Ciclo Formativo de Administración de Sistemas

Módulo Profesional de Fundamentos Hardware (FHW)

Informáticos en Red

U.D.4. Tarea 1
Memoria
1. ¿Que jerarquía de memoria sigue un PC? Explica brevemente en cada nivel el tipo de memoria
que forma.

Tipo Memoria Velocidad de transferencia Capacidad Almacenamiento Dónde se encuentra

Registros internos entre 0,25 ns y 0,5 ns conjuntos de 8 bits o Memoria interna

n bits
Caché hasta 10 ns L1: tamaño habitual Memoria interna
de 256 KB
L2: entre 256KB y
8MB
L3: entre 4 y 50 MB
RAM, ROM 30 ns a 200ns Memoria interna
Disco duro tiempos de acceso Memoria externa
más elevados que los
anteriores
Dispositivos de Son las más lentas Pueden llegar a los Memoria externa
almacenamiento masivo Teras y Petabytes

2. En la Memoria ¿Qué es el ancho de banda? ¿Y la Latencia?

El ancho de banda hace referencia al número de palabras transferidas entre la memoria principal y
la CPU en una unidad de tiempo, normalmente se mide en MB/s.
La latencia es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato hasta que el primer bit de éste
es transferido. Este dato es bastante importante ya que puede ser determinante. En ocasiones,
memorias rápidas con latencias elevadas son "más lentas" que otras de menor número de MHz.

3. Realiza un cuadro resumen con las siguientes columnas para los siguientes modelos de
memoria RAM siguientes que tenga los siguientes datos: Modelo, Tipo de la memoria, Tipo de
Encapsulado, Contactos, Tamaño de la memoria, Latencia, Velocidad, Tensión, Precio.

Modelo y fabricante Fabricante Tipo N.º Contactos Tamaño Velocidad Latencia Voltaje
(DIMM, encapsulado (MB,GB)
SIMM,...) (DDR,DDR2,...)

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Corsair. DIMM DDR4 288 16GB SPD 2133MHz SPD 15-15-15- SPD 1.2V
Vengeance 36
LED 16GB
G.Skill. Trident DDR4 288 16GB 4600 MHz Latencia CAS: 1.5 V
Z RGB 16GB 19
Kingston. DIMM DDR4 288 Kits de 2: 8 2400MHz, Latencias 1,2V y
HyperX GB, 16 GB 2666MHz, CL15, CL16 1,35V
Predator 16GB y 32 GB 3000MHz,
3200MHz,
Kits de 4: 3466MHz
16 GB, 32
GB y 64 GB
Kingston. DIMM DDR4 288 Kits de 2: 8 2400MHz, Latencias 1,2V y
HyperX Fury GB, 16 GB 2666MHz, CL15, CL16 1,35V
16GB y 32 GB 3000MHz,
3200MHz,
Kits de 4: 3466MHz
16 GB, 32
GB y 64 GB
Corsair. DIMM DDR4 288 16 GB 3600 MHz Latencia CAS: 1.2V
Dominator 18
Platinum RGB
16GB
HyperX. Fury DIMM DDR4 288 16 GB 3733 MHz Latencia CAS: 1.35 V
RGB 3733MHz 19
16GB
G.Skill. Trident DIMM DDR4 288 16 GB 4600 MHz Latencia CAS: 1.5 V
Z RGB DC 19
16GB
Adata. Spectrix DIMM DDR4 288 16 GB 3200 MHz Latencia CAS: 1.2,1.35 V
D80 16GB CL16

3. Averigua qué tipo de memoria lleva tu equipo de sobremesa (Clase o casa) e indica las mismas
características que en el apartado anterior.

Modelo y fabricante Fabricante Tipo encapsulado N.º Contactos Tamaño Velocidad Latencia Voltaje
(DIMM, (DDR,DDR2,...) (MB,GB)
SIMM,...)

SK Hynix SIMM DDR4 8GB 3200Mhz 20ms 1.20v

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4. Elabora un cuadro los pasos a realizar en la fabricación de la Memoria, según lo visto en el

vídeo en clase.

Paso Descripción
1 El primer paso del silicio al circuito integrado es la creación de un cilindro o lingote puro de un solo cristal,
que está hecho de silicio.. Una vez formados, se cortan en obleas muy finas y pulidas con menos de 6
milímetros de grosor. Los elementos del circuito del chip (transistores, resistencias y condensadores) se
construyen luego en capas en la oblea de silicio. Los circuitos se desarrollan, se prueban mediante
simulación y se perfeccionan en los sistemas informáticos antes de que realmente se construyan. Cuando se
completa el diseño, se hacen fotomáscaras de vidrio.
2 Las obleas están expuestas a un proceso de fotolitografía de múltiples pasos que se repite una vez para cada
máscara requerida por el circuito; se utilizan estas máscaras para definir las diferentes partes de un
transistor, condensador, resistencia o conector que completará el circuito integrado y para definir el patrón
de circuito para cada capa en la que se fabrica el dispositivo.
3 La oblea se recubre con un líquido espeso sensible a la luz llamado fotorresistente. En las áreas
transparentes de la máscara, la luz atraviesa y expone el fotorresistente. Cuando se expone a la luz
ultravioleta, la fotoprotección sufre un cambio químico, que permite que una solución reveladora elimine la
fotorresistencia expuesta y deje una porción no expuesta en la oblea. Para cada máscara requerida por el
circuito, se repite el proceso de fotorresistencia.
4 Se coloca gas seco de plasma o ácido húmedo sobre la oblea para eliminar la parte de la capa de nitruro que
no está protegida por la fotoprotección endurecida. Esto deja un patrón de nitruro en la oblea en el diseño
exacto de la máscara. Cuando la fotorresistencia endurecida se limpia con otra sustancia química, cientos de
chips de memoria ahora pueden grabarse en la oblea.
5 Para comenzar a conectar los elementos del circuito, se deposita una capa aislante de vidrio sobre la oblea, y
se usa una máscara de contacto para definir los puntos de contacto de cada uno de los elementos del
circuito. Después, toda la oblea se cubre con una fina capa de aluminio en una cámara de pulverización.
Cuando se aplica una máscara de metal a la capa de aluminio, se forma una red de conexiones metálicas
finas o alambres, creando un camino para el circuito.
6 La oblea completa se cubre con una capa aislante de vidrio y nitruro de silicio (capa de pasivación) para
protegerla de la contaminación durante el ensamblaje. A continuación, se realiza una máscara final y un
proceso de grabado de pasivación, eliminando el material de pasivación de los terminales (áreas de
conexión). Estas áreas ahora libres se utilizan para conectar eléctricamente el dado a las clavijas de metal en
el paquete de plástico o cerámica, y el circuito integrado ya está completo.
7 Durante la encapsulación, los bastidores de conductores se colocan en placas de molde y se calientan. El
material plástico fundido se aprieta alrededor de cada dado para formar su paquete individual. El molde se
abre y los bastidores de conductores se presionan y se limpian.
8 La galvanoplastia es el proceso donde los bastidores de conductores encapsulados se "cargan" mientras se
sumergen en una solución de estaño y plomo. Esto hace que aumente la conductividad del dado y
proporciona una superficie limpia para poder montar el dado.
9 Se forman conductores y luego se cortan los chips de los bastidores. Los chips individuales se colocan en
tubos antiestáticos para su manipulación y transporte al área de prueba para la prueba final.

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10 En las pruebas de resistencia a quemado, cada chip se prueba para ver cómo funciona en condiciones de
esfuerzo acelerado. Una vez que los chips de memoria pasan la prueba de resistencia, se inspeccionan,
sellan y preparan para su ensamblaje.
11 Las tarjetas de circuito impreso (PCB) resuelven este problema ya que proporcionan una forma de conectar
los chips a la placa base. Para lograr esto, los chips se montan en una tarjeta de circuito impreso (PCB) y el
producto final es un módulo de memoria terminado.
12 En la impresión de pantalla, se utiliza una plantilla para filtrar pasta de soldadura sobre la PCB terminada. La
pasta de soldadura es una sustancia pegajosa que mantiene los chips en su lugar en la PCB. El uso de la
galería de símbolos garantiza que la pasta de soldadura se adhiera solo donde se unirán los componentes
(chips).
13 Cuando la soldadura se enfría, se solidifica, dejando una unión permanente entre los chips de memoria y la
PCB. La tensión superficial de la soldadura fundida evita que los chips se desalineen durante este proceso.