
3.3𝐾Ω 3.3𝐾Ω 10𝐾Ω 10𝐾Ω 5.1𝐾Ω 6.1𝐾Ω

5𝑉 1 1 1 𝑉𝐵 𝑉𝐴 1 1 1
= 𝑉𝐴 + + − = 𝑉𝐵 + +
3.3𝐾Ω 3.3𝐾Ω 10𝐾Ω 3.3𝐾Ω 10𝐾Ω 10𝐾Ω 5.1𝐾Ω 6.1𝐾Ω 10𝐾Ω

5𝑉 233𝑉𝐴 𝑉𝐵 𝑉𝐴
= − = 0.460𝑋10−3 𝑉𝐵
3.3𝐾Ω 330𝐾Ω 10𝐾Ω 10𝐾Ω

0.706𝑋10−3 𝑉𝐴 − 0.1𝑋10−3 𝑉𝐵 = 1.515𝑋10−3 0.1𝑋10−3 𝑉𝐴 − 0.460𝑋10−3 𝑉𝐵 = 0

 I1 I3 I3 I5
I2 I4 N
O
D
O
S

Ecuaciones 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜𝑠

0.706𝑋10−3 𝑉𝐴 − 0.1𝑋10−3 𝑉𝐵 = 1.515𝑋10−3 5𝑉 − 2.21𝑉

𝐼1 = = 0.85𝑚𝐴
3.3𝐾Ω
0.1𝑋10−3 𝑉𝐴 − 0.460𝑋10−3 𝑉𝐵 = 0 2.21𝑉
𝐼2 = = 0.66𝑚𝐴
3.3𝐾Ω
𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑜𝑠 𝑛𝑜𝑑𝑜𝑠 𝐴 𝑦 𝐵
2.21𝑉 − 0.48𝑉
𝐼3 = = 0.173𝑚𝐴
10𝐾Ω
𝑉𝐴 = 2.21𝑉
0.48𝑉
𝐼4 = = 0.09𝑚𝐴
𝑉𝐵 = 0.48𝑉 5.1𝐾Ω

0.48𝑉
𝐼5 = = 0.077𝑚𝐴
6.1𝐾Ω
 IA IB

M
I1 I2 I3 A
L
L
A
S

Análisis en malla I1
−5𝑉 + 3.3𝐾Ω ∗ I1 + 3.3KΩ 𝐼1 − 𝐼2 = 0

6.6𝐾Ω ∗ I1 − 3.3KΩ ∗ 𝐼2 = 5𝑉
Análisis en malla I2
3.3KΩ 𝐼2 − 𝐼1 + 10𝐾Ω ∗ 𝐼2 + 5.1KΩ 𝐼2 − 𝐼3 = 0

− 3.3𝐾Ω ∗ I1 + 18.4KΩ ∗ 𝐼2 − 5.1𝐾Ω ∗ 𝐼3 = 0

Análisis en malla I3
5.1KΩ 𝐼3 − 𝐼2 + 6.1𝐾Ω ∗ 𝐼3 = 0

− 5.1𝐾Ω ∗ I2 − 11.2KΩ ∗ 𝐼3 = 0
 IA IB

M
I1 I2 I3 A
L
L
A
S

𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜𝑠 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒𝑠 𝑒𝑛 𝑛𝑜𝑑𝑜𝑠 𝐴 𝑦 𝐵

Ecuaciones
𝐼1 = 0.85𝑚𝐴 𝑉𝐴 = 𝐼𝐴 ∗ 3.3𝐾Ω
6.6𝐾Ω ∗ I1 − 3.3KΩ ∗ 𝐼2 = 5𝑉
𝐼2 = 0.173𝑚𝐴 V𝐴 = 2.2𝑉
− 3.3𝐾Ω ∗ I1 + 18.4KΩ ∗ 𝐼2 − 5.1𝐾Ω ∗ 𝐼3 = 0
𝐼3 = 0.0794𝑚𝐴 𝑉𝐵 = 𝐼𝐵 ∗ 5.1𝐾Ω
− 5.1𝐾Ω ∗ I2 − 11.2KΩ ∗ 𝐼3 = 0
𝐼𝐴 = 𝐼1 − 𝐼2 = 0.68𝑚𝐴 V𝐵 = 0.48𝑉

𝐼𝐵 = 𝐼2 − 𝐼3 = 0.09𝑚𝐴
SOLUCION
MATERIALES SEMICONDUCTORES

La construcción de cualquier dispositivo electrónico se inicia con un

material semiconductor de la más alta calidad.

“Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados son:

❖ Ge (Germanio).
❖ Si (Silicio).
❖ GaAs (Arsenuro de Galio)”.
 MATERIALES TIPO N Y TIPO P

La “unión” de un material tipo n con uno

tipo p produce un elemento
semiconductor de considerable
importancia en sistemas electrónicos.

A K

Cargas
huecos eléctricas
negativas
CONDICIONES DE POLARIZACION

• En inversa (𝑉𝐷 < 0𝑉 ). La corriente en

condiciones de polarización en inversa
se llama corriente de saturación en
inversa (𝐼𝑆 ≈ 𝜇𝐴, 𝑛𝐴)

• En directa (𝑉𝐷 > 0𝑉 ). En general el

voltaje a través de un diodo polarizado
en directa será menor de 1 V.
 POLARIZACION
• En directa (𝑉𝐷 > 0𝑉 ).

𝑉𝐷 = 𝑉+ − 𝑉−

𝑉𝐷 = 𝑉𝑓 − 𝑉𝑜
𝑉𝐷 = 5𝑉 − 0𝑉
𝑉𝐷 = 5𝑉
 POLARIZACION
• En inversa (𝑉𝐷 < 0𝑉 ).

𝑉𝐷 = 𝑉− − 𝑉+

𝑉𝐷 = 𝑉𝑜 − 𝑉𝑓
𝑉𝐷 = 0𝑉 − 5𝑉
𝑉𝐷 = −5𝑉
VSIN
RECTIFICADOR DE ONDA
COMPLETA
CURVA CARACTERISTICA
ELECCION
DE DIODO
Vs = 120V*1.4142
Vs = 169.70V

I = P/120V
 EJERCICIOS
Para el siguiente circuito, considerando los diodos ideales, encuentre en qué estado se encuentran los
diodos D1 y D2.

Conduce o no el diodo de la siguiente figura.

RESULTADOS EJERCICIOS
RESULTADOS EJERCICIOS