Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Teoría Electromagnética
Informe del Proyecto Semestral
Profesora Sherlie Portugal

Integrantes:
Valerie Bermúdez 8-944-1832
Alexander Delgado 8-979-945
Didier Guerra 8-980-477
Isamar Miranda 8-977-820
Daniel Pineda 8-960-1932
Luis Vega 8-976-652

1EE-121

Fecha: 17 de diciembre de 2021

Parte I: Conductividad en Materiales
La Conductividad Eléctrica es una propiedad que presentan los materiales para permitir
el flujo de electrones (corriente eléctrica). Esta propiedad depende de la estructura
atómica del material, así como otros factores físicos como pueden ser la temperatura o el
estado de la materia en que esté (sólido, líquido o gaseoso). Esta propiedad física se basa
en la capacidad de los elementos de conducir la corriente eléctrica a través de ellos
mismos.
En medios líquidos, la conductividad dependerá de la presencia de sales (iones) en ellos,
ya que en su interior se forman electrolitos, los cuales responden con facilidad a un campo
eléctrico. En el caso de medios sólidos, estos presentan una estructura atómica mucho
más cerrada y con menor movimiento, en ellos la conductividad depende de la nube de
electrones compartidos por las bandas de valencia. Los metales son buenos conductores
eléctricos por su estructura atómica, en cambio, los plásticos son buenos aislantes
eléctricos.
En general, los metales son muy buenos conductores eléctricos, esto se debe
principalmente a que en su estructura atómica se presentan enlaces metálicos, los cuales
facilitan el movimiento de electrones en la capa externa (electrones de valencia).

1.1 Explique mostrando fórmulas y figuras/animaciones cómo afecta la temperatura a la

conductividad de los metales conductores y cómo afecta a los semiconductores.

• Cómo afecta la temperatura a la conductividad de los metales conductores:

Los materiales conductores son buenos para todas aquellas aplicaciones que impliquen
el libre flujo de electrones como es el suministro de energía eléctrica.
El símbolo para representar la conductividad es la letra griega sigma (σ) y su unidad de
medición es el siemens por metro (S/m). Para su cálculo se suelen tomar en cuenta
también las nociones de campo eléctrico (E) y densidad de corriente de conducción (J),
de la siguiente manera:
J = σE, de donde: σ = J/E
La siguiente figura nos indica la correlación entre resistividad y temperatura.

Para el intervalo 0-100 °C, la correlación observada obedece a la ecuación:

Dependencia de la resistividad frente a la temperatura para varios metales:

Deducimos que:
La resistividad es casi nula a temperaturas próximas al 0 absoluto.
En los metales y aleaciones, la resistividad aumenta con la temperatura: a mayor
temperatura, mayor resistividad, y por tanto, menor conductividad. Estas variaciones son
siempre positivas para los metales y sus aleaciones.
En efecto, la resistividad de un conductor crece a medida que lo hace la temperatura, ya
que los átomos aumentan la amplitud de su vibración en torno a sus posiciones de
equilibrio.
Los materiales más conductores que han sido identificados son: La plata, el cobre, el oro,
el aluminio, el tungsteno y el hierro.
La justificación cualitativa de la resistividad parte del modelo clásico, contemplando
además estas correlaciones a partir de la hipótesis de Einstein: que supone una estructura
cristalina formada por restos atómicos (núcleos+electrones internos) y electrones de
valencia actuando como resortes elásticos, para mantener unidos a los átomos del metal.
En la siguiente figura Hipótesis de Einstein: microestructura cristalina del metal actuando
como un oscilador armónico.

La resistividad es inversamente proporcional al tiempo de relajación. La resistividad crece

al disminuir el tiempo entre colisiones. Menores tiempos de relajación implican mayores
temperaturas y amplitudes de oscilación.

• Cómo afecta la temperatura a la conductividad de los metales semiconductores:

Los semiconductores se utilizan principalmente en electrónica digital y
microcontroladores debido a su capacidad para comportarse como conductores o aislantes
según diversos factores como la temperatura.

En los semiconductores (sólidos covalentes atómicos) un aumento de temperatura

produce rupturas en sus enlaces y, a consecuencia de ello, se liberan electrones. Esto
explica la disminución de la resistividad de los semiconductores ante un aumento de la
temperatura.

Los Semiconductores actúan como aislantes a bajas temperaturas y conductores a

temperaturas más altas.
La conducción se produce a una temperatura más alta debido a que los electrones que
rodean los átomos semiconductores pueden separarse de su enlace covalente y moverse
libremente por la red
La estructura del enlace de un semiconductor determina sus propiedades.
En semiconductores a muy altas temperaturas, la contribución a la conductividad por
parte de los electrones resulta ser importante. En semiconductores la conductividad
térmica total resulta de sumar la contribución de los fonones, la contribución de los
electrones, y la contribución de la radiación térmica.

En la siguiente figura se muestra la conductividad térmica en función de la temperatura

para un semiconductor típico, como el silicio:
En semiconductores la principal contribución a la conductividad térmica es debido a
fonones. A altas temperaturas se observa que la conductividad disminuye debido a la
interacción fonón-fonón y procesos de múltiples fonones.
Cuando un electrón gana energía suficiente para participar en la conducción (es "libre"),
se encuentra en un estado de alta energía. Cuando el electrón está enlazado, y, entonces,
no pueden participar en la conducción, el electrón se encuentra en un estado de baja
energía.

Animación que muestra la formación de los

electrones "libres" y los agujeros cuando un electrón puede escapar de su enlace.

1.2 Explique qué es la superconductividad y cómo se relaciona con la temperatura.

De algunos ejemplos de superconductores.
De ejemplos de aplicaciones que pueden tener en la industria y la ciencia.

• Qué es la superconductividad y cómo se relaciona con la temperatura:

Se denomina superconductividad a la capacidad intrínseca que poseen ciertos materiales
para conducir corriente eléctrica con resistencia y pérdida de energía en determinadas
condiciones.
La superconductividad es un fenómeno en el que, cuando se enfrían por debajo de una
temperatura crítica, algunos materiales son capaces conducir corriente eléctrica sin
resistencia ni pérdida de energía.
Los mejores superconductores se tienen que enfriar con helio líquido o nitrógeno para
estar lo suficientemente fríos como para funcionar.
Al enfriar ciertos metales y aleaciones por debajo de una temperatura, propia de cada
material y denominada temperatura crítica Tc, del orden de algunos °K, se observa la
desaparición repentina de la resistividad eléctrica. Este fenómeno sorprendente se
denomina superconductividad y fue observada por primera vez por el holandés
Kamerlingh Onnes en 1911.

Por debajo de una temperatura crítica Tc la resistividad eléctrica en corriente continua se

vuelve » 0, observándose una corriente persistente o supercorriente. Para corriente
alterna, el superconductor ofrece resistencia, aunque para frecuencias bajas es muy
pequeña.

• Algunos ejemplos de superconductores:

Los materiales superconductores poseen propiedades magnéticas sorprendentes; un
superconductor masivo en un campo magnético débil se comporta como un diamagnético
perfecto, es decir, la inducción magnética en su interior es nula dado que el flujo
magnético es expulsado del interior de la muestra. Este fenómeno recibe el nombre de
efecto Meissner.
Existen muchos materiales que se vuelven superconductores al bajar la temperatura.
Algunos tienen una composición muy sencilla, son elementos químicos como el plomo o
el aluminio; otros involucran varios elementos y hay que prepararlos en el laboratorio.
Algunos ejemplos son:
Carbono (superconductor en una forma modificada), Cadmio, Circonio, Cromo
(superconductor en una forma modificada), Azufre (superconductor bajo condiciones
altas de presión), Uranio, Litio, Hidruro de lantano (LaH 10)

• Ejemplos de aplicaciones que pueden tener en la industria y la ciencia:

Hasta ahora, la principal utilidad de los superconductores es la producción de campos
magnéticos muy intensos sin pérdida de energía. Así, tienen aplicaciones en medicina, en
la construcción de aceleradores de partículas y el control de reactores nucleares, entre
otras cosas. El desarrollo de los superconductores permite además avanzar en el estudio
de computadoras más veloces y con mayor memoria, trenes de levitación magnética de
alta velocidad y la posibilidad de generar energía eléctrica de manera más eficiente.
Además, los superconductores se utilizan en los laboratorios de física con fines
investigativos, por ejemplo, en los estudios de resonancia magnética nuclear y la
microscopia electrónica de alta resolución.
También está la creación de los electroimanes de trenes de alta velocidad como los de
Japón. Estos imanes superconductores también pueden emplearse en los aparatos de
resonancia magnética de los hospitales, y en aceleradores de partículas. Los
superconductores tienen numerosas aplicaciones. Actualmente, los imanes más potentes
se fabrican con bobinas de cables superconductores (electroimanes superconductores).
Este es el caso de los imanes que se utilizan en grandes instalaciones científicas, como
los aceleradores de partículas, y en medicina, como los aparatos de resonancia magnética
nuclear. Los imanes potentes son también un componente importante de los generadores
que transforman energía mecánica en electricidad (como es el caso de los generadores
eólicos e hidráulicos). El uso de imanes producidos por bobinas superconductoras
disminuyen las pérdidas mecánicas en la producción de energías alternativas. De esta
forma disminuye de forma muy importante el peso y las dimensiones de los motores.
Además el uso de generadores superconductores disminuye la dependencia en las escasas
tierras raras que componen los imanes convencionales.

La superconductividad permite la levitación

magnética de ciertos materiales.
Parte II: Dieléctricos
2.1 Explique el efecto de polarización que un dieléctrico experimenta en presencia
de un campo eléctrico externo.
Los dieléctricos son materiales aislantes: tienen una baja conductividad eléctrica,
característica que ocurre dado a que los electrones en la capa atómica más externa de
estos están fuertemente enlazados a sus átomos, por lo que, al ser aplicado un campo
eléctrico externo, sus electrones no pueden “fluir”, a diferencia de los conductores.
En la ausencia de un campo eléctrico, los átomos de los dieléctricos forman moléculas no
polares, es decir, no tienen carga eléctrica neta, por lo que no atraen ni repelen a otras
moléculas. Los electrones en estas moléculas no polares forman una nube simétrica
alrededor del núcleo, cuyo centro coincide con el núcleo, debido a que ésta es la
organización más estable que pueden tener en su estado.

Átomos o moléculas de los dieléctricos en la ausencia de un campo eléctrico externo.

Fenómeno de polarización en los dieléctricos

Al aplicar un campo eléctrico a un dieléctrico, el segundo sufre una polarización de sus
átomos o moléculas, lo que es, técnicamente, una distorsión de el o los átomos. Es proceso
en el cual el centro de la nube simétrica de electrones se aleja del núcleo, así teniendo un
momento dipolar por una concentración de cargas positivas en un lado de la molécula, y
una concentración de cargas negativas en el otro lado de la misma. Cada uno de estos
dipolos tienen, entonces, un pequeño campo eléctrico interno en dirección desde el núcleo
hacia el centro de la molécula. Este campo suele ser más débil y tiene dirección opuesta
al campo eléctrico externo que lo indujo. Esto tiene sentido, dado que un campo eléctrico
tiene dirección desde la concentración positiva que lo produce, hacia la concentración
negativa que lo atrae, entonces el núcleo positivo de las moléculas distorsionadas se
acercará hacia el sumidero del campo eléctrico externo, y los electrones de la nube del
dipolo inducido, se acercarán a la fuente del campo externo.
 Átomos o moléculas de los dieléctricos en la presencia de un campo eléctrico externo.
Se han polarizado y el centro de la nube de electrones ya no coincide con el núcleo.

Los dipolos se alinean en filas en el material dieléctrico, y entonces a nivel macro, una
superficie de éste tiene densidad de carga positiva, y el otro, densidad de carga negativa.
El momento dipolar que experimentan las moléculas de los dieléctricos sólo existe en la
duración en el que estos están siendo afectados por un campo eléctrico externo. Al
remover el campo eléctrico, el momento dipolar se termina: el centro de la nube de
electrones de las moléculas vuelve a alinearse con el núcleo y deja de existir el pequeño
campo eléctrico formado por la polarización.

Campo de polarización
En el espacio libre, la densidad de flujo electrostático es igual a la permitividad eléctrica
en el vacío, épsilon sub zero, multiplicada por un campo eléctrico E:

𝐷 = 𝜖0 𝐸

Donde la constante 𝜖0 = 8.8541878176 × 10-12 C2 / (N·m2).

Sin embargo, la presencia de los dipolos inducidos en los dieléctricos altera esa relación
a:

𝐷 = 𝜖0 𝐸 + 𝑃

Donde 𝑃 es el campo de polarización eléctrica, dado por la polarización inducida en el

material por el campo eléctrico 𝐸, como se explicó anteriormente.
Un medio dieléctrico se dice que es:

• Lineal, si la magnitud de 𝑃 es directamente proporcional a la magnitud de 𝐸

• Isotrópico, si 𝑃 y 𝐸 tienen la misma dirección
• Anisotrópico, si su estructura permite más polarización a lo largo de ciertas
direcciones, causando que 𝑃 y 𝐸 difieran en su dirección
 • Homogéneo, si sus parámetros constitutivos (𝜖, 𝜇 y 𝜎) son constantes en toda la
longitud del medio

En campos lineales, isotrópicos y homogéneos, la proporcionalidad directa de 𝑃 con 𝐸 se

expresa de la siguiente manera:

𝑃 = 𝜖0 𝜒𝑒 𝐸

Donde 𝜒𝑒 (chi sub e), es la susceptibilidad eléctrica del medio dieléctrico. Reemplazando
esta definición de 𝑃 en la ecuación de la densidad de flujo electrostático, tenemos que:

𝐷 = 𝜖0 𝐸 + 𝑃

𝐷 = 𝜖0 𝐸 + 𝜖0 𝜒𝑒 𝐸

𝐷 = 𝜖0 𝐸(1 + 𝜒𝑒 )

𝐷 = 𝜖𝐸
Así, definiendo la permitividad del material como:

𝜖 = 𝜖0 (1 + 𝜒𝑒 )

La presencia de un material dieléctrico afecta muchas cantidades eléctricas. Reduce por

un factor 𝐾 el valor del campo eléctrico y consecuentemente, también el valor del
potencial eléctrico de una carga en el medio. La inserción de un dieléctrico entre los
electrodos de un capacitor con una carga dada reduce la diferencia en potencial entre los
electrodos, así incrementando la capacitancia del capacitor por el factor 𝐾. Un efecto
importante de los dieléctricos es que reduce la velocidad de las ondas electromagnéticas
en un medio por el factor √𝐾.
Podemos conseguir esta constante dieléctrica, que expresa una cantidad sin dimensión,
para explicar la permitividad de un material relacionándolo con aquella en el espacio
libre, de esta manera:
𝜖
𝐾=
𝜖0

En el espacio libre, 𝐾 = 1, y para la mayoría de los conductores, el valor se asemeja a 1.

A continuación, presentamos una tabla con constantes dieléctricas para un par de
materiales comunes.

Constante dieléctrica para algunos materiales a

temperatura normal
Material Constante dieléctrica
Aire 1.0006
Cuarzo fundido 3.78
Petróleo 2.1
Poliestireno 2.76
Basquelita 5
La presencia de un material dieléctrico afecta muchas cantidades eléctricas. Reduce por
un factor 𝐾 el valor del campo eléctrico y consecuentemente, también el valor del
potencial eléctrico de una carga en el medio. La inserción de un dieléctrico entre los
electrodos de un capacitor con una carga dada reduce la diferencia en potencial entre los
electrodos, así incrementando la capacitancia del capacitor por el factor 𝐾. Un efecto
importante de los dieléctricos es que reduce la velocidad de las ondas electromagnéticas
en un medio por el factor √𝐾.

Ruptura Dieléctrica
La polarización de un dieléctrico ocurre siempre y cuando el valor del campo eléctrico
aplicado no supera un valor crítico, conocido como la fuerza dieléctrica del material. Si
este es superado, los electrones se separarán de las moléculas del dieléctrico,
efectivamente actuando como un conductor. En estos casos, muy peligrosos, pueden salir
chispas y ocurrir daño permanente al material dieléctrico, lo cual es conocido como
ruptura dieléctrica.
Esta ruptura puede ocurrir en gases, líquidos y sólidos, y la fuerza dieléctrica depende de
la composición del material y algunos factores externos, como por ejemplo la humedad.
Un ejemplo muy común que todos conocemos de ruptura dieléctrica es la caída de los
rayos eléctricos a través del aire.

Preguntas Conceptuales
4-19. ¿Qué es un material polar? ¿Un material no polar?
Un material polar es uno que tiene una composición electrónica que atrae o deja ser
atraído al mismo, a otros materiales. Un material no polar es aquel cuya composición
electrónica no deja espacios para otros electrones, así manteniendo al material íntegro y
sin unirse a otros.
4-20. ¿D y E siempre apuntan en la misma dirección? Si no es así, ¿cuándo es que no
apuntan en la misma dirección?
D y E no apuntan en la misma dirección cuando el material es anisotrópico. Esto ocurre
en ciertos cristales, cuya composición y estructura permite mayor polarización en
algunas direcciones versus otras.

4-21. ¿Qué pasa cuando ocurre una ruptura dieléctrica?

Cuando ocurre una ruptura dieléctrica, los electrones de las moléculas de los
dieléctricos se separan y fluyen, así actuando el dieléctrico como un conductor. A nivel
macro, pueden saltar chispas del material.
Parte III: Condiciones eléctricas de frontera
3.1 Explique las condiciones de frontera para los campos D y E, cuando los mismos
atraviesan diferentes materiales.
Las condiciones de frontera especifican como están relacionados los componentes
tangenciales y normales del campo en un medio con los componentes del campo a través
de la frontera en otro medio.
Se derivará un conjunto general de condiciones de frontera aplicables en la superficie de
contacto entre dos medios distintos cualesquiera, sean dos dieléctricos diferentes o un
conductor y un dieléctrico.
Eso nos lleva a nuestro primer ejemplo, la figura 1 muestra una superficie de contacto
entre el medio 1 con permitividad 𝜀1 y el medio 2 con permitividad 𝜀2 . En el caso general,
la frontera puede tener una densidad de carga superficial 𝑝𝑠 .

Figura 1.
Para derivar las condiciones de frontera de los componentes tangenciales de E y D,
primero se construye el circuito rectangular cerrado 𝑎𝑏𝑐𝑑𝑎 que se ilustra en la figura 1.
y luego se aplica la propiedad conservativa del campo dieléctrico de la ecuación:

Ecuación 1.
La cual establece que la integral de línea del campo electrostático alrededor de un trayecto
cerrado siempre es igual a cero, donde E1 y E2 son los campos eléctricos en los medios
1 y 2, respectivamente. En función de las direcciones tangencial y normal mostradas en
la figura 1,
En el segmento 𝑎𝑏, 𝐸2𝑡 y 𝑑𝑙 tienen la misma dirección, pero en el segmento 𝑐𝑑, 𝐸1𝑡 y 𝑑𝑙
están en direcciones opuestas. Por consiguiente, la ecuación 1 da:

O también:

Como 𝐷1𝑡 = 𝜀1 𝐸1𝑡 y 𝐷2𝑡 = 𝜀1 𝐸2𝑡 , las condiciones de frontera en el componente tangencial
de la densidad de flujo eléctrico son:

De acuerdo con la ley de Gauss, el flujo total hacia fuera de D a través de las tres
superficies del pequeño cilindro mostrado en la figura 1 debe ser igual a la carga total
encerrada en el cilindro. Si la altura del cilindro Δℎ⟶0 , la contribución de la superficie
lateral al flujo tiende a cero. La única carga que permanece en el cilindro colapsado es la
distribuida sobre su frontera. Por lo tanto, 𝑄 = 𝑟𝑠 Δ𝑠1 y

donde ñ1 y ñ2 son los vectores unitarios normales dirigidos hacia fuera de las superficies
inferior y superior, respectivamente. Como ñ1 = −ñ2, la ecuación anterior se simplifica
como:

Con 𝐷1𝑛 y 𝐷2𝑛 definidos como los componentes normales de 𝐷1 y 𝐷2 a lo largo de ñ2 , se

tiene

Por lo tanto, el componente normal de D cambia abruptamente en la frontera cargada

entre dos medios diferentes, y la cantidad de carga es igual a la densidad de carga
superficial. La condición de frontera correspondiente para E es:

Tomando en cuenta lo anterior, para los campos D y E, siento estos tangenciales y

normales en el Dieléctrico – Dieléctrico, correspondiente a los siguientes modelos
matemáticos:
Para el caso de condiciones de frontera entre Dieléctrico y Conductor considerando qué
el caso en que el medio 1 en la figura 1 es un dieléctrico y el medio 2 es un conductor
perfecto. En un conductor perfecto, E=D=0 en cualquier parte del conductor. Por
consiguiente, 𝐸2 = 𝐷2 = 0, lo que requiere que los componentes tangenciales y normales
de 𝐸2 y 𝐷2 sean cero. Por consiguiente, de acuerdo con las ecuaciones:

y
Los campos en el medio dieléctrico en la frontera con el conductor están dados por:

Estas dos condiciones de frontera se combinan en:

Donde ñ es un vector unitario dirigido normalmente hacia fuera de la superficie

conductora. Esto significa que las líneas del campo eléctrico se alejan de la superficie del
conductor cuando 𝑝𝑠 es positiva y se dirigen directamente hacia la superficie del conductor
cuando 𝑝𝑠 es negativa.

Figura 2.
La figura 2 muestra una losa conductora infinitamente larga colocada en un campo
eléctrico uniforme 𝐸0 . El medio sobre y debajo de la losa tiene una permitividad e1. Como
𝐸0 se aleja de la superficie superior, induce una densidad de carga positiva 𝑃𝑠 = 𝜀1 |𝐸0 | en
la superficie superior de la losa. En la superficie inferior, 𝐸0 apunta hacia la superficie y,
por consiguiente, la densidad de carga inducida es -𝑝𝑠 . La presencia de estas cargas
superficiales induce un campo eléctrico Ei en el conductor, el cual produce un campo
total 𝐸 = 𝐸0 + 𝐸1 . Para satisfacer la condición de que E debe ser cero en cualquier parte
del conductor, 𝐸𝑖 debe ser igual a -𝐸0 .

Para la frontera entre un conductor y otro conductor

Figura 3.
Primeramente, se examina el caso general de la frontera entre dos medios cuando ninguno
de ellos es un dieléctrico o un conductor perfecto. El medio 1 ilustrado en la figura 3 tiene
una permitividad 𝜀1 y conductividad 𝜎1 , el medio 2 tiene 𝜀1 y 𝜎1 y la superficie de contacto
entre ellos tiene una densidad de carga 𝑝𝑠 . Para los campos eléctricos, las ecuaciones:

y
Dan:

Como se trata de medios conductores, los campos eléctricos originan densidades de

corriente 𝐽1 y 𝐽2 , con 𝐽1 proporcional a 𝜀1 y 𝐽2 proporcional a 𝜀1 . Como J=𝜎𝐸, se tiene:

Los componentes tangenciales 𝐽1𝑡 y 𝐽2𝑡 representan corrientes que fluyen en los dos medios
en una dirección paralela a la frontera y, por lo tanto, no hay transferencia de carga entre
ellos. Si 𝐽1𝑛 ≠ 𝐽2𝑛 , entonces una cantidad de carga diferente llega a la frontera de la que
sale de él.

Por consiguiente, 𝑝𝑠 no puede permanecer constante con el tiempo, lo cual viola la

condición de electrostática que requiere que todos los campos y cargas permanezcan
constantes.
Por lo tanto, el componente normal de J tiene que ser continuo a través de la frontera entre
dos medios diferentes en condiciones electrostáticas. Con 𝐽1𝑛 = 𝐽2𝑛 en la ecuación
anterior, se tiene:
Problema 4.48

Determine la fuerza de atracción en un capacitor de placas paralelas con A = 5 𝑐𝑚2 , d =

2 cm y ∈1 = 4 si el voltaje a través de él es de 50 V.

Solución

𝜀𝐴|𝐸|2 −4
50 2
𝐹 = −𝑧 = −𝑧2𝜀0 (5𝑥10 ) ( ) = −𝑧55.3𝑥10−9 𝑁
2 0.02

Problema 4.49
En un material ocurre ruptura dieléctrica siempre que la magnitud del campo E excede la
resistencia dieléctrica en cualquier parte de ese material. En el capacitor coaxial del
ejemplo 4-10,

a) ¿Con qué valor de 𝑟 𝑒𝑠 |𝐸| es máximo?

b) ¿Cuál es el voltaje de ruptura si a =1 cm, b = 2 cm y el material dieléctrico es mica con
𝜀𝑟 = 6?

Solución
𝑟𝑝
a) 𝑒 = − 2𝜋𝜀𝑟𝑙 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑎 < 𝑟 < 𝑏. Esto quiere decir qué |E| es máximo en r=a
𝑟𝑝 𝑝𝑙 𝑀𝑉
b)|𝐸| = 2𝜋𝜀𝑟𝑙 = 2𝜋(6𝜀 −2
= 200
0 )(10 ) 𝑚
𝑀𝑉 𝑢𝐶
𝑝𝑙 = (200 ) (2𝜋)(6)(8.854𝑥10−12 )(0.01) = 667.6
𝑚 𝑚
𝑢𝐶
𝑝𝑙 𝑏 667.6 𝑚
𝑉= ln ( ) = ln(2) = 1.39 𝑀𝑉
2𝜋𝜀 𝑎 −12 𝐹
12𝜋(8.854𝑥10 𝑚)

Problema 4.50

Un electrón con carga 𝑄𝑐 = −1.6𝑥10−16 𝐶 y masa 𝑚𝑐 = 9𝑥10−31 𝐾𝑔es inyectado en un

punto adyacente a la placa negativamente cargada de un capacitor de placas paralelas
lleno de aire con separación de 1 cm y placas rectangulares de 10𝑐𝑚2 de área. Si el
voltaje a través del capacitor es de 10 V, calcule lo siguiente:
a) La fuerza que actúa en el electrón.
b) La aceleración del electrón.
 c) El tiempo que requiere el electrón para llegar a la placa positivamente cargada,
suponiendo que parte del reposo.
Solución
𝑉 10
A) 𝐹 = 𝑄𝑐 𝐸 = 𝑄𝐶 𝑑 = −1.6𝑥10−19 0.01 = −1.6𝑥10−16 𝑁

𝐹 1.6𝑥10−16
B) 𝑎 = 𝑚 = =
9.1𝑥10−31
𝑚
1.76𝑥1014 𝑠2
2𝑑 2∗0.01
C) 𝑡 = √ 𝑎 = √1.76∗1014 = 10.7𝑥10−9 𝑠 = 10.7 𝑛𝑠

Problema 4.51

4.51 En un medio dieléctrico con 𝜀𝑟 = 4, el campo eléctrico está dado 𝑝𝑜𝑟 𝐸 =

𝑥(𝑥 2 + 2𝑧) + 𝑦𝑥 2 − 𝑧(𝑦 + 𝑧) (𝑉/𝑚) Calcule la energía electrostática almacenada en
la región −1𝑚 ≤ 𝑥 ≤ 1𝑚, 0 ≤ 𝑦 ≤ 2 𝑚 𝑦 0 ≤ 𝑧 ≤ 3 𝑚

1 2
𝜀 3 2 1
𝑊𝑒 = ∫ 𝜀|𝐸| 𝑑𝑣 = ∫ ∫ ∫ [(𝑥 2 + 2𝑧)2 + 𝑥 4 + (𝑦 + 𝑧)2 ]𝑑𝑥𝑑𝑦𝑑𝑧
2 𝑉 2 𝑧=0 𝑦=0 𝑥=−1

4𝜀0 2 2 4 1
= ((( 𝑥 5 𝑦𝑧 + 𝑥 3 𝑦𝑧 2 + 𝑧 3 𝑥𝑦 + (𝑦 + 𝑧)4 𝑥) |1𝑥=−1 )|1𝑦=0 )|1𝑧=0
2 5 3 3 12
4𝜀0 1304
= ( ) = 4.62𝑥10−9 𝐽
2 5
Parte IV: Método de Imágenes
4.1 Explique el método de imágenes de acuerdo a lo mostrado en la sección 4-11.
Explique el ejemplo presentado y resuelva el ejercicio 4-13.

El método de imágenes se utiliza para obtener el campo eléctrico y el potencial en

situaciones de cargas frente a conductores o conductores frente a campos uniformes. Es
útil para situaciones en las que no se conocen las magnitudes y ubicaciones de las cargas
que contribuyen al campo eléctrico, cuando es difícil construir una superficie gaussiana
para que el campo eléctrico sea tangencial o normal a cualquier punto de la superficie y
cuando la solución del campo eléctrico calculando el potencial mediante Poisson o
Laplace sea complicada de resolver. La teoría de la imagen establece que “cualquier
configuración de carga dada sobre un plano infinito perfectamente conductor es
eléctricamente equivalente a la combinación de la configuración de carga dada y su
configuración de imagen con el plano conductor removido” (Ulaby, 2015).

Ejemplo presentado:

Considere una carga puntual Q a una distancia sobre un plano perfectamente conductor,
como se muestra en la sección izquierda de la figura 4-26. Se desea determinar V, E y D
en cualquier punto del espacio sobre el conductor conectado a tierra. así como la
distribución de la carga superficial en la placa conductora.

La distancia de la imagen al plano será igual al de la carga al plano. La carga Q y una

carga imagen de ella misma tendrán una distancia 2d de Q. Esto crea un campo eléctrico
por las dos cargas aisladas. Finalmente, se puede calcular en cualquier punto (x, y, z)
aplicando el método de Coulomb.

Ejemplo 4-13:

Use la teoría de imagen para determinar V y E en un punto arbitrario P(x, y, z) en la

región z>0 que se debe a una carga Q en el espacio libre a una distancia d sobre un plano
conductor conectado a tierra.
El campo E producido por la carga puntual en el punto P(x, y, z):

E = E+ + E-

1 𝑄𝑟 1 𝑄𝑟
EP = 4𝜋𝜀 |𝑟 |13 − 4𝜋𝜀 |𝑟 |23
1 2

P(x, y, z)
𝑄 𝑟1 𝑟2
EP = 4𝜋𝜀 [|𝑟 |3 − |𝑟 |3] r1
1 2
Q
d
La carga Q está en (0, 0, d) y su imagen en (0, 0, -d). r2

𝑟⃑1 = (𝑥, 𝑦, 𝑧) − (0,0, 𝑑) = (𝑥, 𝑦, 𝑧 − 𝑑) = 𝑥𝒙

̂ + 𝑦𝒚
̂ + (𝑧 − 𝑑)𝒛̂ d

𝑟⃑2 = (𝑥, 𝑦, 𝑧) − (0,0, − 𝑑) = (𝑥, 𝑦, 𝑧 + 𝑑) = 𝑥𝒙

̂ + 𝑦𝒚
̂ + (𝑧 + 𝑑)𝒛̂ -Q

𝑟1 = √𝑥 2 + 𝑦 2 + ( 𝑧 − 𝑑)2 𝑟2 = √𝑥 2 + 𝑦 2 + ( 𝑧 + 𝑑)2

𝑄 ̂+𝑦𝒚
𝑥𝒙 ̂+(𝑧−𝑑)𝒛̂ ̂+𝑦𝒚
𝑥𝒙 ̂+(𝑧+𝑑)𝒛̂
EP = [
4𝜋𝜀 (𝑥 2 2 3 − 3 ] siendo z ≥0
+𝑦 +(𝑧−𝑑)2 ))2 (𝑥 2 +𝑦 2 +(𝑧+𝑑)2 ))2

1 𝑄 1 𝑄 𝑄 1 1
𝚽𝑷 = 𝚽+ + 𝚽− = 4𝜋𝜀 |𝑟 | − 4𝜋𝜀 |𝑟 | = 4𝜋𝜀 [ 1 − 1 ]
1 2 (𝑥 2 +𝑦2 +(𝑧−𝑑)2 ))2 (𝑥 2 +𝑦 2 +(𝑧+𝑑)2 ))2

Por simetría, la combinación de dos cargas crea un potencial igual a cero en todos los
puntos del plano ocupaos por una superficie conductora. El método de imagen es válido
para cargas puntuales y distribuciones de carga, como las distribuciones lineales y
volumétricas.
 4.2 Investigue en otras fuentes y presente al menos dos ejemplos más de problemas
utilizando este método.

Determinar el potencial eléctrico de una carga puntual Q que hay en

q
b
la región entremedio de dos planos semi infinitos que se cruzan.

a Se colocan cuatro cargas que sea contraria entre ellas. para que su
potencial sea equivalente al que se pide originalmente y tengas las
mismas condiciones de frontera.

-q q
b 1 𝑞 1 𝑞 1 𝑞 1 𝑞
𝑉= + − − =0
4𝜋𝜀 |𝑟1 | 4𝜋𝜀 |𝑟2 | 4𝜋𝜀 |𝑟3 | 4𝜋𝜀 |𝑟4 |
a

q -q 𝑞 1 1 1 1
𝑉= ( + − − )
4𝜋𝜀 |𝑟1 | |𝑟2 | |𝑟3 | |𝑟4 |

𝑟⃑1 = (𝑥, 𝑦, 𝑧) − (𝑎, 𝑏, 0) = (𝑥 − 𝑎, 𝑦 − 𝑏, 𝑧) 𝑟⃑2 = (𝑥, 𝑦, 𝑧) − (−𝑎, −𝑏, 0) = (𝑥 + 𝑎, 𝑦 + 𝑏, 𝑧)

𝑟⃑3 = (𝑥, 𝑦, 𝑧) − (−𝑎, 𝑏, 0) = (𝑥 + 𝑎, 𝑦 − 𝑏, 𝑧) 𝑟⃑4 = (𝑥, 𝑦, 𝑧) − (𝑎, −𝑏, 0) = (𝑥 − 𝑎, 𝑦 + 𝑏, 𝑧)

𝑟1 = √(𝑥 − 𝑎)2 + (𝑦 − 𝑏)2 + 𝑧2 𝑟2 = √(𝑥 + 𝑎)2 + (𝑦 + 𝑏)2 + 𝑧 2

𝑟3 = √(𝑥 + 𝑎)2 + (𝑦 − 𝑏)2 + 𝑧 2 𝑟4 = √(𝑥 − 𝑎)2 + (𝑦 + 𝑏)2 + 𝑧 2

𝑞 1 1 1 1
𝑉= ( + − − )
4𝜋𝜀 √(𝑥 − 𝑎)2 + (𝑦 − 𝑏)2 + 𝑧2 √(𝑥 + 𝑎)2 + (𝑦 + 𝑏)2 + 𝑧2 √(𝑥 + 𝑎)2 + (𝑦 − 𝑏)2 + 𝑧2 √(𝑥 − 𝑎)2 + (𝑦 + 𝑏)2 + 𝑧2
 z
Determine el potencial debido a una línea de carga y un plano conductor conectado a tierra.
λ ρ1
P −𝜆 𝜌1 𝜆 𝜌2
2 𝑉 = 2𝜋𝜀 𝑙𝑛 𝑎
+ 2𝜋𝜀 𝑙𝑛 𝑎
(a)
d 1 Se debe calcular el potencial eléctrico de una
V=0
1 −𝜆 𝜌2 línea infinita de carga paralelo al eje x, con
𝑉= 𝑙𝑛 densidad λ y un plano conductor que coincide
d ρ 2
2𝜋𝜀 𝜌1
Escriba aquí la ecuación. con el plano xy conectado a tierra para z>0.
-λ
5 −𝜆 𝜌2
𝑉= 𝑙𝑛 Se busca igualar la distribución de carga que
2𝜋𝜀 𝜌1
hay en la región donde se calcula el potencial
y el potencial eléctrico en las fronteras de la
𝜌⃑1 = (𝑦, 𝑧) − (0,0, 𝑑) = ( 𝑦, 𝑧 − 𝑑) = 𝑦𝒚
̂ + (𝑧 − 𝑑)𝒛̂
región.
⃑𝜌⃑2 = (𝑦, 𝑧) − (0,0, − 𝑑) = ( 𝑦, 𝑧 + 𝑑) = 𝑦𝒚
̂ + (𝑧 + 𝑑)𝒛̂ Se ubica una carga -q a una distancia de 2d a
la carga q. Para un punto P(y, z), se busca el
𝜌1 = √𝑦2 + ( 𝑧 − 𝑑)2 ; 𝜌2 = √𝑦2 + ( 𝑧 + 𝑑)2 potencial para dos líneas infinitas de carga.
−𝜆 𝑦2 + ( 𝑧 − 𝑑)2 El potencial debido a dos líneas infinitas de
𝑉= 𝑙𝑛
4𝜋𝜀 𝑦2 + ( 𝑧 + 𝑑)2 carga es determinado por: (a). Anteriormente
calculado en clases. “a” es un punto de
referencia donde V=0.
Parte V: Resolución de problemas
5.1 Para tener una idea del tamaño físico de un capacitor de 1 F, considere un capacitor
de placas paralelas, las cuales están separadas por una distancia de 1 cm. Calcule el área
de las placas metálicas, considerando al aire como el dieléctrico entre las placas y la
capacitancia igual a 1 F.

Solución
Datos:
𝐶 = 1𝐹
𝑑 = 1 𝑐𝑚
𝑑 = 1𝑥10−2
Paso 1
Ecuación por utilizar:
𝜀0 𝐴
𝐶=𝐾
𝑑
Esta ecuación nos relaciona la capacitancia con el área, la constante dieléctrica
y la distancia que separa las placas conductivas.

Despejando nos queda

𝐶𝑑
=𝐴
𝑘𝜀0
Paso 2
Reemplazar en nuestra fórmula
(1𝐹)(1 × 10−2 𝑚)
=𝐴
(1)𝜀0

1.13𝑥109 𝑚2 = 𝐴

5.2 Muchas líneas de transmisión de alto voltaje de 60 Hz operan a un voltaje alterno de

765 kV rms.
a) ¿Cuál es el máximo campo eléctrico a nivel del suelo debajo de una línea como esas,
si el cable se encuentra a 12 m sobre el suelo?
Fórmula para el campo eléctrico máximo a nivel del suelo
−𝜌1
𝐸𝑥 =
2𝜋𝜀0 𝑥
Obtenemos la ecuación del campo eléctrico máximo para un solo cable por encima del
suelo y sustituimos x=h/2
−𝜌1
𝐸𝑥 =
ℎ
2𝜋𝜀0 2
 −𝜌1
𝐸𝑥 =
𝜋𝜀0 ℎ

En representación general 𝜌1 en términos de capacitancia y 𝑣0

𝜌1 = 𝑐𝑢 𝑣0

Fórmula para 𝐶𝑢 para un solo cable por encima del suelo.

2𝜋𝜀0
𝑐𝑢 =
𝑑
𝑙𝑛 (𝑎 )

Para un solo cable por encima del suelo el valor de 𝑑 esta en términos de h el cual es 2h.

𝑑 = 2ℎ
2𝜋𝜀0
𝑐𝑢 =
2ℎ
𝑙𝑛 ( 𝑎 )

Sustituimos
2𝜋𝜀0
𝜌1 = ⋅ 𝑣0
2ℎ
𝑙𝑛 ( 𝑎 )

Considerando que el radio del cable es muy pequeño a comparación de ℎ que es igual a
25 cm.
Sustituimos:
𝐹
Radio del cable a=25cm, Vo=765kV, h=12cm, 𝜀0 = 8.854 × 10−12 𝑚

2𝜋(8.854 × 10−12 𝐹⁄𝑚)(750𝑘𝑉)

𝜌1 =
2(12𝑐𝑚)
𝑙𝑛 ( )
25𝑐𝑚
𝜌1 = 9.32𝜇𝐶

Finalmente sustituimos en la ecuación de 𝐸𝑥

−9.32𝜇𝐶
𝐸𝑥 =
𝜋(8.854 × 10−12 )(12)
𝑉
𝐸𝑥 = −27.9𝑘
𝑚
𝑉
Entonces, el valor del campo eléctrico a nivel del suelo es −27.9𝑘 𝑚

b) ¿Cuál es la máxima diferencia de potencial entre la cabeza y los pies de una persona
con estatura de 1.80 m?
Expresión para máxima diferencia de potencial
 𝜙 = |𝐸𝑥 |ℎ𝑝
𝑉
𝐸𝑥 = 27.9𝑘 𝑚 ℎ𝑝 = 1.80𝑚
𝑣
𝜙 = |27.9𝑘 | (1.80𝑚)
𝑚
𝜙 = 50.22𝑘𝑉
Entonces, el valor para la máxima diferencia de potencial es 50.22kV
c) ¿Es el campo eléctrico a nivel del suelo suficiente para encender una lámpara
fluorescente de 0.5 m de largo que necesita un voltaje de 110 V entre sus electrodos?
Para encender la lampara fluorescente el campo eléctrico requerido es de 220V/m
Ya que, el valor del campo eléctrico de la lampara fluorescente es muy pequeño
comparado al valor de |𝐸𝑥|, el cual es 27.9kV/m. Por lo tanto, la lampará no encenderá.

5.3 En una tormenta típica, el fenómeno de descarga eléctrica entre las nubes puede
modelarse como un capacitor de placas horizontales. Suponga que el área de dichas placas
(nubes) es 10 km2 y que la Distancia vertical entre ellas es de 5 km. justo antes de que
ocurra la descarga del Rayo, la placa superior de una carga de 300 C, mientras que la
placa inferior tiene la misma cantidad de carga, pero negativa.
a.) Encuentra la energía electroestática almacenado en las nubes antes de la descarga.
b.) ¿cuál es la diferencia de potencial entre las placas superior e inferior?
c.) ¿cuál es el campo eléctrico promedio entre las nubes?
d.) ¿cómo se compara este valor al voltaje de ruptura del aire seco (3MV/m)?

Solución
Para resolver este problema, lo que haré será primero presentar y desarrollar el esquema
de capacitor de placas paralelas.
Utilizando una superficie gaussiana cilíndrica:
Para la placa positiva (superior):

(𝜌+ )(𝐴1 ) = 𝜀0 ∮ 𝐸⃑ ⋅ 𝑑𝑆

= 𝜖0 𝐸∮ (−𝑧)(−𝑧) 𝑑𝑠

𝜌+ = 𝜀0 𝐸
Para la placa negativa (Inferior):

𝜌− = −𝜀0 𝐸

Nuestro Campo eléctrico sería entonces:

 𝑝+
𝐸⃑ = − 𝑧̂ (1)
𝜀0
Y la magnitud del campo eléctrico:
𝜌+
𝐸= (2)
𝜖0
Ahora vamos con la diferencia de potencial
2
𝑉12 = 𝑉2 − 𝑉1 = − ∫ 𝐸⃑ ⋅ 𝑑𝑙
1

2
𝑝+
= ∫(−𝑧̂ )(𝑧̂ 𝑑𝑧)
𝜀0
1

𝜌+ 𝑑
𝑉12 = = 𝐸𝑑 (3)
𝜀0

Utilizaremos la capacitancia para llegar a conocer la energía total almacenada

𝑄 (𝜌+ )(𝐴) (𝜌+ )(𝐴) (𝐴)
𝐶≡ = = 𝜀0 = 𝜀0 (4)
𝑉12 𝑉12 (𝜌+ )(𝑑) (𝑑)

𝑄2 𝑄2𝑑
𝑤𝐸 = = (5)
2𝐶 2𝜀0 𝐴
Ahora si con este juego de fórmulas podemos dar una solución al problema
a.) Encuentra la energía electroestática almacenado en las nubes antes de la descarga.
Ec. 5
𝑄2 𝑄 2 𝑑 (300 𝐶)2 (5𝑥103 𝑚)
𝑤𝐸 = = = = 2.54𝑥1012 𝐽
2𝐶 2𝜀0 𝐴 2𝜀0 (10𝑥106 𝑚2 )
b.) ¿cuál es la diferencia de potencial entre las placas superior e inferior? Ec.3
𝜌+ 𝑑 𝑄𝑑 (300 𝐶)(5𝑥103 𝑚)
𝑉12 = = = = 1.69𝑥1010 𝑉
𝜀0 𝜀0𝐴 𝜀0 (10𝑥106 𝑚2 )
c.) ¿cuál es el campo eléctrico promedio entre las nubes? Ec. 2
𝜌+ 𝑄 300 𝐶
𝐸= = = = 3.38𝑥106 𝑉/𝑚
𝜖0 𝜖0 𝐴 𝜀0 (10𝑥106 𝑚2 )
d.) ¿cómo se compara este valor al voltaje de ruptura del aire seco (3MV/m)?
Como 3.38𝑥106 𝑉/𝑚 > 3MV/m, Se necesita más carga para que ocurra un
relámpago cuando el aire no está seco.
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