S.E.P.

S.N.E.S.T.

D.G.E.S.T.

INSTITUTO TECNOLGICO DEL ISTMO

MATERIA: Estructura de Datos CATEDRATICO: Ing. Jorge Maranto Iglecias ALUMNOS: TEMAS: ESPECIALIDAD: Ing. En sistemas Computacionales GRUPO: 3X

HEROICA CIUDAD DE JUCHITAN DE ZARAGOZA, OAXACA, A 26 DE AGOSTO DE 2011.

LA MEMORIA RAM La memoria principal o RAM (Random Access Memory, Memoria de Acceso Aleatorio) es donde el computador guarda los datos que est utilizando en el momento presente. El almacenamiento es considerado temporal por que los datos y programas permanecen en ella mientras que la computadora este encendida o no sea reiniciada. Se le llama RAM por que es posible acceder a cualquier ubicacin de ella aleatoria y rpidamente. Fsicamente, estn constituidas por un conjunto de chips o mdulos de chips normalmente conectados a la tarjeta madre. Los chips de memoria son rectngulos negros que suelen ir soldados en grupos a unas plaquitas con "pines" o contactos:

La diferencia entre la RAM y otros tipos de memoria de almacenamiento, como los disquetes o los discos duros, es que la RAM es mucho ms rpida, y que se borra al apagar el computador, no como los Disquetes o discos duros en donde la informacin permanece grabada. USO POR EL SISTEMA Se utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan "de acceso aleatorio" porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible. NOMENCLATURA La expresin memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los mdulos de memoria que se usan en los computadores personales y servidores. En el sentido estricto, los mdulos de memoria contienen un tipo, entre varios de memoria de acceso aleatorio, ya que las ROM, memorias Flash, cach (SRAM), los registros en procesadores y otras unidades de procesamiento tambin poseen la cualidad de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posicin. Los mdulos de RAM son la presentacin comercial de este tipo de memoria, que se compone de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso, en otros dispositivos como las consolas de videojuegos, esa misma memoria va soldada sobre la placa principal.

Su capacidad se mide en bytes, y dada su naturaleza siempre binaria, sus mltiplos sern representados en mltiplos binarios tales como Kilobyte, Megabyte, Gigabyte, Terabyte ... y as sucesivamente.

RELACION CON EL RESTO DEL SISTEMA Dentro de la jerarqua de memoria la RAM se encuentra en un nivel despus de los registros del procesador y de las cachs. Es una memoria relativamente rpida y de una capacidad media: sobre el ao 2010), era fcil encontrar memorias con velocidades de ms de 1 Ghz, y capacidades de hasta 8 GB por mdulo, llegando a verse memorias pasando la barrera de los 3 Ghz por esa misma fecha mediante prcticas de overclock extremo. La memoria RAM contenida en los mdulos, se conecta a un controlador de memoria que se encarga de gestionar las seales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Algunas seales son las mismas que se utilizan para utilizar cualquier memoria: Direcciones de las posiciones, datos almacenados y seales de control. El controlador de memoria debe ser diseado basndose en una tecnologa de memoria, por lo general soporta solo una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores soportan dos tecnologas (por ejemplo SDR y DDR o DDR1 y DDR2), esto sucede en las pocas transitorias de una nueva tecnologa de RAM. Los controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o "Puente Norte" de la placa base; o en su defecto, dentro del mismo procesador (en el caso de los procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core i7) y posteriores; y son los encargados de manejar la mayora de informacin que entra y sale del procesador. Las seales bsicas en el mdulo estn divididas en dos buses y un conjunto miscelneo de lneas de control y alimentacin. Entre todas forman el bus de memoria:

Bus de datos: Son las lneas que llevan informacin entre los integrados y el controlador. Por lo general estn agrupados en octetos siendo de 8,16,32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos de modulo, no tenan un ancho de bus igual al del procesador.En ese caso haba que montar mdulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 mdulos, para completar lo que se denominaba banco de memoria, de otro modo el sistema no funciona. Esa es la principal razn de haber aumentar el nmero de pines en los mdulos, igualando el ancho de bus de procesadores como el Pentium de 64 bits a principios de los 90.

Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del sistema, ya que est multiplexado de manera que la direccin se enva en dos etapas.Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las lneas de control. En cada estndar de mdulo se establece un tamao mximo en bits de este bus, estableciendo un lmite terico de la capacidad mxima por mdulo.

Seales miscelneas: Entre las que estn las de la alimentacin (Vdd, Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Estn las lneas de comunicacin para el integrado depresencia que da informacin clave acerca del mdulo. Tambin estn las lneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS (row address strobe) y CAS (column address strobe) que controlan el bus de direcciones y las seales de reloj en las memorias sincrnicas SDRAM.

Entre las caractersticas sobresalientes del controlador de memoria, est la capacidad de manejar la tecnologa de canal doble (Dual Channel), tres canales, o incluso cuatro para los procesadores venideros; donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits. Aunque el ancho del bus de datos del procesador sigue siendo de 64 bits, el controlador de memoria puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el procesador. La mejora en el desempeo es variable y depende de la configuracin y uso del equipo. Esta caracterstica ha promovido la modificacin de los controladores de memoria, resultando en la aparicin de nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zcalos de procesador en los AMD (el 939 con canal doble , reemplazo el 754 de canal sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados en chipsets o zcalos que soportan doble canal o superior.

TIPOS DE RAM Hay dos tipos bsicos de RAM:

SRAM (Static RAM), RAM esttica DRAM (Dynamic RAM), RAM dinmica

Los dos tipos difieren en la tecnologa que usan para almacenar los datos. La RAM dinmica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras que la RAM esttica no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace ms rpida, pero tambin ms cara que la RAM dinmica. Ambos tipos son voltiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconecta la alimentacin. En el lenguaje comn, el trmino RAM es sinnimo de memoria principal, la memoria disponible para programas. En contraste, ROM (Read Only Memory) se refiere a la memoria especial generalmente usada para almacenar programas que realizan tareas de arranque de la

mquina y de diagnsticos. La mayora de los computadores personales tienen una pequea cantidad de ROM (algunos Kbytes). De hecho, ambos tipos de memoria (ROM y RAM )permiten acceso aleatorio. Sin embargo, para ser precisos, hay que referirse a la memoria RAM como memoria de lectura y escritura, y a la memoria ROM como memoria de solo lectura. Se habla de RAM como memoria voltil, mientras que ROM es memoria no-voltil. La mayora de los computadores personales contienen una pequea cantidad de ROM que almacena programas crticos tales como aquellos que permiten arrancar la mquina (BIOS CMOS). Adems, las ROMs son usadas de forma generalizada en calculadoras y dispositivos perifricos tales como impresoras laser, cuyas 'fonts' estan almacenadas en ROMs.

SRAM

Siglas de Static Random Access Memory, es un tipo de memoria que es ms rpida y fiable que la ms comn DRAM (Dynamic RAM). El trmino esttica viene derivado del hecho que necesita ser refrescada menos veces que la RAM dinmica. Los chips de RAM esttica tienen tiempos de acceso del orden de 10 a 30 nanosegundos, mientras que las RAM dinmicas estn por encima de 30, y las memorias bipolares y ECL se encuentran por debajo de 10 nanosegundos. basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles, es decir que pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin elctrica. Un bit de RAM esttica se construye con un --- como circuito flip-flop que permite que la corriente fluya de un lado a otro basndose en cual de los dostransistores es activado. Las RAM estticas no precisan de circuiteria de refresco como sucede con las RAMs dinmicas, pero precisan ms espacio y usan mas energa. La SRAM, debido a su alta velocidad, es usada como memoria cach. La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo (especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales. DISEO SRAM Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden, independientemente de cual fuera la ltima posicin de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit. 1 2 3 Esto es utilizado

para implementar ms de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de memoria de video. Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de esta, reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms celdas en una misma oblea de silicio. Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los casos de tres transistores4 5 o uno solo se estara hablando de memoria DRAM, no SRAM. El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para mejorar los margenes de ruido. A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a un capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha seal, mientras que la estructura simtrica permite detectar pequeas variaciones de voltaje con mayor precisin. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de direccin al mismo tiempo. El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de datos es 2m palabras, o 2m n bits.

A six-transistor CMOS SRAM cell.

MODOS DE OPERACION DE UNA SRAM Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el cual el circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos son ledos desde la memoria, ywriting o en fase de escritura, durante el cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.

Reposo Si bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M5 y M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por M 1 M4 mantendrn los datos almacenados, en tanto dure la alimentacin elctrica.

Lectura Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego activa WL y los transistores de control. A continuacin, los valores almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y ajustando BL a travs de M1 y M5 al 0 lgico. En el caso que el dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL ser ajustado a 1 y BL a 0.

Escritura El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus WL, y el dato queda almacenado.

DRAM

Siglas de Dynamic RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdera su contenido. Generalmente usa un transistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. Las dos principales variaciones de RAM (dinmica y esttica) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentacin. Contrasta con la RAM esttica. Se denomina dinmica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todava funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin elctrica, la memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad.

FUNCIONAMIENTO DRAM La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construccin de la celda define el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador. Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando reas que son visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las lneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las lneas verticales conectadas a los canales de los FET son las columnas. Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits, pero en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se envan por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por el mismo entra la direccin de la fila y despus la de la columna. Las direcciones se diferencian por medio de seales de sincronizacin llamadas RAS (del ingls Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la direccin. Los pasos principales para una lectura son:

Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lgico. Esto es posible ya que las lneas se comportan como grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor ms alto que la de los condensadores en las celdas.

Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la direccin y la seal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan y permitiendo la conexin electrica entre las lneas de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna. El cambio es pequeo, ya que la lnea de columna es un condensador ms grande que el de la celda.

El cambio es medido y amplificado por una seccin que contiene circuitos de realimentacin positiva: si el valor a medir es menor que el la mitad del voltaje de 1 lgico, la salida ser un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.

La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la segunda parte de la direccin, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede con la seal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.

La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada a un valor indicado por la lnea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado con una lnea gruesa en el grfico.

MDULOS DE MEMORIA RAM Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La implementacinDRAM se basa en una topologa de Circuito elctrico que permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores, logrando integrados de decenas o cientos de Megabits. Adems de DRAM, los mdulos poseen un integrado que permiten la identificacin de los mismos ante el computador por medio del protocolo de comunicacin SPD.

La conexin con los dems componentes se realiza por medio de un rea de pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el modulo al ser instalado en un zcalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto elctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentacin. Los primeros mdulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario, es decir no haba un estndar entre distintas marcas. Otros mdulos propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa RAMBUS. La necesidad de hacer intercambiable los mdulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes condujo al establecimiento de estndares de la industria como los JEDEC. Mdulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenan un bus de datos de 16 o 32 bits Mdulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan por tener un bus de datos de 64 bits. Mdulos SO-DIMM: Usado en computadores porttiles. Formato miniaturizado de DIMM. LA CACH En informtica, la cach de CPU, es una cach1 (/k/ o /ka/) usada por la unidad central de procesamiento de una computadora para reducir el tiempo de acceso a la memoria. La cach es una memoria ms pequea y rpida, la cual almacena copias de datos ubicados en la memoria principal que se utilizan con ms frecuencia. Es un conjunto de datos duplicados de otros originales, con la propiedad de que los datos originales son costosos de acceder, normalmente en tiempo, respecto a la copia en la cach. Cuando se accede por primera vez a un dato, se hace una copia en el cach; los accesos siguientes se realizan a dicha copia, haciendo que el tiempo de acceso medio al dato sea menor. Cuando el procesador necesita leer o escribir en una ubicacin en memoria principal, primero verifica si una copia de los datos est en la cach. Si es as, el procesador de inmediato lee o escribe en la memoria cach, que es mucho ms rpido que de la lectura o la escritura a la memoria principal.

Diagrama de una memoria cach de CPU.

NOMBRE La palabra procede de la voz inglesa cache (/k/; escondite secreto para guardar mercancas, habitualmente de contrabando) y esta a su vez de la francesa cache, (/ka/; escondrijo o escondite). A menudo, en espaol se escribe con tilde sobre la e del mismo modo como el que se vena escribiendo con anterioridad al neologismo la palabra cach (distincin o elegancia o cotizacin de un artista), proveniente de un timo tambin francs, pero totalmente distinto: cachet, (/ka'/; sello o salario). La Real Academia Espaola slo reconoce la palabra con tilde,1aunque en la literatura especializada en Arquitectura de Computadoras (como, entre otros, las traducciones de los libros de Andrew S. Tanenbaum, John L. Hennessy y David A. Patterson) se emplea siempre la palabra sin tilde (aunque debera, adems, escribirse en cursiva). MEMORIA CACH O RAM CACH Un cach es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un rea reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de cach frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria cach y cach de disco. Una memoria cach, llamada tambin a veces almacenamiento cach o RAM cach, es una parte de memoria RAM esttica de alta velocidad (SRAM) ms que la lenta y barata RAM dinmica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria cach es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta informacin en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM. Cuando se encuentra un dato en la cach, se dice que se ha producido un acierto, siendo un cach juzgado por su tasa de aciertos (hit rate). Los sistemas de memoria cach usan una tecnologa conocida por cach inteligente en la cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qu informacin debe de ser puesta en el cach constituyen uno de los problemas ms interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias cach estn construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una cach L2 de 512 Kilobytes. La cach de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria cach, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos ms recientes del disco duro a los que se ha accedido (as como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la cach del disco para ver si los datos ya estn ah. La cach de disco puede mejorar drsticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces ms rpido que acceder a un byte del disco duro.

COMPOSICIN INTERNA La memoria cach est estructurada, una cach L2 de 512 KiB se distribuye en 16.384 filas y 63 columnas llamado Tag RAM, que indica a qu porcin de la RAM se halla asociada cada lnea de cach, es decir, traduce una direccin de RAM en una lnea de cach concreta. DISEO En el diseo de la memoria cach se deben considerar varios factores que influyen directamente en el rendimiento de la memoria y por lo tanto en su objetivo de aumentar la velocidad de respuesta de la jerarqua de memoria. Estos factores son las polticas de ubicacin, extraccin, reemplazo, escritura y el tamao de la cach y de sus bloques.