& ACERCA DE LOS AUTORES C.J. SAVANT, Jr., es un ingeniero dedicado a la educaci6n. Recibié su Ph.D. cum laude del California Institute of Technology y ha impartido cétedra en el sistema de la California State University, en los campus de Long Beach y Los Angeles. El doctor Savant posee el “Premio al Profesor Distinguido” otorgado por la California State University y constantemente es elegido por sus alumnos como el “profesor més querido del Departamento de Ingenierfa Eléctrica” en la misma universidad. MARTIN S. RODEN es Jefe del Departamento de Ingenierfa Eléctrica y de Computacién en la California State University en Los Angeles. El Dr. Roden recibi6 su BSEE summa cum laude del Polytechnic Institute of Brooklyn, y luego ppas6 cinco afios haciendo investigacién en los Laboratorios Bell, el lugar de na- cimiento del transistor. Su interés en Ia educacién lo llevé a la academia, donde cocupé los cargos de Jefe de Departamento, Decano Asociado, Decano y Vicepre- sidente Asociado varias veces. Sin embargo, el principal amor del profesor Roden sigue siendo la ensefianza, por lo cual se le otorg6 el Premio al Profesor Distin- guido de la Universidad. Es un miembro muy activo de la IEEE, obtuvo el Premio ‘al Consejero més Distinguido, y es miembro del Institute for the Advancement of Engineering GORDON CARPENTER es un Teniente Coronel retirado de la Fuerza Aérea de Jos Estados Unidos, donde acumulé ms de veinte afios de experiencia en el disefio - y, desarrollo de alta tecnologia para e] equipo de la USAF. Esta experiencia hizo al profesor Carpenter muy realista en sus métodos de educacién de los futuros inge- nieros. En su carrera en la Fuerza Aérea como director de R&D, entrené nuevos ingenieros para desarrollar especificaciones de hardware a partir de requerimientos de sistemas y asegurar que el hardware pueda construirse para cumplir esas es- ppecificaciones. El Coronel Carpenter es un convencido partidario de la educacién, orientada al disefio, y su experiencia préctica ha sido esencial para este texto.VvPREFACIO La presente obra ha sido escrita para utilizarse como texto en los cursos de electrénica bésicos en programas de pregrado en ingenieria. El libro cubre tres &reas:- dispositives discretos, circuitos integrados lineales y circuitos integrados digitales. El profesional interesado en una obra actualizada para estudiar en forma individual también hallaré valioso este libro. éPor qué este libro? Habiendo docenas de libros por elegir en el campo de la electrénica analégica y digital, usted se preguntaré las razones que tuvimos para escribir otro libro sobre el tema. E] principal objetivo fue superar nuestras frustraciones; habfamos intentado cenéefiar electrénica a estudiantes de pregrado utilizando los libros existentes, mas los textos tradicionales tratan el campo desde un punto de vista teérico, ponen énfasis en los fundamentos, como la fisica de semiconductores, pero ignoran las aplicaciones, que son de lo més excitante. Los fundamentos no cambian con el tiempo, y por ello son muy importantes; sin embargo, tratar s6lo los fundamentos resta emocién a la materia y, de hecho, es posible que el estudiante nunca des- arrolle las habilidades necesarias para una carrera en electronica. Por otra parte, las aplicaciones si cambian con el tiempo, por lo que un método que se centre en ellas a expensas de presentar un tratamiento superficial de los fundamentos, resulta peligroso. ‘Al mismo tiempo que se abordan los fundamentos en una forma completa y directa, se da un paso adelante hacia un balance en el método de Ja electronica. Dada la demanda de mayor disefio en los programas de ingenieria tanto de la agencia de acreditaci6n (ABET) como de la industria, sentimos que ya es tiempo~N Prefacio de equilibrar los fundamentos con un fuerte pero mesurado gusto por el disefio. Esperamos que este libro inspire la imaginacién de los ingenieros del mafiana, quienes serdn llamados para disefiar, no sélo analizar, sistemas electrénicos. Unicidad del método de disefio El contacto con ingenieros précticos y reclutadores de ingenieros nos condujo a poner especial atenciGn en el disefio de sistemas electrGnicos. Al nuevo ingeniero se le pediré diseftar sistemas y circuitos electrénicos utilizando un inventario cada vez mayor de nuevos circuitos integrados y componentes discretos. Por tanto, nuestra intencién es ensefiar a los estudiantes de ingenieria a pensar como disefiadores, en vez de memorizar unos cuantos métodos de disefio; nuestro objetivo es “educar” en vez de “entrenar”. - Los procedimientos elementales de disefio se incluyen al principio del texto para motivar al lector. Nuestra experiencia nos dicta que la electr6nica analégica y la digital se comprenden mejor a través de un método de “hacer para aprender”. Por tanto, los temas como el andlisis a pequeffa sefial se presentan en seguida del andlisis en ed para posibilitar la inclusi6n temprana de algunos problemas de disefio reales y significativos. Cuando es posible, se desarrolla un procedimiento de disefio paso a paso, pues sentimos que proporciona confianza al estudiante. Ms que reemplazar la teorfa, dichos procedimientos la refuerzan y clarifican. Este método culmina en el capftulo 17, donde se presentan procedimientos universales de disefio que se pueden aplicar tanto a sistemas analégicos como digitales. Ejercicios Se presenta un gran nimero de ejercicios distribuidos a lo largo del libro. Puesto que los ejercicios se concibieron para proporcionar un refuerzo inmediato a los estudiantes, siempre van seguidos de las respuestas. Apéndice de SPICE Se incluye un apéndice de fécil comprensién acerca del programa para modelado de circuitos SPICE. Esto permite a los profesores introducir SPICE en cualquier punto del curso. Se incluyen también los resultados impresos de ejemplos de SPICE como modelos para el estudiante. Otros apéndices El libro incluye apéndices que cubren: « Fisica de semiconductores. Se puede utilizar como material complementario del capitulo 1 si se desea mayor detalle.Prefacio © Ruido en sistemas electr6nicos ¢ Hojas de datos de fabricantes (para dispositivos seleccionados) © Transformadas de Laplace © Respuestas a problemas seleccionados Correccién del libro Se hicieron todos los esfuerzos para escribir y publicar un libro correcto. Como este texto evolucioné a partir del entomo del aula, ha sido corregido y verificado en grado extremo por nuestros estudiantes. Las copias del manuscrito se utilizaron ‘como texto principal en nuestras clases, y se estimul6 a los estudiantes y colegas para que lo criticaran libremente (un reto que aceptaron con mucho entusiasmo), ‘Ademds, el manuscrito fue cuidadosamente revisado y verificado por el profesor ‘Mahmoud El Nokali de la University of Pittsburgh. Victor Valdivia, de la Stan- ford Univesity, lev6 a cabo uria revisién técnica adicional mientras los autores se encontraban en la fase de correccién de pruebas. Por tanto, confiamos en la correcci6n y precisi6n del libro. Facilidades para el profesor Se encuentran disponibles para los profesores las Transparencias maestras para retroproyector de figuras importantes del texto. También hay un Manual del pro- fesor que contiene las soluciones completas de todos los ejercicios y problemas de fin de capitulo del libro. Muchos de los problemas, en particular los del capitulo 17, se tomaron de aplicaciones industrales reales, en las cuales se han implantado los sistemas resultantes. Los autores recomiendan que se utilicen, junto con el texto, las titimas ediciones de los manuales de datos de fabricantes. Por ejemplo, el TTL Data Book, Volume IT de Texas Instruments y el CMOS Data Book de National Semiconductor son complementos adecuados para la tercera parte del libro, que trata sobre circuitos integrados digitales. Guia para uso del libro en clase EI material de este libro se puede presentar en una serie de dos 0 tres cursos de lun semestre o tres cursos de un trimestre del tercer 0 cuarto afio de la carrera. El prerrequisito para este libro es un primer curso sobre andlisis de circuitos. Los capftulos 1 a 6 cubren el andlisis y disefio de circuitos con diodos, transi tores bipolares de unién y de efecto de campo, y amplificadores de potencia para frecuencia de audio. No se necesitah conceptos sobre plano s para comprender esta parte del texto.re xii Prefacio La segunda parte del libro (capitulos 7 a 13) estén dedicados a circuitos in- tegrados lineales. Este material incluye la cobertura completa de amplificadores operacionales ideales y reales, respuesta en frecuencia, retroalimentaci6n y estabi- lidad, diagramas de Bode y disefio a partir de caracteristicas de transferencia. En el capitulo 13 se abordan ios filtros activos, incluyendo el disefto para filtros But- terworth y Chebyshev. Para esta parte del texto, es itil tener algdn conocimiento sobre el método de la transformada de Laplace; por ello se incluye un apéndice para la revisién de la transformada de Laplace. Los iltimos cuatro capiulos del libro (capitulos 14 a 17) se dedican a los siste- mas y circuitos integrados digitales. Se presenta el andlisis en estado estacionario de circuits de pulso y osciladores de relajacién. Se comparan y analizan tres familias \6gicas: TTL, CMOS y ECL. Se estudian varios CI con y sin reloj, y se incluyen varias aplicaciones précticas. El capitulo 17 es un capitulo nico, pues presenta una metodologia de disefio “universal” que se puede utilizar ya sea en circuitos analégicos 0 digitales. Muchos de los ejemplos de disefio de este capitulo se han tomado de la industria para ilustrar problemas de disefio de la vida real. Agradecimientos El material sobre amplificadores operacionales de los capftulos 9, 12, y parte del 13 (incluyendo el disefio de filtros activos) se tomé de las notas de clase desarrolladas originalmente por el Profesor Gene H. Hostetter durante su estancia en la California State University en Long Beach. El material sobre disefio de filtros activos también apareci6 en el excelente texto del Dr. Hostetter, Engineering Network Analysis (Nueva York, Harper & Row, 1984), Estamos agradecidos con el Dr. Hostetter y con Harper & Row por permitimos utilizar este material. Desearfamos expresar nuestro aprecio por los estudiantes en las diferentes clases dictadas por los autores utilizando las primeras versiones de este texto. Se extienden ‘nuestros agradecimientos al Profesor Gene Hostetter, quien proporcioné mucho del ‘material sobre amplificadores operacionales, y a nuestros colegas los Profesores Hassan Babaie, Lou Balin, Roy Bamett, Ed Evans, Mike Hassul y Ken James por sus comentarios y asistencia en varias partes del manuscrito. Quisiéramos agradecer especialmente al profesor Paul Van Halen, de la Portland State University, el que haya proporcionado el primer bosquejo del apéndice sobre fisica de semiconductores, y a Mahmoud El Nokali, de la University of Pittsburgh, quien ley6 cada pagina del manuscrito final ¢ hizo varias sugerencias valiosas. Otro agradecimiento especial va dirigido a Bemhard Schmidt, de la University of Dayton, quien verificé cada ilustracién y problema incluido en el texto para asegurar su claridad y comprensién. Victor Valdivia, de la Stanford University, merece una mencién especial por su supremo esfuerzo en la busqueda de errores ~ en las pruebas tipogréficas del libro.Prefacio xiii Todo libro es el resultado de varias repeticiones y revisiones basadas en la experiencia de clase y en el consejo experto de revisores. Tuvimos la fortuna de gue 28 lectores revisaran todo el volumen o parte de é1. Desearfamos agradecer a los siguientes revisores, y a muchos otros cuyo nombre no se menciona aqui, por jus esfuerzos: Jack Allison, Oklahoma State University Kay D. Baker, Utah State University W. L. Beasley, Texas A&M University Robert L: Bernick, California Polytechnic State University, Pomona Raymond Black, New Mexico State University T.V. Blalock, University of Tennessee Frank Brands, Washington State University John Churchill, University of California, Davis R. G, Deshmukh, Florida Institute of Technology Mahmoud El Nokali, University of Pittsburgh E. L, Gerber, Drexel University Ward Helms, University of Washington Alfred T. Johnson, Jr., Widener University Jerrold Krenz, University of Colorado, Boulder B, Lalevic, Rutgers University John Lowell, Texas Tech University Eugene Manus, Virginia Polytechnic Institute y State University Richard Morris, University of Portland David A. Navon, University of Massachusetts, Amherst Harry Neinhaus, University of South Florida Charles Nelson, California State University, Sacramento David Pearlman, Rochester Institute of Technology William Sayle, Georgia Institute of Technology Bembhard Schmidt, University of Dayton Paul Van Halen, Portland State University Darrell L. Vines, Texas Tech University J. L. Yeb, Rutgers University Carl R, Zimmer, Arizona State University ‘Ademés de nuestros colegas y revisores, muchos estudiantes nos ayudaron a Jo largo del trabajo. Los siguientes estudiantes merecen nuestro aprecio por su especial asistencia: Gabriel Cocco, Ted Curmi, Jim Eckman, Kevin Kean, Lyle Mattes, Bob McBride, Mark Pendleton, Steve Phillips, Gloria Quinn, Bob Topper, Bob Tran, Phil Vrbancic y Ann Weichbrod. Agradecimientos especiales. a Julie Jarnagan, quien realiz6 varias correcciones fundamentales y gramaticales., xiv Prefacio En un proyecto de esta complejidad, no es tarea sencilla crear un libro terminado a partir de un manuscrito, Sin embargo, en las hbiles manos de George y Wendy Calmenson, de San Francisco, esta critica tarea parecié sencilla. Su profesionalismo ¥ atenci6n al detalle contribuyeron en la elaboracién de un libro de! cual estamos orgullosos. Deseamos sinceramente que cada una de las personas que brindaron alguna aportacién a este libro y que tuvieron que ver en su desarrollo estén tan satisfechas ‘como nosotros Io estamos con el producto final. Gordon L. Carpenter . Martin S, Roden C. J. Savant, Jr. Nota del Editor. Al preparar los autores la segonda ediciGn de la presente obra, realizaron diversos cambios para ajustar el contenido especficamente a los reque- rimientos curriculares de las universidades estadounidenses, soslayando de manera inevitable los curricula de las instituciones iberoamericanas. Por no coincidir dichos cambios con los intereses de nuestros lectores, decidimos conservar casi intacto el orden de los temas de la primera ediciGn, si bien hemos incluido algunas de las secciones nuevas que los autores prepararon para la segunda edicién, asf como un buen nimero de ejercicios, también extraidos de esa nueva versiGn, que se agrupan al final de cada capitulo en las secciones denominadas Problemas adicionales.NN INTRODUCCION PARA EL ESTUDIANTE La electr6nica es la piedra angular de Ja ingenieria eléctrica. Si usted se va a espe- cializar en disefio en electrénica de estado sélido, 0 en otras 4reas como potencia, computadores, control o comunicaciones, primero debe familiarizarse con las bases del diseiio y el andlisis de circuitos y sistemas electrénicos. Esta no es una tarea fécil, ya que el campo est cambiando a pasos agigantados. ‘Usted debe tener cuidado de concentrarse en la educacién, mAs que en el entre- namiento, en el frea de electr6nica. Aquellos que fueron entrenados en el disefio electrénico con tubos de vacio durante los afios cincuenta lo encontraron poco siti] tuna década més tarde, cuando los transistores reemplazaron a los tubos de vacfo en todas las aplicaciones, excepto alta potencia y alta frecuencia. Del mismo modo, aquellos: que fueron’entrenados en disefio con transistores durante los afios sesenta y setenta lo encontraron obsoleto con el advenimiento de los circuitos integrados y sistemas con amplificadores operacionales. Por tanto, es importante que se prepare por sf mismo para la siguiente revolucién, aprendiendo los fundamentos al mismo tiempo que “aprende a aprender”. ‘Muchos textos abordan este desafio poniendo mucho énfasis en la teorfa y evi- tando completamente las aplicaciones, lo que no sucede en este texto. Una drida presentacién teérica podria dejarle cierto conocimiento basico que tal vez apli- card algin dia, Sin embargo, es probable que no experimentaria la emocién de licar este conocimiento a situaciones précticas conforme aprende. De hecho, ni siquiera sabria si es 0 no capaz.Xvi Introducci6n para el estudiante Por esa raz6n, este texto esté fuertemente orientado al disefio. Usted seré guiado a través de muchas aplicaciones précticas de la teorfa, y queremos decir prdcticas. Esperamos que se sienta motivado a construir algunos de los sistemas que va a disefiar en el papel, para “cerrar el ciclo” y hacer més sélida su educaci6n. Algunos de los problemas incluidos al final de los capitulos tal vez parezcan muy complicados a primera vista. El aprendizaje de disefio es gradual, asf que no se desahime. Usted verd que es capaz de hacer progresos aun en los problemas mAs complicados de disefio. Su profesor debe poder proporcionarle orientacién, Més que nada, disfrute el material de estudio. Usted ha eligido una carrera excitante, pero los mismos factores que la hacen excitante también Ja vuelven ardua, En ocasiones deberd exceder los limites de su capacidad mental si desea twiunfar, pero alcanzar el éxito seré una compensacién agradable. Si tiene algin comentario o sugerencia acerca del texto, por favor comuniquelo a cualquiera ‘de los tres autores. Los profesores Roden y Savant laboran en la California State University en Los Angeles, mientras que el profesor Carpenter lo hace en la misma universidad en Long Beach. Debido a que tenemos un especial interés por la educaci6n en ingenierfa, todos sus comentarios y sugerencias serén bienvenidos. . 10CAPITULO 1 1.0 1d 12 13 14 INDICE GENERAL ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES Introduccién 1 Teoria de semiconductores 2 ~ 1.1.1 Conduccién en los materiales 3 1.1.2 Conducci6n en materiales semiconductores «4 1.1.3. Materiales semiconductores 6 1.1.4 Semiconductores contaminados 6 Diodos semiconductores 9 1.2.1 Construccién del diodo 10 1.2.2 Operacién del diodo 11 1.2.3 Modelos de circuito equivalentes del diodo 13 - Fisica de los diodos de estado sélido 14 13.1 Distribucién de carga 14 1.3.2. Relaci6n entre la corriente y la tensién en un diodo 15 1.3.3. Efectos de la temperatura 17 1.3.4 Lineas de carga del diodo 19 Capacidad de manejo de potencia 23 Capacitancia del diodo 23 Rectificacién 24 1.4.1 Rectificacién de media onda 24 1.42 Rectificacién de onda completa 25 1.43 Filtado 27 "xviii Indice general 15 16 17 18 19 1,10 CAPITULO 2 2.0 21 2.2 23 24 25 2.6 27 Demodulacién 31 Diodos Zener 33 1.6.1 Regulador Zener 34 16.2 Diodds Zener précticos y porcentaje de regulacién 39 Disefio de una fuente de poder usando un circuito integrado 41 Recortadores y fijadores 43 1.8.1° Recortadores 43 18.2 Fijadores 45 Tipos alternos de diodos 48 19.1 Diodos Schottky 48 1.9.2 Diodos varactor 49 19.3 Diodos tinel (diodo Esaki) 49 1.9.4 Diodos emisores de luz y fotodiodos 49 1.9.5 Diodos PIN. 51 Especificaciones de los fabricantes 51 Problemas, 53 Problemas adicionales 59 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION 61 Introducci6n 61 Fuentes de tensién y de corriente dependientes 62 Transistores bipolares 65 Operacién del transistor 67 Circuitos con transistores 71 2.4.1 Configuraciones ‘comunes en circuitos 71 2.4.2 Curvas caracteristicas 72 El amplificador EC 75 2.5.1 El amplificador EC con resistor en el emisor 77 2.5.2 Introduccién al andlisis y el disefio 80 Consideraciones de potencia 83 2.6.1 Derivacién de las ecuaciones de potencia 8&3 Capacitores de paso y de acoplamiento 85 2.7.1 Capacitores de paso 86 2.7.2 Capacitores de acoplamiento 86 1228 29 2.10 CAPITULO 3 3.0 31 3.2 33 34 35 3.6, 3.7 Indice general xix Linea de carga de ca para la configuracién en EC 86 2.8.1 La Ifnea de carga de ca a través de cualquier punto Q 87 . 2.8.2 Eleccién de la linea de carga de ca para maxima excursi6n simétrica en la salida Anélisis y disefio en ca 91 2.9.1 Procedimiento de andlisis 91 2.9.2 Procedimiento de disefio 92 2.9.3" Disefio por debajo de méxima excursién 97 Amplificador emisor seguidor (colector comin) 98 2.10.1 Andlisis en ca y disefio de amplificadores ES 100 Problemas, 103 Problemas adicionales, 108 DISENO DE AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BIPOLARES DE UNION i Introducci6n 111 Anilisis de redes de dos puertos 112 3.1.1 Férmula de ganancia de impedancia 3.1.2 Pardmetros hfbridos 113 Resistencia de entrada en cortocireuito 116 Par4metros en EC 117 3.3.1 Resistencia de entrada, Reg 118 3.3.2 Ganancia de tensién, Ay 121 3.3.3 Ganancia de corriente, A; 123 3.3.4 Resistencia de salida, Ry 123 Alinealidades de los BJT 127 Pardmetros para el amplificador CC (SE) 130 3.5.1 Resistencia de entrada, Rey 130 3.5.2 Ganancia de tensi6n, Ay 131 3.5.3 Ganancia de corriente, A; 131 3.5.4° Resistencia de salida, R, 132 Pardmetros para el amplificador BC 135 3.6.1 Resistencia de entrada, Re, 136 3.6.2 Ganancia de corriente, A; 137 3.6.3 Ganancia de tensién, A, 138 3.6.4 Resistencia de salida, R, 138 Aplicaciones de los amplificadores con transistores 142 13XX Indice general 3.8 39 3.10 3.11 CAPITULO 4 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4.10 411 4.12 Acoplamiento de amplificadores 143 3.8.1 Acoplamiento directo 143 3.8.2 Acoplamiento capacitive 144 3.8.3 Acoplamiento por transformador 144 3.8.4 Acoplamiento 6ptico 147 Divisor de fase 149 Anéflisis del amplificador multietapa 150 Dispositivos de cuatro capas 153 3.11.1 Rectificador controlado de silicio (SCR) 154 3.11.2 Conmutador controlado de silicio (SCS) 155 3.11.3 DIAC y TRIAC 155 Problemas, 156 Problemas adicionales, 163 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 167 Introduccién 167 Ventajas y desventajas del FET 168 Tipos de FET . 168 Operacién y construccién del JEET 169 4.3.1 Variacién de la tensién compuerta a fuente ene] FET 170 4.3.2. Caracteristicas de transferencia del JFET 171 43.3. Circuito equivalente, gm yTps 174 Operacién y construccién del MOSFET 178 4.4.1 MOSFET de empobrecimiento 179 4.4.2 MOSFET de enriquecimiento 181 Polarizacién de los FET 183 Andlisis de un amplificador FC 185 Disefio de un amplificador FC 187 Seleccién de componentes 190 Anélisis de amplificadores DC (FS) 197 Procedimiento de disefio del amplificador DC 198 Amplificador FS de refuerzo 203 ‘Transistor de unién con barrera metal semiconductor 206 144.13 CAPITULO 5 5.0 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 CAPITULO 6 6.0 61 Indice general xxi Otros dispositives 206 4.13.1 Transistor de monouni6n 207 4.13.2 VMOSFET (VMOS) 208 4.13.3 Otros dispositivos MOS 209 Problemas, 210 Problemas adicionales, 214 ESTABILIDAD DE LA POLARIZACION EN AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES 216 Introduccién 216 Tipos de polarizacién 217 S11 Polarizacion por corriente 217 5.1.2 Polarizaci6n por tensi6n y por corriente 218 Efectos de los cambios de pardmetros: Estabilidad de la polarizacion 220 5.2.1 Configuraci6n EC 222 5.2.2 Configuracién ES 225 Ejemplos de variacién de parémetros 226 Compensacién por diodo 235 5.4.1 Compensacién por doble diodo 238 Reduccién de las variaciones en la temperatura 239 Disefio’ para la estabilidad de la polarizacién de amplificadores con BJT 242 Efectos de la temperatura en FET 242 Problemas, 245 Problemas adicionales, 247 AMPLIFICADORES DE POTENCIA Y FUENTES DE ALIMENTACION 248 Introducci6n 248 Clases de amplificadores 249 6.1.1 Operacién en clase A 249 6.1.2 Operacién en clase B 250 6.1.3 Operaci6n en clase AB 250 6.1.4 Operacién en clase C 252e xxii Indice general 6.2 63 6.4 65 6.6 6.7 CAPITULO 7 10 Ma 72 73 Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase A 253 6.2.1 Amplificador acoplado en forma inductiva 253 6.2.2 Amplificador de potencia acoplado por transformador 256 Circuitos amplificadores de potencia. Operacién en clase B 262 63.1 Circuitos EC push-pull 262 63.2 Amplificador de potencia clase B con simetrfa complementaria 264 6.3.3' CAlculos de potencia para el amplificador push-pull clase B_ 271 Circuito Darlington 278 Amplificador clase AB cuasicomplementario con par Darlington 284 Fuente de alimentaci6n utilizando transistores de potencia 285 6.6.1 Fuente de alimentacién utilizando componentes discretos 285 6.6.2 Fuente de alimentacién utilizando un regulador de CI. 287 (regulador de tres terminales) _ 6.63 Fuente de alimentacién utilizando un regulador ajus- 288, table de tres terminales Reguladores conmutados 291 6.7.1 Eficiencia de los reguladores conmutados 293 Problemas,- 293 Problemas adicionales, 297 CIRCUITOS INTEGRADOS: AMPLIFICADORES OPERACIONALES 299 Introduccién 299 Fabricacién de CI 300 7.1.1 Transistores y diodos 300 7.1.2 Resistores 301 7.1.3 Capacitores 301 7.14 Transistores laterales 302 7.1.5 Tecnologia de unién Schottky 302 Amplificadores de diferencia 303 7.2.1 Caracteristicas de transferencia en cd 303 7.2.2 Ganancias en modo comin y en modo diferencial 305 7.2.3 Amplificador diferencial con fuente de corriente constante 307 7.24 Amplificador diferencial con terminales de entrada y salida sencillas 310 Fuentes de corriente, cargas activas y trasladadores de nivel 313 7.3.1 Fuente de comriente Widlar 314 732 Fuente de-corriente Wilson 315 1614 15 76 VT CAPITULO 8 8.0 8.1 8.2 83 84 85 8.6 8.7 Indice general radii 73.3. Espejos de corriente 317 7.3.4 Fuentes de corriente como cargas activas 319 7.3.5 Trasladadores de nivel 321 Configuracién cascode 326 Empaquetado de los amplificadores operacionales’ 328 7.5.1 Requerimientos de potencia 330 El amplificador operacional 741 , 330 7.6.1 Circuitos de polarizacién 331 7.6.2 Proteccién de cortocircuito 331 , 7.6.3 Etapa de entrada 332 7.6.4 Etapa intermedia 332 7.6.5 Etapa de salida 332 Especificaciones del fabricante 333 Problemas, 333 Problemas adicionales, 337 AMPLIFICADORES OPERACIONALES IDEALES 339 Introduccién 339 Amplificadores operacionales ideales 339 8.1.1 Método de andlisis 342 El amplificador inversor 342 El amplificador no inversor 347 Resistencia de entrada de un circuito amplificador operacional con retroalimentacién 351 Entradas combinadas invertida y no invertida 352 Disefio de circuitos con amplificador operacional 355 Otras aplicaciones del amplificador operacional 362 8.7.1 Circuito de independencia negativa 362 8.7.2. Generador de corriente dependiente 363 8.7.3. Integrador Miller no inversor 364 8.7.4" Convertidor de impedancia 365 8.7.5 Amplificadores operacionales y diodos 367 Problemas, 370 Problemas adicionales, 375 7xxiv Indice general CAPITULO 9 9.0 91 9.2 9.3 94 9.5 9.6 9.7 98 99 9.10 AMPLIFICADORES OPERACIONALES PRACTICOS 379 Introduccién 379 Amplificadores-operacionales précticos 379 9.1.1 Ganancia de tensién en lazo abierto (G) 380 9.1.2 Tensién de desplazamiento en la entrada (Vie) 381 9.1.3 Corriente de polarizaci6n de entrada (Ipai) 382 9.1.4 Rechazo en modo comin 386 9.1.5 Raz6n de rechazo a la fuente de alimentacién (PSRR) 387 9.1.6 Desplazamiento de fase 388 9.1.7 Raz6n'de cambio (SR) 388 Modelo mejorado para el amplificador operacional 390 Amplificador no inversor 395 9.3.1 Entrada no inversora y resistencia de salida 395 9.3.2 Ganancia de tensién del amplificador no inversor 398 9.3.3 Consideracines de ancho de banda 401 93.4 Amplificadores no inversores con entradas miltiples 402 Amplificador inversor 405 9.4.1 Amplificador inversor. Resistencia de entrada y salida 405 9.4.2 Ganancia de tensién en la entrada inversora 407 9.4.3 Entradas multiples. Amplificador inversor 409 Suma diferencial 412 Amplificador 101 416 9.6.1 Amplificadores 101 no inversores 418 9.6.2 Amplificadores 101 inversores 419 Disefio de amplificadores utilizando' varios amplificadores operacionales 420 Amplificadores con entradas y salidas balanceadas 424 Acoplamiento entre entradas multiples 426 Amplificadores de audio 427 Problemas, 428 Problemas adicionales, 432CAPITULO 10 10.0 10.1 10.2 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 10.9 CAPITULO 11 11.0 1. 2 Indice general —_XXV CARACTERISTICAS DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA 434 Introduccién 434 Diagramas de Bode 436 10.1.1. Términos de la funcién G(s)H(s) 440 10.1.2 La aproximaci6n asintética 441 10.1.3 Ejemplos de diagramas de Bode 448 Respuesta en frecuencia del amplificador operacional 457 Respuesta en baja frecuencia: BJT 460 10.3.1 Capacitancia de acoplamiento 460 10.3.2 Disefio para una caracteristica de frecuencia dada 465 10.3.3. Capacitor de paso para el resistor de emisor 469 103.4 Efecto combinado del capacitor de acoplamiento y el capacitor de paso 470 10.3.5 Respuesta en baja frecuencia. Amplificador ES 472 10.3.6 Respuesta en baja frecuencia. Amplificador BC 472 Respuesta en baja frecuencia. Amplificadores con FET 473 10.4.1. Respuesta en baja frecuencia para un amplificador FC 473 10.4.2 Respuesta en baja frecuencia. Amplificador DC 480 Respuesta en alta frecuencia. Amplificador con BJT 483 10.5.1 Respuesta del EC en alta frecuencia 483 10.5.2 Respuesta del amplificador ES en alta frecuencia 492 10.5.3 Respuesta del amplificador BC en alta frecuencia 494 Respuesta en alta frecuencia. FET 496 10.6.1 Amplificador FC 496 10.6.2 Amplificador DC S01 Amplificadores cascode 502 Disefio de amplificadores en alta frecuencia 505 Observaciones finales 506 Problemas, 506 Problemas adicionales, 510 RETROALIMENTACION Y ESTABILIDAD 514 Introduccién - 514 Consideraciones de retroalimentacién en amplificadores 515 Tipos de retroalimentacién 516 19xxvi Indice general 11.3 11.4 11.5 11.6 11.7 1s" . ng 11.10 11.11 CAPITULO 12 12.0 124 12.2 12.3 12.4 CAPITULO 13 13.0 13.1 13.2 Amplificadores retroalimentados 518 113.1 Retroalimentacién de corriente. Resta de tensi6n para amplificadores discretos. 518 11.3.2 Retroalimentacién de tensiOn. Resta de corriente para un amplificador discreto $22 Amplificadores multietapa con retroalimentacién 525 Retroalimentacién en amplificadores operacionales 528 Estabilidad de amplificadores retroalimentados 531 11.6.1 Producto ganancia' por ancho de banda 536 Respuesta en frecuencia. Amplificador retroalimentado 536 11.7.1 Amplificador de polo simple 536 11.7.2 Amplificador de dos polos 538 Disefio de un amplificador de tres polos con igualador de adelanto 512 Igualador por retardo de fase 548 Efectos de cargas capacitivas 550 Osciladores 550 Problemas, 556 Problemas adicionales, 561 CIRCUITOS NO LINEALES 563 Introduccién 563 Rectificadores 563 Limitadores retroalimentados 569 Comparadores 583 Disparadores Schmitt 591 12.4.1 _ Disparadores Schmitt con limitadores 594 Problemas, 599 Problemas adicionales, 603 FILTROS ACTIVOS 607 Introduccién 607 Integradores y derivadores 608 Disefio de redes activas 613. 2013.3 13.4 13.5 13.6 13.7 13.8 13.9 13.10 CAPITULO 14 14.0 14.1 14.2 14.3 Indice general Xxvii Filtros actives 616 13.3.1 Propiedades y clasificacién de los filros 617 13.3.2 Filtros activos de primer orden 625 13.3.3. Filtros generales de primer orden 637 Amplificador de tipo general con un solo amplificador operacional 643 Filtros de segundo orden con un solo amplificador 646 Filtros anal6gicos clésicos 652 13.6.1 Filtros Butterworth 653 13.6.2 Filtros Chebyshev 656. Transformaciones 658 13.7.1 Transformacién de pasa-bajas a pasa-altas 658 13.7.2. Transformacién pasa-banda 660 Procedimiento de disefio para filtros Butterworth y Chebyshev 661 13.8.1 Disefio del filtro pasa-bajas 661 13.8.2 Orden del filo 663 13.8.3 Factor de escala de los parémetros 664 13.8.4 Filtro pasa-altas -671 13.8.5 Disefio de filtros pasa-banda y rechaza-banda 673 Filtros en circuito integrado 676 13.9.1 Filtros de capacitor conmutado 676 13.9.2. Un filtro pasa-bajas Butterworth de sexto orden de capacitor conmutado, 679 Conclusiones 681 Problemas, 682 Problemas, 686 adicionales SENALES DE PULSO : 687 Introduccién 687 Redes RC pasa-altas 688 14.1.1 Respuesta en estado estacionario. Red pasa-altas 693 Red RC pasa-bajas 699 Diodos 704 143.1 Respuesta en estado estacionario de un cireuito con diodo a trenes de pulsos 705 21 2Xxviii Indice general 14.4 14.5 CAPITULO 15 15.0 15.1 15.2 15.3 15.4 15.5 15.6 15.7 15.8 15.9 Circuitos de disparo 709 14.4.1 Respuesta a trenes de pulsos 710 El generador de pulsos 555 712 14.5.1 El oscilador de relajaci6n 712 14.5.2, E1555 como oscilador 716 14.5.3 E1555 como circuito monoestable 720 Problemas, 721 Problemas adicionales, 726 FAMILIAS LOGICAS DIGITALES 728 Introduccién 728 Conceptos bisicos de légica digital 729 15.1.1 Légica independiente del tiempo, 0 asincrénica 730 15.1.2 Légica dependiente del tiempo, 0 sincrénica 731 15.1.3 Funciones l6gicas elementales 731 15.1.4 “Algebra de Boole 734 Construccién y empaquetado de CI’ 736 Consideraciones practicas en el disefio digital 738 Caracteristicas de los BJT en circuitos digitales 742 Familias légicas con BJT 743 Légica de transistor-transistor (TTL) 743 15.6.1 Colector abierto. 745 15.6.2 Carga activa 746 15.6.3 Compuertas H-TTL y LP-TTL 747 15.6.4 Compuertas TTL Schottky 748 15.6.5 Compuertas de tres estados 749 15.6.6 Lista de dispositivos 751 Légica de emisor acoplado 752 15.7.1 Lista de dispositivos 753 Caracterfsticas de los FET en.circuitos digitales 753 15.8.1 | MOSFET de enriquecimiento de canal n 753 15.8.2 El MOSFET de enriquecimiento de canal p 755 Familias con transistores FE 755T 15.9.1 MOS de canal n 755 15.9.2 MOS de canal p 756 2215.10 15.11 15.12 CAPITULO 16 16.0 16.1 16.2 16.3 16.4 16.5 16.6 16.7 16.8 16.9 Indice general xxix MOS complementario 756 15.10.1 Lista de dispositivos CMOS y reglas de utilizacién 760 Comparacién de las familias légicas 760 Conclusiones 760 Problemas, 765 Problema:adicional, 771 CIRCUITOS INTEGRADOS DIGITALES 772 Introduccién 772 Descodificadores:y codificadores 773 16.1.1 Codificadores y descodificadores de teclado 778 16.1.2. Generadores de paridad y verificadores 780 Manejadores y sistemas asociados 781 Biestables, memorias de paso y registros de desplazamiento 784 16.3.1 Biestables 785 16.3.2 Memorias de paso y memorias 789 16.3.3 Registros de desplazamiento 791 Contadores 793 Relojes 803 165.1 Oscilador controlado por tensién (VCO) 804 Conversién de analégica a digital 809 166.1 Convertidor de digital a analégico (D/A) 809 16.6.2. Convertidor A/D 811 166.3 El convertidor A/D de 3 1/2 digitos 811 16.6.4 Despliegue de cristal liquido 814 Memorias 815 16.7.1 Memorias de tipo serie 815 16.7.2. Memoria de acceso aleatorio (RAM) 16.7.3 ROMy PROM 818 16.7.4 EPROM 819 Circuitos mas complejos 821 16.8.1 Unidad aritmética y I6gica (ALU) 821 16.8.2 Sumadores completos 821 16.8.3 Generadores de acarreo adelantado’ 823 16.8.4 Comparador de magnitudes 823 Arreglo légico programable (PAL): 826 23 —Xxx. Indice general CAPITULO 17 17.0 17.1 172 173 17.4 17.5 17.6 17.7 17.8 17.9 APENDICE A AO Al A2 AZ Problemas, 826 Problemas adicionales, 829 DISENO ELECTRONICO DIGITAL 832 Introduceién 832 Principios de disefio 832 Definicién del problema 834 Subdivisién del problema 834 Documentacién 835 17.4.1 El diagrama esquemético 835 17.4.2 La lista de partes 836 1743. Listas de ejecuci6n y otra documentacién 836 17.4.4 Utilizacién de documentos 836. Verificaci6n del.disefio 837 Armado de prototipos de circuitos digitales 839: Ejemplos de disefio 841 Introduccién a los problemas 860 Conclusiones 863 Problemas, 863 Problemas adicionales, 878 SPICE Al Introduccién A-1 Informacién sobre programacién A-3 All Formato A-4 A.1.2 — Descripcién del circuito A-4 Datos de entrada A-5 2.1 Descripcién de elementos A-5 A.2.2 Descripcién de fuente A-10 A.2.3. Subcircuitos A-12 A24 — Anélisis requerido A-13 A25 Salida requerida A-14 Ejemplos de programas A-16 A3.1 Amplificador EC A-16 A3.2_ Amplificador FC A-21 3.3 Rectificador de onda completa A-26 - 24APENDICE B BO Ba B2 B3. Ba BS B6 B7 BS BS B10 BAL BAZ B13 Bd APENDICE C co CA C2 c3 ca cs Indice general xxi 3.4 Filtro pasa-bajas Chebyshev de cuarto orden A-30 A3.S — Compueita NAND de.dos entradas A-33 PRINCIPIOS DE FiSICA DE SEMICONDUCTORES A-37 Introduccién = A-37 Semiconductores intrinsecos 37 Impurezas en los semiconductores A-40 B.2.1 Semiconductor dé tipo n- A-40 B.2.2 Semiconductor de tipo p A-40 Concentracién de'portadores A-41 Portadores excedentes A-43 Recombinacién y generacién de portadores excedentes “A-43 Transporte de corriente eléctrica A-44 Desplazamiento en un campo eléctrico A~45 Dependencia de la resistividad respecto a la temperatura A-48 Difusién en un gradiente de concentracién A-48 Combinacién de difusién y desplazamiento A-49 Las relaciones de Einstein A-49 Prueba de la ley np =constante A-50 Céiculo del nivel de Fermi A-51 Derivacién de la ecuacién del diodo A-52 LA TRANSFORMADA DE LAPLACE A-55 Introduccién A-55 La, transformada de Laplace de funciones A-56 La transformada de Laplace de operaciones A-57 Solucién de ecuaciones diferénciales lineales ordinarias A-60 Expansién en fracciones parciales A-62 Propiedades adicionales de la transformada de Laplace A-66 5.1 Traslaci6n real A-66 C.5.2 Segunda variable independiente A-67 5.3 Teoremas de los valores final ¢ inicial A-68 C54 Teorema de la convolucién A-68 25xxii Indice general APENDICE D DA D2 D3 D4 APENDICE E E0 El E2 APENDICE F FO Fl F2 APENDICE G HOJAS DE DATOS DE FABRICANTES A-69 Diodos A-71 Dall Diodos 1N4001 a 1N4007A-71 D.1.2 Diodos Zener IN746 a IN7S9.A-75 Transistores A-81 2.1 Transistores de silicio npn 2N3903 y 2N3904A-81 D.22 Transistores de silicio pnp 2N3905 y 2N3906 A-87 23 Transistores de propésito general npn 2N2217 a 2N222 D.24 JFET de canal n 2N3821, 2N3822 y 2N3824 A-93, D.25 MOSFET de canal n 3N128 Dispositivos diversos A-97 3.1 Regulador de tensi6n en CI MC7800 A-97 3.2 —Comparador de tensién LM139_A-104 AMP-OPS A-107 4.1 Amplicador operacional A741 A-107 42 Amplicador operacional LM101_A-126 VALORES ESTANDAR DE LOS COMPONENTES __A-121 Introduccién A-121 Resistores A-121 Capacitores A-122 RUIDO EN SISTEMAS ELECTRONICOS A-123 Introduccién A-123 Fuentes de ruido A-124 Fll Ruido de resistores A-124 F.1L2 Otros tipos de ruido 125 F.1.3 Ruido enel diodo A-126 F.l4 | Ruidoenel BIT 126 F.LS Ruidoenel FET 127 Ruido en amplificadores operacionales A-128 F.2.1 Raz6n sefial a ruido A-129 F.2.2 Cifrade ruido A-129 F.2.3. Consideraciones para la reduccién del ruido A-130 RESPUESTAS A PROBLEMAS SELECCIONADOS _A-132 Bibliografias y referencias para estudio ulterior, A-138 Indice de materias, I-1 26DISENO ELECTRONICO Circuitos y sistemas281.0 ANALISIS DE CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES INTRODUCCION El dispositivo electrénico no lineal més simple se conoce como diodo. Un diodo esté compuesto de dos materiales diferentes colocados juntos de tal forma que la carga fluye fécilmente en una direccién, pero no en direccién contraria. El desarrollo de este dispositivo se debe a Henry Dunwoody, quien en 1906 colocé tun horno eléctrico de carborundum entre dos soportes de lat6n. Ese mismo aflo, Greenleaf Pickard desarroll6 un detector de radio a cristal, en forma de bigote de gato, en contacto con un cristal. Muchos estudios llevados a cabo entre 1906 y 1940 mostraron que el silicio y el germanio era excelentes materiales para utilizar en la construccién de estos dispositivos. Fue necesario superar muchos problemas en la construccién y fabricacién de diodos. Los ingenieros esperaron hasta mediados de la década de 1950 para resolver ‘el més critico de esos problemas. Durante la explosién tecnol6gica de fines de los afios cincuienta y principios de los sesenta, la tecnologia de estado s6lido recibié una gran atenci6n. Esto se debié a la necesidad de contar con componentes electrénicos livianos, pequefios y de bajo consumo de potencia para utilizarlos en el desarrollo de misiles intercontinentales y vehiculos espaciales. Se dio énfasis a la fabricaci6n de dispositivos de estado sdlido de gran confiabilidad en aplicaciones donde el mantenimiento seria imposible. El resultado fue el desarrollo de componentes de estado sélido més econémicos y confiables que los tubos de vacfo. En este capitulo se proporciona una introduccién a la operacién y las aplicaciones del diodo de estado s6lido. Este dispositivo de dos terminates, que a menudo resulta ms pequefio que un grano de arroz, es no lineal. En su forina més simple, esto significa que la aplicacién de la suma de dos tensiones produce una cortiente que 292 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ww no es la suma de las dos corrientes resultantes por separado. El comportamiento del diodo depende de la polaridad de la tensi6n aplicada. La caracteristica no lineal del diodo es la raz6n por la que encuentra tantas aplicaciones en electrénica. En primer lugar, se consideran los conceptos fisicos bdsicos de los semiconduc- tores. Se analiza el diodo de unién de silicio y se desarrolla un circuito equiva- lente. Posteriormente se arializan algunas aplicaciones importantes de los diodos, incluyendo la rectificaci6n, la demodulaci6n y la detecci6n. En el apéndice B se profundiza mas en la fisica de semiconductores. Se presenta también el diodo Zener y se investiga su uso para regulaci6n de tensi6n. En seguida, se desarrolla una técnica de disefio especifica. ‘As{ mismo, se analizan muchos diodos de propésito especial, como el Schottky, el varactor, el tiinel, los emisores de luz y los fotodiodos. El capitulo concluye con el disefio de una fuente de energfa utilizando el regulador en circuito integrado de Ia serie MC7800. TEORIA DE SEMICONDUCTORES Se disefiarén y analizarén sistemas utilizando circuitos equivalentes para representar diodos. Es muy posible utilizar estos circuitos sin necesidad de entender por qué representan modelos aproximados de los diodos. Sin embargo, es util contar con elementos de fisica de diodos para apreciar los origenes de los circuitos equivalentes ¥ entender sus limitaciones. Un diomo consiste en un niicleo que tiene carga positiva. Los electrones, con carga negativa, se mueven alrededor del nticleo en trayectorias elipticas. Estos electrones se distribuyen a su vez en capas. Los electrones de la capa mAs extema se conocen como elecirones de valencia. Cuando elementos muy puros, como el silicio y el germanio, se enfrian desde el estado liquido, sus Stomos se colocan en patrones ordenados que se Haman cristales, como se ilustra en la figura 1.1. Los electrones de valencia determinan Ja forma caracterfstica o estructura reticular del cristal resultante. ‘Los dtomos de silicio y germanio tienen cuatro electrones de valencia cada uno, Por tanto, estos Stomos se agrupan en una estructura reticular tal que cada uno “comparte” sus cuatro electrones de valencia con los Stomos vecinos en la forma de enlaces covalentes. Los enlaces covalentes mantienen unida a la red. Aunque los electrones de valencia son retenidos con fuerza en la estructura cristalina, pueden romper sus enlaces y, por tanto, moverse en forma de conduccién. Esto sucede si se proporciona suficiente energfa externa (por ejemplo, en forma de uz 0 calor). Debido @ la interaccién entre étomos en un cristal, es posible que los electrones de valencia posean niveles de fuente de energia dentro de un intervalo de valores. ‘Cuanto més lejos se encuentre un &tomo de! niicleo, mayor serd su nivel de energia. Por tanto, los niveles disminuyen conforme el cristal se vuelve més “rigido”. 3011 Teoria de semiconductores 3 Figura 1.1 Estructura del eit, ‘Asi como existe un intervalo o banda de fuente de energfas para los electrones de valencia, hay otro intervalo de valores de fuente de energia para los electrones li- bres, es decir, aquellos que rompen el enlace y forman un canal de conducci6n. ‘Las dos bandas pueden o no traslaparse. 1.1.1 Conduccion en los materiales En la figura 1.2 se presentan tres diagramas de niveles de fuente de energia. En la figura 1.2(a), las bandas de fuente de energfa se encuentran muy separadas. La regi6n sin sombrear representa una banda prohibida de niveles de fuente de energia en el cual no se encuentran electrones. Cuando esta banda es relativamente grande, como se muestra en la figura, el resultado es un aislante. Si la banda es més 0 menos pequefia (del orden de un electrén volt (eV), la cantidad de energia cinética que aumenta un electrén cuando cae a través de un potencial de I V, 0 1.6x 1079 J), el resultado es un semiconductor. Esto se ilustra en la figura 1.2(b). La fuente de energia necesaria para romper un enlace covalente es funcién del espaciamiento at6mico en el cristal. Cuanto més pequefio sea el Stomo, més pequetio seré el espaciamiento y mayor la fuente de energia necesaria para romper los enlaces covalentes. Resulta mAs dificil extraer un electrén de conducci6n del silicio que del germanio debido a que los cristales de silicio tienen un espaciamiento reticular més pequefio. 314 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductorés Figura 1.2 [Niveles de energia. 11.2 ZF a LU Banda prohibida Banda de valencia (a) Aislante (b) Semiconductor (© Conductor EI conductor, o metal, se tiene cuando las bandas se traslapan, como se muestra en la figura 1.2(c). El conductor permite que se muevan las cargas eléctricas cuando existe una diferencia de potencial a través del material En un conductor, no existe barrera alguna entre la fuente de energfa del electron de valencia y Ia del electrén de conducci6n. Esto significa que un electrén de valencia particular no esté asociado fuertemente a su propio nticleo. Por tanto, es libre de moverse a través de la estructura. Este movimiento de electrones, generalmente como respuesta a la aplicacién de un potencial, es la conduccién, En los materiales, los electrones se pueden elevar a niveles de energia més altos por medio de aplicacién de calor, que provoca vibracién de la red. Los materiales que son aislantes temperatura ambiente pueden volverse conductores cuando la temperatura se eleva lo suficiente. Esto provoca que algunos electrones se muevan a una banda de fuente de energia mayor, donde quedan disponibles para conduccién. El diagrama de bandas de la fuente de energia de la figura 1.3 se utiliza para ilustrar Ia cantidad de energfa necesaria para que los electrones alcancen la banda de conduccién. El eje de abscisas de esta gréfica es el espaciamiento atémico del cristal. Conforme aumenta el espaciamiento, el niicleo ejerce menos fuerza en los electrones de valencia. El eje esté marcado con el espaciamiento at6mico para cuatro materiales. El carbono (C) es un aislante en forma cristalina (diamante). El silicio (Si) y el germanio (Ge) son semiconductores, y el estafio es un conduc- tor. La barrera de fuente de energia mostrada en la figura representa la cantidad de energfa externa requerida para mover los electrones de valencia hacia la banda de conduccién. Conduccidn en materiales semiconductores En los étomos de silicio y germanio, los electrones se mantienen juntos con sufi- ciente fuerza. Los electrones interiores se encuentran a gran profundidad dentro del ‘tomo, mientras que los electrones de valencia son parte del enlace covalente: no pueden desprenderse sin recibir una considerable cantidad de energia. Una forma de suministrar esta energfa es calentar el material. A una temperatura de cero absoluto, no existe vibracién térmicamente inducida en el cristal. No se pueden romper los enlaces covalentes, por lo que no existen electrones disponibles en la banda de conducci6n. Debido a ello, no puede existir corriente y el semiconductor se comporta como aislante. El calor y otras fuentes de energia provocan que los electrones en la banda de valencia rompan sus enlaces covalentes y se conviertan en electrones libres en la eS 32Energia ——> Figura 13. Diagrama de bandas de enerpia Espaciamiento at6mico ———~ 1.1 Teorta de semiconductores 5 Figura 14 Conduccién desde un enlace covalente roto. banda de conducci6n. Por cada electr6n que deja la banda de valencia, se forma un “hueco”. Un electrén cercano a la banda de valencia puede moverse y Uenar el hueco, ereando otro, précticamente sin intercambio de energia. En la figura 1.4 se muestra la forma en que el movimiento de electrones entre enlaces covalentes contribuye a la conduccién. La conduccién provocada por los electrones en la banda de conduccién es di- ferente de la conduccién debida a los huecos dejados en la banda de valencia. En semiconductores puros, existen tantos huecos como electrones libres. La fuente de energia térmica intema aumenta la actividad de los electrones; por tanto, saca a los electrones de valencia de la influencia del enlace ‘covalente y los dirige hacia la banda de conducci6n.. De esta forma, existe un niimero limitado de electrones en la banda de conduccién bajo la influencia del campo eléctrico aplicado; estos electrones se mueven en una direcci6n y establecen una corriente, como se muestra en la figura 1.5. Siempre que un electrén se eleva a una banda superior, se crea un huieco en Ia banda de valencia. El movimiento de huecos es opuesto al de electrones y se conoce como corriente de huecos. Los huecos actian como si fueran particulas positivas y contribuyen a la corriente total. Conforme aumenta la temperatura, un mayor mimero de electrones se eleva a la banda de conduccién, y la corriente aumenta ((44], Vol. 1). Los dos métodos mediante los cuales se pueden mover los electrones y huecos a través de un cristal de silicio son la difusién y el desplazamiento. La agitacién térmica provoca un movimiento aleatorio de electrones en un semiconductor. Aun- que este fenémeno puede relacionarse con la difusi6n, no provoca ningtin fixjo neto . 336 Capitulo 1 Andlisis de circuits con diodos semiconductores Figura 15 Corriente. 1.1.3 1.1.4 Banda de conduccién 5 Hueco a Onda de valencia Flujo de electrones Flujo de huecos de carga. Sin embargo, si otro mecanismo provoca una concentracién en un ex- tremo del semiconductor, los electrones se difunden hacia el otro extremo. Esto da lugar a un flujo neto de carga conocido como corriente de difusién. El otro método de movimiento, el desplazamiento, resulta cuando se aplica un campo eléctrico al semiconductor y los huecos y electrones libres se aceleran en el campo eléctrico. La velocidad de este movimiento se lama velocidad de deriva, y el movimiento Pprovoca corrientes de deriva. La relacién entre el campo eléctrico aplicado y la corriente de deriva es andloga a la ley de Ohm. Materiales semiconductores Los dtomos de silicio y germanio se ilustran en la figura 1.6. El 4tomo de germanio tiene eno un anillo exterior més que el 4tomo de silicio. Este anillo exterior en el germanio se encuentra a una distancia mayor del niicleo que el anillo exterior en el silicio. Por tanto, en el stomo de germanio se necesita una fuente de energia ‘menor para elevar electrones de la banda exterior a la banda de conduccién. Este punto se ilustra con mayor detalle al comparar las barreras de la fuente de energia de los dos materiales, como se muestra en la figura 1.7. El germanio tiene una barrera de la fuente de energia mas pequefia para separar sus bandas de valencia y de conduccién, por lo que se requiere una menor cantidad de energfa para cruzar las barreras entre bandas. Ser conductores contaminados Las corrientes inducidas en semiconductores puros son muy pequefias (por lo ge- neral de menos de 10-°A) para aplicaciones précticas. En un semiconductor puro, el ntimero de huecos es igual que el de electrones. La conductividad de 341.1: Teorfa de semiconductores 7 ‘Todos los ctrculos negros indican espacios para un electrén mo dea El anillo exevior requere fro ca : Figura 1.6 © Estructura at6mica del silico y el germanio. Banda de nergfa del'elecurén energia prohibida Figura 1.7 Barreras de energia para el germanio y silcio.8 — Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Electr6n libre @ Figura 1.8 Estructura del cristal en semiconductores contaminados. tun semiconductor se puede aumentar en forma considerable cuando se introducen cantidades pequefias de impurezas espectficas en el cristal. Este procedimiento se Mama contaminacién. Si la sustancia contaminante tiene electrones libres extra, se conoce como donador, y el semiconductor contaminado es de tipo n. Los por- tadores mayoritarios son electrones y los portadores minoritarios son huecos, pues existen més electrones que buecos. ‘Si la sustancia contaminante tiene huecos extra, se conoce como aceptor 0 receptor, y el semiconductor contaminado es de tipo p. Los portadores mayoritarios son huecos y los minoritarios son electrones. En la figura 1.8 se ilustran las cestructuras cristalinas de un semiconductor de tipo n (Fig. 1.8(a)) y de otro de tipo p Fig. 1.8()). Los materiales contaminados se conocen como semiconductores extrinsecos, mientras que las sustancias puras son materiales intrinsecos. El cristal semiconductor intrinseco tiene igual concentraci6n de electrones libres y huecos generados por ionizacién térmica. La densidad de electrones se denota por n y Ja densidad de huecos por p. Se puede demostrar que el producto, np, es una constante para un material dado a una temperatura dada. La densidad intrinseca de portadores, que se denota con n;, esté dada por la rafz cuadrada de este producto. Entonces, 361.2 1.2. Diodos semiconductores 9 ‘Como estas concentraciones estén provocadas por ionizacién térmica, n; depende de la temperatura del cristal. Se concluye entonces que n 0 p, o-ambos, tienen que ser funci6n de la temperatura. La concentraciGn de huecos minoritarios es funci6n de Ia temperatura en el material contaminado de tipo n y la densidad de electrones mayoritarios es independiente de la temperatura. En forma similar, la concentracién de electrones minoritarios es funcién de la temperatura en los materiales de tipo p, ‘mientras que la densidad de huecos mayoritarios es independiente de la temperatura. Recuérdese que el semiconductor contaminado es atin eléctricamente neutro, pues a mayoria de los portadores libres son neutralizados por la capa de cargas asociadas con los Stomos de impureza. La resistencia de un semiconductor se conoce como resistencia de blogue. Un semiconductor ligeramente contaminado tiene una alta resistencia de bloque. DIODOS SEMICONDUCTORES El circuito lineal més simple es el resistor. La tensi6n a través de este elemento ests relacionada con la corriente que lo atraviesa mediante la ley de Ohm. Esta relacién se representa de manera gréfica por medio de una Iinea recta, como se muestra en la figura 1.9a). La pendiente de esta linea es la conductancia del resistor, es decir, el factor de corriente a tensiGn, La inversa de esta pendiente es la resistencia en ohms (Q). Si el resistor se conecta en cualquier circuito, e1 punto de operacién debe caer en algiin lugar de esta curva. El diodo ideal es un dispositivo no lineal con caracteristica de corriente contra tensién, como la mostrada en la figura 1.9(b). Esta caracteristica se conoce como lineal a segmentos, ya que la curva se construye con segmentos de rectas. Néiese que si se intenta colocar una tensi6n positiva (0 directa) a través del diodo, no se tiene éxito y la tensién se limita a cero. La pendiente de la curva es infinita. Por tanto, bajo esta.condicién la resistencia es cero y el diodo se comporta como un cortocircuito. Si se coloca una tensién negativa (0 inversa) a través del diodo, la cocriemte es cero y la pendiente de la curva también es cero. Por tanto, el diodo se ‘comporta ahora como una resistencia infinita, 0 circuito abierto. Figura 1.9 Curvas.de operaci6n para un resistor y un diodo ideal. Pendiene= ey, 1 a ) © 3710 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores 41.24 Construcci6n del diodo En Ja figura 1.10 se muestra un material de tipo p y otro de tipo n colocados juntos para formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de construccién del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la concentracién de impurezas enel material. Los diodos précticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo p y el otro con material de tipo n. ‘También se muestra en la figura 1.10 el simbolo esquemético del diodo. Nétese que, en este simbolo, la “flecha” apunta del material de tipo p al material de tipo n. Los materiales m4s comunes utilizados en la construccién de diodos son tres: germanio, silicio y arseniuro de galio. En general, el silicio ha reemplazado al ger- manio en los diodos debido a su mayor barrera de energfa que permite la operacion a temperaturas mis altas, y los costos de material son'mucho menores. El arseniuro de galio es particularmente wtil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. Sin embargo, resulta més caro que el silicio, y 1a fabricaci6n de diodos de arseniuro de galio es dificil. La distancia precisa en la que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal varia con la técnica de fabricacién. La caracterfstica esencial de la unién pn es que el cambio en la concentracién de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unién no se comportaré como un diodo. Existen casos donde la unién pn no se puede tratar como un cambio abrupto en el tipo de matefial, sobre todo cuando el diodo se forma por difusién. Esto provoca que la contaminacién cercana a la unién esté escalonada; esto es, las concentraciones de donadores y receptores son una funcién de la distancia a través de la union [2, 14, 36, 37, 44, 53, 57, 61]. Habr4 una regién desértica en la vecindad de Ja unién, como se muestra en la figura 1.11(a). Este fenémeno se debe a la combinacién de huecos y electrones donde se unen los materiales. La regin desértica tendré muy pocos portadores. Los portadores minoritarios a cada lado de esta regién (electrones en la region py’ ‘huecos,en la regién n) se trasladardn hacia el otro lado y se combinaran con iones en el material. De la misma forma, los portadores mayoritatios (electrones en la regiGn n y huecos en la regién p) se moverdn a través de la unién. ‘Sin embargo, los dos componentes de la corriente constituida por el movimiento de huecos y electrones a través de la uni6n se suman para formar la corriente de difusién, Ip. La direccién de esta corriente es del lado p al lado n. Ademés de la corriente de difusién, existe otra corriente debido al desplazamiento de portadores. minoritarios a través de la unin, y se conoce como Is. Algunos de los huecos generados térmicamente en el material n se difunden, a través de este material, hacia el borde de la regién desértica. All{ experimentan el campo eléctrico y se deslizan, a lo largo de dicha regién, hacia el lado p. Los electrones reaccionan de Ja misma forma. Los componentes de estas acciones se combinan para formar la corriente de deriva, Js. En condiciones de circuito abierto, la corriente de difusi6n ¢s igual a la corriente de deriva (en equilibrio). Si ahora se aplica un potencial positivo al material p en relaci6n con el material n, como se muestra en la figura 1.11(b), se dice que el: diodo est polarizado 381.2 Diodos semiconductores 11 Figura 1.10 ‘Modelo simplificado del iodo. Figura 11 Regiones desértcas. 1.2.2 Material de | Material de pop tipo m en directo. La regi6n desértica disminuye de tamafio debido a la atraccién de portadores mayoritarios al lado opuesto. Esto es, el potencial negativo a la derecha atrae huecos a la regién p, y viceversa. Con una regién desértica més pequefia, la corriente puede fluir con mayor rapidez. Cuando se polariza en directo, Ip—Is =I después.de alcanzar el equilibrio, donde I es la corriente a través de la unin. Por otra parte, si la tensién se aplica como en la figura 1.11(c), el diodo se olariza en inverso. Los electrones libres se Hevan de] material n hacia la derecha; y, del mismo modo, los huecos se Hevan hacia la izquierda. La region desértica se hhace més ancha y el diodo acta como un aislante. Cuando se polariza en inverso, Is — Ip =I luego de alcanzar el equilibrio, donde J es 1a corriente a través de la uniéa. Operacién del diodo En la figura 1.12 se ilustran las caracteristicas de operacién de un diodo prictico. Esta curva difiere de la caracteristica ideal de la figura 1.9(b) en los siguientes puntos: conforme la tensién en directo aumenta més allé de cero, la corriente no fluye de inmediato. Es necesaria una tensi6n mfnima, denotada por V;, para obtener una corriente significativa. Conforme la tensi6n tiende a exceder V,, la co- triente aumenta con rapidez. La pendiente de la curva caracteristica es grande pero no infinita, como en el caso del diodo ideal. La tensién minima necesaria para obte- ner una corriente significativa, V,, ¢s aproximadamente 0.7 V para semiconductores 3912 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 1.12 (Caraceriaicas de coperacin del diodo, Regién de polarizacién Regién de polarizacién en directo 02 07 cs Corriente Vv, (Si) de pérdida Pendiente = ge de silicio (a temperatura ambiente) y 0.2 V para semiconductores de germanio. La diferencia de tensién para el silicio y el germanio radica én la estructura atmica de los materiales. Para diodos de arseniuro de galio, V, es més o menos 1.2 V. Cuando el diodo esta polarizado en inverso, existe una pequefia corriente de fuga. Esta corriente se produce siempre que la tensi6n sea inferior a la requerida para romper la unién. La corriente de fuga es mucho mayor para los diodos de germanio que para los de silicio o arseniuro de galio. Si la tensién negativa es lo suficientemente grande como para estar en la regiGn de ruptura, podria destruirse un diodo normal. Esta tensi6n de ruptura se define como tensién inversa pico (PIV, peak inverse voltage) en: las especificaciones del fabricante (el Ap. D contiene hojas de especificaciones representativas. A menudo se hard referencia a ellas en el texto, por lo que serfa conveniente tomar unos minutos para localizarlas en este momento). La curva de la figura 1.12 no esté a escala en la regién inversa, ya que Ja ruptura por avalancha suele tener valores negativos de tensi6n elevados (generalmente 50 V o més). El dafio al diodo normal en ruptura se debe a la avalancha de electrones, que fluyen a través de 12 unién con poco incremento en la tensién. La cortiente muy grande puede destruir el diodo si se genera excesivo calor. Esta ruptura a menudo se conoce como la tensién de ruptura del diodo (VR). a ~40 aFigura 1.13, Modelos de diodos. 1.2.3 1.2 Diodos semiconductores 13 i R iodo ideal (@) Modelo en ed (directo inverso) cG ip R () Modelo simple en ca para el diodo polarizado en inverso Co Gq (©) Modelo en ca para el diodo polarizado en directo Los diodos se pueden construir para utilizar la tensi6n de ruptura a fin de simular un dispositivo de control de tensién. El resultado es un diodo Zener, que se analiza en la seccién 1.6. Modelos de circuito equivalentes del diodo El circuito mostrado en la figura 1.13(a) representa un modelo simplificado del diodo de silicio bajo condiciones de operacién en cd tanto en directo como en inverso. Las relaciones para este modelo se aproximan a las curvas de operacién del diodo de la figura 1.12. El resistor R,, representa la resistencia en polarizacién inversa del diodo y, por lo general, es del orden de megaohms (MQ). El resistor Ry representa la resistencia de bloque y contacto del diodo, y suele ser menor que 50.2. Cuando se encuentra polarizado en directo, el diodo ideal es un cortocircuito, © resistencia cero. La resistencia de circuito del diodo préctico modelado en la figura 1.13(a) es RI Rys Ry a4 Capitulo 1 Andllisis de circuitos con diodos semiconductores 1.3 1.3.1 Bajo condiciones de polarizacién en inverso, el diodo ideal tiene resistencia infinita (Circuito abierto), y la resistencia de circuito del modelo préctico es R,. El diodo {deal que es parte del modelo de la figura 1.13(a) est4 polarizado en directo cuando Ja tensi6n entre sus terminales excede de 0.7 V. Los modelos de circuito en ca son més complejos debido a que la operacién del diodo depende de la frecuencia. En la figura 1.13(b) se muestra un modelo simple en ca para un diodo polarizado en inverso. El capacitor, Cy, representa Ja capacitancia de unién. En la figura 1.13(c) se muestra el circuito equivalente en ca para un diodo polarizado en directo. El modelo incluye dos capacitores, el capacitor de difusién, Cp, y el capacitor de unidn, Cy. La capacitancia de difusi6n, Cp, se aproxima a cero para diodos polarizados en inverso. La resistencia dindmica es rq y esté dada por la pendiente de la caracteristica tensiGn-corriente. A bajas frecuencias, los efectos capacitivos son pequefios y r¢ es el nico elemento significativo. FISICA DE LOS DIODOS DE ESTADO SOLIDO Ahora que se-ha analizado la construccién del diodo y presentado una breve in- troduccién a los modelos précticos del diodo, se explorarén algunos aspectos més detallados de las diferencias entre diodos practicos e ideales. En el apéndice B se incluyen detalles adicionales. Distribucién de carga Los diodos se pueden visualizar como la combinaci6n de un semiconductor de tipo n conectado a un semiconductor de tipo p. Sin embargo, en una produccién real, se forma un solo cristal semiconductor con una parte del cristal contaminada or material de tipo n y la otra parte contaminada por material de tipo p. Cuando existen materiales de tipo p y de tipo n juntos en un cristal, se produce una redistribucién de carga. Algunos de los electrones libres del material n migran a través de la unién y se combinan con huecos libres en el material p. De la misma forma, algunos de los huecos libres del material p se mueven a través de la unién y Se combinan con electrones libres en el material n. Como resultado de esta redistribuci6n de carga, el material p adquiere una carga negativa neta y el material 1 obtiene una carga positiva neta. Estas cargas crean un campo eléctrico y una diferencia de potencial entre los dos tipos de material que inhiben cualquier otro movitiiento de carga. El resultado es una reducci6n en el nimero de portadores de corriente cerca de la uni6n. Esto sucede en un érea conocida como regién desértica. El campo eléctrico resultante proporcioria una barrera de potencial, 0 colina, en a2Figura 114 Barreras de potencial 1.3.2 1.3. Fisica de los diodos de estado sdlido 15 Poténcial : Posicion una ditecci6n que inhibe la migracién de portadores a través de la unién. Esto se muestra en la figura 1.14. Para producir una corriente a través de la uni6n, se debe reducir la barrera de potencial o colina aplicando una tensi6n con la polaridad apropiada a través del diodo. Relacién entre la corriente y la tensién en un diodo Existe una relacién exponencial entre la corriente del diodo y el potencial aplicado. Es posible escribir una expresién nica para la corriente que se aplique a condi- ciones de polarizacién tanto en directo como en inverso. La expresi6n se aplica siempre que la tensiGn no exceda la tensién de ruptura. La relacién se describe por medio de la ecuacién (1.1). =I: [exe (8) 5 Hy ay Los términos de la ecuacién (1.1) se definen como sigue: ip = comtiente en el diodo up = diferencia de potencial a través del diodo I, =corriente de fuga q = carga del electrén: 1.6 x 10-9 coulombs (C) k = constante de Boltzmann: 1.38 x 107 JK T = temperatura absoluta en grados Kelvin ‘n= constante empirica entre 1 y 2, que a veces se refiere como el factor exponencial de idealidad 4316 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores La ecuaci6n (1.1) se puede simplificar definiendo Esto da ip=Ie [ee (2) - | 2) Si se opera a temperatura ambiente (25°C) y s6lo en Ia regi6n de polarizacién en directo (vp > 0), entonces predomina el primer término en el paréntesis y la Corriente est4 dada aproximadamente por ip = Teexp (3) 3) Estas ecuaciones se ilustran en la figura 1.15. La corriente de saturacién inversa, To, es funcién de la pureza del material, de la contaminacién y de la geometria del diodo. La constante empfrica, n, es un niimero propiedad de la construccién del diodo y puede variar de acuerdo con los niveles de tensién y de corriente. Sin embargo, algunos diodos operan sobre un intervalo considerable de tensién con una constante n aceptable. Sin = 1, el valor de nVp es de 26 mV a 25°C. Cuando n = 2, nVp tiene un valor de 52 mV. Para diodos de germanio, por lo comiin se considera que nes 1. Para diodos de silicio, la teorfa de Sah-Noyce-Shockley (SNS) [47] predice que 7 deberfa ser 2. Aunque se predice el valor de 2, muchos diodos de silicio operan con n en el intervalo n=13a 16. El valor de n puede variar un poco, inclusive en una produccién particular debido a la tolerancia durante la fabricacién, la pureza del material y los niveles de contaminacién ((36], Sec. 1.2). ‘Ya se tiene Ja informacién necesaria para evaluar la relacién entre la corriente y Ja tensién en un punto de operacién Q. Aunque las curvas para la region en irecto mostradas en la figura 1.15 recuerdan una linea recta, se sabe que la linea no es recta, ya que sigue una relaci6n exponencial. Esto significa que la pendiente de la linea se modifica conforme cambia ip. Se puede diferenciar la expresin de Ja ecuacién (1.3) para encontrar la pendiente en cualquier ip dada: fo (Ge)] Vr ca dup a4) Para eliminar la funci6n exponencial, se resuelve la ecuaci6n (1.2) a fin de obtener 4 44 21.3. Fisica de los diodos de estado solido 17 Figura 115 Relaci6n tensiGn-cortiente en el diodo. vu ip ona)“ EO Entonces, al sustituir esta expresién en la ecuacién (1.4) se tiene din Go+ dup Wr La resistencia dindmica, rg, es el reciproco:de esta expresi6n, o nr D+ To) ‘Aunque se sabe que rg cambia cuando cambia ip, se puede suponer fija para un intervalo de operacién especifico. Se utiliza el término Ry para denotar la resistencia del diodo en directo, la cual se compone de ra y la resistencia de contacto. 1.3.3 Efectos de la temperatura * La temperatura tiene un papel importante en la determinacién de las caracteristicas ‘operacionales de los diodos. Los cambios en estas caracteristicas provocados por cambios de temperatura requieren ajustes en el disefio y empaquetado de los circuitos. 4518 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 1.16 Dependencia de Ip hacia 1a temperatura. Ty To Conforme aumenta la temperatura, disminuye la tensi6n de encendido V,. Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento en V;. Esto se ilustra en la figura 1.16. Aqui V, varia linealmente con la temperatura de acuerdo con la siguiente ecuacién (se supone que la corriente del diodo, ip, se mantiene constante): Vx(Ti) — V(To) = KT, — To) donde Tp = temperatura ambiente, 0 25°C T, = nueva temperatura del diodo en °C V,(T.) = tensién del diodo a temperatura ambiente V,(T;) = tensi6n del diodo a la nueva temperatura = coeficiente de temperatura en VC ‘Aunque de hecho & varia con cambios en los pardmetros de operacién, la prictica estdndar en ingenierfa permite suponer que es constante. A continuacién se mues- tran valores de k para varios tipos de diodos ([50},,Sec. 1.11): k=-25 mV/C para diodos de germanio k=-2.0 mv/C para diodos de silicio k=~1.5 mVFC para diodos de Schottky 4613. Fisica de los diodos de estado sdlido 19 V,(To) es igual a los valores mostrados abajo. dindos de silicio: o7Vv diodos de germanio: 02v diodos Schottky: 03V diodos de arseniuro de galio: 12 V La corriente de saturaci6n en inverso, Ip, ¢s otro pardmetro que depende de Ja temperatura. Aumenta aproximadamente 7.2%/°C para diodos tanto de silicio como de germanio. En otras palabras, J_ se duplice mas © menos por cada 10°C de aumento en la temperatura. La expresin para Ja corriente de saturacién inversa en funcién de la temperatura es ITs) = To(Ti)exp[ki(T2 - T1)] donde ki .072/°C y T; y Tp son dos temperaturas diferentes. Esta expresin se puede simplificar y reescribir como: To(Ta) = LofTy AR as) Esta simplificacién es posible porque OR 2 Ejercicios D1.1 Cuando un diodo esté en conducci6n a 25°C, hay una cafda de 0.7 V entre sus terminales. {Cudl es la tensi6n, V,, a través del diodo a 100°C? Rep: V,=0.55,V D1.2 El diodo descrito en el ejercicio D1.1 se enfria a —100°C. ,Cuél es Ja tension necesaria para establecer una corriente apreciable a la nueva temperatura? Resp: Vz = 0.95. V 1.3.4 Lineas de carga del diodo ‘Como el diodo es un dispositivo no lineal, se deben modificar las técnicas esténdar de andlisis de circuitos. No se pueden escribir ecuaciones simples y resolver para las variables, ya que las ecuaciones s6lo son vélidas dentro de una regi6n particular de operacién. 47 &20 — Capttulo 1 Andilisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 1.17 vi Yoo. Circuito con dodo Reins * foe Linea de carga en ea > c DE 41 ip Ip 4 + Vy+u RZ ve, Re (@) Circuito det diodo Linea de carga en od Yeo! ( Vs () Linea de carga en el diodo A menudo un circuito coritiene fuentes de cd y fuentes variables en el tiempo. Si se hace a las fuentes variables iguales a cero, la tinica energ(a suministrada a los circuitos proviene de las fuentes de ed. Con las fuentes variables en el tiempo fuera del circuito, la tensi6n y la corriente en el diodo definen lo que se conoce como punto de operacién en reposo (punto Q). En Ja figura 1.17(a) se ilustra un cireuito con un diodo, un capacitor, una fuente y dos resistores. Si se denomina a la corriente y a la tensién del diodo como las dos ino6gnitas del circuito, se necesitan dos ecuaciones independientes que incluyan estas dos inc6gnitas para encontrar una solucién dnica para el punto de operacién, Una de las ecuaciones es Ia restriccién proporcionada por los elementos conectados al diodo. La segunda es 1a relacién real entre corriente y tensi6n para el diodo. Estas dos ecuaciones se deben resolver simulténeamente para determinar la tensién y la corriente en el diodo. Esta solucién simulténea se puede llevar a cabo en forma gréfica. Si en primer lugar se toma la condici6n de cd, la fuente de tensi6n se vuelve simplemente Vs, y el capacitor es un circuito abierto (es decir, la impedancia del : 481.3. Fisica de los diodos de estado sélido 21 capacitor es infinita a frecuencia cero). Por tanto, la ecuacién de lazo se puede escribir como: Vs = Vp + Vai = Vo H+ IDR: Ip + Vs a6 Esta es la primera de dos ecuaciones que incluyen la corriente y la tension del diodo. Es necesario combinarla con la caracteristica del diodo y resolver para el punto de operaciGn. La gréfica de esta ecuacién se muestra en Ja figura 1.17(b) y se etiqueta como “linea de carga en cd”. La gréfica de la caracteristica del diodo también se muestra en el mismo conjunto de ejes. La interseccién de las dos gréficas da la soluci6n simulténea de las dos ecuaciones y se etiqueta como “punto Q” en la figura. Este es el punto en el cual opera el circuito con las entradas variables iguales a cero. La Q (quiescent) denota condicién de reposo. Si ahora se aplica una sefial variable en el tiempo ademds de la entrada de cd, cambia una de las dos ecuaciones simulténeas. Si se supone que la entrada variable es de una frecuencia suficientemente alta como para permitir ta aproximacién del capacitor como un cortocircuito, Ia nueva ecuacién esté dada por (1.7): Us = a+ ia(Ri || Rx) va = (Ri || Radia Us ay De los mychos parémetros, s6lo se han considerado los componentes variables en el tiempo., (Nétese la utilizaci6n de letras mimisculas para las variables. Considérese la simbologia de etiquetas presentada al principio del texto.) Entonces, el valor total de los pardmetros esté dado por vp =ve+Vpq ip =ia+Ipg y la ecuacién (1.7) se vuelve vp = Vg = ~(Ri ll Bilin ~ Iq) + ¥ Esta dtima ecuacién se etiqueta como “linea de carga en ca” en la figura 1.17(b). La linea de carga en ca debe pasar a través del punto Q, ya que en los momentos ‘en que la parte variable se hace cero, las dos condiciones de operacién (cd y ca) deben coincidir. Por tanto, la linea de carga en ca se determina de manera tinica. ~ 4922 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Ejemplo 1.1 h La fuente de tensién, ug = 1.1 +0.1 sen 1000 se coloca a través de una combinacién en serie de un diodo y un resistor de 100 como se muestra en la figura 1.18. Encuéntrese la corriente, ip, si Vp = 40 mV V, =0.7V SOLUCION Se utiliza LTK para Ja ecuacién en ed a fin de obtener Vs =V_+IoRe Esto fija el punto de operacién en cd del diodo. Se necesita determinar la resistencia dindmica (se ittiliza el simbolo Ry en vez de re, porque el primero incluye la resistencia de contacto) para poder establecer la resistencia de la uni6n polarizada en directo para la sefial de ca. Utilizando la ecuacién (1.4a) y suponiendo que la resistencia de contacto es despreciable, se tiene _2Vr _ 40 mV y= Ip 4mA =109 ‘Ahora se puede reemplazar el diodo por un resistor de 10 ©, con la salvedad de que permanezca polarizado en directo durante todo el periodo de la sefial de entrada de ca. Utilizando otra vez LTK, se obtiene 0, = Ryia+ Rota v%, sen 1000¢ “R +R, 10 ig = (0.91 sen 1000¢ mA Por tanto, la corriente del diodo est dada por ip =4+0.91sen 1000t mA Como ip siempre es positiva, el diodo se encuentra polarizado en directo todo el tiempo, y la solucién est4 completa. \ o 50Figura 118 Circuito con diodo en 1.3.5 1.3.6 1.3. Fisica de los diodos de estado sélido 23 us 1000 Si la amplitud de la corriente en ca es mayor que el valor de Ja corriente en cd, la solucién se debe modificar. En ese caso, cuando la amplitud de corriente en ca en la parte negativa es mayor que el valor en cd, el diodo se polariza en inverso y la corriente-se anula, Esta situaci6n se analiza en la secci6n 1.8 — Capacidad de manejo de potencia Los diodos se clasifican de acuerdo con su capacidad de manejo de corriente. Las caracteristicas se determinah por la construcci6n fisica del diodo (por ejemplo, el tamafio de la uni6n, el tipo de empaque y el tamafio del diodo). Las especificaciones del fabricante se utilizan para determinar la capacidad de potencia de un diodo para ciertos intervalos de temperatura. Algunos diodos, como los de potencia, se clasifican por su capacidad de paso de corriente. La potencia instanténea disipada por un diodo se define por medio de la ex- presion de la ecuaci6n (1.8): Pp= pip (8) Capacitancia del diodo Ei circuito equivalente del diodo incluye un pequefio capacitor. El tamafio de este capacitor depende de la magnitud y polaridad de la tensién aplicada al diodo, asi como de las caracteristicas de la unién formada durante la fabricacin. En el modelo simple del diodo de unién mostrado en la figura 1.19, la regién alrededor de la unién es deficiente efi electrones y huecos. En el lado p de la unién existe una gran concentracién de huecos, mientras que en el lado n la concen- tracién de electrones es grande. La difusién de estos electrones y huecos se produce cerca de la unién, provocando una corriente de difusién inicial. Cuando los huecos se difunden hacia la regién n a través de la uni6n, se combinan répidamente con los electrones mayoritarios presentes en el érea y desaparecen, Del mismo modo, Jos electrones se difunden a través de la uni6n, se recombinan y desaparecen. Esto forma una region desértica (a veces lamada regidn de carga espacial) cerca de la unién debido a la recombinaci6n de electrones y huecos. Conforme se aplica una tensi6n inversa a través de la unin, esta regi6n se ensancha, provocando que Ja region desértica aumente de tamafio. 51Capttulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Movimiento de huecos débido 2 polarizacién invert Movimiento de elsrones ded \ 2 polavnaci6ninvesa Region _! T deatica ~! Hueco——=9 30 %O | Of © @—j~ztcton ?0+0-0 | @ ee: Q +0 +O eee Tp = Coniente de difsion vs @ Figura 119 Modelo de diodo y cieuto equivalene, 1.4 1.4.1 La regi6n desértica actia como aislante. Por tanto, un diodo polarizado en inverso acta como un capacitor cuya capacitancia varia en raz6n inversa a la raiz cuadrada de la tensiGn a través del material semiconductor. La capacitancia equivalente para diodos de alta velocidad es inferior a 5 pF. Esta capacitancia puede legar a ser tan grande como 500 pF en diodos de alta co- rriente (baja velocidad). Se deben consultar las especificaciones del fabricante para determinar la cantidad predicha de capacitancia para una condicién de operacién dada. RECTIFICACION — ‘Ya se esté en posibilidad de ver la forma en que se acomoda un diodo para realizar tuna funcién siti). La primera aplicacién importante por considerar es la rectificaciOn. La rectificacién es el proceso de convertir una sefial alterna (ca) en otra que: se restringe a una sola direccién (ed). La rectificaci6n se clasifica ya sea como de media onda 0 de onda completa. Rectificacién de media onda > ‘Como un diodo ideal puede mantener el flujo de corriente en una sola direcci6n, se puede utilizar para cambiar una sefial de ca en una de cd. En la figura 1.20 sé ilustra un circuito rectificador de media onda simple. Cuando 1a tensién de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se puede reemplazar por un cortocircuito (suponiendo que sea ideal). Si la tensién de entrada es negativa, el diodo se polariza en inverso y se puede reemplazar por un circuito, abierto (siempre que la tensién no sea muy negativa como para romper la . 52Figura 1.20 Rectificador de media onda. 1.4.2 14 Rectificacin 25 Die fae Dt- 5 5 % SR, | Tensin de enrada ___,, Resin de poarzacion thames soo ein in Of Se coe sin el diodo a ' ' Regién de polarizacion inversa, Sin comrente en la carga unin). Por tanto, cuando el diodo se polariza en directo, la tensién de salida a través del resistor de carga se puede encontrar a partir de la relaci6n de un divisor de tensiGn. Por otra parte, en condici6n de polarizacién inversa, la‘corriente es cero, de manera que la tensién de salida también es cero. En la figura 1.20 se muestra un ejemplo de la forma de onda de salida suponiendo una entrada senoidal de.100 V, R, = 10 Qy Ry = 90 2. El rectificador de media onda se puede utilizar para crear una salida de ed casi cconstante si se filtra la forma de onda de la figura 1.20. La operacién de filtracin se comenta en la seccién 1.4.3. Se nota que el rectificador de media onda no es muy eficiente. Durante la mitad de cada ciclo, la entrada se bloquea completamente desde la’salida. Si se pudiera transferir energia de la entrada a la salida durante este medio ciclo, se podrfa incrementar la potencia de salida para una entrada determinada. Rectificacién de onda completa ‘Un rectificador de onda completa transfiere energfa de la entrada a la salida durante todo el ciclo y proporciona mayor corriente promedio por cada ciclo en relacién con la que se obtiene utilizando un rectificador de media onda. Por lo general, al construir un rectificador de onda completa se utiliza un transformador con el fin de obtener polaridades positivas y negativas. En la figura 1.2] se muestran un circuito representativo y la curva de la tensi6n de salida. E| promedio de una funcién periédica se define como la integral de la funcién sobre un periodo dividida por el periodo. Es igual al primer término del desarrollo de la funcién en series de Fourier. El rectificador de onda completa produce el doble de corriente promedio en relacién con el rectificador de media onda. (Werifiquese esta aseveracién.) 53 bh26 Capitulo 1 Andlisis de circuitos con diodos semiconductores Figura 1.21 Reetificador de onda completa. Figura 1.22, Puente rectficador de onda completa Figura 1.23 Tiempos de conduccién en el puente rectificador de diodes. 100-V 60-He Rid Me 100V2 Diodes 2 y 3: conduciendo Diodos 1 y 4: en conte 100v2 Diodos 1 y 4: conduciendo Diodos 2 y 3: en corte Es posible hacer la rectificacién de onda completa sin utilizar un transformador. El puente rectificador de ta figura 1.22 realiza la rectificaci6n de onda completa. Cuando la fuente de tensién es positiva, los diodos 1 y 4 conducen y los diodos 2 y 3 son circuitos abiertos. Cuando la fuente de tensin se vuelve negativa, se invierte la situacién y los diodos 2 y 3 conducen. Esto se indica en la figura 1.23. El estidio de la figura 1.22 indica una posible falla préctica en el circuito del puente rectificador. Si una de las terminales de la fuente se conecta a tierra, ninguna de las terminales del resistor de carga se puede aterrizar. Hacerlo provocarfa un lazo de tierra, que eliminarfa uno de los diodos. Por tanto, es necesario afadir un transformador a este circuito para aislar entre sf las dos tierras. 541A Rectificacién 27 al Figura 1.24 Aaite Dh se Rectifieader de onda | ; T compli on fo. NOV ae ol Rg % l - 3 Figura 1.25 ‘Forma de onda filtrada en | Vee Ja salida 1.4.3, Filtrado ‘Los circuitos rectificadores de la seccién anterior proporcionan una tensién en cd pulsante en la tensién de salida. Estas pulsaciones (conocidas como rizo de salida) se pueden reducir considerablemente filtrando la tensién de salida del rectificador. EI tipo de filtro més comin emplea un solo capacitor. En la figura 1.24 se muestra el rectificador de onda completa, donde se afiadi6 tun capacitor en paralelo con el resistor de carga. La tensiGn de salida modificada se muestra en la figura 1.25. El capacitor se carga al valor de tensién més alto (Vix) Cuando la entrada alcanza su méximo valor positivo o negativo. Cuando la tensi6n de entrada cae por debajo de ese valor, el capacitor no se puede descargar a través de ninguno de los diodos. Por tanto, la descarga se lleva a cabo a través de Ry. Esto conduce a tun decaimiento exponencial dado por Ia ecuacin Vo = Vink O77 = Vangg 07 1 RE (19a) ‘Como ejemplo de una situacin de disefio, supéngase que la entrada es una si- nusoide de 100 V de amplitud y que la tension de salida mas baja que se puede aceptar en una aplicacién dada es de 95 V. Entonces 95 = 10067 7/Ree (1.96) 55 —28 Capitulo 1 Andllisis de circuitos con diodos semiconductores donde 7’ es el tiempo de descarga disponible, como se indica en la figura. Se puede resolver C en términos de 7” y Ry, tomando el logaritmo natural en ambos lados de la ecuacién (1.9b): T 1053 = FG y, finalmente, 19.47" Ry Esta férmula es dificil de utilizar en el diseiio del filtro (esto es, elegir un valor para C), ya que T’ depende de 1a constante de tiempo Rzc y, por tanto, de la inc6gnita C. Se sabe de cierto que v

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