UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES

“FACULTAD DE TECNOLOGIA”

CARRERA: ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES

ASIGNATURA: TALLER DE ELECTRICIDAD GENERAL

SIGLA : ELT - 126

LABORATORIO Nº12

TITULO: TRANSISTORES
GESTION: 2022 PERIODO: 2/2022

FECHA DE REALIZACION DEL LABORATORIO: 10/11/2022

FECHA DE ENTREGA DEL INFORME DEL LAB.: 17/11/2022

DOCENTE: Lic. Roberto Gutierrez M.

ESTUDIANTE: Univ. Quispe Torrez Elias Beymar

Nº DE HOJAS: 4

LA PAZ – BOLIVIA
 LABORATORIO N°12
TRANSISTORES
 FUNDAMENTO TEORICO

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una de
material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se llama transistor NPN y el segundo
transistor PNP.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR: Los transistores pueden funcionar de tres formas distintas: en
activa, en corte y en saturación.
Cuando la intensidad en la base del transistor es grande, este se comporta como un interruptor cerrado.
Cuando la intensidad en la base del transistor no existe, este se comporta como un interruptor abierto.
Las tensiones y corrientes en el transistor, se observa el sentido de las diferentes intensidades de corriente, así como la
denominación de las tensiones entre los tres terminales

Las tensiones y corrientes en el transistor, en la figura se observa el sentido de las diferentes intensidades de corriente, así
como la denominación de las tensiones entre los tres terminales.

CUATRO POLARIZACIONES EN UN TRANSISTOR PNP y NPN

CONDICIONES EN UN TRANSISTOR:
Considerando el transistor como un nudo eléctrico:
IE = IC + IB
Considerando el transistor como una malla:
VCE = VCB + VBE
Para el funcionamiento en activa, se cumple:
Donde:
IB: Intensidad de corriente en la base.
IC: Intensidad de corriente en el colector.
IE: Intensidad de corriente en el emisor.
β: Ganancia en intensidad.
VCE: Tensión entre el colector y el emisor.
VBE: Tensión entre la base y el emisor.
VCB: Tensión entre el colector y la base.

REGION DE CORTE: Se caracteriza porque tanto la unión base – emisor como la unión base – colector están polarizadas
inversamente. En estas condiciones la tensión en la base es nula o negativa, luego las intensidades que aparecen son
prácticamente nulas, el transistor no conduce.
 IE = IC = IB = 0

REGION ACTIVA:
Se caracteriza porque la unión base – emisor se polariza directamente y en inverso, la unión base – colector. En este caso,
las intensidades de corriente ya no son nulas (el transistor conduce parcialmente).

REGION DE SATURACION:
Se caracteriza porque las uniones base – emisor y base – colector se polariza directamente. El transistor conduce
plenamente y la tensión colector – emisor es aproximadamente 0,2 V.

 MATERIALES:

-1 Multímetro digital.
- 1Transistor NPN BC-548
- 1Transistor PNP BC-558
- Fuente de tensión DC.
- 1LEDS
-2 Resistores (1KΩ, 12KΩ)
-Proto - Board
- Conectores

 CIRCUITOS:
V1
10V
+V

R2
1k

D1
LED1

R1
12k Q1
NPN

 DATOS TEORICOS Y MEDIDOS:

NPN 1ra 2da

Posibilidad Posibilidad
2-1 1Ω 545 Ω

2-3 1Ω 550 Ω

Ganancia 368
hFE

 OPERACIONES AUXILIARES
  CONCLUSIONES

No se perciben datos medidos con el multímetro cuando se conectan el chicotillo negro con la base y el chicotillo rojo
con el colector y emisor.