07/0CT/2022 UNIDAD 3. TRANSISTOR Durante el periodo 1904-1947, el tubo de vacio fue sin duda el dispositivo electronico de interes y desarrollo. En 1904, el diodo de tubo de vacio fue introducido por J.A.Fleming. Poco despues, en1906, Lee De Forest agrego un tercer elemento, denominado rejilla de control, al tubo de vacio, lo que origin6 el primer amplificador: el triodo. En los afios siguientes, la radio y la televisién brindaron un gran impulso a la industria de tubos electrénicos. La rpoduccién aumento de cerca de un 1 millon de tubos en 1922, hasta aproximadamente 100 millones en 1937. A principios de la decada de los 30's el tetrodo de 4 elementos y el péntodo de 5 elementos se distinguieron en la industria de los tubos electrénicos. Durante los afios subsecuentes, la industria se convirtié en una de 1ra importancia y se lograron avances rapidos en el disefio y las técnicas de manufactura, las aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia y la miniaturizacion. Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947 la industria electronica atestigud el advenimiento de una direcci6n de interés y desarrollo completamente nueva. Walter H. Brattain y Jhon Bardeen demostraron el efecto amplificador del Jer transistor en los laboratorios Bell Telephone (El transistor original, un transistor de punto de contacto). De inmediato las ventajas de este dispositivo de estado sdlido de 3 terminales sobre el tubo electrénico fueron evidentes: era mas pequefio y ligero; no tenia requerimientos de filamentos 0 perdidas térmicas; ofrecia una construccién de mayor resistencia y resultaba mas eficiente porque el propio dispositivo absorbia menos potencia; instantaneamente estaba listo para usarse, sin requerir un periodo de calentamiento. Ademas, eran posibles voltajes de operacién mas bajos.12/0CT/2022 TRANSISTOR BJT El transistor es un dispositivo semiconductor de 3 capas, que consiste de 2 capas de material tipo-n y una tipo-p (NPN), 0 bien de 2 capas de material tipo-p y una tipo-n (transistor PNP). Feonsistoe NPN Tent: PNP Cc C > | Pe > [2 | nm ine\ — = Emisor ; B= Base; C= Colector Simbolo 2 » *| c we te 4 & 8 6 ‘Lee KS € Donde.“ Le-TetLe BJT (Bipolar Junction Transistor) C Mt) (x: ) El término bipolar significa que los huecos y los electrones participan en el proceso de yee hacia el material polarizado en forma opuesta. Aplicaciones e) - Amplificador - Conmutador (Sist. Digitales)Operaci6n de un transistor (Usando un transistor NPN y la configuracién Emisor-Comun) Usando el modelo de Ebers-Molt * E (Emisor) - Su funcién consiste en inyectar electrones libres a la base (posee un dopado ALTO). + B (Base) - Es muy estrecha (dopado LIGERO) deja pasar hacia el colector la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor. * C (Colector) - Posee un dopado INTERMEDIO entre los dopados del emisor y la base. El colector toma su nombre ya que colecta o recoge lo e~ que provienen de la base. Si VBB > Barrera de potencial Fluira una elevada corriente de e~ del emisor hacia la base. Por lo tanto, estos e~ pueden circular en 2 direcciones una hacia la base (saliendo de la base) pasando por Rb hasta llegar al positivo (+) de la fuente, o pueden fluir hacia el colector. éQué trayectoria siquen la mayor parte de los e~? La mayoria fluira hacia el colector por dos motivos. 1.- Debido al dopado débil de la base (alta resistencia), provocara que los e~ libres posean una larga vida en la zona de la base; lo cual, les da tiempo suficiente para llegar al colector. 2.- Debido a que la base es muy estrecha, lo cual permite a los e~ llegar con facilidad al colector.Los e~ son portadores minoritarios en la base, por lo cual, atraviesan con facilidad la union base-colector que esta en polarizaci6n inversa. En otras palabras, los e~ libres para fluir de la base a la resistencia externa, deben recombinarse 1ro con los h+ de la base. Y como los e~ libres de valencia, pueden fluir hacia afuera de la base, y entrar al conductor externo de conexi6n (como la base esta ligeramente dopada y es muy estrecha, muy pocos e~ pueden combinarse y escapar por la conexion externa). Practicamente todos los e~ libres van hacia el colector, una vez en el colector los e~ son atraidos por la terminal positiva (+) de la fuente Vcc. Por lo cual, los e~ libres fluyen a través del colector y a través de Rc hasta el (+) de Vcc. En resumen, sucede lo siguiente: Vbb polariza directamente el diodo de base-emisor obligando a los e~ libres del emisor (E) entrar a la base (B). Laestrecha y apenas base (B) hace que casi todos los e~ libres se difundan hacia el colector (C). Estos e~ circulan por el C; pasan por Rc hacia el positivo de Vcc.13/0CT/2022 Recordando: Re Ic mt Ecc + Ne © E Mas del 95% de los e~ del emisor fluyen hacia el colector (c) y menos del 5% fluyen hacia la conexidn externa de la base. Corrientes de un transistor hy ha F uo de los Flu ulo Comencional Aplicando L.C.K Teniendo en cuenta que la Ie es mucho menor que Te, entonces, podemos expresar lo siguiente: kLD o qe Ls 28 TeParametros: % (AX. B a El parametro alfa en C.D. se simboliza como es 6 Ndec. Este parametro se define como la corriente continua del colector dividida por la corriente continua de emisor. Como la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor; Nd es ligeramente menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, de es mayor que 0.99. Incluso en un transistor de alta potencia, W& es tipicamente mayor a 0.95. Pardmetro B (hp) La beta en C.D. (Beg) de un transistor se define como la relacion entre la corriente continua del colector y la corriente continua de la base, es decir: La Bedi se le conoce como la ganancia de corriente porque una pequefia corriente de base produce una corriente mucho mayor en el colector. La ganancia de corriente es una de las grandes ventajas de un transistor y ha conducido a todo tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (por debajo de 1W), la ganancia de corriente es tipicamente de 100 a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen ganancias de corriente entre 20 y 100.De las ecuaciones anteriores podemos decir lo siguiente: Relaciénentre™ y En las hojas de especificaciones casi siempre se incluye Ped como Ate donde h proviene de un circuito hibrido. El subindice FE proviene de la amplificacion de corriente en directa (forword) y la configuracién en Emisor-comun respectivamente. En situaciones de C.A. estos parametros se definen como: AtTe< Rea= Ble Vee = constante Me Kea = Bie Nets constante El nombre formal para Pea es factor de amplificacion de corriente directa de emisor-comun. Puesto que la corriente de colector es por lo general la corriente de salida para una configuracion de emisor-comun y la corriente de base es la corriente de entrada, el término amplificacion se incluye en la nomenclatura anterior.Continuaci6n... 14/0CT/2022 importante: Aunque no son exactamente iguales, los nivelesde Bed y Bea estas por lo general son razonablemente cercanas y con frecuencia son intercambiables. Lo mismo ocurre con ted Y ea . En las hojas de datos normalmente se hace referencia a Bea como Observece que la tinica diferencia entre la notaci6n utilizada para la Bed fue que Bet = hee ,@S el tipo de escritura de cada subindice. La letra minuscula h_ continua refiriendose al circuito equivalente hibrido, y el subindice ( se refiere a la ganancia de corriente en directa en la configuracién emisor-comun. Se puede desarrollar una relacién entre B y & empleando las relaciones basicas presentadas con anterioridad: Zen by earticn onto ON chive kos membres oe la rgialifad tate. Te} dine: Ye Kt ,K|t-4 ai ip % at ptt“Degxpad: Pe aBtas [att |d * Ex congeniias ak). £.@) lds = cormienke de cele aemior Con Yo kag. abincts, Lewo = crete ce ulster a hom con tl embsr ol *Posluean§ me Ns. equvalem iia We We de las Crpreoionrs 8 8, eapectiva 8 : = > eu = Bra © BEI |. an . £0) ~Lynlan © J (0) = BTL *Entonas: { Leeo= (Ft2) Lcto“0 pubs fe La beta ( B) es un parametro importante porque proporciona un enlace directo entre niveles de corriente de los circuitos de entrada y los de salida. Para una configuracién emisor-comun, tenemos que: Te: PLp 4 dado que: Le-Le+1s, edlactcesh | uh « Subindices dobles En los circuitos de transistores se usa notacién de doble subindice. Cuando los subindices son iguales, la tension representa una fuente. Cuando los subindices son diferentes representan las tensiones entre 2 puntos ( Nee y Nee ) + Subindices simples Los subindices simples se usan para las tensiones de los nodos, es decir, tensiones entre el punto de subindice y la masa (tierra).Por ejemplo, la tensién \fa es la tensién entre la base y la masa, y la tensién Ve es la tensidn entre el emisor y la masa También, se puede calcular una tension con subindices dobles de distintos subindices restanto sus tensiones con subindice simple. Ejemplos: Mee -Ne-Ve \kaz Ve - Ve Curvas caracteristicas de entrada y salida ih *Adalizand? lo walla oe enliods Rylicond LV. les - Nias Nee = p Vee - Lee Vee = $ “Vespejono Ls Tsfe- Ves-Voe Donde; Nee = 0.av-Vr L,- VesNee fePor lo tanto Knalramce la mala ge salicla Apliconod L:VK Nee Nae Nee = Como y vimos Ves polariza en directa el diodo entre la base y el emisor (union base-emisor), entonces podemos calcular ltacorriente £5 analizando la malla de entrada. Ahora figemos nuestra atencion en la malla de salida (malla entre el colector y el emisor). Podemos variar Vbb y Vcc para establecer diferentes tensiones y corrientes del transistor. Midiendo Le y Mee, se obtienen los datos para las curvas de Te, en funcion de \ke. Por ejemplo: suponga que se cambia Veg para obtener una Lz, Entonces, se puede variar \ke, y medir los valores resultantes de Te y Vee. Trazando los datos, se dibuja la curva que corresponde a lag establecida, marcando el comportamiento de Le.; Convas caraceristicas oe Soka ce om Yansstor BJT PVcely) | LPH) conti ken, ) ‘Guy 7 emisor - Comun Para cada transistor los valores de los parametros varian, pero las formas de las curvas son similares. Cuando Nee = @NV, la union entre colector y base no tiene polarizaci6n inversa, Esta es la razon por la que la curva muestra una Tex pa. Cuando \ke crece desde cero, la tte se eleva rdpidamente como lo muestra la figura anterior. Cuando Nee es de pocas decenas de volts, la L< se hace casi constante e igualaun valor de Le "fijo". La zona de corriente constante se relaciona con la anterior explicacién sobre el funcionamiento del transistor. Después de que la union colector a base se polariza en inversa, recoge todos los e~ que alcanzan la zona de deplexidn. Incrementos mayores de no pueden aumentar la Le. éPor qué? Porque el colector sola puede recoger aquellos e~ libres que el emisor inyecta a la base. El numero de estos e~ inyectados dependen solo del circuito de base, no del circuito del colector. Por esto la figura muestra una zona constante en la corriente Ze entre el Vee menor (Veefaa)) yun mayor (Nee (me). Si Nce>VeeGnax) la union colector a base entra a la zona de ruptura y se pierde el funcionamiento normal del transistor.Ya que estos no estan disefiados para funcionar en la zona de ruptura. Por esta razon, una de las limitaciones es que hay que buscar en las hojas de caracteristicas del transistor la tension de ruptura del colector-emisor Nee(mas). Siel transistor entra en la zona de ruptura, este se destruira.18/OCT/2022 Recordando Tensi6n y potencia en el colector Nee =Nee -TAe Esta ecuaci6n nos indica que la tensi6n colector-emisor es igual a la tension de la fuente Vee menos la tension que hay en la Ae. En general un transistor presenta una disipacion de potencia aproximada Esta ecuaci6n dice que la potencia disipada por el transistor es igual a la tensién de colector-emisor multiplicada por la Te. Es esta potencia la que hace que aumente la temperatura de la union entre el colector y la base ("diodo del colector"). Cuanto mayor sea la potencia mayor sera la temperatura de la uni6n. Entonces el consumo de potencia dada por la ecuacién anterior (fp) debe ser menor que Pocenan) (dado por el fabricante) para evitar que se destruya el transistor. Regiones o zonas de trabajo del transistor BJT Telmn)Zona de corte Es la region definida por debajo de la Zg= OWA; en este caso la unica corriente existente en el colector se debe a la pequefia corriente producida por los portadores minoritarios y la corriente de fuga de superficie. Zona de saturacion Es la parte ascendente de la curva. Es la parte de las curvas de salida de un transistor que comienza en el origen y se eleva hacia la derecha hasta alcanzar el comienzo de la zona activa (horizontal). Cuando un transistor funciona en la zona de saturacion, el \ee vale unas decimas de volts. Zona activa Llamada a veces zona lineal, se refiere a aquella parte de las curvas del colector que es aproximadamente horizontal. Un transistor funciona en la zona activa cuando se usa como amplificador. En la zona activa el diodo de emisor esta polarizado directamente, y el del colector inversamente; donde: Lexe; LpeeLe ; Dgrtte Zona de ruptura En un transistor, es la regi6n en la que se da la avalancha 0 el efecto zener. Exceptuando al diodo zener, el funcionamiento en esta zona debe evitarse en todos los casos, ya que destruira el dispositivo (En esta zona el Py por el dispositivo es mayor que que Pin )poportada por-el transistor). Nota.- Cuando hacemos que el transistor conmute de la zona de corte a la de saturacion y viceversa significa que estamos usando al transistor como un interruptor.Corriente de fuga Cuando un transistor esta polarizado directamente, la corriente de fuga no es significativa, donde adquiere una gran importancia es cuando este dispositivo esta polarizado inversamente; sin embargo, estas corrientes se presentan. Teea: corrieate, ve coledor a. ennitor con Va lease abievta. ‘- Ts: Oya feg E 30 cog a =| ¢ nee Hon 8 [Lee u é Cuando la polarizacion es inversa estas corrientes son mayores; ademas se incrementan con la temperatura, a este efecto se le denomina fuga por temperatura. La variacion de las corrientes de fuga hace que el punto de operacién (punto Q) se desplase, lo que puede ocasionar que el transitor opere fuera de la region lineal. Rab Q19/OCT/2022 Caracteristicas basicas de las configuraciones Configuraciones del transistor BJT ic ic * Emisor-Comun ) s * Base-Comun iy P| © Colector-Comtin B [P| B 1 | LN | LP | € é Emisor comin Pup LF. he Ts =; fon Vee Su circuito de entrada esta entre la base y el emisor, y su circuito de salida entre el colector y el emisor. Entonces sus curvas caracteristicas de entrada y de salida serian: Corva de entrada Conn aaderistios ke saliva te Leen) i 1= 291 v, — Vee) = ae Neely) coy an Hah Esta configuracién presenta impedancias de entrada y salida moderadas comparadas con el circuito de base-comun cuyos valores oscilan de la siguiente manera: impedancia de entrada de 200 a 50000; impedancia de salida de 500 a 50KQ.Con este tipo de circuito pueden obtenerse ganancias de potencia de =10000, ya que con esta configuracion se obtienen tanto ganancias de tensidén como de corriente. La ganancia de corriente se relaciona la Lg y la Le; ya que: La sefial de salida de esta configuracion esta desfasada 180° respecto a la sefial de entrada. Base comin So El circuito de entrada se localiza entre el emisor y la base y su impedancia de entrada, tiene valores entre 0.50 y 500. Ademés, el circuito de salida se encuentra entre el colector y la base y su impedancia de salidaes alta considerando valores entre 1KQ y TMQ. Con esta configuracién se obtienen ganancias de tension o de potencia del orden de los 1500.Curva caracteristica de la entrada LeCm A) \ Vee i) Curva caracteristica de la salida Ltr) En este tipo de configuracion la sefial se introduce entre la base yel colector y la salida se extrae por el emisor-colector. Debido a que en este circuito la impedancia de entrada del transistor es alta, siendo baja la de su salida, la ganancia de tension es menor que la unidad y la de potencia es menor que la de las otras configuraciones. Impedancia de entrada -> Muy alta (Mas de 100KQ) Impedancia de salida -> Muy baja (Menor de 1000)Curva caracteristica de la entrada TeCyh) Vala’ 0) Curva caracteristica de la salida Lean) Principales aplicaciones Base-Comtin -> Amplificacién de altas frecuencias. Emisor-Comtn -> Amplificacién de bajas frecuencias. Colector-Comtin -> Acoplamiento de impedancias.Circuito de polarizaci6n fija 24 Joc } 4022 ADahos Encontiar *Ag- Moka Taq Ve Woz 2. "Teg fle, te eC 4 _ We 2.2Ka Q ) t ale area Nec= tay *Neea |] fVec & “Be 50 Q)Texear NPN ea al ra “Tin a analisis de C.d los copacitares Cy 5 C2\ Son_| Pe rudiles ablorkes. js_| 14 Delcnee a > Pov lotante Podemas _ceov denor d civesito: *Aralitaned lo molla de excl ada Adieondd LN.K b) Lea- 2 Nag - Ving Vee = > p> ze 1. Deg BLea \iae- Loe - Ver= > s Degriand te: Lea= (50)( 49.083333 mA) Ashe- Ves Vee Leas 2 3514. G6mff-> \) te. Vog-Var , _42v-0.1V Ap 20 Ka Ty. 49. 083333 m|—> a)AfcKiand ly walla de soli *W\itcon® LV-K Nec -Nae- Nee= > Nec - Tee ~\ee= > Neg eNec- Lee = (tv) - (2.364aGGmoh) (2.2x.0) Neca = 6.820838V]—> ©) d\ Ne? Ve=Ner - 0a] 3) Nip Now- tae 2 42v-(47 083353mA)(240 ka) = 0. 1200008] eNe a Ne =\ee = 6.820833 Ne =Nee- LeRe \e = 4av - (2.35446¢mA) (2,22) NozVee = 6.920833V J Veg =0.9V -6.82083 3V Nac = i (208 33 J © £) signa (-) tavita que by, wa pilot, &™ Ingo ™m ha unisa Colrclor base, 9) Peer Cy Pe ke Cox el lala Qa. eke Se salvacicn PN Nec- Lefe-Nee =f ‘SNeesh Nec - Le e=Aw, Le sa) = Me, Bae 439515 qh, Punto de carte. Nec -LeRe- Veesp “Si Leo GA Nuc -Nee= g Nec Nee cate = 12 Le(omh) Tesah: 5.45450: Duto & eas 2, 354i ol = Fa = 47-08 3733 rg Neelv) Meche 42y Sie exile los caleilas Sel pelerns anteddy ahaa para wn P= 409 jy Comparm ambos cesilfoshs 6.820933 1.644609 2.354166 4.109 333 49,083333 47.08 3333 too \loa -Nge aan Le= PLg = (ios) (49.093333 HA)= 4.908333h Nhe Wee tee 2 San (1.209333 A)(2.2Ka) = 1.646 oserviondd los estas mostosts en la tala se rota qu eck cei es my seme aasctiones & B, pw Joo, no es nant settle Ek Sopibea ot \a vbicautty ae & vara pha pon vortariiang a PB.Circuito estabilizado en emisor Ne *Datos A Envontiar Nic=2 y “aa |[4)\o Ap 130kKa “Leg ee fs Ae 4, We dha * Vera (Vac \i ert ka 9)Taear b >B= 50 wea de te orp yal penta @. *Enlel laakligs Be (C-d los tapactares Cy 4 Cz Son Guiles ablevtos. Por bo dake. posewne Senses tll cheats 2 Ne Aegizoned \q ols Kk evkios, *RyWconds LV. Nes Nop Noe -Nae= 4 \o- Lehe-Vee- tenqe-? Te-Astt. » Jot bta~ 1s (PU) fp: = aS Halt Nis - Los -Vee- Le(Bt4) Qe= Vsp - Le(het (B41) Oe) Niece bDespe jars te Vex -Vee. z 19V- 0.9V Lo- wet (Pts) Re Vorat(ss)tha s 4o.tatrvon | — TBq b) Tea? ta | Bey, Fe: BoB Ze=(50) (0.124% MA) = 1.006291 mf\> Fea “Abaliberd \a olla ke solic, Nybconlo LYK Nee ~Nig - Nee Nae - 4 Nec - Le Nee Leaked Le * Le Veo - fee ~Vee- Lake = Nec- Kk (Het he) “\ke 2b > Despejor Vee : \ee = Vee- Le(et Be) = 2ov-(2.006259 .A)(28 | Aka) Nero = 13.484.24V) SV: 2 Nee - Le Ret Vou Va + - (vo.124940 ya)(430Ka) tov = 29463610) Qe atvas mavevas, pus enank Qe: Naz \eet LeAe; Le =e Ve= Ov + 2.006239 mh) (1K.2) Vez 1.40022v| SK te = La(pt4) Ve =o. }(4o.12494oxh) (54)(4k0) Vez 2.94636424/0CT/2022 Recordando: fic Dabs: En conte J Ve Nee =29y a)Tg Ve Ra =4ka || b)Ze 3) Re= ka o)Nee hh) Teazar rE he-ika Hl y)Ve da de B- 50 e)Ve a T=. 42494109 A Te = 1.006233 mi Hah de ontacka Nee «43.99d289V¥ Nss-Thle Vortec ¢ Vez 2.996364V “Malla Ptp= (220) (29.068493NA) 2 20068493 mA 1) Realizqnsss a olla ce solide. Feordeaanth el cicuite Te *Nelicande, LK Nec -Nije - Vee Une: = Nec-LeRs Vee -tehe-d t ete tTe Nec tee Nee -LeG eb Nec - te (Ret Ae) -Vee= Nice = Nec - Le( Act Re) Nee = 30v- (2.00084a3eaN)(C-2ka $4.5h.) Nee =44, S260! O) \Ne=2 Nex Jefe = Zefe = (2.006644 ah) (4.54.2) Ves 3.010238 De ote Coston, Ve=Vee- De ho - Vee = Veo -LBe -Vee. Ve = 80v - (2.0968493 4A) (6.22) - 49.54 7260V Nes 3.040274v. e) (22 Ve 2 Nee +Ve = 44.5492G0N +3,010293 Ne 2 41, $5933} De oka Sven, Ne New Le Re Nu -Lhe = Me = 30% - (1.0068493.4A)(6.2k0) Nes 49. 953533ne la my hk carga J el prb Q “Punts de sshuncsa Nee Leet Re) “Sy. Nees ov - Nee - 30V Lest = Rt he GC 2AAtL-Sha Lisok= 3.896103.4 A\ “Punto k orte Wer EMetiY Wes “DK Te On Netcare = Vee = 30V Whar reprtionds hs cdudes Paro mo pe 200 pB| te A) Le (vn Nee i) 109 | 20.068 493 2.006899 {24-549260 doo { 43.439043 | 2.627802 |9.265929 Ty-Nos-Vee _ _30v- 9.9 B(AckRe)tAs — 200(6.2h0-44..5k 0) 169K 0 Tp - 13.430043 HA Tez Pte = 200(13.13-9013 MA) Neg s \ee ~te (Hethe) 2 30V-2621802mA (6.2044 5x2) Nee = Q.9¢5a44v ‘De ie dh % densby Qe esta con big wearin & llbkooss shh, qu & mas ebb ae bs 2 ctraths ovteatires.26/0CT/2022 Circuito de polarizaci6n por divisor de voltaje Vee % Dabs: K Encortcas? Aa: 39Ka a\t3 w fle ra R.- 3.9ka b\t. G pe Ne Toko c) Nee ‘wo fee 1.5ka S) Tensor la) vodka de. Nee = 22v carga yel yunte Q R, Re P= 140 Fd mh “bes copscitores G a Ge wn Ciautes = chietos en a analisis te 6-0 Feordensnelo ol civuia Re *hyVeando oreo, & “Meriendy: “Byscerenfs lather: Voc th fs, As | ep = yee 2, ON) im At Run: Bake Saka) 3. 5sasqk.a. 3qk243.9k 0“Enuookear ol Nth: my wh x Vee Me “Ror divisor de. wallaje Nes (1h) 2av (3.9) Nye ea > (axayiGaka) Mh 2 Kehinatets [\o. feoelly cp: bal exc\vanil “Pplican LV.K n= Lg Ma Ner Ne=o Nth- Sp Ren Vee- Le Re 20 Se Tptte B: fe 1. Te: PL8 Vah- Lo fen Vor -4a(Btt) Be= 9 Vth -25(Aaht (PH) Be) Vee=9 fpNth-Vee . __2V-a.av Weht(BH)ne — (3.54595%K a) } (443) (4.5k.2) Be - 6.045233 und rq p> de . Le: Phe Le = (¢.04523NA) (4%) He 0.846882 mh |“Reazarala ly toda ve std M¥con LVK. Vu -Niy -Nee Ane Nec-Tehe-Nee - Lefe <4 De -Lt ta; Tack Le Le Nee Dehe-Nee - eRe = Nie -|Le (y+ Re)-Vee= ee = Nee- £2 (netRe) Nee = 20v- (9.94¢332mh) (t0ha 44.542) Nice = 42.26782V J 3) Toray \o wha ke ow: el ay Q *Passto de soturontin ari Neco (Rate) N& = EEN Si Vee = Oy = Ne desk fiche agne’ N, IL Aleve FRE = 4 AA3mA T lee Duke del cw Veea Stic tet 22y iu LAR acd +S Teed Neder 2 Ve = 22 Coles lava \es woiond os Lm_vee_moh Ped _Con_wo $280 P| 23 (MA) Le (moh Nee (V' oo } 6.045233 JosHOs82 (47. 162482 280 | S05849G 9.956393, [42.45998Ly. Veh Noe _ __wW-0.W. Ravt(P4)Ae (3. stsusano)1(280)(4.58 0) Lg = 3.95844 HA Le + Brae (289) (39584 a6 HA) = 0.856378 ah Nur Nec-te (het he)? uN- (0.956388) (sosa+4 ska) Nees 42.151990N Obsewand los cewhtosts heaisss Se pada ver Qe ad ok Q po a ov) & dishs d awals psctiranmde no tambis p ae Fea y Vera gm my OQOBMAAS Qos vg FATS 5 be, Pcl Ad Be eel chit, mas ZSMNWE-4.1 Amplificador en eldominiode CA. _ La construcci6n: basica, aspectos y caracteristicas del transistor se presentaron en it jitulo 2 se examiné en detalle la . Una de nuestras primeras inquietudes en el andlisis de ca senoidal en redes de transistores es la magnitud de la sefial de entrada. Ello determinaré si deben aplicarse técnicas de pequefia sefal o técnicas de gran seal. No existe una linea divisoria entre las dos, peso la aplicacién, asi como la magnitud de las variables de interés relativas a las escalas de las caracteristicas del dispositivo, determinardn casi siempre con bastante claridad cual método es el apropiado. La técnica de Ppequefia sefial se presenta en este capitulo. Este capitulo no s6lo presenta ambos modelos, sino que define el papel que cada uno desempefia y larelacién que existe entre ellos. Enel capitulo 1 se demostré que el transistor puede emplearse como un dispositivo amplificador. Es decir, la sefal de sali es mayor que la sefial de entrada ©, estableciéndolo contribucién a la potencia de salida total aun cuando parte de ella se disipa a través del dispositivo y los elementos resistivos. En otras palabras, existe un intercambio" de potencia deed al dominio deca, el cual permite establecer una muy alta potencia de salida de ca. De hecho, una eficiencia-de conversién se define por medio de n = Po(ca)/Pi(ed) donde Po(ca) es la potencia de ca en la carga, y P(cd) fa potencia suministrada de cd. Quizés el papel que juega la fuente de ed se describa mejor al considerar primero la red simple de ed de la figura 7.1. La direceién resultante del flujo se muestra la figura con una grifica de la corriente i contra el tiempo. Insertemos ahora un 24.2 Modelado del transistor BJT. empleo de los circuitos tuto. Hay dos teorias actuales acerca de cual seré el circuito equivalente que ha de sustituir al transistor. Durante muchos afios la industria y las instituciones educativas confiaron ampliamente en los BARGMEMOMIMBRAOS (que se presentaran en breve). Fl circuito equivalente de parémetros hibridos seguira siendo muy Popular, aun cuando en la actualidad debe competir con un circuito equivalente derivado directamente de las condicio cin del transistor, el una region de | Sin embargo, el circuito equivalente hibrido adolece de estar limitado a un conjunto particular de condiciones de operacion si se considerara preciso. Los parimetros del otro circuito equivalente pueden determinarse para cualquier region de operacién dentro de Ia regién activa y no estan limitados solo_grupo_de_parimetros_incluidos en la hoja_de especificaciones. Puesto que en la actualidad {1SSnIOGEISS Seep SoACEAAERTEARE, 10 dos se examinan en detalle en este libro. emplos se empleara el modelo hibrido, en tanto que en otros se utilizar en forma exclusiva el modelo r.. No obstante, en el texto se hard todo lo necesario para mostrar la forma tan estrecha en que se relacionan los dos modelos y cémo la habilidad en el manejo de uno de ellos conduce a una destreza natural en el manejo de! otro. Con ¢l fin de mostrar el efecto que tendra el circuito equivalente de ca sobre el andlisis que sigue, considérese el circuito de la figura 7.3. Supongamos por €]momento que el circuito equivalente de ca de pequefia sefial para el transistor ya ha sido determinado. Esto se muestra claramente en la figura 7.4. |. Una vez determinado, es posil jorat los niveles de cd en el andlisis de ca de la red. | Notese que esto produciré el “corto circuito” de la resistencia de polarizacién de ed, Re. Recuérdese que los capacitores tienen un equivalente de Circuito abierto en condiciones de estado estable ed, permitiendo un aislamiento entre etapas en los niveles de ed y las condiciones de operacién.probar’n ser de particular importancia en el analisis que se detalla a continuaci6n. Se proporcionaré mucha mas informacién acerca de estos parimetros en las seeciones siguientes. Por tanto, el equivalente de ca para una red se obtiene por medio de: 1. Elestablecimiento de todas las fuentes de ed a cero y su reemplazo por un corto circuito equivalente 2. El reemplazo de todos los capacitores por un corto circuito equivalente 3. La eliminacién de todos los elementos sustituidos por los corto circuitos equivalentes introducidos en los pasos 1 y 2 \_ 4. Btctibujar de nuevo ta red en una forma més légica y conveniente. En las secciones siguientes se presentarin los circuitos equivalentes re e hibrido para completar el andlisis de ca de la red de la figura 7.5 4.3 Pardmetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Vi, Vo, Ii, To. (Redes de dos puertos). Antes de investigar los circuitos equivalentes para BJT con més detalle, concentrémonos en los parametros de un sistema de dos puertos que son de capital importancia desde un punto de vista de anilisis y disefio. De hecho, para la mayorfa de los sistemas eléetricos y electrénicos el flujo general se tiene normalmente de izquierda a derecha. Para ambos conjuntos de terminales la impedancia entre cada par de terminales en condiciones normales de operaci6n es bastante importante.Figura 7.6 Sistema de dos puertos. Impedancia de entrada, Zi Para el extremo de entrada, la impedancia de entrada Zi se define por la ley de Ohm como se indica a continuacién: Z=Vish Si se modifica la sefial de entrada V, la corriente /, puede calcularse mediante el uso del mismo nivel de impedancia de entrada. En otras palabras: De hecho, en las secciones siguientes encontraremos que la impedancia de entrada de un transistor puede determinarse aproximadamente por medio de. las condiciones de polarizaci6n de ed, condiciones que no cambian solo porque la magnitud de la sefial aplicada de ca se haya modificado. Es particularmente interesante que para las frecuencias en el intervalo de los valores bajos a los medios (normalmente <100 kHz):Impedancia de salida, Z. La impedancia de salida se define en forma natural para el conjunto de salida de las terminales, pero la manera en Ja cual se define es bastante diferente de la correspondiente a la impedancia de entrada, Es decir, En la figura 7.10, por ejemplo, 1a sefial aplicada se ha establecido a cero voltios. Para determinar Z., se aplica una sefial, V., a las terminales de salida, y el nivel de Yo se mide con un osciloscopio o DMM sensible. La impedancia de salida se determina entonces de la siguiente manera: Io = (V~Vo) / Recor a Sistema de dos puertos Figura 7.10 Deteminacién de Z,onfiguracién de colector cominin 31/0CT/2022 Aochist en Cp, Analisis en C.A. ¥ Dabs : i van Yeo = 22V a), CG 4) i. Soka b) Enontiar el pots d Ree 8.eko (Lea, Lea, Veta 5 ets 2 -O8KX cle Me) aT ie ee de T= Uy NPN Aealig, 9) Bi Conkia emnigar-comia fa & OR Wlodvaiiin por visor cb vale oe hs ee eof Et We 7 anSc Hep ie treae | Tus al] xe () y Para, aye on cot Riviere Coma carto-civaite pool la Srewencl oe Vi a (eerarminos potonyareh s KE Oth Calovlornla “ Aull = (h(n) (Scha)(8.289) 4 percuppg Ath LKV4G.2kKL cc Mle 2tsec ho 2 ans acum 40 410 Nile 4 =H()5)4 2(315.261991.2) (4ki\2) Ge er yf Neg Orr yF > Co» G2za5u yf | Caz Ca\ olan in We tele eVMm) GPRM) 4 argaegh a Ath OKA tt ska Hellh 4.22894 Sho es ee = 422. 8945600 10 5 : c C= AEG) * Gata) sasea) 270004 C, 2 4.295009 Nf —> C. >> 4.245084 Nt) Colevlangy Cy He fe = 1.5K Kh Re- the 2 450.0. —— 4... a.oetoar ut ™« (ixt) (1600) ‘ Cs > 1.061032 yf — 03» s.t032yf ) Ge¥ Datos : Nee = 22V Ar = Soka 2 ez B.zka Au Ae 20-8 te 4.5KR = % Si =1KW2 h.=2.5ka Ahosli’S em CD. 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Lilt) T- te (Re) At Pre ile WN ec A Th (82) Gat | i L Ae PA - &B Th AetRe tL \ [1.\_ Ie EOE Phe \ Fae) Get Ret Ae ) Rye L2ts2cake} (90)( 6.8 [9.15244ak.2t(9) (49. Gasxa)[C.okats5nn) Mi 9. 4010 |NOTA: Tabs Yes caidos covbrives Leoron walizadks sth cansi cera T Venp oncia de salida Sh dipastin (Ye). Rca que 1 cist tar aienaca ene Nest posrvel eos Gn Co a Kemah Vt woghc: r (> 1.0 (fc) ] Yo= a = SKA \\ee = Tmpedancxa ce Salida on emisac - Comin, ~ R] 2ee 24> Nopectancia fa] R= Aesishada La Sl, Reorlnca fa “he su ver: y: ck Nitec 3) etl tal tf IN yf 8 a At)xX Go i(ete) Fe Qt yBb > Gonccltaccs fs} oh Ge bite 7} ee) PS corbna li- AY] Pe = (3.a52c4akat (40) (29.428i6.) i= 4.412931 %2 J bo Re(fie= (6-ka)( sors) Soko} s.apsushal | 9.15264k.2) (a9) (49.685%6.) GRK2 t HOR —— eof) “eo (4) a Ns Ee ~ (ath) O%) fe lel S.985925K.0 (1.5K0 (S.9889iska+ 1.sns) (44.6s16K0) hve -o.982449] ce te (Mlk) o% (Rell) + Qe te E (Reivo) to- PR) 2 + Pr fe. $0.) 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