Al sustituir el equivalente de circuito abierto dará como resultado la misma red de la figura anterior,

donde se encuentra que

VL = V = 8.7272 V
VR = Vi - VL = 16 V - 8.7272 V = 7.2728 V
IZ = 0 A
Y PZ = VZ IZ = VZ (0 A) = 0 W
Hasta aquí llege sábado 18/06
EJEMPLO: Para el circuito de diodo Zener determine VL, VR, IZ y PZ, con RL = 3 kΩ.

𝑅𝐿 𝑉𝑖
Aplicando la ecuación V= VL = . . . (1) resulta
𝑅+𝑅𝐿

(3𝐾Ω)(16𝑉) (3𝑥103 Ω)(16𝑉) (48000𝑉)

V= VL = = = = 12V
1𝐾Ω+3𝐾Ω (1𝑥103 Ω)+(3𝑥103 Ω) 4000Ω
 𝑅𝐿 𝑉𝑖
Aplicando la ecuación V= VL = 𝑅+𝑅𝐿
. . . (1) resulta
(3𝐾Ω)(16𝑉) (3𝑥103 Ω)(16𝑉) (48000𝑉)
V= VL = = = = 12V
1𝐾Ω+3𝐾Ω 1𝑥103 Ω+3𝑥103 Ω 4000Ω

Dado que V = 12V es mayor que VZ = 10 V, el diodo está en el estado “encendido” y resultará el circuitos
de la figura siguiente:

.
Aplicando VL = VZ . . . (2), ahora resultará
VL = VZ = 10 V
y VR = Vi - VL = 16 V - 10V = 6 V
𝑉𝐿 10𝑉 10𝑉
Con IL = = 3𝐾Ω= = 3.3333𝑥10−3 𝐴 = 3.3333𝑚𝐴
𝑅𝐿 3𝑥103
𝑉𝑅 6𝑉 6𝑉
e IR = = 1𝑘Ω = 1𝑥103 = 6𝑥10−3 𝐴 = 6𝑚𝐴
𝑅

Así que IZ = IR – IL . . . (3)

IZ = 6 mA – 3.3333 mA= 2.6667 mA
Potencia Disipada PZ = VZ IZ = (10V) (2.6667 mA) = 0.0266 W = 26.667𝑥10−3 𝑊 = 26.667𝑚𝑊
lo cual es menor que la especificación PZM = 30 mW.
Vi fija, RL variable
Debido al voltaje VZ, existe un rango específico de valores de resistencia (y por tanto de corriente de
carga) que asegurará que el Zener se encuentre en el estado “encendido”.
Una resistencia de carga RL demasiado pequeña ocasionará un voltaje VL a través de la resistencia de
carga menor que VZ, y el dispositivo Zener estará en el estado “apagado”.

Para determinar la resistencia mínima de carga del circuito de la figura que encenderá el diodo Zener,
simplemente se calcula el valor de RL que ocasionará un voltaje de carga VL = VZ.
𝑅𝐿 𝑉𝑖
Esto es: VL= VZ = despejando para
𝑅𝐿 +𝑅
𝑅𝑉𝑍
RL se tiene: RLmin = . . . (5)
𝑉𝑖 −𝑉𝑍

Cualquier valor de resistencia de carga mayor que RL obtenido de la

ecuación (5) asegurará que el diodo Zener se encuentre en el estado
“encendido” y que el diodo se pueda reemplazar por su fuente VZ
equivalente.
La condición definida por la ecuación (5) establece la RL mínima pero
a cambio especifica la IL máxima como
 𝑉 𝑉𝑍
ILmax=𝑅𝐿 = 𝑅 ... 6
𝐿 𝐿𝑚𝑖𝑛

Una vez que el diodo se encuentra en el estado “encendido”, el voltaje a través de R permanece fijo en
VR = Vi - VZ . . . (7)
e IR permanece fijo en
𝑉𝑅
IR = . . . (8)
𝑅

La corriente Zener
. IZ = IR – IL . . .(9)
dando como resultado un IZ mínimo cuando IL es un máximo y un IZ máximo cuando IL es un valor mínimo
dado que IR es constante.
Dado que IZ está limitado a IZM como se proporciona en la hoja de datos, afectará el rango de RL y por
tanto IL. Sustituyendo IZM por IZ se establece la IL mínima como
ILmín = IR – IZM . . .(10)
y la resistencia de carga máxima es
𝑉𝑍
RLmax = . . . (11)
𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛
EJEMPLO: Para el circuito de la figura siguiente

a) Determine el rango de RL y de IL que ocasionan que VRL se mantenga en 10 V.

b) Determine el valor nominal máximo de la potencia en watts del diodo.

𝑅𝑉𝑍
a) Para determinar el valor de RL que encenderá el diodo Zener, se aplica la ecuación: RLmin = . . . (5)
𝑉𝑖 −𝑉𝑍
(1𝑘Ω)(10𝑣) (1𝑥103 Ω)(10𝑣) 10000Ω𝑣
RLmin = = = = 250Ω
50𝑣 −10𝑣 50𝑣 −10𝑣 40𝑣

El voltaje a través de la resistencia R está entonces determinado por la ecuación: VR = Vi - VZ. . . (7)
VR = 50v -10v = 40v

𝑉𝑅
y la ecuación IR = . . . (8) proporciona la magnitud de IR:
𝑅
40𝑣 40𝑣
IR = = (1𝑥103Ω) = 0.04𝐴 = 40𝑚𝐴
1𝑘Ω
El nivel mínimo de IL está determinado entonces por la ecuación: ILmín = IR – IZM . . .(10)
ILmín = IR - IZM = 40 mA - 32 mA = 8 mA
𝑉𝐿 𝑉𝑍
El nivel máximo de IL está determinado entonces por la ecuación: ILmax= = ... 6
𝑅𝐿 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛

𝑉𝐿 𝑉𝑍 10𝑣
ILmax= = = = 0.04 A = 4 𝑥10−3 = 40𝑚𝐴
𝑅𝐿 𝑅𝐿𝑚𝑖𝑛 250Ω

𝑉𝑍
con la ecuación RLmax = . . . (11) se determina el valor máximo de RL:
𝐼𝐿𝑚𝑖𝑛

10𝑣 10𝑣
RLmax = = = 1250Ω = 1.25𝑥103 = 1.25𝑘Ω
8𝑚𝐴 8𝑥10−3 𝐴

Una gráfica de VL en función de RL aparece en la figura (a) y una para VL en función de IL en la figura (b)

b) Para el calculo de la potencia se emplea Pmáx = VZ IZM

Pmáx = (10v)(32mA) = (10v)(32𝑥10−3 ) = 0.32 𝑊 = 320 𝑥10−3 W = 320mW
RL fija y Vi variable
Para los valores fijos de RL en el siguiente circuito

el voltaje Vi debe ser suficientemente grande como para encender el diodo Zener. El voltaje mínimo de
encendido Vi = Vi mín se determina por:
𝑅𝐿 𝑉𝑖
VL = VZ = y
𝑅𝐿 +𝑅
(𝑅𝐿 +𝑅)𝑉𝑍
Vi mín= . . . (12)
𝑅𝐿

El valor máximo de Vi está limitado por la corriente Zener máxima IZM. Dado que IZM =IR – IL,
IRmax = IZM + IL . . .(13)
Dado que IL está fija en VZ /RL e IZM es el valor máximo de IZ, la Vi máxima se define por:
Vimax = IRmaxR + VZ . . . (14)
EJEMPLO: Determine el rango de valores de Vi que mantendrá el diodo Zener del circuito siguiente en el
estado “encendido”.

(𝑅𝐿 +𝑅)𝑉𝑍
Empleando Vi mín= . . . (12) se tiene
𝑅𝐿

(1.2𝑘Ω+220)(20𝑣) (1.2𝑥103 +220)(20𝑣) (1420Ω)(20𝑣) (28400Ω𝑣)

Vi mín= 1.2𝑘Ω
= 1.2𝑥103 Ω
= 1.2𝑥103 Ω
= 1.2𝑥103 Ω = 23.6666𝑉
𝑉 𝑉𝑍 20𝑉 20𝑉
Por Ley de Ohm IL = 𝑅𝐿 = 𝑅𝐿
= 1.2𝐾Ω = 1200Ω = 0.01666𝐴 = 16.6666𝑋10−3 𝐴 = 16.6666𝑚𝐴
𝐿

Empleando IRmax = IZM + IL . . .(13) , se tiene:

IRmax = 60mA + 16.6666mA = 76.6666mA
Empleando Vimax = IRmaxR + VZ . . . (14), se obtiene:
Vimax = (76.6666mA)(220Ω) + 20v = (76.6666𝑥10−3 A)(220Ω) + 20v = 16.8666v + 20v = 36.8666v
En la figura siguiente se proporciona una gráfica de VL en función de Vi.
TRANSISTORES - introducción
Durante el periodo de 1904 a 1947, el tubo al vacío o bulbo fue, sin duda, el dispositivo electrónico de
mayor interés y desarrollo.
El diodo de tubo al vacío fue presentado por J. A. Fleming en 1904.
Poco tiempo después, en 1906, Lee De Forest le añadió un tercer elemento al diodo al vacío, denominado
rejilla de control, con lo que se originó el primer amplificador; el triodo.
En los años siguientes, la radio y la televisión proporcionaron un gran estímulo a la industria de los
bulbos. La producción creció, de cerca de un millón de bulbos en 1922 hasta aproximadamente 100
millones en 1937. A principios de los años treinta los tubos al vacío de cuatro y cinco elementos (tetrodo
y pentodo, respectivamente) cobraron gran importancia en la industria de los bulbos.
En los años siguientes, la industria se convirtió en una de las más importantes y se lograron rápidos
avances en cuanto al diseño, a las técnicas de fabricación, a las aplicaciones de alta potencia y alta
frecuencia, y a la miniaturización

Sin embargo, el 23 de diciembre de 1947, la industria de la electrónica experimentó la llegada de un

campo completamente nuevo en el interés y en el desarrollo. Walter H. Brattain y John Bardeen
demostraron la acción de amplificación del primer transistor en los laboratorios Bell Telephone. El
transistor original fue un transistor de punto de contacto.
Las ventajas de este dispositivo de estado sólido de tres terminales sobre el bulbo se manifestaron de
inmediato:
 era más pequeño y ligero,
 no tenía requerimientos de calentamiento o disipación de calor,
 tenía una construcción resistente
 era más eficiente debido a que el mismo dispositivo absorbía menor potencia.
 Tenía una disponibilidad de uso inmediata ya que no requería de un periodo de calentamiento.
 Además se conseguían menores voltajes de operación.

Todos los dispositivos con tres o más terminales, se comportan como amplificadores, es decir, que so
dispositivos que incrementan el voltaje, la corriente o el nivel de potencia, y que tienen por lo menos
tres terminales, donde una de estas se encarga de controlar el flujo de corriente entre las otras dos
terminales.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de ya sea dos capas de material
tipo n y una capa tipo p, o bien de dos capas de material tipo p y una tipo n.
Al primero se le denomina transistor npn mientras que al segundo transistor pnp. Ambos se muestran en
la figura siguiente con la polarización de DC adecuada.

La polarización de DC es necesaria para establecer la región de operación adecuada para la amplificación

de AC.
La capa del emisor se encuentra fuertemente dopada, la de la base ligeramente dopada y la del colector
sólo muy poco dopada.
Este bajo nivel de dopado disminuye la conductividad (incrementa la resistencia) de este material al
limitar el número de portadores “libres”.
En la figura se indican las terminales mediante las literales E para el emisor, C para
el colector y B para la base.
La abreviatura BJT, de Transistor Bipolar de Unión (del inglés Bipolar Junction
Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales.
El término bipolar refleja el hecho de que tanto huecos como electrones participan
en el proceso de inyección hacia el material polarizado en forma opuesta.
Si sólo se utiliza un portador (electrón o hueco), se considera entonces un
dispositivo unipolar. El diodo Schottky, es uno de estos dispositivos.
OPERACIÓN DEL TRANSISTOR
Considerando al transistor ilustrado en la siguiente figura:
Se trata de un BJT tipo npn. Por ahora, llamaremos a sus terminales, 1, 2
y 3 de izquierda a derecha, respectivamente.

Las capas cuyas terminales son 1 y 2 integran un diodo de unión p-n,

mientras que la 2 y 3, de manera similar, forman otro diodo.

Pensemos que se les apliquen sendas fuentes de polarización a los diodos,

lo cual permite tener las siguientes posibilidades:
• Ambos diodos polarizados inversamente.
• Ambos diodos polarizados directamente.
• Diodo 1-2 en polarización inversa, diodo 2-3 en polarización directa.
• Diodo 1-2 en polarización directa, diodo 2-3 en polarización inversa.
AMBOS DIODOS POLARIZADOS INVERSAMENTE
En la figura siguiente se muestran ambos diodos del BJT polarizados
inversamente:
El resultado es que el diodo 1-2 se encuentra en estado de no conducción o
“apagado”, la corriente ID12 = 0 mA.
En el diodo 2-3 se presenta una situación similar. Se dice que el transistor
está en estado de corte.

AMBOS DIODOS POLARIZADOS DIRECTAMENTE

En la figura siguiente se muestran ambos diodos del BJT polarizados
directamente.
Se da el fenómeno de la conducción en ambos diodos por estar polarizados
directamente.
La corriente tiende a aumentar, limitada solamente por las características
del cristal y por la magnitud del voltaje de polarización.
Se dice que el transistor se encuentra en estado de saturación.
DIODO 1-2 EN POLARIZACIÓN INVERSA, DIODO 2-3 EN POLARIZACIÓN
DIRECTA
Si el diodo 1-2 está polarizado inversamente, actuará como corte o
“apagado”, no circulan las cargas eléctricas (I12 = 0 mA), mientras que en
el diodo 2-3 habrá una corriente eléctrica ID > 0, por estar polarizado
directamente.

DIODO 1-2 EN POLARIZACIÓN DIRECTA, DIODO 2-3 EN POLARIZACIÓN

INVERSA
Se espera que el diodo 1-2 esté en conducción (ID > 0) y el diodo 2-3 en
corte (ID = 0); sin embargo, en el diodo 2-3 no sucede lo que estamos
esperando.
Lejos de lo que se hubiera podido pensar, hay corriente desde el material n
(terminal 1) hasta el material n (terminal 3), pasando por el material p, de
en medio. Se dice que el transistor está en operación.
El fenómeno que se presenta en el último caso fue determinante para asignar un nombre, en vez de
número, a cada una de las tres partes del transistor bipolar de unión (BJT).

A la terminal que hasta ahora hemos identificado con el número 1, se le denomina emisor; a la terminal 3
se le llama colector y a la terminal del centro (2) se le llama la base. Observa que el nombre corresponde
perfectamente a la función que cada una de las partes realiza para la conducción de las cargas
eléctricas.

Cuando el transistor BJT se encuentra en condiciones de saturación o corte, el dispositivo se utiliza como
un conmutador porque prende o apaga. Cuando está en condiciones de operación, su funcionamiento
será el de un amplificador;
En la figura siguiente, ambos potenciales de polarización se aplicaron sobre un transistor pnp, con el
flujo de portadores mayoritarios y minoritarios resultante indicado

Al aplicar la ley de corriente de Kirchhoff al transistor como si se tratara de un nodo solo, se obtiene:
IE = IC + IB . . . (1)
y se observa que la corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base.
Sin embargo, la corriente del colector está formada por dos componentes: los portadores mayoritarios y
los minoritarios, como se indicó en la figura anterior.

Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y se le asigna el símbolo ICO

(corriente IC con la terminal del emisor abierta). Por tanto, la corriente del colector se determina en su
totalidad mediante la ecuación (2).
IC = ICmayoritaria + ICOminoritaria . . . (2)

Para transistores de propósito general, IC se mide en miliamperes, mientras que ICO se mide en
microamperes o en nanoamperes.
ICO, al igual que Is para un diodo en polarización inversa, es sensible a la temperatura y debe analizarse
cuidadosamente cuando se consideren aplicaciones con intervalos amplios de temperatura.
Si esto no se considera apropiadamente, puede afectar de manera importante la estabilidad de un
sistema a una temperatura alta.
CONFIGURACIÓN DE BASE COMÚN
La notación y los símbolos empleados junto con el transistor se muestran a continuación:
En el análisis de la figura anterior se tiene como entrada al diodo emisor-base como salida al diodo base-
colector y como punto de referencia o común a la terminal de la base, de ahí que a esta configuración se
le dé el nombre de base común.
La notación y simbología utilizada para esta configuración esta mostrada en la figura anterior para ambos
tipos de transistores.

La flecha en los símbolos utilizados representa el sentido convencional de la corriente de emisor. Esto
significa que para explicar el funcionamiento en conjunto del BJT como amplificador, se requiere de
conocer las características tanto de su sección de entrada (diodo EB), como las de salida (diodo BC).

En el diodo de entrada emisor-base (EB) fluirá una corriente que se identifica como corriente de emisor
(IE), del orden de los miliamperes, al tiempo que el diodo está polarizado directamente por un voltaje
que se identifica como VBE, medido en volts.
Para describir completamente el comportamiento de un dispositivo
de tres terminales, como el caso de los amplificadores de base
común de la figura anterior se requiere de dos conjuntos de
características:
 uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y
 el otro para la parte de la salida.

Como se muestra en la figura siguiente, el conjunto de entradas

para el amplificador de base común relaciona la corriente de
entrada (IE) con un voltaje de entrada (VBE) para distintos niveles de
voltaje de salida (VCB).
El conjunto de salida relaciona una corriente de salida
(IC) con un voltaje de salida (VCB) para distintos niveles
de corriente de entrada (IE), según se muestra en la
figura siguiente:
El conjunto de características de salida o del colector
cuenta con tres regiones básicas de interés, como se
indica en la figura, La región activa, la de corte y la de
saturación.
La región activa es la región que por lo general se
utiliza para los amplificadores lineales (sin distorsión).
En particular:
En la región activa la unión base-emisor se encuentra
polarizada de forma directa, mientras que la unión
colector-base se encuentra polarizada de forma
inversa.
La región activa se define mediante los arreglos de
polarización de la figura anteriormente mostrada