CAP 11: PROPIEDADES

ELÉCTRICAS DE LOS
MATERIALES
1. CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA EN METALES

En los Temas precedentes se han estudiado los diferentes tipos de materiales desde un punto de vista
preferentemente estructural.
En consecuencia, se ha dedicado una especial atención a sus propiedades mecánicas, que se han
relacionado con su estructura interna adoptando la metodología propia de la Química. A partir de ahora se aborda
el estudio de los materiales desde otro punto de vista diferente, que es el funcional.

Con esta nueva perspectiva aparecen como relevantes otras propiedades diferentes de las mecánicas,
tales como las eléctricas, ópticas, magnéticas, etc.
Estas propiedades tienen relación también con la estructura de los materiales, pero el factor que
condiciona el comportamiento no es tanto la ordenación espacial, que es esencial para las propiedades
mecánicas, como la estructura electrónica.
Es evidente que para profundizar a este nivel de explicación será necesario basarse en datos relativos a la
configuración electrónica de los elementos químicos y su situación dentro de la Tabla periódica.

El tratamiento de los materiales funcionales se inicia con el estudio de las propiedades eléctricas. El
comportamiento eléctrico de un material dado depende en primer término de la velocidad con que la carga
eléctrica pasa a través de él.
La magnitud relevante es la intensidad de corriente eléctrica. En el sistema de unidades SI, la intensidad se
mide en amperios (A), que se definen como el número de culombios (C) que pasan por un punto del material en la
unidad de tiempo (s).

La intensidad de corriente eléctrica depende de dos factores, uno externo a los materiales y otro interno a
ellos.
Según establece la ley de Ohm, la intensidad I es directamente proporcional a la diferencia de potencial
aplicada V, que es el factor externo, e inversamente proporcional a la resistencia propia del material R, que es el
factor interno:

I=V/R

Por tanto, la resistencia eléctrica R viene a ser una medida de la dificultad del paso de la corriente
eléctrica a través del material. En el sistema SI se mide en ohmios, cuyo símbolo es Ω.
Esta magnitud depende de características geométricas de la muestra, en concreto de la longitud l y la
sección s:

l
𝑅=𝜌
s

La constante de proporcionalidad ρ se denomina resistividad eléctrica y es una medida de la dificultad del

paso de la corriente por unidad de volumen del material. Sus unidades SI son ohmio-metro (Ωm).

2
 El interés que presenta la resistividad eléctrica dentro del estudio de los materiales se debe a que varía de
unas sustancias a otras.
El conocimiento de estas variaciones y su interpretación sobre la base de la estructura electrónica son
necesarios para seleccionar con rigor los materiales que presenten un comportamiento eléctrico óptimo.
A este fin se utiliza con preferencia la conductividad eléctrica σ, que se define simplemente como la
inversa de la resistividad:

1
σ=
p

Según esta definición, la conductividad representa una medida de la facilidad con que circula la corriente
por unidad de volumen del material.
Sus unidades SI son (Ωm)-1, también denominadas siemens / metro (S m-1), siendo 1 S = 1 Ω-1 .
Los materiales sólidos presentan un intervalo de variación muy amplio de conductividad eléctrica, que
abarca cerca de 30 órdenes de magnitud
Esta variación es quizá la más grande que se conoce para una magnitud física. Los valores más elevados
corresponden a los materiales conductores y los valores más bajos a los materiales aisladores o aislantes.

En general, los mejores conductores suelen ser los materiales metálicos, que presentan una conductividad
del orden de 107 (Ωm)-1 .
Este comportamiento se explica por la naturaleza del enlace metálico, que favorece la libertad de
movimientos de los electrones
En el otro extremo se encuentran los aislantes eléctricos, también denominados dieléctricos, cuya
conductividad es tan baja como 10-10 – 10-20 (Ωm)-1 .
Suele tratarse de materiales cerámicos (con las notables excepciones del grafito y las nuevas nanoformas
del carbono, como el grafeno), o de polímeros (exceptuando los nuevos polímeros conductores, tales como la
polianilina y el poliacetileno).
En los materiales aislantes, la movilidad de los electrones está dificultada por la saturación y localización
de sus enlaces internos
Por tanto, existe una relación evidente entre las propiedades eléctricas de los materiales y su naturaleza
química.

Según establece la regla empírica de Matthiessen, la resistividad eléctrica se puede desglosar en dos
contribuciones principales:

2
  Una componente térmica, que se debe a las vibraciones de los núcleos en torno a sus posiciones
de equilibrio en la red cristalina. Su magnitud varía con la temperatura en una forma que depende
de la naturaleza de cada sustancia.
 Una componente residual, que agrupa el efecto de las deformaciones cristalinas y de las
impurezas existentes en cada sustancia. Suele ser prácticamente constante, aunque la
temperatura cambie, y de menor cuantía que la componente térmica.

En todos los casos la resistividad aumenta con la temperatura, lo que se atribute a que se incrementan las
vibraciones de los núcleos, perturbando el movimiento de los electrones de conducción.
Por ello los materiales conducen mejor la corriente eléctrica a temperaturas bajas.
El caso extremo es la superconductividad que aparece cerca del cero absoluto.
Si el intervalo de temperatura no es muy grande, el aumento de la resistividad eléctrica es
aproximadamente lineal, y se expresa de modo sencillo mediante la ecuación:

𝜌t = 𝜌0ºC (1 + 𝛼t)

2
 Ante estos resultados experimentales, cabe preguntarse por el origen de las diferencias entre unos
materiales y otros.
Para responder a esta cuestión es necesario profundizar en la naturaleza de la conducción eléctrica a nivel
microscópico.

En efecto, el soporte material de la corriente eléctrica se debe al movimiento de partículas cargadas en el

seno de los sólidos, como respuesta a la acción de un campo eléctrico externo que se aplica sobre ellos.
En la mayoría de los materiales, estas partículas son electrones más o menos libres, que son acelerados
por la acción del campo eléctrico.
En el caso particular de los materiales iónicos se producen movimientos de iones que también
contribuyen a la conducción.
Pero en definitiva, el movimiento de los electrones es la fuente más importante de conductividad
eléctrica en todo tipo de materiales.

Para explicar la conducción electrónica se recurre a varios modelos teóricos.

El primero que se propuso y el más sencillo e intuitivo de todos, es el modelo del electrón libre. Como
indica su nombre, pretende justificar la conductividad eléctrica de los materiales, especialmente metálicos, por la
libertad de movimientos de sus electrones.
En ausencia de un campo eléctrico aplicado, este movimiento es aleatorio, por lo que no se produce un
flujo de electrones en ninguna dirección y por tanto no se genera ninguna corriente eléctrica.
Pero si se aplica un campo eléctrico, los electrones se mueven de forma colectiva en sentido opuesto al
campo, generando una corriente que es proporcional a la intensidad del mismo.

Con más rigor, los electrones de los metales no son libres del todo, sino casi libres, ya que están sometidos
a atracciones electrostáticas por los restos positivos de la estructura cristalina.
Por tanto, la energía electrostática varía de unos puntos a otros del material, de un modo difícil de
conocer con exactitud. Lo que sí está fuera de duda es que dicha energía es menor dentro del metal que fuera de
él, debido a que los electrones están estabilizados por las atracciones internas. En una primera aproximación se
establecen las dos hipótesis siguientes:
 Los valores de energía dentro del material se pueden aproximar a un valor medio, lo que equivale
a suponer que la energía potencial dentro del sistema es constante. El comportamiento es el de
un gas de electrones (según el modelo clásico de Drude, 1900), aunque en realidad dicho gas no
está formado por moléculas clásicas discernibles, sino por partículas elementales indiscernibles y
sujetas a restricciones cuánticas(refinamiento cuántico de Sommerfeld , 1927).
 Por otra parte, en los bordes espaciales de la estructura hay que contar con variaciones bruscas de
energía, ya que los límites físicos de la red cristalina impiden a los electrones escapar libremente
hacia el exterior. Esta condición física se expresa imponiendo unos valores máximos al potencial
en las fronteras del sistema.

Ambas hipótesis configuran el modelo teórico de Drude – Sommerfeld.

Su planteamiento recuerda al popular modelo cuántico de la caja de
potencial, puesto que el sólido metálico hace las funciones de una caja en cuyo
interior se mueven libremente los electrones.
El potencial se describe de modo bastante sencillo mediante un valor
mínimo, que es el promedio del que existe realmente en el interior, y un valor
máximo, que marca la dificultad de rebasar las fronteras del sólido

Los electrones del sistema acceden a los distintos niveles cuánticos siguiendo un orden creciente de
energía.
Según la estadística de Fermi – Dirac, cada uno de estos niveles es accesible sólo a dos electrones, que han
de tener diferente espín, tal como postula el principio de exclusión de Pauli.

2
 A consecuencia de este comportamiento, en el cero absoluto de temperatura existe un nivel de energía
por debajo del cual todos los estados están ocupados por electrones del metal, al que se suele denominar nivel de
Fermi.
Al aumentar la temperatura, algunos electrones próximos al nivel de Fermi pueden ser promovidos a
niveles de energía superiores, contribuyendo a la capacidad calorífica electrónica del material, que en todo caso
es inferior a la de un gas de partículas clásicas totalmente libres.

El modelo de Drude - Sommerfeld se aplica con éxito a los metales alcalinos y metales nobles, donde
consigue explicar propiedades tales como la conductividad eléctrica y la capacidad calorífica electrónica, así como
su dependencia con la temperatura.

De las limitaciones que afectan a este modelo, la más importante es que no explica la existencia de
materiales aislantes.
Además, la conductividad eléctrica observada en los materiales reales no se debe en todos los casos a la
existencia de electrones más o menos libres, sino que hay que considerar un comportamiento colectivo de los
electrones mucho más complejo.
Más aún, en ciertos sistemas que se tratarán más adelante existen también otros portadores de carga que
no son electrones.
Por tanto, se requiere un modelo más general, que sea capaz de abarcar todas las posibilidades. Este
problema se aborda en los apartados siguientes.

2. MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA PARA SÓLIDOS

El modelo de bandas de energía es un tratamiento físico que pretende superar algunas limitaciones del
modelo del electrón libre.
En principio no sólo es aplicable a los metales, sino a los sólidos en general, incluyendo a los polímeros.
Desde el punto de vista teórico, el principal refinamiento consiste en recurrir a un potencial que no es
constante como en el modelo precedente, sino que varía de modo periódico.
Con ello se reproduce mejor la naturaleza real de la red cristalina, que como se ha indicado
repetidamente, está formada por una distribución espacial periódica de restos positivos en torno a los cualesse
mueven los electrones.

Uno de los potenciales periódicos más sencillos que se

pueden aplicar es el de Kronig – Penney.
Este potencial incluye una sucesión de valles
rectangulares donde la energía es nula, salvo en las zonas
próximas a los nudos de la red, donde toma un valor constante V 0
En realidad, equivale a una repetición periódica del
potencial de Drude – Sommerfeld a lo largo de la red cristalina

Al introducir este potencial periódico en la ecuación de Schrödinger junto con las correspondientes
condiciones de contorno, las funciones de onda que describen a los electrones en el sólido reciben el nombre
particular de funciones de Bloch.
Tales funciones de onda se caracterizan esencialmente por reflejarla periodicidad de la red cristalina.
Debido precisamente a este carácter periódico del potencial, al efectuar los cálculos, que no se detallarán
aquí, se obtienen algunos valores de energía que no corresponden a funciones propias.
En consecuencia, además de los valores propios de la energía que sí están permitidos a los electrones, hay
otros valores prohibidos que producen discontinuidades en la energía (en inglés, cada discontinuidad se denomina
gap, que significa brecha o lapso)

2
 Posiblemente, estos resultados teóricos parezcan muy abstractos y alejados de los intereses de los
químicos.
Afortunadamente, se pueden relacionar con la estructura electrónica de los átomos que constituyen los
materiales haciendo uso de una aproximación conocida como del enlazamiento fuerte (en inglés tight – binding o
TB).
Este nombre se debe a la hipótesis básica de que el potencial periódico que atrae los electrones hacia los
restos positivos de la red cristalina es muy intenso.
Así, en principio se puede suponer que los electrones están ligados sobre todo al átomo al que
pertenecen, de modo que se pueden describir por los propios orbitales atómicos de los átomos aislados, bien
conocidos por los químicos.
Bajo estas condiciones más familiares, las funciones de Bloch, que en general describen la situación física
creada por el potencial periódico de la red cristalina, se pueden considerar como una modificación de dichos
orbitales atómicos al pasar a formar parte de dicha red.

Hay que tener en cuenta también que la conductividad depende sobre todo de los electrones más
externos de los átomos, que gozan de mayor movilidad que los electrones internos, los cuales permanecen más
ligados a sus núcleos.
En principio, unos y otros pueden acceder sólo a los niveles de energía cuantizados que corresponden a
los orbitales atómicos; pero los electrones externos, además de tener mayor movilidad, pueden establecer
enlaces con electrones de otros átomos, por lo que actúan como electrones de valencia.
Estos posibles enlaces admiten un tratamiento teórico similar al de la formación de orbitales moleculares
(O.M.) por combinación lineal de orbitales atómicos (O.A.), que sigue el método CLOA conocido por los químicos.
Como se recordará, cada dos O.A. que se combinan dan lugar a dos O.M., uno de menor energía que los
O.A. originales (enlazante) y otro de mayor energía (antienlazante).
En una colectividad formada por N átomos tal como la que ocurre en un material sólido, donde N puede
ser muy grande, la situación es análoga, con la particularidad de que la combinación de los orbitales dará lugar a N
niveles de energía, en general muy próximos entre sí, y tanto más próximos cuanto mayor sea el número de
orbitales que se combinen.

En este esquema se observa que en contraste con la

formación de los O.M. ordinarios de las moléculas, que da un
pequeño número de niveles discretos de energía, en los sólidos
cristalinos se produce un gran número de niveles, que se agrupan
formando unas bandas de energía prácticamente continuas.
Conviene advertir que los electrones internos no
participan en la formación de este tipo de bandas, sino
solamente los electrones externos o de valencia, que son los que
están disponibles para formar enlaces con los átomos vecinos.

El origen de las bandas que se forman y el modo en que son ocupadas por los electrones, difiere en
general de unos elementos químicos a otros.
Estas diferencias son precisamente las que condicionan sus propiedades eléctricas.
Así por ejemplo, el diagrama de bandas de energía
para el Na metálico se muestra en la figura
En este elemento alcalino, los electrones externos
son 3s1 y en conjunto forman una banda 3s, que está medio
ocupada debido a que cada átomo aporta sólo 1 electrón.
Existe además otra banda superior 3p, formada por
orbitales de su misma denominación, que carece de
electrones.

2
 Ambas bandas se solapan en parte dentro de un cierto intervalo del espaciado interatómico, generando
una banda compuesta.
En consecuencia, se requiere muy poca energía para excitar los electrones de valencia desde los niveles
ocupados más altos (3s) hasta los niveles vacíos más bajos (3p).
Este salto, relativamente fácil, genera un flujo de electrones que es capaz de producir una corriente
eléctrica. Por este motivo, el Na resulta un buen conductor.

Algo similar ocurre con otros elementos que también tienen bandas de tipo s a medio ocupar, tales como
el Cu, Ag y Au, cuyos electrones externos son 4s 1, 5s1 y 6s1, respectivamente.
En otro elemento tal como el Mg, la situación es algo diferente, pues los electrones externos son 3s 2 y
forman una banda 3s totalmente llena; aunque al estar solapada en parte con la banda superior 3p vacía, los
electrones pueden acceder fácilmente a esta última, por lo que también se comporta como conductor.
Un caso más es el del Al, cuya banda llena 3s se solapa con una banda 3p parcialmente ocupada, de modo
que también resulta conductor.
En definitiva, la clave para que los elementos sean buenos conductores es que la banda superior, ya sea
vacía o parcialmente ocupada, resulte fácilmente accesible a los electrones de la banda inferior.

Como se observa en la figura para el Na, entre la banda inferior ocupada por electrones y la banda
superior disponible para ellos pueden existir discontinuidades de energía, dependiendo del valor del espaciado
entre átomos.
De hecho, tales discontinuidades existen siempre que dicho espaciado es grande, y corresponden a las
zonas prohibidas previstas por la teoría física, que como se indicó anteriormente se obtienen como una
consecuencia matemática de aplicar un potencial periódico para describir el sistema.

Conviene insistir en que las bandas de energía permitidas son las únicas a las que pueden acceder los
electrones, y que dentro de dichas bandas la energía es prácticamente continua.
Es decir, que los electrones sólo pueden poseer la energía que se encuentre dentro de alguna banda
permitida.
De ellas, la última banda ocupada por electrones se denomina banda de valencia y la primera banda vacía
se denomina banda de conducción.
Ya se ha indicado que en algunos elementos ambas bandas están solapadas en parte, lo que permite que
los electrones de valencia accedan fácilmente al estado de energía superior y se conviertan en electrones de
conducción.
En otros elementos, ambas bandas están separadas por un salto de energía más o menos grande, que
corresponde a una zona prohibida para los electrones. La posibilidad de que salven o no esta zona depende de
que reciban una excitación energética suficiente. Si consiguen acceder a la banda superior permitida, se pueden
convertir también en electrones de conducción.

Para resumir el modelo de bandas de energía, los materiales conductores se caracterizan porque la banda
de valencia está ocupada con electrones, ya sea en parte o del todo, pero solapa con otra banda de conducción
vacante que hay sobre ella.
Al no existir una separación intermedia, los electrones pueden circular con facilidad desde la banda
inferior a la banda superior, produciendo una conducción eléctrica.
Esta predicción concuerda con el modelo de Drude – Sommerfeld, donde los electrones próximos al nivel
de Fermi pueden ser excitados libremente a niveles algo superiores.

En contraste, los materiales aislantes tienen la banda de valencia inferior totalmente ocupada y muy
separada de la banda de conducción superior.
Por tanto, aunque
ésta se encuentre

2
vacía, los electrones no pueden salvar fácilmente la diferencia energética entre ambas, y no es posible la
conducción eléctrica.
Esta predicción no tiene paralelismo con el modelo de Drude – Sommerfeld, que no es aplicable a
sustancias en que los electrones carezcan de suficiente movilidad para la conducción.

Además de los conductores y los aislantes existen sólidos de otro tipo, muy importantes también, cuyo
comportamiento electrónico requiere unas consideraciones especiales que se exponen a continuación.

3. SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS

Un semiconductor es un material que presenta un valor de conductividad que es intermedio entre los de
los conductores y los aislantes típicos, o sea del orden de 10 4 – 10-6 (Ωm)-1 .
El calificativo intrínseco significa que se comporta así por sí mismo, sin necesidad de agentes externos.
Por tanto, los semiconductores intrínsecos son materiales esencialmente puros.
Ejemplos típicos son los elementos Si y Ge, ambos situados en el grupo 14 de la Tabla periódica.
Presentan una red cristalina cúbica, con enlaces covalentes altamente direccionales.
Sus bandas de valencia se forman a partir de híbridos sp 3 de los átomos separados, que aportan 4
electrones por átomo, de modo similar al carbono.

De acuerdo con el modelo de Drude - Sommerfeld, los aislantes y los semiconductores se asemejan en que
su nivel de Fermi sería un nivel de energía prohibido, lo que impide a los electrones acceder libremente a este
primer nivel vacante.
Dentro del modelo de bandas de energía, este impedimento se explica admitiendo que tanto unos como
otros tienen la banda de valencia totalmente ocupada y la banda de conducción sin ocupar.
Pero existe una importante diferencia entre ellos.
En los aislantes, la separación entre ambas bandas es tan grande que los electrones no pueden saltar de
una a otra.
En contraste, en los semiconductores las dos bandas están relativamente próximas, de tal modo que el
salto que se requiere para superar la brecha es del orden de magnitud de 1 eV a temperatura ambiente, por lo
que algunos electrones pueden conseguirlo con suficiente excitación térmica.

El número de estos electrones se puede estimar de modo aproximado a partir de la teoría cinética.
En efecto, la energía térmica promedio por partícula vale 3/2 kT

E = 3/2 (1,3806×10 -23 × 300) = 6,213×10-21 J.

Por otra parte, un salto de 1 eV equivale a 1,602×10 -19 J, que es una magnitud mucho mayor que la que se
ha calculado.
Por tanto, la energía promedio a temperatura ambiente no es suficiente para superar la separación entre
las bandas.
Se puede comprobar que la temperatura a la que se cumpliría que el producto 3/2 kT alcanza ya el valor
de 1,602×10-19 J, es la siguiente:

T = 1,602×10 -19 / (3/2) k = 1,602×10-19 / (3/2) 1,3806×10-23 = 7,736×103 K

La mayoría de los electrones de la muestra a temperatura ambiente no poseen la energía que

correspondería a esta temperatura tan elevada, pero sí hay una pequeña fracción de electrones que pueden
realizar el salto.
Esta
fracción se puede

2
calcular aplicando la distribución de Maxwell – Boltzmann. Como es sabido, si se tiene una población formada por
n1 electrones con energía E 1 y otros n2 electrones con energía E 2, la relación entre ambas poblaciones viene dada
simplemente por

n 2 -ΔE/Kt
=e
n1

Teniendo en cuenta que ∆E = 1,602×10-19 J y que T ≈ 300 K, se obtiene que:

∆E/kT = 1,602×10 -19 / (1,3806×10-23 × 300) = 39

de donde se deduce que la relación entre las poblaciones vale:

n 2 /n1 = e-39 = 1,15×10-1

En los materiales aislantes, la banda de valencia está mucho más alejada de la banda de conducción.
Por ejemplo, la brecha de energía es del orden de 9 eV en el SiO 2 y de 6 eV en el diamante.
En consecuencia, el salto necesario para que haya un flujo de electrones es mucho más difícil de conseguir
que en los semiconductores.

Para unificar ideas, un semiconductor intrínseco se puede considerar como un caso particular de aislante
en el cual la zona prohibida es tan estrecha que algunos electrones pueden traspasarla al recibir un estímulo
energético suficiente.
De este modo acceden desde la banda de valencia (última banda ocupada)
a la banda de conducción (primera banda vacía), que está relativamente próxima a
ella.
En otras palabras, el intervalo prohibido o brecha de energía E g entre estas
dos bandas es suficientemente breve para que los electrones puedan pasar a los
niveles superiores si reciben un estímulo adecuado.
El valor numérico de Eg varía de unas sustancias a otras, como se ha
indicado anteriormente, lo que repercute en que haya diferencias cuantitativas en
propiedades tales como el número de electrones libres por átomo.

De acuerdo con lo indicado, la estructura interna de los semiconductores

intrínsecos típicos se puede representar mediante un sistema constituido por: iones
positivos inmóviles, electrones de valencia con carga negativa, y huecos con carga
positiva, los cuales son “cuasipartículas” correspondientes a los electrones que se
pierden en la banda de valencia al pasar a la banda de conducción.
Los electrones negativos y los huecos positivos tienen la misma carga formal
de 1,602×10-19 C. También han de estar a concentraciones idénticas para que se
cumpla la condición de neutralidad eléctrica global.

De acuerdo con el esquema propuesto, la conducción o transporte de corriente eléctrica se realiza por dos
tipos diferentes de partículas cuánticas: los electrones en la banda de conducción y los huecos en la banda de
valencia.
En efecto, por cada electrón que realiza el salto desde la banda de valencia a la de conducción se
producen dos portadores de carga:
 El propio electrón (de carga eléctrica negativa)
 El hueco que deja (de carga positiva).

Por tanto, como se anticipó en la crítica del modelo del electrón libre,
en el mundo real existen sustancias tales como los semiconductores cuyos

2
portadores de carga no son exclusivamente electrones, como ocurre en los conductores metálicos típicos, sino
que pueden ser también huecos, cuya carga es del signo contrario
El fenómeno de la conducción se puede representar de modo sencillo con el esquema ya utilizado para las
bandas de energía

4. SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Además de los semiconductores intrínsecos, existe otra familia de semiconductores, denominados

extrínsecos, que se caracterizan por contener defectos o impurezas en la red cristalina
La concentración de impurezas suele ser muy pequeña, del orden de 10-7 % átomos.
Prácticamente todos los semiconductores comerciales son extrínsecos, o sea que su comportamiento está
determinado por impurezas extrañas al material base.
Los semiconductores intrínsecos se pueden convertir fácilmente en extrínsecos adicionando una pequeña
cantidad de dichas impurezas.

La consecuencia más importante de estos posibles defectos o impurezas es que un sólido aislante se
puede convertir en conductor bajo determinadas condiciones.
El motivo de este cambio es que las alteraciones de la red cristalina aportan unos niveles de energía que
están próximos a la banda de conducción o bien a la de valencia, los cuales facilitan la realización de los saltos
electrónicos.
Así la conductividad eléctrica del sistema aumenta hasta que se produce por fin el transporte de corriente.

En ocasiones, las impurezas se introducen intencionadamente añadiendo cantidades muy pequeñas de

ciertas sustancias a un cristal de pureza inicial muy alta. Este proceso se designa como dopado
Las sustancias dopantes pueden tener electrones en exceso o bien electrones en defecto respecto del
material que los acoge.
De acuerdo con ello, los semiconductores extrínsecos resultantes se clasifican en semiconductores de tipo
n (negativo) y de tipo p (positivo), respectivamente
Las principales características de cada clase son las siguientes:
 Semiconductores extrínsecos de tipo n. Las impurezas de tipo n donan electrones que
tienen energías próximas a la banda de conducción del material base, correspondientes a
los niveles de donador Ed.
Los electrones de estos niveles de donador acceden a la banda de conducción del material
original mediante un pequeño salto de energía ∆E = E c – Ed, donde Ec corresponde a la
banda de conducción.
Así se crea un electrón libre en la banda de conducción a costa de un ion positivo inmóvil en
el donador.
En el grupo del Si, las impurezas pueden ser elementos del grupo del N (tales como P, As,
Sb); por ejemplo el Si impurificado con P, que tiene un electrón externo más que el Si.
 Semiconductores extrínsecos de tipo p. Las impurezas de tipo p aceptan electrones del
material original, debido a que tienen niveles de aceptor E a próximos a la banda de valencia.
Por tanto, para excitar un electrón desde la banda de valencia hasta el nivel de aceptor se
requiere sólo un pequeño salto de energía ∆E = E a – Ev, donde Ev corresponde a la banda de
valencia del material.
Con ello se crea un hueco positivo en el material original.
En el grupo del Si, las impurezas pueden ser elementos del grupo del B (B, Al, Ga, In); por
ejemplo el Si impurificado con Al, que tiene un electrón externo menos.

2
 Se pueden concretar las diferencias entre los mecanismos de conducción de los semiconductores
intrínsecos y extrínsecos identificando cuáles y cuántos son los portadores de carga en cada caso.
 En los semiconductores intrínsecos, los portadores son tanto los electrones libres que se mueven
como los huecos que dejan, los cuales se desplazan en direcciones opuestas ante un campo eléctrico
aplicado. Por ejemplo, para el Si puro a temperatura ambiente, la concentración típica de estas cargas
es del orden de 1016 portadores/m3
 En los semiconductores extrínsecos se produce una situación más compleja, ya que las impurezas
pueden aportar tanto un exceso como un defecto de electrones. El tipo de portador de carga que se
encuentra en exceso se denomina portador mayoritario, mientras que el existente en menor
proporción se denomina portador minoritario.

Así por ejemplo, para el Si impurificado con As a una concentración de 10 21 átomos de impurezas/m3 , con
objeto de formar un semiconductor extrínseco tipo n, la concentración de portadores mayoritarios es del orden
de 1021 electrones/m3 , mientras que la concentración de portadores minoritarios es del orden de 10 11 huecos/m3 .
Por tanto, la concentración de los portadores mayoritarios es netamente superior a la de los portadores
minoritarios.

5. MICROELECTRÓNICA

Las propiedades electrónicas de los semiconductores tienen consecuencias prácticas muy importantes.

2
 Resulta posible diseñar unos dispositivos complejos formados por semiconductores, que se denominan
también dispositivos de estado sólido, capaces de realizar funciones específicas para muchas aplicaciones.
Para comprender cómo se desarrollan estas funciones se necesita tener muy en cuenta las características
de los semiconductores de tipo n y tipo p descritas en el apartado precedente.

Un elemento básico de los dispositivos de estado sólido es la unión p-n.

Se denomina así a una unión abrupta o frontera entre regiones de tipo p y de tipo n dentro de un mismo
cristal de un material semiconductor.
Estas regiones se obtienen impurificando el cristal con pequeñas
cantidades de los materiales adecuados.
Con la agitación térmica, los electrones en exceso de la zona n se
difunden hacia la zona p, y a la inversa, los huecos de la zona p se difunden hacia
la zona n.
El resultado es que una de las caras de la unión se enriquece en carga
negativa, mientras que la otra cara se enriquece en carga positiva. El sistema así
formado se conoce también con el nombre de diodo

La distribución asimétrica de la carga da lugar a una tensión o diferencia de potencial entre las regiones p
y n, que en general es débil, del orden de 0,7 V para el Si y de 0,3 V para el Ge.
Pero si se aplica un potencial externo adicional, conectando el conjunto a dos terminales eléctricos, que es
lo que se conoce con el nombre de polarización, se producen importantes consecuencias.
En principio se dispone de dos posibilidades para establecer la polarización:

 Polarización directa. Es la polarización aplicada a una unión p-n en la dirección de conducción, o sea
que el terminal positivo de una batería se conecta en el lado p, y el terminal negativo en el lado n.
Con ello, la tensión externa aplicada refuerza la situación inicial.
Los electrones y huecos como portadores de carga mayoritarios fluyen hacia la unión por ambas caras,
de tal modo que se puede generar una corriente eléctrica considerable.
El efecto es comparable al de un interruptor abierto
 Polarización inversa. Es la polarización aplicada a una unión p-n en sentido opuesto al anterior, o sea
que el terminal negativo de la batería se conecta en el lado p y el terminal positivo en el lado n.
En este caso, los electrones y huecos como portadores mayoritarios fluyen alejándose de la unión, la
cualse empobrece en portadores de carga, convirtiéndose en una barrera aislante.
El efecto es comparable al de un interruptor cerrado

Como aplicación práctica, si un semiconductor con una unión p-n se conecta a una fuente de corriente
alterna (no a una batería de corriente continua) dejará pasar la corriente sólo en el sentido correcto, bloqueando
la que transcurre en sentido contrario.
Por tanto, producirá una salida de corriente continua y estable.

2
 Este proceso se denomina rectificación. Un paso más es lograr la amplificación de corriente, lo que se
consigue al combinar los dos tipos de polarización en un mismo sistema, tal como se describe a continuación.

Los transistores son dispositivos semiconductores formados por 3 elementos y 2 uniones.

Los 3 elementos se designan con los nombres de emisor, base y colector:
- El emisor y el colector son semiconductores del mismo tipo, ya sea n o p. Reciben este nombre porque
el emisor emite portadores de carga y el colector los recibe o recolecta.
- Entre ellos se intercala la base, que es del tipo contrario, o sea p o n respectivamente. Su misión es
controlar el flujo de los portadores de carga desde el emisor hasta el colector. Tiene un espesor muy
pequeño, del orden de 0,1 a 0,01 mm, y está ligeramente impurificada.

Los transistores de unión bipolar presentan una unión de tipo npn o bien pnp, donde la letra intermedia
corresponde a la base.
De hecho, la unión bipolar se comporta como un conjunto de dos uniones n-p y p-n conectadas en serie.
En el funcionamiento de este dispositivo, la unión emisor – base se polariza de forma directa, mientras
que la unión colector-base se polariza de forma inversa.
Por tanto, los dos tipos de polarización están combinados dentro del mismo sistema.
La primera unión da paso de corriente (corriente de base), mientras que la segunda unión es de bloqueo.
Dado que el espesor de la base es muy pequeño, muy pocos portadores de carga del emisor son retenidos en ella,
donde se recombinan con los portadores mayoritarios de la base que
tienen carga opuesta. La mayor parte pasa sin recombinarse al
colector, atraídos por su terminal de signo contrario (corriente del
colector), en una cuantía proporcional a la corriente de base.
El resultado es que la tensión inicial se alimenta con el flujo
neto de los portadores desde el emisor hasta el colector, sin que el
flujo inverso lo pueda contrarrestar, ya que está bloqueado.
Un pequeño aumento en el voltaje aplicado a la unión emisor –
base produce una gran amplificación de corriente a través de la unión
base – colector, en un factor que recibe el nombre de ganancia

Por otra parte, la coexistencia de polarizaciones directas e inversas dentro del mismo dispositivo equivale
a disponer de un conjunto de interruptores que funcionan en el sentido de apertura o de cierre.
Esta posibilidad es importante para un tratamiento de la información que requiere adoptar decisiones de
“sí o no” a gran velocidad.
Para comprenderlo mejor, basta tener en cuenta que desde el punto de vista matemático, estas
decisiones se pueden expresar mediante un sistema binario compuesto por sólo dos símbolos, el 1 y el 0. En la
tecnología, estas dos posibilidades lógicas se hacen corresponder con los dos interruptores que se conectan y se
desconectan, respectivamente.
Por tanto, un programa de decisiones lógicas expresadas en forma de secuencia binaria del tipo 100010…,
se traduce en la práctica en la orden de apertura o cierre de una serie de interruptores, la cual se realiza aplicando
en cada caso una polarización directa o inversa según convenga.
En resumen, un transistor es un dispositivo que es capaz de cumplir dos funciones esenciales desde el
punto de vista tecnológico:
- Amplificar la señal eléctrica
- Controlar mediante conmutación el procesado y almacenamiento de información dentro de un
circuito electrónico.

Al conectar un gran número de transistores entre sí se obtiene lo que se denomina circuito integrado.
Un tipo de circuito integrado que está presente actualmente en multitud de dispositivos es el
microprocesador o chip.

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 Como ejemplo se puede mencionar el chip de silicio, cuya versión típica reúne miles de transistores en un
único elemento de unos 5 mm2 de superficie y 0,2 mm de espesor, fabricado a partir de un monocristal de Si en
forma de oblea, en el que se insertan islas de Si dopado del tipo p o tipo n.
Con ello se dispone de un dispositivo electrónico de gran capacidad que está confinado en un pequeño
espacio a microescala.

6. SEMICONDUCTORES COMPUESTOS

Los semiconductores que se han estudiado en los apartados precedentes son elementos químicos, ya sea
en estado puro (semiconductores intrínsecos) o impurificados con pequeñas cantidades de otras sustancias
(semiconductores extrínsecos).
Pero existe además otro tipo de semiconductores que desde el punto de vista químico son compuestos
covalentes de elementos diferentes.
Su fórmula general es MX, siendo M el elemento más electropositivo y X el más electronegativo.
Dentro de esta categoría cabe mencionar algunas combinaciones tales como las siguientes:
- Elementos de los grupos 13 (M = Al, Ga, In) y 15 (X = P, As, Sb) Ejemplo: arseniuro de galio GaAs.
- Elementos de los grupos 12 (M = Zn, Cd, Hg) y 16 (X = S, Se, Te) Ejemplo: sulfuro de cadmio CdS.

Las propiedades de estos compuestos siguen dos tendencias muy características:

- Al aumentar la masa molar dentro de una misma familia, los electrones tienden a estar menos ligados
a los núcleos de los átomos más pesados, por lo que su movilidad se incrementa y la brecha de
energía se reduce. Son excepciones el GaAs y el GaSb, en los que este comportamiento se invierte.
- Al aumentar el carácter de enlace iónico se produce el fenómeno contrario, debido a que los
electrones están más ligados a los núcleos de los iones positivos y tienen menos movilidad, por lo que
la brecha de energía se hace más grande. Esto se cumple en los compuestos formados por elementos
de los grupos 12 y 16 en comparación con los formados por elementos de los grupos 13 y 15.

El arseniuro de galio GaAs es el semiconductor compuesto más importante y se utiliza en muchos

dispositivos electrónicos, en especial en los transistores denominados de “efecto de campo de semiconductor
metálico”, cuyo acrónimo en inglés es MESFET (metal–semiconductor field-effect transistor).
Este tipo de transistores presenta ciertas ventajas sobre los de silicio en los circuitos integrados digitales
de alta velocidad, debido a la mayor movilidad de los electrones y a la mayor brecha de energía, que por ello
ofrece más resistencia la radiación, lo que es importante en aplicaciones espaciales y de alto riesgo.
Su principal inconveniente es que el material base de GaAs suele presentar más defectos estructurales
que el material más común de Si, y además es más costoso de fabricar.
Otro material semiconductor presente en muchas aplicaciones actuales es la disolución sólida de óxido de
indio y óxido de estaño, conocida por su acrónimo en inglés ITO (indium tin oxide), que se utiliza en forma de
películas transparentes y flexibles para la fabricación de pantallas de cristal líquido y pantallas táctiles.
Debido a la escasez del indio en la naturaleza, se está investigando la posibilidad de sustituir de forma
progresiva este material por otros materiales más novedosos, tales como el grafeno o los nanotubos de carbono.

7. PROPIEDADES MECÁNICAS DE LAS CERÁMICAS

La mayoría de los materiales cerámicos son aislantes debido a la naturaleza de sus enlaces internos, que
restringe la movilidad de electrones e iones
Aunque pueda parecer paradójico, por esta cualidad encuentran muchas aplicaciones eléctricas y
electrónicas, como aislantes para corrientes de alta y baja tensión.
Algunos ejemplos:
- porcelana eléctrica (que suele contener 50% de arcilla, 25% de sílice y 25% de feldespato),
- esteatita (90% de talco y 10% de arcilla),

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 - fosterita (MgSiO4)
- alúmina (Al2O3).

Pero aparte de este comportamiento general, algunos materiales cerámicos presentan propiedades
eléctricas singulares que merecen ser comentadas con más detalle.

CERÁMICAS SEMICONDUCTORAS.

Las propiedades de este tipo de semiconductores son importantes para el funcionamiento de ciertos
dispositivos eléctricos.
Se denomina termistor a un dispositivo semiconductor cerámico en el que la resistividad varía con la
temperatura, en general disminuyendo a medida que aumenta la temperatura.
De este modo puede transformar una señal térmica (la variación de temperatura) en una señal eléctrica
(la variación de resistividad), la cual se mide de modo preciso con una instrumentación de bajo costo.
Por tanto, los termistores encuentran una aplicación práctica muy difundida, que consiste en funcionar
como termómetros mediante la señal eléctrica que producen.
También permiten controlar la temperatura, ya que cuando se alcanza un valor umbral determinado, la
propia señal eléctrica puede generar una respuesta que contrarreste de algún modo la variación térmica
producida hasta entonces.
Ejemplos de este tipo de materiales son los óxidos de los elementos Mn, Fe, Co, Ni y Cu, que se suelen
utilizar conjuntamente en forma de una disolución sólida a fin de cubrir un intervalo de variación de la resistividad
eléctrica lo más amplio posible

CERÁMICAS FERROELÉCTRICAS

Un material ferroeléctrico presenta polarización instantánea, lo que significa que el fenómeno de

polarización se puede producir en él sin necesidad de aplicar un campo eléctrico externo.
Ejemplos de cerámicas ferroeléctricas son el titanato de bario (BaTiO 3), el fosfato monopotásico (KH2PO4) y
el tartrato sódico - potásico o sal de Rochelle (KNaC 4H4O6·4H2O).

La justificación de este fenómeno presenta aspectos de interés en relación con la estructura interna de los
materiales cerámicos.
En efecto, desde el punto de vista microscópico se atribuye a la existencia de unas parcelas estructurales
orientadas al azar, conocidas como dominios de Weiss.
Dichos dominios están constituidos por unas celdas sin centro de simetría, de tal modo que las cargas
eléctricas que contienen están separadas formando un conjunto de pequeños dipolos eléctricos permanentes.
En ausencia de un campo eléctrico externo, estos dipolos individuales se compensan unos con otros y no
hay un comportamiento eléctrico apreciable.
En contraste, al aplicar un campo eléctrico intenso, los dipolos tienden a alinearse en la dirección del
campo, componiendo un momento dipolar total muy intenso.
Si los extremos de la muestra están suficientemente separados, se puede crear una diferencia de
potencial considerable.
En general, los dominios ferroeléctricos dependen de la temperatura del sistema, siendo más estables a
bajas temperaturas.
La temperatura de Curie es aquella en que un material ferroeléctrico, en general sometido a enfriamiento,
sufre un cambio de estructura cristalina tal que favorece la polarización del material.
Cuando se logra esta polarización, se puede mantener incluso en ausencia del campo externo.
Si el material se calienta por encima de dicha temperatura se produce el fenómeno inverso, cesando el
comportamiento ferroeléctrico.

CERÁMICAS PIZOELÉCTRICAS

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 Otro ejemplo de obtención de electricidad a partir de un fenómeno diferente es el efecto piezoeléctrico.
Consiste en la transformación de una señal mecánica en una señal eléctrica, y viceversa.
En el primer supuesto, la deformación mecánica producida por una fuerza externa (tal como una presión
aplicada) produce una polarización en el material, que da lugar a una corriente eléctrica.
A la inversa, al aplicar un campo eléctrico externo se produce una deformación mecánica.
Una aplicación muy conocida se encuentra en el sistema de detección submarina conocido como sonar,
que se basa en la aplicación de impulsos eléctricos para producir ondas sonoras, y viceversa.
Ejemplos de materiales que muestran este comportamiento son el titanato de bario (BaTiO 3) y las
disoluciones sólidas de titanato de plomo (PbTiO 3) y circonato o zirconato de plomo (PbZrO 3), que dan lugar a la
familia de cerámicas designadas con la abreviatura PZT, entre cuyas ventajas se cuenta una temperatura de Curie
superior a la del BaTiO3.
Los materiales piezoeléctricos, de modo similar a los termistores, son buenos ejemplos de transductores.
Esta denominación significa que son materiales que responden a una forma de energía traduciendo la
señal recibida y transmitiéndola en forma diferente a un segundo sistema.
Como tales encuentran muchas aplicaciones en los sistemas modernos de medición, control y
automatización

8. NANOELECTRÓNICA

Las tendencias más recientes en la investigación y desarrollo de las propiedades eléctricas de materiales
funcionales apuntan hacia la fabricación de dispositivos electrónicos con dimensiones en la escala de los
nanómetros.

La caracterización de este tipo de nanodispositivos se beneficia mucho del uso de técnicas de microscopía
de sonda de barrido, cuyo acrónimo en inglés es SPM (Scanning probe microscopy).
Se trata de técnicas que utilizan una sonda que recorre la superficie del objeto en estudio. Al no estar
limitadas por efectos de difracción, posibilitan obtener una resolución tan fina como de unos pocos picómetros
(1pm = 0,001 nm).
Entre estas técnicas, las más comunes son las siguientes:
- Microscopía de fuerza atómica AFM (Atomic force microscopy)
- Microscopía de efecto túnel STM (Scanning tunneling microscopy).

Con la ayuda de esta metodología resulta posible manipular las superficies de los nanodispositivos a escala
atómica.
Por ejemplo, se pueden recoger átomos de modo selectivo y depositarlos en dichas superficies en
posiciones específicas, a fin de convertirlos en sitios adecuados para la adsorción de otras moléculas. De este
modo se facilita el diseño a la nanoescala de medios de electrónica molecular.
Otra posible aplicación consiste en depositar átomos metálicos sobre una superficie de forma circular o
elíptica, formando lo que se denomina un pozo cuántico, cuyo tamaño es sólo de unas décimas de nanómetro.
Entonces surgen propiedades sorprendentes.
Por ejemplo, si un átomo ferromagnético de Co se sitúa en uno de los dos puntos focales de un pozo de
forma elíptica, algunas de las propiedades de dicho átomo aparecen en el otro punto focal que está sin ocupar.
Este fenómeno se conoce con el nombre de espejismo cuántico.
En contraste, si se sitúa un átomo en posiciones no focales, sus propiedades no se presentan en ningún
otro lugar, de modo similar a lo que ocurre en la experiencia convencional.
Por tanto, operando de forma adecuada se dispone de un método que permite transferir datos a escala
nanométrica.

Uno de los objetivos de este tipo de experimentos es realizar la entrega de corriente eléctrica en
nanodispositivos donde la alimentación convencional es imposible, debido a las pequeñas dimensiones del
circuito.

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 Se confía en que ello facilitará la futura construcción de procesadores de escala atómica en los que se ha
de basar la computación cuántica, que de un modo u otro ha de dirigir el desarrollo de la informática a medio
plazo.