Dispositivos Electrónicos

AÑO: 2010

TEMA 3: CONCEPTOS BÁSICOS DE SECONDUCORES

Rafael de Jesús Navas González

Fernando Vidal Verdú
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TEMA 3: CONCEPTOS BÁSICOS DE SEMICONDUCTORES

3.1. Estructura de los sólidos

3.1.1 Sólidos Cristalinos: Estructura cristalina.

3.1.2 Conductividad en cristales. Electrones de valencia y electrónies libres. Bandas de Energía.

3.1.3 Conductores, Semiconductores y Aislantes: Caracterización en términos de la Teoría de bandas de Energía

3.2. Cristales Semiconductores

3.2.1 Modelo de enlace covalente.

3.2.2 Portadores de carga: electrones y hueco: Generación-Recombinación

3.2.3 Semiconductor intrínseco. Ley de acción de masas.

3.3. Movimiento de portadores en semiconductores.

3.3.1 Conducción por huecos.

3.3.2 Corrientes de arrastre y corrientes de difusión

3.4. Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.

3.4.1 Semiconductor extrínseco. Semiconductores de tipos P y N.

3.4.2 Ecuación de neutralidad de carga. Concentración de portadores en semiconductores extrínsecos.

3.4.3 Variación con la Temperatura de la concentración de portadores

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TEMA 3: CONCEPTOS BÁSICOS DE SEMICONDUCTORES

OBJETIVOS:

Al estudiar este tema el alumno debe ser capaz de:

• Explicar en base a la teoría de bandas y de forma cualitativa por qué existen materiales
conductores, aislates y semiconductores.
• Identificar los dos tipos de portadores de carga que se encuentran en los materiales
semiconductores, cómo se generan y cómo contrubuyen a la conducción en estos materiales.
• Explicar de forma cualitativa los diferentes mecanismos de conducción en semiconductores:
corrientes de arrastre y corrientes de difusión.
• Explicar qué son los semiconductores intrínsecos y los semiconductores extínsecos.
• Explicar qué son y cómo se obtienen los semiconductores extrinsecos de tipo N y de tipo P.

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LECTURAS COMPLEMENTARIAS

•• Navas González R. y Vidal Verdú F. "Curso de Dispositivos Electrónicos en Informática y Problemas

de Examen Resueltos" Universidad de Málaga/ Manual 70, 2006. Tema 3: pag.105-125.

•• Alados I., Liger E. y Peula J.M. "Curso de Fundamentos Físicos de la Informática" Universidad de
Málaga/Manual 76, 2006. Unidad 4: pag. 151-183 y Unidad 5: pag. 197-235.

•• Fernández Ramos, J. y otros, "Dispositivos Electrónicos para Estudiantes de Informática"

Universidad de Málaga / Manuales 2002. Tema 3: pag. 43- 58.

•• Pollán Santamaría, Tomás, "Electrónica Digital I. Sistemas Combinacionales", Prensas

Universitarias de Zaragoza 2003. TEMA T1: pag. 235-241.

•• Malik, N.R.,"Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño", Editorial Prentice-Hall 1996.

Tema: 3: pag. 127-146.

•• Boylestad R. and Nashelsky L. "Electronics Devices and Circuit Theory" Ed. Prentice-Hall. 1996.
Tema 1: pag. 3-10.

•• http://jas.eng.buffalo.edu/education/index.html

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ESTRUCTURA DE LOS SÓLIDOS

CRISTALES Y ESTRUCTURA CRISTALINA

ESTRUCTURA CRISTALINA
DIAMANTE (C) CRISTALES DE HIELO

electrones de valencia, ligados a los enlaces

PIRITA (FeS2) ORO (Au)

OBLEA DE SILICIO

SILICIO CRISATALINO

electrones libres, capaces de generar corriente

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ESTRUCTURA DE LOS SÓLIDOS

ESTRUCTURA CRISTALINA BANDAS DE ENERGÍA

Evacio
electrones de valencia

ENERGÍA
Bandas de energía

Niveles discretos

Átomos

DISTRIBUCIÓN ESPACIAL DE ATOMOS

CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES Y AISLANTES

electrones libres, capaces de generar corriente

AISLANTE SEMICONDUCTOR CONDUCTOR

Banda de conducción
Banda de conducción
Energía Banda de conducción

Energía

Energía
Eg > 5eV Eg

Banda de valencia
electrones libres Banda de valencia Banda de valencia
Las bandas se solapan
Eg = 1.1 eV (Si)
Eg = 0.67 eV (Ge)
Eg = 1.41 eV (GaAs)
electrones de valencia, ligados a los enlaces
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CRISTALES SEMICONDUCTORES
MODELO DE ENLACE COVALENTE
+4 +4 +4

+4 +4 +4

PORTADORES DE CARGA: ELECTRONES Y HUECOS +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4

SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
Generación de un par e--h+ n ≅ p ≅ ni ( T )
+4 +4 +4 +4 Ej: SILICIO PURO
10 –3
n i ≅ 10 cm T (25ºC)

+4 +4 +4 +4
LEY DE ACCIÓN DE MASAS
Recombinación de un par e--h+
2
n ⋅ p = ni ( T )
+4 +4 +4 +4

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MOVIMIENTO DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

CORRIENTE DE HUECOS CORRIENTE TOTAL

Flujo de Corriente Flujo de Corriente

1 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4
2 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4
+4 +4 +4 +4
3

CORRIENTE DE ELECTRONES LIBRES

E + CORRIENTE DE HUECOS
campo eléctrico
CORRIENTE TOTAL

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MOVIMIENTO DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

CORRIENTE DE ARRASTRE
2
E E=0 5
campo eléctrico z 1

+ V _ 0 y
8
7
4
I
s ρ
Velocidad media nula r
3 6
.
< r >=0
l
x

2
E=0 5
z 1
2’
5’
0 y
8 1’
Velocidad media 4 7
proporcional r 0’
3 6
al campo eléctrico 8’
.
< r >=μ E
r’ 4’ 7’

x 3’
μ movilidad del portador 6’

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MOVIMIENTO DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
DENSISDAD DE CORRIENTE DE ARRASTRE
Velocidad media proporcional al campo eléctrico μ (T) movilidad del portador de carga
E
campo eléctrico
〈 r·〉 = μ ⋅ E V
〈 r·〉 = μ ⋅ ---
Módulo campo eléctrico
l

+ V _ E = V
---
l Módulo de la velocidad
Carga contenida en el elemento de volumen

I
s ρ ΔQ = qρSl l
〈 r·〉 = -----
Δt
l Intensidad de corriente proporcional a la diferencia de potencial

I = ΔQ qρSl- = qρμ S--- V

-------- = ----------- I =
S
σ --- V
Δt l
-----------
l l
V Conductividad del material
μ ⋅ --- σ = qρμ
l
Resistencia del material
1l
Intensidad de corriente por unidad de área es la densidad de corriente J R = --- --- V = RI
S σS
S σ --- V Ley de Ohm

I = σ --- V I l V
--- = ----------- = σ --- = J
l S S l
Densidad de corriente proporcional al campo eléctrico
J = σE
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MOVIMIENTO DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

CORRIENTE DE DIFUSIÓN Inyector de portadores

S S S S

flujo de portadores distribución uniforme flujo de portadores flujo de portadores

ρ(x) ρ(x) ρ(x) ρ(x)
Δρ Δρ
Δx Δx
x x x x
La corriente de difusión se anula al alcanzarse La corriente de difusión es mantenida
una distribución uniforme de portadores por la inyección de portadores

La corriente de difusión
es proporcional al gradiente de portadores

∂ρ
I D = q SD
∂x

ρ(x) es la concentración Constante de difusión: depende

de portadores por unidad de volumen del material y la temperatura

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MOVIMIENTO DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
COMPONENTES DE LA CORRIENTE TOTAL EN UN SEMICONDUCTOR

E
campo eléctrico
CORRIENTE DE ARRASTRE + CORRIENTE DE DIFUSIÓN
n(x) p(x) CORRIENTE DE HUECOS + CORRIENTE DE ELECTRONES LIBRES

x
DISTRIBUCIÓN DE PORTADORES
CORRIENTE DE ARRASTRE DE HUECOS Jp = σp E

CORRIENTE DE ARRASTRE DE ELECTRONES J n = σn E

+4 +4 +4 +4
∂p
CORRIENTE DE DIFUSIÓN DE HUECOS Jp = –q Dp
∂x

CORRIENTE DE DIFUSIÓN DE ELECTRONES ∂n

+4 +4 +4 +4 Jn = qD n
∂x +
∂p ∂n
+4 +4 +4 +4 CORRIENTE TOTAL J = σ p E + σ n E – q D p + qD n
∂x ∂x

+4 +4 +4 +4 ∂n
Jn = σn E + q Dn
∂x
J = Jp + Jn
∂p
Flujo de Corriente Jp = σp E –q Dp
∂x
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SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECOS

MATERIAL DE TIPO n MATERIAL DE TIPO p

X Se introducen impurezas donadoras X Se introducen impurezas aceptoras

+5 +3

+4 +4 +5 +4 +4 +4 +3 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +5 +4 +4 +4 +3 +4 +4

+4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +3

X Se aumenta la concentración de electrones libres X Se aumenta la concentración de huecos

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SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECOS
2
Ecuación de Neutralidad de la carga n + NA = p + ND X Ley de Acción de Masas n ⋅ p = n i ( T )

Semiconductor Intrínseco Semiconductor Extrínseco tipo n Semiconductor Extrínseco tipo p

n ≅ p ≅ ni ( T ) NA ≅ ND NA « ND ni « ND ND « NA ni « NA

+3

+4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +3 +4

Generación de un par e--h+

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +3 +4 +4

Recombinación de un par e--h+

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +3

n = p + N D ⎫⎪ p = n + N A ⎫⎪
2 2
2 ⎬ n – ND n – ni = 0 2 ⎬ p – ND p – ni = 0
n ⋅ p = ni ⎪ n ⋅ p = ni ⎪
⎭ ⎭
2 2 2 2
N D + N D + 4n i N A + N A + 4n i
n = ------------------------------------------ ≅ N D p = ---------------------------------------- ≅ N A
2 2
Ej: Típicamente n ≅ ND Ej: Típicamente p ≅ NA
10 –3 10 –3 2
n i ≅ 10 cm T (25ºC) ni
2 n i ≅ 10 cm T (25ºC) ni
14 –3 p ≅ ------- 14 –3 n ≅ -------
N D ≅ 10 cm T (25ºC) ND N A ≅ 10 cm T (25ºC) NA

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SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y EXTRÍNSECOS

VARIACIÓN CON LA TEMPERATURA DE LA CONCENTRACIÓN DE PORTADORES

X Consideremos material de tipo n dopado con una concentración de impurezas Nd =1.0x10-15 (atm/cm3)

Región extrínseca (c) Región intrínseca ni(T)

Concentración de portadores, n(cm-3)

-15
4.0x10
n(T)
3.0x10-15

2.0x10-15 (b)
(a)
Rango de saturación
rango de operación útil
1.0x10-15

0 200 400 600 800 T(K)

X (a) Poca ionización de impurezas Baja concentración de portadores n
X (b) Todas las impurezas ionizadas Concentración de portadores n = Nd } Región extrínseca

X (c) Ionización de los átomos de Si Concentración de portadores n -> ni Región intrínseca

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Reconocimientos
• La foto "Rough diamond", en pag. 4 es una imagen de dominio público. Fuente: Wikimedia Commoms
• La foto "Ice crystals on glass", en pag. 4 es obra de James, bajo licencia Creative Commons Attribution 2.0 Generic. Fuente: Wikimedia
Commoms
• La foto "Pyrite-117964", en pag. 4 es obra de Rob Lavinsky, iRocks.com, bajo licencia Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0
Unported. Fuente: Wikimedia Commoms
• La foto "GoldNuggetUSGOV" en pag. 4 es una imagen de dominio público. Fuente: Wikimedia Commoms
• La foto "Oblea chips" en pag. 4 es obra de Paulmasters, bajo licencia Creative Commons Attribution 3.0 Unported. Fuente: Wikimedia
Commoms
• La foto "Single-crystal silicon boule" en pag. 4 es una imagen de dominio público. Fuente: Wikimedia Commoms
• La imagen "Diamond Cubic-F lattice animation" en pag. 4 es una imagen de dominio público. El dueño de los derechos autoriza su
utilización sin restricciones. Fuente: Wikimedia Commoms

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