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Universidad de La Serena

Facultad de Ingeniería
Departamento de Ingeniería Mecánica
Ingeniería de Materiales

Informe 1.

Autores:
Luis Cruz Narváez
Benjamín González Ocampos
Joaquín Ibarra Iturrieta
Cristian Mattus Martínez
Iann Parraguez Miranda
Daniel Pizarro Aroca
Franco Ramos Cortés
Felipe Rámirez Yáñez.

Profesor:
Alexander Alfonso Alvarez.

La Serena, 27 de septiembre de 2022


Índice
Introducción 5
1. Estructura atómica y enlaces interatómicos. 6
1.1. Estructura atómica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.1.1. Conceptos fundamentales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2. Los electrones en los átomos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.1. Modelo atómico de Bohr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.2.2. Modelo atómico de la mecánica ondulatoria. . . . . . . . . 7
1.3. Números cuánticos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
1.4. Conguración electrónica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5. Tabla periódica. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
1.6. Enlaces atómicos en los sólidos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.6.1. Fuerzas y energía de enlace. . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
1.7. Enlaces interatómicos primarios. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.7.1. Enlace iónico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.7.2. Enlace covalente. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.7.3. Enlace metálico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
1.8. Enlace de Van der Waals (Enlaces secundarios). . . . . . . . . . . 13
1.8.1. Enlace dipolo inducido uctuante. . . . . . . . . . . . . . 13
1.8.2. Enlace dipolo inducido - molécula polar. . . . . . . . . . . 14
1.8.3. Enlace con dipolos permanentes. . . . . . . . . . . . . . . 14
1.9. Moléculas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

2. Estructura de sólidos cristalinos. 15


2.1. Conceptos fundamentales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.2. Celda unitaria. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.3. Sistemas cristalinos. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.4. Redes de Bravais. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.5. Principales estructuras cristalinas. . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
2.5.1. Cúbica centrada en las caras (FCC). . . . . . . . . . . . . 17
2.5.2. Cúbica centrada en el cuerpo (BCC). . . . . . . . . . . . . 18
2.5.3. Cristalina hexagonal compacta (HCP). . . . . . . . . . . . 19
2.6. Cálculo de la densidad. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.7. Polimorsmo y alotropía. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.8. Posiciones atómicas y direcciones en celdas unitarias cúbicas. . . 20
2.9. Índices de Miller para planos cristalográcos en celdas unitarias
cúbicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
2.10. Planos cristalográcos y direcciones en celdas unitarias hexagonales. 22
2.10.1. Planos basales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.10.2. Planos de prisma. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
2.11. Monocristales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.12. Materiales policristalinos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.13. Anisotropía . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2.14. Difracción de rayos: determinación de estructuras cristalinas. . . 24

2
2.14.1. El fenómeno de difracción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.14.2. Difracción de rayos X y ley de Bragg. . . . . . . . . . . . 25
2.14.3. Técnicas de difracción. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

3. Solidicación. 26
3.1. Nucleación homogénea. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.2. Nucleación heterogénea. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.3. Crecimiento del cristal en metales líquidos y la formación de su
estructura granular. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
3.4. Estructuras principales de granos producidas por fundiciones de
metales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.4.1. Granos equiaxiales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.4.2. Granos en columna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
3.5. Estructura granular de fundiciones industriales. . . . . . . . . . . 30
3.6. Solidicación de cristales simples. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.7. Soluciones sólidas metálicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
3.7.1. Soluciones sólidas sustitucionales. . . . . . . . . . . . . . . 31
3.7.2. Soluciones sólidas intersticiales. . . . . . . . . . . . . . . . 32

4. Imperfecciones en sólidos. 32
4.1. Defectos puntuales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
4.1.1. Defectos de vacancia. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.1.2. Defectible intersticiales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.1.3. Defectos sustitucionales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
4.2. Dislocaciones o defectos lineales. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
4.2.1. Dislocación de tipo cuña o arista . . . . . . . . . . . . . . 35
4.2.2. Dislocación de tipo helicoidal. . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4.2.3. Dislocación mixta. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.3. Defectos planares. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.3.1. Límites de grano. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4.3.2. Maclas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
4.3.3. Fallas de apilamiento. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.4. Vibraciones atómicas. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.5. Microscopía. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.5.1. Microscopio óptico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
4.5.2. Microscopio electrónico. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39

5. Difusión. 39
5.1. Por vacantes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.2. Estacionario. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.3. No estacionario. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
5.4. Intersticial. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.5. Factores de la difusión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.5.1. Sustancias que lo difunden. . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
5.5.2. Temperatura. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
5.6. Otros tipos de difusión. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42

3
5.7. Difusión y sus tratamientos de los materiales. . . . . . . . . . . . 42

Conclusión 42
Bibliografía 44

4
Introducción.

La evolución de los materiales es un suceso que hemos podido apreciar transver-


salmente en el tiempo desde los inicios hasta el día de hoy. Actualmente tenemos
una innidad de instrumentos que nos rodean además de la tecnología en la cual
podemos experimentar ya sea con, materiales, procesos, experiencias, etc. Pero
como estudiantes de ingeniería que entendemos por la ¾ciencia e ingeniería de
los materiales?.

En simples palabras la ingeniería de materiales es la investigación de toda estruc-


tura y propiedad de cada material, ya sea, un cerámico, polímeros, cristales, etc.
¾Pero que conlleva esa investigación?. Lo veremos en este informe, estudiando
estructuras, enlaces, procesos como nucleación, solidicación, procesos indus-
triales de materiales, en n, todo lo que podemos llamar ciencia de materiales.
Cabe destacar que cada sustancia o material se puede clasicar en diferentes
estados, ya sea, amorfas o cristalinas. Y como su palabra lo dene una estruc-
tura amorfa no tiene forma y una estructura cristalina estará perfectamente
ordenada geométricamente, esto podrá variar dependiendo de sus propiedades
u/o imperfecciones.

También abordaremos temas como estructuras cristalográcas las cuales tienen


un gran impacto en las propiedades físicas y mecánicas de los materiales. Inclui-
remos el estudio de fenómenos en las redes estructurales de los materiales que
quizás no tengan una explicación teórica pero si experimental y cientíca. Los
materiales están presentes a diario en nuestras vidas, depende de nosotros como
estudiarlos. Finalmente con esto podemos decir que sin la ciencia no existiría la
ingeniería de ningún tipo.

5
1. Estructura atómica y enlaces interatómicos.
Algunas de las propiedades más importantes de los materiales sólidos depen-
den de la geometría de los átomos y de las interacciones que existen entre los
átomos y sus moléculas constituyentes.
Se considerarán conceptos fundamentales tales como estructura atómica,
conguración electrónica en átomos, tabla periódica, y varios tipos de enla-
ces primarios y secundarios que mantienen unidos a los átomos que forman los
sólidos.

1.1. Estructura atómica.


1.1.1. Conceptos fundamentales.
Los átomos se componen de núcleos muy pequeños, incluyen protones y neu-
trones, este conjunto está rodeado por electrones en circulación. Se sabe que el
valor declarado de dichas cargas es de 1, 60×10−19 C .
Ya sabemos de qué se compone un átomo, ahora para saber sus características
se debe denir el número atómico (Z). El número atómico es un número carac-
terístico para cada elemento de la tabla periódica, que son los elementos que se
han descubierto hasta la actualidad, que son la base de todo lo que conocemos.
El valor Z indica la cantidad de protones de en el núcleo y en el caso de un
átomo eléctricamente neutro este valor coincide con el número de electrones.
Otro concepto fundamental es la masa atómica (A) que nos va a indicar la masa
de los neutrones sumada con la masa de los protones. En la tabla periódica
encontramos por cada casilla el nombre del elemento y en la esquina izquierda
se encuentra el valor de Z y en el otro costado se encuentra el valor de la masa
atómica, así para todos los elementos, esto esta ordenado desde el hidrógeno que
es el primer elemento hasta el último. Así va en crecimiento de sus parámetros
Z y A.

1.2. Los electrones en los átomos.


1.2.1. Modelo atómico de Bohr.
Los cientícos del siglo XIX querían encontrar la forma de modelar un di-
seño atómico el cual explicara a profundidad el comportamiento del átomo y
de su comportamiento frente a distintos tipos de elementos. El modelo atómico
de Bohr (Figura 1) armaba que los electrones giraban alrededor del núcleo en
orbitales. La posición del electrón si estaba más alejado o más cerca del núcleo
depende del estado energético y en qué nivel se van a encontrar estos electrones.

6
Figura 1: Modelo Atómico de Bohr.

1.2.2. Modelo atómico de la mecánica ondulatoria.


Este modelo es una subdivisión de la mecánica cuántica utilizada para de-
mostrar una variedad de fenómenos que involucran electrones que no están in-
cluidos en el modelo atómico de Bohr. En el modelo mencionado se considera
que el electrón presenta la dualidad onda-corpúsculo. Es importante destacar
que en este modelo los electrones no se consideran partículas que se desplazan
en orbitales discretos sino que, la ubicación de un electrón se considera una
probabilidad de encontrarlo en una posición cerca del núcleo.

1.3. Números cuánticos.


Como todo, siempre al principio va a ser prueba y error, y va a ser un pro-
ceso largo para llegar a algo que represente más la realidad de lo que ocurre,
así mismo el modelo de Bohr tenía limitaciones que no permitían explicar en
su totalidad y como se busca en la ciencia, es por esto que comienza la investi-
gación de la mecánica ondulatoria. En este modelo a diferencia con el modelo
de Bohr es principalmente que se descubre que el electrón se describe como un
movimiento ondulatorio y se estudia de la misma manera de como se estudian
las ondas en la ciencia. Ya en este punto no se considera al electrón como una
partícula sino, como una onda y su posición ya no es tan especica sino más
como una nube de electrones que por probabilidades matemáticas se puede co-
nocer, pero no es exacta. Los electrones que están en los orbitales alrededor del
núcleo poseen cuatro parámetros fundamentales: números cuánticos, la forma,
su tamaño y su posición en la densidad espacial en la que se encuentran. Ade-
más, es importante detenerse en los números cuánticos que nos dan información
para entender en qué nivel estarán los electrones. Existe el numero cuántico
principal (n) con valores de n= 1,2,3,4. . . , n y n perteneciendo al conjunto de
los números naturales, es decir del 1 hasta el innito positivo. El otro número
cuántico representa al subnivel (l) se conocen por su nomenclatura de letras
minúsculas (s, p, d y f ), este subnivel se rige por el nivel principal.

7
Niveles de energía Letra Máximo número de elec- Máximo número de elec-
trones en orbitales trones por nivel
1 s 2 2
2 p 6 8
3 d 10 18
4 f 14 32

Cuadro 1: Distribución de orbitales y número de electrones por nivel.

1.4. Conguración electrónica.


Ahora la pregunta que se me genera es ¾Qué quiere decir los niveles s, p, d y
f ? La respuesta es muy sencilla, tienen un orden y cada uno de estos subniveles
tiene un espacio denido, cada espacio vacío (orbital) puede ser llenado con un
par de electrones, el primer subnivel tiene solo un orbital en donde giran el
par de electrones, el subnivel p es el siguiente, posee tres orbitales lo que da
un resultado nal de 6 electrones como máximo, luego esta el subnivel d con
5 orbitales disponibles y un total de 10 electrones como máximo y nalmente
se encuentra el subnivel f que tiene 7 orbitales y 14 electrones como máximo, a
todo este mecanismo de llenado de electrones se le conoce como el principio de
exclusión de Pauli. (Cuadro 1)
Es importante entender que existen dos estados en los que puede encontrar-
se un átomo, el estado fundamental o estado natural y el estado excitado. El
estado fundamental se relaciona cuando los electrones ocupan el nivel más bajo
de energía y mientras más aumente su energía más excitada va a estar el átomo,
por consiguiente, cualquier estado que no sea el principal ya se considera un es-
tado excitado. Para saber más en profundidad de estos estados y para localizar
precisamente en que estado se encuentra el elemento, se considera la congura-
ción electrónica, la que representa algebraicamente en forma de letras y números
como se van llenando los niveles y subniveles del elemento en cuestión.

8
Cuadro 2: Conguraciones electrónicas de elementos más comunes.

Elemento Símbolo Número atómico Conguración electrónica


Hidrógeno H 1 1s1
Helio He 2 1s2
Litio Li 3 1s2 2s1
Carbono C 6 1s2 2s2 2p2
Nitrógeno N 7 1s2 2s2 2p3
Oxígeno O 8 1s2 2s2 2p4
Sodio Na 11 1s2 2s2 2p4 3s1
Magnesio Mg 12 1s2 2s2 2p4 3s2
Aluminio Al 13 1s2 2s2 2p4 3s2 3p1
Fósforo P 15 1s2 2s2 2p4 3s2 3p3

1.5. Tabla periódica.


Todos los elementos se encuentran clasicados en la tabla periódica (Figura
2) dependiendo de su conguración electrónica. Esta tabla se distribuye en siete
hileras horizontales denominada periodos. Los elementos del grupo V IIIA(18)

Figura 2: Tabla periódica.

son gases nobles con estructura electrónica estable. Los elementos del grupo
VIIIA (17) se denominan halógenos. Metales alcalinos y los metales alcalinoté-
rreos se clasican en los grupos IA(1) y IIA(2) en los que uno o dos exceso de
electrones en comparación con los elementos estables. Los elementos del Grupo

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IIIB a IIB son se llaman metales de transición que tienen en su mayoría estados
completamente electrónicos y/o en algunos casos uno o dos electrones en un
nivel de energía superior. Hay grupos IIIA, IV y VA presetan propiedades me-
dias de metales y no metales. Los metales se denominan electropositivos porque
pierden electrones y se cargan positivamente. Y los elementos del lado derecho
de la tabla se denominan electronegativos porque aceptan fácilmente electrones
y tienen carga negativa.

1.6. Enlaces atómicos en los sólidos.


1.6.1. Fuerzas y energía de enlace.
Los principios del enlace atómico se pueden entender mejor si se comprende
la interacción entre dos átomos. El aislamiento se acerca desde una distancia
innita. La fuerza resultante FN entre dos átomos es la suma de las componentes
repulsiva y atractiva obtenida de la siguiente ecuación:

FN = FA + FR (1)

Cuando ambas fuerzas son equitativas, la resultante es nula:

FN + FR = 0 (2)

Por lo tanto se alcanza el equilibrio. La relación entre energía (E) y fuerza (F)
es: Z
EN = F dr (3)

En situaciones atómicas:
Z ∞ Z ∞
EN = FA dr + FR dr (4)
r e

EN = EA + ER (5)

Sin embargo, la energía de enlace similar al E0 anterior puede estar relacionada


con cada átomo. El tamaño de la energía de conexión y la forma de la tabla de
energía separada entre el átomo es diferente de un material, y las dos variables
están sujetas al tipo de enlace atómico. Los sólidos se caracterizan por altos
valores de energía de enlace, mientras que en forma gaseosa estos valores son
bajos; en estado líquido, las energías de enlace tienen valores intermedios. En
general, el punto de fusión y las propiedades cohesivas reectan la intensidad de
la energía de enlace de los materiales sólidos. Hay tres tipos de enlaces químicos
o primarios en los sólidos: iónicos, covalentes y metálicos. En todos ellos, los
enlaces involucran electrones de valencia; por otro lado, la naturaleza de los
enlaces depende de la estructura electrónica de sus átomos.

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1.7. Enlaces interatómicos primarios.
1.7.1. Enlace iónico.
Este enlace se puede visualizar o describir en elementos metálicos y no metá-
licos. Los átomos de los elementos metálicos transeren sencillamente sus elec-
trones de valencia a los átomos no metálicos, que en sí mismos son buenos
receptores de electrones. Durante este proceso, todos los átomos alcanzan una
conguración de gas noble estable a la que deben ionizarse y cargarse. La fuerza
de atracción es la fuerza de Coulomb; las cargas positivas y negativas se atraen
energía atractiva EA entre dos iones aislados en función de la distancia viene
dada por:
A
EA = (6)
r
Ecuación para la energía repulsiva:

B
ER = (7)
rn
Siendo A, B y n constantes que dependerán del tipo de iones

Figura 3: Enlace iónico del cloruro de sodio (NaCl).

1.7.2. Enlace covalente.


Esto se logra compartiendo electrones entre átomos vecinos. Este tipo de
enlace ocurre en sólidos elementales (Figura 4). El número de enlaces covalentes
posibles para un átomo dado depende del número electrones de valencia.

11
Figura 4: Enlace covalente de una molécula de metano.

1.7.3. Enlace metálico.


Este enlace se genera cuando se comparten los electrones de valencia saltan
de sus orbitales hacia el otro núcleo y se forma un mar de electrones con la unión
de los núcleos, generando esa dureza en los elementos y esa compactación tan
característica de los metales. Este enlace se encuentra en metales y aleaciones y
es de carácter no direccional.

Figura 5: Representación esquemática de un enlace metálico.

12
1.8. Enlace de Van der Waals (Enlaces secundarios).
Por otra parte, existen los enlaces secundarios o enlace de Van Der Waals, se
le conoce por este nombre en honor al físico Johannes Diderik Van Der Waals.
Estos enlaces no son tan fuertes en comparación con los primarios, con fre-
cuencia estos enlaces se hacen presentes en elementos gaseosos que tienen una
conguración electrónica estable y su estructura intermolecular está unida me-
diante enlaces covalentes.

Es importante mencionar a los dipolos moleculares, son moléculas que poseen


dos polos en cada extremo, uno cargado positivamente y otra negativamente,
esto producido por una fuerza que los lleva a estar en esa posición. Cuando dos
dipolos se atraen con sus polos opuestos hasta enlazarse también estamos en
presencia de un enlace de Van Der Waals.

Figura 6: Enlace tipo Van der Waals entre dos dipolos.

1.8.1. Enlace dipolo inducido uctuante.


Ahora profundizaremos más aún la idea de una molécula dipolar, hablaremos
precisamente del enlace dipolo inducido uctuante. Este enlace se genera cuando
la molécula es simétrica eléctricamente, que genera un dipolo inducido por los
electrones que se encuentran girando en el espacio.

Figura 7: Representación esquemática de: (a) átomo eléctricamente simétrico y


(b) dipolo atómico inducido.

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Ahora que sabemos cómo se forma el dipolo inducido, podemos hablar de las
consecuencias de su formación. Cada vez que se forma un dipolo inducido, el
movimiento afecta su estructura interna átomo o molécula más próxima a el,
lo que hace que se forme otro dipolo. Esto es lo que llamamos el acoplamiento
dipolar inducido.
Una gran característica de estos enlaces es que son temporales y cambian de
tamaño. En cuanto al paso del tiempo, dada esta característica, es visible en el
material los compuestos dipolares inductores tienen puntos de fusión y ebullición
muy bajos, por lo que se llama el enlace intermolecular más débil.

1.8.2. Enlace dipolo inducido - molécula polar.


Por otra parte, el estado de la materia conocido como la condensación es
producido por este tipo de enlace, también en algunos casos la solidicación de
algunos gases y moléculas que son simétricas como por ejemplo el H2 y Cl2 .

Existe además el enlace dipolo inducido-molecular polar, en este caso las molé-
culas que interactúan son asimétricas y son por lo general dipolos permanentes,
es decir que son más estables. Un claro ejemplo es la molécula de HCl, que se
forma de la unión del hidrógeno (+) con el cloro (-). Estas moléculas polares
también tienen la característica de inducir otros dipolos mediante la fuerza de
atracción entre moléculas en estado apolar. El nivel de magnitud del enlace va
aumentando proporcionalmente según aumenten los dipolos inducidos.

Figura 8: Representación dipolo inducido de una molécula polar de cloruro de


hidrógeno (HCl).
.

1.8.3. Enlace con dipolos permanentes.


Finalmente encontramos también en la naturaleza los enlaces con dipolos,
pero esta vez son permanentes, esto quiere decir que, su energía de enlace es
mayor a los enlaces que revisamos anteriormente esto les da la característica de
ser dipolos permanentes en el tiempo.
Es importante mencionar y destacar al hidrógeno como elemento principal, ya
que cuando este elemento se enlaza con otros como el úor (HF) o con el oxígeno
(H2O) forman estos compuestos polares, el electrón que gira en el orbital del
hidrógeno es compartido con otro átomo de hidrógeno logrando así el resultado

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nal de un protón cargado positivamente que se enlazara con otro elemento
negativo para formar el dipolo permanente.

Figura 9: Enlace por puente de hidrógeno.

1.9. Moléculas.
Las moléculas son los componentes básicos de todo. Están hechos de áto-
mos, y estos átomos están hechos de una combinación de electrones, protones y
neutrones. Generalmente podemos denirlo como una combinación de 2 o más
átomos Sin embargo, la interrelación de enlaces fuertes, llamados enlaces pri-
marios, entra en la ciencia entre estos materiales pudimos identicar moléculas
formadas por enlaces iónicos o metálicos Se consideran moléculas separadas.
Las moléculas se encuentran en el aire, en agua, rocas incluso en nuestro cuer-
po. Ahora bien, cuando hablamos de materiales sólidos y líquidos aglomerados,
podemos decir que su combinación es principalmente a través de enlaces secun-
darios, debido a esta propiedad, su punto de fusión y ebullición es muy baja,
y sus fuerzas de unión también son mucho más débiles. Como dato adicional,
pudimos determinar que los polímeros modernos actuales son dependiente de
enlaces secundarios y enlaces de hidrógeno.

2. Estructura de sólidos cristalinos.


2.1. Conceptos fundamentales.
La distribución y organización que poseen los átomos o iones entre sí, es la
encargada de establecer la clasicación de los materiales sólidos. Para los mate-
riales cristalinos o sólidos cristalinos, la distribución sigue patrones geométricos
y constantes en una escala considerable atómicamente, esto equivale a decir que
existe una organización posicional entre cada átomo, donde forma una estruc-
tura repetitiva con sus átomos cercanos, formando un sólido que poseerá una
estructura cristalina. Esta organización en patrones es propia únicamente de este
tipo de estructura. Algunos materiales que presentan estas estructuras en condi-
ciones normales de solidicación son los metales, cerámicos y algunos polímeros.

Existen diversos tipos de estructura cristalina, y de esta dependen las pro-


piedades que tenga el sólido cristalino, sujetas a organización que posean sus
átomos. Lo que sí comparten los sólidos con estructura cristalina es poseer un
orden atómico de largo alcance. Tenemos el caso de los metales quienes tienen

15
una estructura más simple, a diferencia de la estructura de los cerámicos y po-
límeros, los cuales poseen una estructura compleja.

La disposición atómica en los sólidos cristalinos se puede explicar mediante


una red de líneas en tres dimensiones. Denominada red espacial y se puede
describir como una disposición de puntos tridimensional innita. Cada red es-
pacial se puede describir especicando la disposición de los átomos de una celda
unitaria, asimismo su tamaño y forma pueden ser descritas a través de tres
vectores a, b y c, con origen en un vértice de la celda unitaria, sus longitudes
axiales ( a, b y c) y ángulos axiales (α, β y γ ) respectivos conforman constantes
reticulares de la celda unitaria.

2.2. Celda unitaria.


Cuando deseamos analizar la estructura cristalina, la dividimos con el n
de obtener en pequeñas estructuras que se mantienen a lo largo del material, a
estas se les conoce como celda unitaria.

2.3. Sistemas cristalinos.


Basado en la geometría de la celda unitaria (tomando en consideración sus
longitudes axiales y ángulos interaxiales). Los cristalógrafos han demostrado que
con 7 sistemas cristalinos es posible explicar todas las redes (Cuadro 3).

2.4. Redes de Bravais.


Es posible construir diferentes celdas unitarias, por asignación de valores es-
pecícos a las longitudes axiales y ángulos interaxiales. A. J. Bravais mostró que
con sólo 14 celdas unitarias se pueden describir todas las redes posibles (Figura
10). Existen 4 tipos de básicos de celda unitaria: simple, centrada en el cuerpo,
centrada en las caras y centrada en la base.

2.5. Principales estructuras cristalinas.


La mayor parte de los materiales elementales (cerca del 90 %) cristalizan al
solidicar en tres estructuras cristalinas de empaquetamiento compacto (Figura
11): cúbica centrada en las caras (FCC),cúbica centrada en el cuerpo (BCC) y
hexagonal compacta (HCP). Estas estructuras no poseen restricciones en cuan-
to al número de y posición de átomos más próximos, esto debido a que posee
un enlace metálico no direccional. Todo esto provoca que para la mayoría de
metales con estructura cristalina, se encuentren rodeados de números de átomos
los cuales se encuentran empaquetados. Podemos entederlo a través del "modelo

16
Cuadro 3: Clasicación de retículos espaciales en sistemas cristalinos

Sistema cristalino Longitudes axiales y ángulos interaxia- Retículos espaciales


les
Cúbico Ejes iguales en ángulos rectos a=b=c, Cúbico sencillo, cúbico centrado en el
α=β =γ =90° cuerpo y cúbico centrado en las caras
Tetragonal Ejes en ángulos rectos 2 de ellos iguales Tetragonal sencillo y tetragonal centra-
a=b̸=c, α=β =γ =90° do en el cuerpo
Ortorrómbico Ejes distintos en ángulos rectos Ortorrómbico sencillo, ortorrómbico
a̸=b̸=c,α=β =γ =90° centrado en el cuerpo, ortorrómbico
centrado en las bases y ortorrómbico
centrado en las caras
Romboédrico Ejes iguales, inclinados por igual Romboédrico sencillo
a=b=c,α=β =γ̸=90°
Hexagonal Ejes iguales a 120° y a 90° con el tercero Hexagonal sencillo
a=b̸=c, α=β =90°, γ =120°
Monoclínico Ejes distintos, 2 de ellos no forman án- Monoclínico sencillo y monoclínico cen-
gulo recto a̸=b̸=c, α=γ =90°̸=β trado en la base
Triclínico Ejes distintos con distinta inclinación, Triclínico sencillo
y ninguno en ángulo recto a̸=b̸=c,
α̸=β̸=γ̸=90°

de esferas rígidas.en el cual, cada esfera representa un átomo de su respectiva


estructura (normalmente 3: FCC, BCC y HCP).

Las celdas unitarias de las principales estructuras cristalinas de los meta-


les tienen un tamaño muy pequeño, por ejemplo la arista del cubo de la celda
unitaria del hierro cúbico centrado en el cuerpo es igual a 0, 287 · 10−9 m, o
2
0,287nm(nm) .

2.5.1. Cúbica centrada en las caras (FCC).


Estas estructuras son aquellas que exigen una geometría cúbica en sus celdas
unitarias, esto se organiza posicionando los átomos en el centro, vértices y caras
del cubo (Figura 11 (b)).
En este tipo de estructuras existe un contacto entre los cationes que conforman
la diagonal del cubo. Además mediante la ecuación:


a = 2R 2 (8)

Encontramos la relación entre el radio atómico "R", y la longitud de la arista


del cubo "a".

Dentro de este tipo de estructura cada átomo tiene 2 opciones dependiendo


de su posición, aquellos que se encuentran en el centro de las caras son com-

17
Figura 10: Redes de Bravais

partidos con 2 celdas unitarias, mientras que los vértices son compartidos con 8
celdas unitarias.

Para entender la estructura cristalina considerar dos propiedades, el "núme-


ro de coordinación", en este caso es igual a 12 y el "factor de empaquetamiento
atómico (FEA)", este último consiste en la división de el volumen de átomos en
una celda unitaria y el volumen total de la celda unitaria, para esferas rígidas
del mismo tamaño el máximo es 0,74.

Volumen de átomos en una celda unitaria


F EA = (9)
Volumen total de la celda unitaria

2.5.2. Cúbica centrada en el cuerpo (BCC).


Esta estructura posiciona a los átomos de su celda unitaria en los vértices
y centro del cubo, existe un contacto mutuo entre los átomos de los vértice y
el del centro (Figura 11 (a)). Presenta una relación entre la longitud "a"de la
arista de la celda y el radio atómico "R", de la forma:

4R
a= √ . (10)
3
Todos los átomos de la celda con excepto el del centro, son compartidos con
las celdas unitarias. Además el número de coordinación de estas estructuras es

18
Figura 11: Representación de las principales celdas unitarias en las estructuras
cristalinas de los metales.

8, debido a los átomos de las aristas, considerando que este número es menor
que el de las estructuras cúbicas centradas en las caras, su factor de empaque-
tamiento atómico también es menor, en este caso será de 0,68.

2.5.3. Cristalina hexagonal compacta (HCP).


En este caso la celda unitaria es hexagonal, con sus bases de esa forma con
sus átomos en los vértices y uno en el centro (Figura 11 (c)). Esta estructura
presenta un número de coordinación igual a 12 y un factor de empaquetamiento
atómico igual a 0,74.

2.6. Cálculo de la densidad.


La densidad está denida por cantidad masa en un volumen determinado,
podemos establcer una fórmula para el cálculo de la densidad a través de la
siguiente relación:

nA
ρ= (11)
VC NA

De modo que n=número de átomos asociados a cada celda unitaria, A=peso


atómico, VC =volumen de la celda unitaria, y NA =número de Avogradro (6,02×1023
atomos/mol).

19
2.7. Polimorsmo y alotropía.
Polimorsmo: Metales y no metales que presentan más de una estructura
cristalina.

Alotropía Cuando el polimorsmo ocurre en un sólido elemental.

Las estructuras cristalinas dependen de la presión y temperatura exteriores,


es por esto que algunos elementos varían según las condiciones a las que son ex-
puestos, por ejemplo el grato que se considera estable a condiciones normales,
u otros como el diamante que se forma a presiones muy altas. Es así que pode-
mos concluir que cuando un elemento atraviesa una transformación polimórca,
su densidad y otras propiedades se modican a lo largo del proceso.

2.8. Posiciones atómicas y direcciones en celdas unitarias


cúbicas.
Para denir las posiciones atómicas se usa un sistema de 3 dimensiones con
los ejes x, y, z (Figura 12 (a)). Estos se indican entre paréntesis y con comas
entre cada número.

Por ejemplo las posiciones atómicas para los átomos en los vértices de la
celda unitaria BCC son (Figura 12 (b)):
(0, 0, 0) (1, 0, 0) (0, 1, 0) (0, 0, 1)
(1, 1, 1) (1, 1, 0) (1, 0, 1) (0, 1, 1)

Figura 12: a) Ejes cartesianos x, y, z para situar las posiciones atómicas en


celdas unitarias cúbicas. b) Posiciones atómicas en la celda unitaria BCC.

Para indicar la dirección en una celda unitaria se debe hacer un trazo entre
el origen O y un el punto que se desee, los índices de dirección deben ser enteros
y se representan entre corchetes sin ser separados por comas, además un índice

20
negativo de dirección se escribe con una línea sobre él para representar que es
negativo, ejemplos de esto son:

1
Sí, queremos ir a un punto A=(0, 2 , 4), el vector dirección OA será [018].

Otro caso es cuando queremos saber la dirección desde el origen a un punto


B =(1, -4, 2), en este caso el vector dirección OB será [14̄2].

En este caso las letras u, v, w son utilizadas para representar los indices de
dirección de los ejes x, y, z respectivamente, y se representa entre corchetes y sin
comas uvw. Es importante decir que las direccione serán cristalográcamente
equivalentes si el espacio atómico en cada dirección es el mismo. Un ejemplo de
esto es el análisis de las direcciones de las aristas del cubo:

[100],[010],[001],[01̄0],[001̄],[1̄00]≡<100>

2.9. Índices de Miller para planos cristalográcos en cel-


das unitarias cúbicas.
En estructuras cristalinas cúbicas se utiliza el sistema de notación de Miller
para identicar los planos cristalinos.

Índices para planos cristalinos cúbicos (índices de Miller): Recíprocos de


las intersecciones fraccionales de los planos hechos con los 3 ejes cristalo-
grácos x, y, z y las 3 aristas no paralelas a la celda unitaria cúbica.

Para determinar los índices de Miller para un plano de un cristal cúbico


debemos ver que cumpla lo siguiente:

1. Se elije un plano que no pase por el origen (0, 0, 0).

2. Se determina las intersecciones del plano con los 3 ejes x, y, z para un cubo
unitario, considerando que las intersecciones pueden ser fracciones.

3. Calcular los recíprocos de las intersecciones.

4. En caso de tener una fracción amplicamos hasta tener números enteros en


todas las posiciones. Ahora los números enteros encerrados en paréntesis
sin uso de comas, serán los índices de Miller de un plano cristalográco.
Representando a los índices de Miller como (hkl ), donde h, k, l representan
a los ejes x, y, z respectivamente.

Algunos ejemplos de esto son:

21
1. Las intersecciones de un plano son 1, 1, ∞, por lo que sus recíprocos son
1, 1, 0, como no tenemos fracciones resultantes, los índices de Miller del
plano serán (110).

1 2 3
2. Las intersecciones de un plano son
3 , 3 , 1 y sus recíprocos son 3, 2 , 1,
ahora como tenemos una fracción amplicamos todos los números por 2
para tener que los índices de Miller del plano serán (632).

Si el plano cristalino elegido pasa por el origen tal que una o más intersec-
ciones son cero, este debe ser movido a una posición equivalente en la misma
celda unitaria, además el nuevo plano debe ser paralelo al original.

Existen los planos de una familia o forma, y podemos hablar de ellos cuando
se relacionan por la simetría del sistema cristalino los grupos de planos reticu-
lares equivalentes.

Es importante mencionar una característica que se da solamente en el siste-


ma cúbico, los índices de dirección de una dirección perpendicular a un plano
cristalino tienen los mismos índices de Miller que el plano.

También podemos establecer una relación para el espaciado interplanar entre


2 planos paralelos con los mismos índices de Miller en estructuras cristalinas cú-
bicas, esta se representa como d_hkl, y podemos ver su fórmula de la siguiente
manera:

a
dhkl = √ (12)
h2 + k 2 + l2

donde:
dhkl =espaciado interplanar entre planos paralelos contiguos con índices de Mi-
ller h, k y l.
a=constante de red (arista del cubo unitario).
h, k, l=índices de Miller de los planos cúbicos considerados.

2.10. Planos cristalográcos y direcciones en celdas uni-


tarias hexagonales.
En general para identicar los planos en las celda unitaria utilizamos 4 índi-
ces. Los llamados índices de Miller, para representarlos usamos las letras h, k, i, l.
Esto nace de un sistema coordenado de 4 ejes en una celda unitaria HCP. Tene-
mos que los recíprocos de las intersecciones que un plano cristalino determina
con los ejes a1 , a2 y a3 , dan los índices h, k e i, por otro lado el recíproco de la
intersección del eje c nos da como resultado l.

22
Figura 13: Los 4 ejes de coordenadas (a1 , a2 , a3 y c) de la celda unitaria de la
estructura cristalina HCP.

2.10.1. Planos basales.


En estos planos los ejes a1 , a2 y a3 son paralelos a la parte superior de la
celda unitaria. Además en este plano las intersecciones con los ejes son de valor
innito. Entonces tenemos a1 =∞, a2 =∞ y a3 =∞. Pero en cambio el eje c es
unitario ya que es interceptado por el plano basal. Aquí también podemos esta-
blecer los índices de Miller-Bravais que son los recíprocos de las intersecciones
que tenemos en este caso h=0, k=0, i=0, l=1, luego los índices de Miller son
(0001).

2.10.2. Planos de prisma.


Para denir este plano usamos el mismo método que en el basal (interseccio-
nes) y así obtenemos a1 =1, a2 =∞, a3 =-1 y c=∞. Nuevamente obteniendo los
recíprocos respectivos a este plano h=1, k=0, i=-1, l=0, así entonces podemos
representar el plano como (1010).

En ciertas ocasiones los planos HCP se identican por 3 índices (hkl ) esto
ya que h + k = −i, sin embargo la forma más habitual es (hkil ).

Las direcciones en las celdas unitarias HCP poseen 4 índices encerrados en


corchetes [uvtw], los primeros 3 son vectores reticulados en las direcciones a1 ,
a2 y a3 . Así w representa un vector reticular en la dirección c. Con el n de
mantener la uniformidad en los índices de planos y direcciones, se acordó que
u + v = −t.

23
2.11. Monocristales
Disposición atómica perfecta dentro de un sólido cristalino. Todas las celdas
unitarias tienen la misma dirección y están entrelazadas o unidas.

2.12. Materiales policristalinos


Son sólidos cristalinos formados a partir de muchos cristales pequeños o gra-
nos.

2.13. Anisotropía
Es la característica o direccionalidad de propiedades en una dirección crista-
lográca, además está enlazada con la variación de la distancia atómica o iónica
dependiendo de la dirección cristalográca, su grado de anisotropía aumenta a
medida que disminuye su simetría estructural. Aquellas que son independientes
de la dirección cristalográca se les denomina istrópicas.

Cuadro 4: Valores del módulo de elasticidad de algunos materiales y diferentes


orientaciones cristalográcas.

Módulos de elasticidad
Metal
[psi × 106 M ·P a×103 ]
[100] [110] [111]
9,2 10,5 11,0
Aluminio
(63,7) 72,6 (76,1)
8,7 18,9 27,7
Cobre
(66,7) (130,3) (191,1)
18,1 30,5 39,6
Hierro
(125,0) (210,5) (272,7)
55,8 55,8 55,8
Tungsteno
(384,6) (384,6) (384,6)

2.14. Difracción de rayos: determinación de estructuras


cristalinas.
Durante la investigación de las estructuras cristalinas los rayos X tuvieron
un papel de gran importancia, ya que estos formaron las bases del conocimiento
de cómo se ordenan los átomos y moléculas.

24
2.14.1. El fenómeno de difracción.
Si al momento de propagarse una onda se encuentra algún obstáculo, el cual
se encuentra separado o cuenta con algún agujero de tamaño similar al de la
longitud de la onda, al momento de pasar la onda por el oricio se convierte
en un nuevo punto de generación para la onda, este fenómeno se conoce como
difracción.

Cuando el espacio entre los obstáculos es mayor que la longitud de onda, no


se produce difracción. Si el espacio en el obstáculo tiene un tamaño similar o
igual a la longitud de onda, se produce difracción, y la intensidad dependerá del
tamaño del agujero o separación cuando el fenómeno de difracción se produce
de una onda plana, la nueva onda producida será una onda circular.

2.14.2. Difracción de rayos X y ley de Bragg.


Como la estructura de los materiales cristalinos poseen una estructura or-
ganizada y periódica, esto deriva en que en estos se produzca la difracción de
rayos X. Los rayos X son una forma de radiación electromagnética que tiene
elevada energía y corta longitud de onda, al incidir en un material sólido, parte
del haz se difunde en todas direcciones.

Figura 14: Difracción de rayos X por los planos atómicos (A-A` y B-B`).

En la gura 14 vemos una representación de la difracción de rayos X por los


planos atómicos A-A` y B-B` con los mismos índices de Miller h, k, l, separados
por una distancia interplanar dhkl , en el que inciden 2 haces de rayos X parale-
los con longitud de onda λ con un ánguloθ. Los rayos incidentes 1 y 2 llegan a
los átomos P y Q siendo reectados como 1‘ y 2‘ y siempre que las distancias
del recorrido equivalgan a un número entero n, de longitud de onda, podemos

25
establecer la siguiente relación para la difracción:

nλ = dhkl sin θ + dhkl sin θ = 2dhkl sin θ (13)

Esta expresión es conocida como ley de Bragg. En los caasos que la interfe-
rencia sea de naturaleza no constructiva y la onda difractada sea de muy baja
intensidad, no se cumple esta ley.

2.14.3. Técnicas de difracción.


Para conocer la disposición de los átomos en la celda unitaria, la forma
y el tamaño podemos usar técnicas de difracción de rayos X en estructuras
cristalinas. Para esto usamos el difractómetro, para esto se necesitan muestras
cristalinas en forma de polvo. Se deben colocar con un ángulo θ de inclinación,
así estos rayos difractados llegan al contador con un ángulo de 2θ de inclinación.
Así los resultados se pueden analizar en un diagrama que marca la recepción de
rayos respecto a su ángulo (Figura 15). Cuando se producen los picos se indican
con ángulos en que se cumple la ley de Bragg.

Figura 15: Espectro de difracción del plomo pulverizado.

3. Solidicación.
La solidicación de metales y aleaciones es un proceso industrial importante
porque la mayoría de los metales se funden para formar productos semitermi-
nados o terminados. La solidicación tiene 3 fases que son:
Formación de núcleos estables en la fusión, los núcleos crecen secuencialmente
para en cristales y nalmente se forma una estructura granular.

26
Figura 16: Etapas de la solidicación.

Para un metal líquido en proceso de nucleación se tienen dos mecanismos:

Nucleación homogénea

Nucleación heterogénea

3.1. Nucleación homogénea.


Este tipo es uno de los más simples, ya que el propio metal proporciona los
átomos para crear el núcleo requerido. Esta nucleación requiere una temperatura
de subenfriamiento muy alta algo de metal Se debe alcanzar un tamaño crítico
para que el núcleo se transforme en cristales

Cuadro 5: Valores de temperaturas de solidicación y subenfriamiento de algu-


nos metales.

Temperatura Calor de Energía Máximo subenfriamiento


Metal 3 2
de solidifación fusión (J/cm ) supercial (J/cm ) observado △T (°C )
°C °K
Pb 327 600 -280 33,3× 10−7 80
−7
Al 660 933 -1.066 93 × 10 130
−7
Ag 962 1.235 -1.097 126 × 10 227
−7
Cu 1.083 1.356 -1.828 177× 10 236
−7
Ñi 1.453 1.726 -2.660 255 × 10 319
−7
Fe 1.535 1.808 -2.098 204 × 10 295
−7
Pt 1.772 2.045 -2.160 240 × 10 332
Fuente: Chalmens, Solidication of Metals, Wiley, 1964.

27
3.2. Nucleación heterogénea.
Este proceso se realiza en un líquido sobre la supercie en la que está presente
y puede contener impurezas u otros defectos que afectan la nucleación estable.
Esto se aprecia en la industria de la fundición y la temperatura a la que se
lleva a cabo el proceso varía de 0,1 a 10 grados centígrados. Sí el metal líquido
humedece el agente de nucleación sólido se produce una nucleación heterogénea.
Este líquido debería solidicarse fácilmente en este reactivo. La disminución
de la energía supercial en un núcleo heterogéneo cambiará la energía libre
Con respecto a la nucleación estable y al tamaño de la nucleación, en este caso
tanto ellos disminuirán Debido a un menor subenfriamiento, se producen núcleos
estables por nucleación no homogénea. Por ejemplo, si el líquido se aplica al
núcleo (sustrato), se creará un ángulo de contacto entre el material sólido y
nuclear, como se muestra en la Figura 17.

Figura 17: Nucleación heterogénea donde, SL= sólido líquido, L= líquido,


θ= Ángulo de contacto

3.3. Crecimiento del cristal en metales líquidos y la for-


mación de su estructura granular.
Cuando se forman núcleos estables en un metal en solidicación se pro-
ducen cristales, ya que estos núcleos crecen Es importante señalar que existe
una tendencia hacia el tamaño crítico de los núcleos a medida que se acerca
la temperatura de solidicación, esta tiende a ser innita porque la diferencia
de temperatura tiende a cero. Así, por ejemplo, la temperatura más baja es el
radio crítico del material (Figura 18).

Estará orientado de manera diferente dependiendo de cada cristal, pero sus


átomos de orden regular. Los límites de grano se forman combinando diferentes
cristales con diferentes orientaciones después de que el metal se haya solidicado.
Conceptos importantes:
Policristalinos: Metal solidicado que contiene gran cantidad de cristales

Grano: Nombre a los cristales en metales solidicados

Límite de grano: Supercie de separación entre dos cristales de un grano

28
Figura 18: Gráco de un radio crítico respecto a un subenfriamiento.

En gran medida, las aleaciones y los metales en ingeniería se producen con es-
tructuras de grano jo. Estas estructuras brindan buena resistencia, uniformidad
en estructuras y productos metálicos.

3.4. Estructuras principales de granos producidas por fun-


diciones de metales.
3.4.1. Granos equiaxiales.
Si las condiciones son las optimas en cuanto a nucleación y en el proceso
de solidicación los cristales crecen en direcciones iguales, entonces crean los
granos equiaxiales. Comunmente se encuentran junto a una pared fría como se
ve en la Figura 19.

3.4.2. Granos en columna


A diferencia de los granos equiaxiales, estos granos son mas densos y su
proceso de solidicación es mucho mas lento y a muy altas temperaturas. Debido
a esto como se presenta en la gura 19, sus direcciones son totalmente opuestas.

Figura 19: Representación de granos equiaxiales y columnares.

29
a) Representación esquemática de una estructura granular de un metal soli-
dicado obtenido utilizando un molde frío. b) Sección transversal de un lingote
de aleación de aluminio.

3.5. Estructura granular de fundiciones industriales.


En procesos industriales, metales y aleaciones tienen un profundo desarollo
en el cual dependiendo de su trabajo es como se moldeará. Primero se obtienen
grandes cantidades de material colado para luego fabricar un trabajo semiaca-
bado. En este método el material colado va hacia un fondo el cual le dará su
forma nal. El molde se enfría por agua mediante una camisa y también se ro-
cía agua en los laterales de la supercie solidicada. Un ejemplo es la siguiente
gura (20) donde se ve la forma nal de un lingote de aluminio.

Figura 20: Representación de un gran lingote de aluminio colado en semicontinuo


y extraído del foso de fundición.

30
3.6. Solidicación de cristales simples.
Dentro de los materiales cristalinos la mayoría son policristalinos, esto sig-
nica que están compuestos de muchos cristales. Aunque también existen los
cristales simples o monocristales que son aquellos compuestos de un único cris-
tal.

Los componentes electrónicos son ejemplos de estos ya que son necesarios


debido a sus propiedades, de no ser así los bordes de los granos se destruirían
los dispositivos.

La solidicación de los monocristales debe tener condiciones especícas como


el no ocurrir en las proximidades de otro cristal para que no se nuclee ni crezca
otro cristal, la forma de lograr esto es manteniendo una temperatura inferior al
punto de fusión de sólido y la del líquido no superar la interfase. Este proceso
debe manterse a bajas velocidades y mantenerlo temperatura ligeramente por
debajo del punto de fusión.

Comunmente se utiliza el método de Czochvolski, donde primero se funde


silicio policristalino de alta pureza en un cristal inerte y se mantiene la tempe-
ratura como se describió anteriormente.

3.7. Soluciones sólidas metálicas.


Son pocos que se utilizan en forma pura o casi pura, ejemplos de estos son
el cobre con una pureza de 99,99 %, el cual se utiliza para cables eléctricos o
el aluminio con pureza de 99,99 % que se utiliza con nes decorativos, aunque
en la ingeniería normalmente los metales se combinan con otros metales o no
metales, esto con la intensión de mejorar las propiedades mecánicas, mejorar su
resistencia a la corrosión o las propiedades útiles para el uso que se les planea
dar. Así denimos el concepto de aleación metálica como la mezcla de 2 o más
metales o un no metal. Las aleaciones pueden ser simples como el latón formado
por 2 elementos o más complejas como la superaleación de base niquel que con-
tiene 10 elementos. Las aleaciones más simples son las de solución sólida, está
formada por 2 o más elementos dispersados automáticamente. Estas aleaciones
se dividen en susticionales o intersticiales.

3.7.1. Soluciones sólidas sustitucionales.


A estas pertenecen aquellas aleaciones a las cuales los átomos del soluto pue-
den sustituirse por átomos de disolvente. Esta sustitución puede variar entre un
mínimo porcentaje llegando hasta el 100 %, las condiciones que pueden favorecer
la solubilidad son:

31
1. Diámetros de los átomos deben diferir a lo más en un 15 %.

2. Ambos deben tener la misma estructura cristalina.

3. La diferencia de electronegatividad debe ser mínima.

4. Deben tener la misma valencia.

3.7.2. Soluciones sólidas intersticiales.


En estas soluciones los espacios de los átomos del disolvente se rellenan con
los átomos del soluto, estas soluciones se pueden formar cuando un átomo es
mayor que otro.

4. Imperfecciones en sólidos.
El estudio de las imperfecciones de los materiales se realiza con el n de
poder dar una explicación detalladamente las reacciones químicas en las redes
de los sólidos cristalinos, cada material posee características y propiedades di-
ferentes que los distinguen y hacen que tengan un uso óptimo, algunas de esas
características son la corrosión de los metales, la conductividad eléctrica y entre
otras. La perfección cristalina es la disposición organizada de las partículas de
un sólido que al momento de que se manieste y suceda una imperfección alte-
ra y produce nuevas propiedades manifestadas en el sólido. Las imperfecciones
podrían ser consideradas negativas a simple vista sin embargo son beneciarias
ya que mediante el control de estas es posible crear otros materiales como lo
son metales, imanes, transistores, vidrios, entre otros que son de benecio para
la práctica. La mayoría de ocasiones los materiales presentan gran cantidad de
imperfecciones por su arreglo atómico. Las imperfecciones que se presentan en
los sólidos no siempre son iguales, por esta razón surgen diferentes efectos en
las propiedades de los materiales. Un material que posea imperfecciones no se
considera defectuoso, por el contrario, tiene más posibilidades de ser bien apro-
vechado en aplicaciones útiles en la tecnología. A continuación, detallaremos
tres tipos de imperfecciones: lineales, planares y puntuales.

4.1. Defectos puntuales.


Los defectos puntuales son aquellos que están asociados a una o dos posicio-
nes en base al movimiento de los átomos.

32
4.1.1. Defectos de vacancia.
La vacancia se produce por la pérdida de un átomo que se encuentra en
una posición determinada. Esta ocurre durante la solidicación, al aumentar la
temperatura la pérdida de átomos es mayor por lo tanto la vacancia aumen-
ta exponencialmente. La siguiente ecuación nos permite obtener el número de
vacancias por:
Qv
Nv = n(− KT ) (14)

Donde Nv es el número de vacancias por cm3 , n es el número de puntos de red


3
por cm , Qv es la energía de activación para producir una vacancia (cal/mol); K
−23
es la constante de Boltzmann (1, 38 × 10 )J/K o (8, 62 × 10−5 ) eV /K ; T es el
valor de la temperatura absoluta en kelvin (K) y R es la constante de los gases
1, 987(cal/mol × K) u 8, 214(Joules/mol × K).

Figura 21: Representación de la vacancia de un átomo.

4.1.2. Defectible intersticiales.


Los defectos intersticiales ocurren cuando un átomo es desplazado de su
posición a un lugar en el que este desocupado, de esta manera se origina un
átomo que es intersticial. En el caso de los metales al poseer átomos más grandes
los átomos intersticiales son mayores dado a que hay más espacios desocupados.

4.1.3. Defectos sustitucionales.


Estos defectos ocurren cuando un átomo es sustituido por otro átomo de
distinto tipo. Esto produce una distorsión en la red circundante ya que los
átomos pueden ser más grandes que los otros comprimiendo o pueden ser más
pequeños produciendo tensión.

33
Figura 22: Representación de un intersticial.

Figura 23: Representación de defectos sustitucionales.

4.2. Dislocaciones o defectos lineales.


Las dislocaciones o defectos lineales son producidos por una deformación o
distorsión de la red central en torno a una línea. La dislocación es una de-
ciencia que no logra el equilibrio y almacena energía en la red cristalina en los
alrededores de la dislocación. Estas dislocaciones son creadas mientras ocurre la
solidicación de los sólidos cristalinos, a través de la deformación plástica, por
condensación de vacantes y también por desajustes atómicos en las disolucio-
nes solidas. Los tipos de dislocaciones lineales que pueden surgir en los sólidos
cristalinos serán detallados y explicados a continuación:

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4.2.1. Dislocación de tipo cuña o arista
Esta dislocación es creada por la intersección de un plano extra de átomos,
cortados por el cristal y es recreado por una ⊥ cuando la dislocación es positiva
y de manera reciproca ⊤ cuando la arista es negativa.

Figura 24: Representación de la dislocación de una arista.

4.2.2. Dislocación de tipo helicoidal.


La dislocación helicoidal se presenta cuando se corta parcialmente un cristal
perfecto y después se torce en un espacio atómico creando una deformación
en forma de espiral o helicoidal compuesta por átomos distorsionados como se
observa en la gura 25

Figura 25: Dislocación helicoidal

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4.2.3. Dislocación mixta.
Las dislocaciones mixtas son el producto de la dislocación de arista y he-
licoidal, ambas siendo agentes de dislocación en el interior del cristal teniendo
entre ellas un espacio de transición.

Figura 26: Dislocación mixta

4.3. Defectos planares.


El ejemplo más común y visible de defectos planares son las supercies libres
o parte externa de cualquier material, es decir, el límite de la estructura cristali-
na. Los defectos planares son aquellas imperfecciones que forman regiones con la
misma estructura, pero distinta orientación cristalográca, separándolas entre sí.

La supercie de un material se considera un defecto debido a que los átomos


de esta solo se encuentran enlazados por un lado al resto de los átomos del ma-
terial. En consecuencia, los átomos de la supercie cuentan con una cantidad
inferior de vecinos al común, y debido a esto poseen mayor energía que los áto-
mos acomodados en el interior del cristal. El hecho de tener un mayor estado de
energía provoca que la supercie interactúe de mayor manera con el ambiente y
la vuelve susceptible a la erosión.

Además de las supercies externas, los defectos planares incluyen límites de


grano, maclas y error de apilamiento. Conceptos que se denirán a continuación.

4.3.1. Límites de grano.


Este defecto se da en la supercie de los materiales policristalinos y consiste
en que se separan los cristales, también llamados granos. Esto debido a que,
como se observa en la (Figura 27), al tener arreglos de átomos con diferente
orientación no quedan perfectamente alineados entre sí, generando entre ellos
un espacio al cual se le llama límite. En la región límite se puede observar cierto
grado de desalineamiento cristalográco, el cual dependiendo de su magnitud

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puede ser considerado como límite de ángulo pequeño o límite de ángulo grande.

Figura 27: Representación de una frontera o límite de grano.

4.3.2. Maclas.
Maclas o límite de maclas, es otro tipo de límite de grano en el cual el cre-
cimiento interior de un cristal es en direcciones reticulares, es decir, se muestra
como una reexión del mismo, pero en distinta dirección. La región entre los
límites en que el cristal cambia de dirección es la que se le denomina macla.
(Esquematizado en la Figura 28).

Figura 28: Representación del límite de maclas y el ordenamiento de los átomos


vecinos.

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4.3.3. Fallas de apilamiento.
Es una falla en el orden y ocurre en los niveles de los planos atómicos, la
cual produce una superposición atómica al formar una estructura cristalina. En
las celdas de tipo FCC y HCP se genera una secuencia hexagonal que tiende a
endurecer el cristal. (Representado en la Figura 29).

Figura 29: Cristales gemelos de la secuencia hexagonal.

4.4. Vibraciones atómicas.


Los átomos de un material cristalino vibran muy rápidamente en su posición
dentro del sólido, lo cual es considerado un defecto o imperfección debido a que
no todos lo hacen con la misma frecuencia y amplitud. Además, la temperatura
y el tiempo son factores que inuyen directamente con la vibración de los átomos.

4.5. Microscopía.
La microscopía se realiza con el objetivo de conocer e identicar las caracte-
rísticas microestructurales de todo tipo de materiales, y para llevar a cabo esta,
se utilizan instrumentos como el microscopio óptico y el electrónico.

4.5.1. Microscopio óptico.


Este instrumento utiliza la luz para estudiar la microestructura de los só-
lidos, por lo tanto, en materiales opacos como los metales, varios cerámicos y
polímeros, solo la supercie puede ser observada.
Debido a que esta tecnología se utilizó primeramente para estudiar los metales,
es que a este tipo de investigación comúnmente se le llama metalografía, y para
llevarla a cabo, el material debe someterse a una serie de tratados de pulido
hasta que la supercie quede como un espejo.

38
Figura 30: Visualización de la estructura de un material mediante un microsco-
pio óptico.

4.5.2. Microscopio electrónico.


Puesto que existen elementos estructurales de los materiales demasiado pe-
queños para poder ser observados por un microscopio óptico, es que se recurre
a la utilización del microscopio electrónico, el cual alcanza un aumento de hasta
2000 diámetros aproximadamente, y a diferencia del caso anterior, el microsco-
pio electrónico no utiliza la luz, utiliza electrones.

Figura 31: Visualización de la estructura de un material mediante un microsco-


pio electrónico.

5. Difusión.
La difusión se ocupa de la transferencia de masa entre dos materiales, y todo
el proceso es atómico. Los tipos de difusión incluyen la difusión de impurezas o

39
la interdifusión más simple, que trata de una mezcla de átomos entre dos mate-
riales metálicos. También existe la auto difusión, la transferencia de átomos del
mismo tipo, que ocurre especialmente en los metales puros.

5.1. Por vacantes.


A medida que los átomos se difunden, las vacantes cambian de posición y
la difusión de los átomos en una dirección corresponde al movimiento de las
vacantes en la dirección opuesta. La auto difusión y la interdifusión ocurren a
través de este mecanismo.

Figura 32: Cambio de un átomo de una posición normal a una vacancia.

5.2. Estacionario.
La difusión en estado estacionario ocurre cuando los átomos de un elemento
se mueven a lugares con concentraciones más bajas, y un gradiente de concen-
tración basado en este transporte, proporcional a él, tiene un nombre llamado
como primera ley de Fick que se representa mediante la siguiente ecuación:

 
dC
J = −D (15)
dx
J es el ujo neto de átomos, D el coeciente de difusión y ( dC
dx ) es el gradiente
de concentración. Cabe destacar que en este estado estacionario no hay cambio
en el tiempo.

5.3. No estacionario.
Este estado no estacionario es el proceso más común en la transferencia de
masa en procesos de tipo natural e industrial. Como su nombre lo dice, esto sig-
nica que su gradiente de concentración cambia con el tiempo, y el cambio en

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esta composición es proporcional a la diferencia de concentración. En esta esta
difusión se aplica la segunda ley de Fick que se representa mediante la siguiente
ecuación:

dC ∂2C
=D 2 (16)
dt ∂ x
Las unidades de medida para cada ecuación son:

Átomo m2 dC Átomo
J( ) = D( ) ( ) (17)
m2 s A dx m4

5.4. Intersticial.
Esta es la difusión más probable que ocurra porque consiste en átomos más
pequeños que no pueden usar el espacio que queda entre otros átomos, sino que
se mueven entre ellos, posicionándose en el espacio reducido sin afectar a otros
átomos establecidos.

Figura 33: Representación de átomos que se cambian de un intersticio a otro.

5.5. Factores de la difusión.


5.5.1. Sustancias que lo difunden.
Toda difusión tiene un coeciente, denominado con la letra D, que depende
de cada sustancia y material en el que funcionará, y expresa la rapidez con que
se difunden los átomos. Esto también crea una diferencia entre los tipos de di-
fusión, que pueden ser vías vacías o vías abiertas.

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5.5.2. Temperatura.
La temperatura afecta directamente la velocidad de difusión de los átomos,
que es un factor importante. A temperaturas más altas, las partículas se mue-
ven signicativamente a velocidades más altas, lo que permite un transporte
más rápido y, por el contrario, a temperaturas más bajas, el proceso de difusión
es más lento.

Q
d)
(− RT
D = Do (18)

Do indica el factor de frecuencia independiente de la temperatura m2 /s, Qd es


la energía de activación para la difusión (J/mol o eV /átomo), R la constante
de los gases y T la temperatura absoluta(K).

5.6. Otros tipos de difusión.


También existe la llamada "difusión de cortocircuito.en la difusión porque
es más rápida en comparación con la difusión masiva, pero ocurre con menos
frecuencia.

5.7. Difusión y sus tratamientos de los materiales.


Después de estas difusiones atómicas entre los materiales, se pueden crear
estos cambios para hacerlos mejores que antes. Para que estos procesos sean más
rápidos, utilizan altas temperaturas, de ahí el nombre de "tratamiento térmico",
lo que da como resultado tasas de difusión más altas, y estos tratamientos se
utilizan en las etapas nales del proceso.

Conclusión.

Todo aquello que nos rodea, a escala microscópica, está compuesto por estruc-
turas de atómicas, las cuales se conforman mediante distintos enlaces químicos
que dan lugar a las moléculas, y con dichas moléculas es que se genera todo lo
que gira en nuestro entorno. En el caso de los materiales de estructura cristalina,
a diferencia de los materiales no cristalinos, los átomos se distribuyen de mane-
ra ordenada mediante celdillas unitarias. La mayoría de los metales cristalizan
en estructuras tales como las FCC, HCP y BCC, las cuales pueden ser correc-
tamente estudiadas gracias a la utilización de rayos x. La solidicación se ve
reejada en los procesos industriales de los metales, donde se le realizan distin-
tas etapas para la completa generación del núcleo. Para llevar a cabo esta existe
dos mecanismos, la nucleación homogénea y la heterogénea, una que forma nú-
cleos a temperaturas muy elevadas y la otra que debe ser mojada con un metal
líquido. En metales líquidos, se pueden observar estructuras granulares durante
el crecimiento del cristal. Comúnmente, se observan fallas en la estructura de los
materiales, las cuales pueden ser deformaciones de esta, en su geometría, o en su
tamaño. Se pueden encontrar tres tipos de defectos: de vacancia, intersticiales

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y sustitucionales. De igual manera existen las dislocaciones, que son defectos
cristalinos unidireccionales, y que pueden ser de acuña, de hélice, o ambos. Pa-
ra observar las características microestructurales de los materiales, y llevar a
cabo el estudio de estas imperfecciones o fallas, se utilizan instrumentos tales
como los microscopios óptico y electrónico. Por último, se encuentra el traspaso
de materia dentro del mismo material, lo que se conoce como difusión en un
estado sólido. Las difusiones se realizan mediante dos mecanismos: intersticial
y vacante, siendo el primero más rápido que el segundo. La velocidad de este
proceso se ve reejada en la magnitud del coeciente de difusión, el cual se rela-
ciona íntimamente con el movimiento de los átomos, por ende, la temperatura
es un factor relevante ya que, el aumento de esta es directamente proporcional
al movimiento de las partículas.

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Referencias
Callister, W. D. and Rethwisch, D. G. (2019). Ciencia e ingeniería de materia-
les. Reverté.

Smith, W. F., Hashemi, J., Cázares, G. N., and González-Caver, P. A. (2006).


Fundamentos de la ciencia e ingeniería de materiales. McGraw-Hill México,
DF.

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