LABORATORIO DISPOSITIVOS 23 DE JULIO

Rth=R1//R2 Vcc=12volt

**Tomar en cuenta que los semiconductores son muy sensibles a la temperatura, a mayor
Temperatura que se genera en el BJT,los portadores minoritarios (Icbo) crecen muy rápido.
**Una forma de reducir este efecto negativo que se produce en el BJT ( la Ic e Ib ) es
conectando una resistencia en serie al emisor.

Los FISICOS ELECTRONICOS dicen

que para controlar la
ESTABILIDAD DE CTE cuando el
dispositivo BJT se recalienta
Debido al incremento
de los portadores
minoritarios,ellos
aplicaron la derivada
Si=dIc/dIcbo. La
respuesta
simplificada sale
“Si”=(dIc/dIcbo)=Rb/Re=Rth/Re =
(R1//R2)/Re.
Los físicos dicen, que el “Si” ideal vale 1.
Ellos también dicen que un rango de
valores “Si” aceptables está entre 5 y 15
.
**Asumo un “Si”=9 => Rth=Si*Re.
**Se recomienda que Re=10% de Rc y generalmente que y no sea mayor a 100 ohm. Si asumo Re=82 ohm
Re=Rth/9….==>Rth=9*82=738 ohm  Rth=738 ohm Si Re=Rc/10  Rc=820 . Si asumí que Re=82ohm y “Si”=9
 Rth=738 ohm
Asumo que si Ib=70 uA  VRth = Ib*Rth=70uA*738= Vrth=51mV
Vth=Vrth+0.7+(Ib+Ic)Re ( malla de salida )
Vth=Vcc*{R2/(R1+R2)]*(R1/R1)=Vcc*Rth/R1=Vcc*Rth/R1 ( malla de entrada)
Si supongo que ”B”=90 Ic=(”B”)*Ib= 90*70uA=6300uA  Ic=6.3 mA =>Vrc=Ic*Rc=6.3mA*820==>Vrc=5.66 volt

Para que la cte alterna aplicada a la entrada de la base no salga deformada en la salida del colector, se requiere que
el valor de Vce={(aprox)Vcc}/2 Como Vcc=12 volt puedo asumir Vce=6.00 Ahora como Vcc=Vrc+Vce+Vre
Vre=Vcc-Vrc-Vce = 12-5.66- 6.00=12-11.66…Vre=0,34 volt
En el circuito de entrada : Vth=Vrth+Vbe+Vre=0.051+0.7+0.34=1.09 Vth=1.09 volt
Vth=Vcc*{R2/R1+R2]*{R1/R1] Vth=1.09=(Vcc*Rth)/R1….==> {(12*738)/R1}=1.09 R1=8,124 ohm

Rth=(R1*R2)/(R1+R2)  Rth(R1+R2)=R1*R2

738(8124+R2)=8124R2

8124R2-738R2=738*8124

7386R2=  R2=(8124/7386)*738 ]=811.74  R2=811.74 ohm