NOMBRE DE ASIGNATURA : ELECTRONICA 1

SEMANA :4
Nombre del estudiante : Carlos Poblete Soto

Fecha de entrega : 24/04/23

Carrera : automatización y control

DESARROLLO
1. En primer lugar, durante el proceso de fabricación de los transistores en una oblea de
silicio hubo un problema de identificación, por lo cual se ha tomado una muestra de la
sección transversal de un transistor, para lo cual se te pide puedas identificar el tipo de
transistor construido y sus diferentes partes, como se muestra en la figura 1.

Tipo de .transistor: mosfet .

2 A fin de probar la calidad de los transistores fabricados, se te pide puedas calcular los valores
de ID, VGS, VDS, VS, VG y VD de un circuito de polarización fija para transistor FET. ¿Cuál dirías
que es la principal diferencia operativa en este tipo de polarización, respecto a la polarización
por división de tensión?
 Figura 2. Polarización fija de un transistor FET
.
Respuesta:
Paso 1 se obtiene la corriente de drenador ID
ID=IDSS/2
ID=12/2= 6mA

Paso 2 teniendo la ID se obtiene voltaje puerta fuente VGS:

VGS= -ID*RS=
VG= (-6mA) (4K) = -24V

Paso 3 se usa la alimentación del circuito (VDD) para hallar la VDS:

VDS=VDD-ID(RS+RD)
VDS= 12V-(6mA) (4KᲲ+10KᲲ)
VDS= - 72V

Paso 4
VS=RS*ID
VS= 4KᲲ* 6mA= 24

Paso 5
VG=0V
Paso 6 se calcula VD sumando los valores obtenidos de VDS y VS:
VD=VDS+VS
VD= -72V+24V
VD= -48

3 Finalmente, se te consulta cuál es la principal diferencia entre un transistor MOSFET de

empobrecimiento respecto a uno de enriquecimiento, considerando lo relativo al tipo de
sustrato sobre el que se fabrica (tipo N o P).

Respuesta:

MOSFET de empobrecimiento, también denominado MOSFET de depleción, se compone

de una pieza de materia tipo n con una zona tipo p a la derecha y una puerta aislada a la
izquierda, la zona tipo p se denomina sustrato (o cuerpo), los electrones que circulan
desde la fuente hacia el drenador deben pasar por el estrecho canal entre la puerta y la
zona p.
El MOSFET de enriquecimiento, esta normalmente en corte cuando la puerta está en
cero, la única manera de obtener corriente es mediante una tensión de puerta positiva,
cuando la puerta es positiva atrae electrones libres dentro de la región tipo p y esto se
recomienda en los huecos cercanos al dióxido de silicio, cuando la tensión de la puerta es
lo suficientemente positiva, todos los huecos próximos al de silicio desaparecen y los
electrones libres empiezan a circular desde la fuente hacia el drenador, esta capa
conductora se denomina capa de inversión tipo n, cuando existen los electrones libres
pueden circular desde la fuente hacia el drenador. La VGS mínima que crea la capa de
inversión de tipo n se llama de tensión umbral, simbolizada por VGS. Cuando VGS es
menor la corriente de drenador es nula, pero cuando es mayor una capa tipo n se conecta
a la fuente del drenador, el MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su
conductividad mejora cuando la tensión de puerta es mayor que la tensión del umbral,
los dispositivos de enriquecimiento están normalmente en corte cuando la tensión de
puerta es cero.
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
IACC electrónica 1 semana 4 transistores de efecto de campo FET

Las referencias deben ser presentadas de acuerdo con las Normas APA, incluyendo información que
permita ubicar de forma inmediata la fuente utilizada.
Recuerda que siempre debes incluir el texto de lectura relacionado con la semana a evaluar.

Ejemplo texto de lectura de IACC:

IACC. (2021). Habilidades para el aprendizaje en la modalidad online. Desarrollo de Habilidades para el
Aprendizaje. Semana 1

Ejemplo referencia: libro

Wagensberg, J. (2017). Teoría de la creatividad: eclosión, gloria y miseria de las ideas. 1.ª edición:

Barcelona, España: Tusquets editores.

Ejemplo referencia: capítulo de libro

Navas, A. (2015). “Educación en un nuevo entorno”. En: L. Castellón, A. Guillier y M. J. Labrador

(2015). Comunicación, redes y poder. Santiago de Chile: RIL editores.

Ejemplo referencia: artículo de revista académica

Lagos, C. (2012). El mapudungún en Santiago de Chile: vitalidad y representaciones sociales en los

mapuches urbanos. Revista de Lingüística Teórica y Aplicada, 50(1), pp. 161-190.

Universidad de Concepción. DOI: http://dx.doi.org/10.4067/S0718-48832012000100008

Ejemplo de referencia: artículo en sitio web

Ministerio del Medio Ambiente (MMA). (s. f.). Planes de recuperación, conservación y gestión de

especies. Recuperado de: http://portal.mma.gob.cl/biodiversidad/planes-de-recuperacion-

conservacion-y-gestion-de-especies/

Ejemplo de referencia: ley o decreto

Ley 19300 (2016). Aprueba Ley sobre Bases Generales del Medio Ambiente. Publicada en el Diario

Oficial el 9 de marzo de 1994. Ministerio Secretaría General de la Presidencia. Recuperado

de: https://www.leychile.cl/Navegar?idNorma=30667