568 CAPITULO 1 - La estructura de los sélidos 1.1 = La tabla periédica de Mendeleiev 1.2 - Estados de la materia 1.2.1 - Gases 1.2.2 - Sélidos - Estructura cristalina 1.3 - Materiales semiconductores 13.1 - Estructura cristalina del semiconductor(C; Si y Ge) 1.3.2 - El cristal semiconductor en equilibrio térmico 1.4- Diagramas atémicos de energia 1.4.1 - Diagramas de energia para un cristal 1.5 - Electrones y lagunas 1.5.1 - Masa efectiva 1.6 - Bandas de energia 1.6.1 - Diagramas simplificados de bandas de energia 1.7 - Tipos de semiconductores 1.7.1 - Semiconductores intrinsecos 1.7.2 - Semiconductores extrinsecos CAPITULO 2- Conduccién en los semiconductores 2.1 - Corriente en los cristales 2.2 - Concentracién de portadores en un semiconductor 2.2.1 - Generacién y recombinacién 2.2.2 Determinacién de las concentraciones de portadores 2.3- Movilidad 2.3.1 - Rozamiento viscoso, velocidad critica 2.3.2 - Coeficiente de rozamiento en los semiconductores 2.3.3 - Variacion de a con la temperatura 2.3.4 - Resolucion de la ecuacién diferencial del movimiento 2.4- Conduetividad 2.4.1 - Variacién de la conductividad con la temperatura CAPITULO 3 - Otros procesos electrénicos 3.1 - Efecto Hall 3.1.1 - Introduccion Dispositivos electronicos INDICE eaaeeee 10 M 14 16 18 19 21 22 22 24 30 30 34 34 36 42 B a 49 50 55 37 59 39 59indice 3.1.2 Dinamica de las particulas cargadas dentro de campos eléctricos y magnéticos 3.1.3 - Accién de un campo eléctrico sobre una pastilla semiconductora recorrida por corriente 3.1.4- Consecuencias del efecto Hall 3.2 Inyeccién de portadores minoritarios 3.2.1 - Recombinacidn de los excesos 3.2.2 - Variacién de los excesos con el tiempo 3.3 - Difusion 3.3.1 - Proceso de la difusion 3.3.2 - Expresion matematica de la ley de la difusion 3.3.3 - Eeuacion de la difusion CAPITULO 4 - Concentracién de portadores en las bandas CAPITULO 5 - Junturas "p- 5.1 ~ Introduccion 5.2 - Tipos de juntura 4.1 - Funciones de distribucion y funciones densidad de distribucién 4.1.1 - Estadistica de Maxwell-Boltzman 4.1.2 - Estadistica de Fermi-Dirac 4,2 - Concentracién de portadores en las bandas 4.2.1 - Medicién de la energia de los estados dindmicos dentro de las bandas 4.2.2 Tamaiio de un estado dinamico 4.2.3 - Funcién de distribucion de estados dentro de la banda de conduccién 4.2.4 - Concentracién de electrones en la banda de conduccion 4.2.5 - Concentracién de lagunas en la banda de valencia 42.6 - Valor limite de contaminacion para considerar a la misma diluida 4.2.7 - Posicién del nivel de Fermi en un semiconductor intrinseco 4.2.8 - Posicién del nivel de Fermi en los semiconductores extrinsecos 4.2.9 - Relaci6n entre la concentracién de portadores "ni" y la temperatura para un semiconductor intrinseco 5.2.1 - Aleacion 5.2.2 - Difusion 5.3 - Funcionamiento de la juntura 5.3.1 - Formacién de la zona de juntura 5.3.2 - Diagramas de carga 5.4 - Diagramas de campo eléctrico y de potencial electrostitico 5.4.1 - Relaciones entre carga, campo y potencial 5.4.2 - Aproximacién del vaciamiento 5.43 - Diagramas de carga, campo y potencial 5.4.4 - Existencia real del potencial de juntura 5.5 - Diagramas de energia 5.6 - Determinacion de la diferencia de potencial de juntura 5.7 - Caracteristica tensién-corriente de la juntura 5.7.1 - La juntura en equilibrio térmico 5.7.2 - Lajuntura fuera de equilibrio 569 59 62 66 68 68 2 1 7 19 82 84 84 89) 93 99 99 102 105 107 109 13 113 116 7 118 18 19 19 120 121 123, 128 128 128 132 134 135 136 140 143, 143 144$70 Dispositivos electronicos 5.7.3 - Relacién tensién-corriente en una juntura 133, CAPITULO 6 - Distintos tipos de diodos 157 6.1 - El diodo de juntura "p-n" 157 6.1.1 - Dependencia de la caracteristica V-I con la temperatura 159 6.1.2 - Resistencia del diodo 160 6.1.3 - Recombinacién en la zona de carga espacial 164 6.1.4 - Conduccién superficial en el diodo 165 6.1.5 - Ruptura en la juntura p-n con polarizacién inversa 166 6.2 - Contactos 182 6.2.1 - Contacto metal-metal 184 6.2.2 - Contacto metal-semiconductor 186 6.2.3 - Diodo Schottky 187 6.2.4 - Contactos éhmicos metal-semiconductor 193 CAPITULO 7 - Dindmica del diodo de juntura 197 7.1 - Introduccién 197 7.2 - Capacidades del diodo de juntura 199 7.2.1 ~ Capacidad de juntura o de transicién 199 7.2.2 - Diodos de capacidad variable - Varactores o Varicaps 207 7.2.3 - Capacidad de difusion 208 7.3 - Eeuacién de control de cargas del diodo 210 7.3.1 - Carga almacenada en polarizacién inversa 212 7.3.2 - Corriente producida por la variacién de las cargas 213 7.3.3 - Validez de la ecuacién de control de cargas 215 7.4 El diodo en conmutacién 216 7.4.1 - Diodo en conmutacién a través de un circuito sin resistencia 217 7.4.2 - Diodo en conmutacién a través de un circuito con resistencia 21 CAPITULO 8 - Transistores bipolares 234 8.1 - Introduccién 234 8.2 Principios de funcionamiento del transistor de juntura 240 8.2.1 - Diagramas de corriente en una juntura *p-n" 243 8.2.2 - Efecto transistor 243 8.2.3 ~ Polarizacién de la juntura de salida "base-colector” 249 8.3 - El transistor como amplificador 250 83.1 - Configuracién de base comin 251 8.3.2 - Configuracién de emisor comin 253 8.3.3 - Configuracién de colector comiin 255 CAPITULO 9 - El transistor en sefiales débiles Modelos del transistor 259 9.1 ~ Modelos externos 259 9.1.1 - Pardmetros “admitancia’ 261 9.1.2 - Pardmetros "impedancia” 265 9.1.3 - Parametros ‘hibridos" 268indice 9.1.4 Otros parametros 9.1.5 - Relaciones entre parmetros 9.2 - Modelo para el transistor bipolar 9.2.1 - Nomenclatura de los parémetros "h" para el transistor 9.2.2 - Nomenclatura de los parametros segiin la configuracién elegida 9.2.3 - Ganancia de corriente del transistor con salida en cortocircuito 9.3 - Aplicacién de los parémetros “a” a la resolucién de un circuito 9.3.1 ~ Ganancia de corriente 9.3.2 - Ganancia de tension 9.3.3 - Ganancia de potencia 9.3.4 ~ Resistencia de entrada 9.3.5 - Resistencia de salida 9.4 - Variacién de los parametros en funcién de la polarizacién y de la temperatura APENDICE 9.1 - Relaci6n exacta entre a y B A9.1.1- cen funcién de B A9.1.2- fi en funcién de ce CAPITULO 10 - Modelo de Giacoletto 10.1 - Introduccién 10.2 - Determinacién de los parametros de Giacoletto 10.2.1 - Variacién de Jc en funcidn de la variacion de Vgz para Vcr: constante 10.2.2 - Variacion de /g en funcién de la variacion de Vg para Vcr constante 10.2.3 - Variacién de /c en funcién de la variacién de Vcr para Vpg-constante 10.2.4 Variacién de /g en funcién de la variacion de Vy para Vge constante 10.2.5 - Circuito completo de Giacoletto para el transistor ideal 10.3 - Modelo de Giacoletto para el transistor real 10.3.1 - Variacién de los parémetros con la polarizacién del transistor 103.2 ~ Circuito de Giacoletto segtin la frecuencia de trabajo 10.3.3 - Variacién de B con la frecuencia APENDICE 10 - Modelo de Giacoletto (resolucién detallada) 10.1 - Configuracién de base comin A10.1.1- Variacion de /c en funcién de la variacién de View para Vcp constante A10.1.2 - Variacion de Jz en funcién de la variacion de Veg para Vcr constante A10.1.3 - Variacién de Jc en funcién de la variacién de Vcg para Veg constante 10.1.4 - Variacién de /z en funcién de la variacion de Veg para Veg constante 10.1.5 - Determinacién de las componentes del circuito equivalente para "base comin" A10.2 - Configuracién de emisor comin 10.2.1 - Variacién de /a y de Jc en funcién de la variacién de Vicp para Vp constante sm an 272 2B 274 274 276 277 279 280 281 281 282 283 287 287 288 290 290 292 293 295 297 299 301 302 305 307 310 318 320 321 323 325 327 329 331 332sn Dispositivos electrénicos ‘10.2.2 - Variacion de Jp y de Jc en funcién de la variacion de Vcz para Vege constante 334 ‘A10.2.3 - Determinacién de las componentes del circuito equivalente para emnisor comun" 334 A10.2.4 - Modelo de Giacoletto para el transistor real en emisor comin 335 ‘10.3 - Modelo de Giacoletto real para base comiin 340 ‘10.3.1 - Ganancia de corriente con salida en cortocircuito (ct) 342, ‘A10.4- Configuracién de colector comin 345 ‘10.4.1 - Variacion de /g y de /c en funcién de la variacién de Vac con Vic constante 347 10.4.2 - Variacién de Jp y de Ic en funcién de la variacién de Vzc.con Vac constante 348 A10.4.3 - Determinacién de los parimetros del cicuito de Giacoletto para “colector comin" 348 ‘10.4.4 Modelo réal de Giacoletto para colector comin 350 A10.4.4.1 - Anilisis del modelo en colector comin 351 10.4.5 - Ganancia de corriente en cortocircuito (y) 352 CAPITULO 11 - El transistor en sefiales fuertes Modelo de Ebers-Moll 384 11.1 - Ecuaciones de Ebers-Moll 355 11.1.1 - Funcionamiento directo 356 11.1.2 - Funcionamiento inverso 359 11.2 Modelo de Ebers-Moll para el transistor 361 11.2.1 - Pardmetros Les, les, Fy oR 363 11.2.2 - Modos de trabajo del transistor 364 11.23 - Modelo de Ebers-Moll para el transistor en saturacion 365 11.2.4 - Modelo de Ebers-Moll para el transistor en el modo activo 365 11.2.5 - Modelo de Ebers-Moll para el transistor en el modo inverso 367 11.2.6 - Modelo de Ebers-Moll para el transistor al corte 369 11.3 - Caracteristicas del transistor 370 113.1 - Configuracién de base comin 370 11.3.2 - Configuracién de emisor comin 374 11.4 Modulacién del ancho de la base 380 CAPITULO 12 - Dindmica del transistor bipolar 386 12.1 - Pardmetros de control de cargas del transistor 386 12.2- Ecuaciones de control de cargas 391 12.3 - Bl transistor en conmutacion 393 123.1 - Conmutacién en el transistor en "modo activo" 393 12.4 - Reduccién de los tiempos de crecimiento y de decrecimiento 400 12.4.1 Condensador en paralelo con la resistencia de base Ra 400 12.4.2 - Conmutacién en el transistor en saturacion 402 12.4.3 - El transistor Schottky 413indice APENDICE 12.1 - Relaciones entre los pardmetros de control de control de cargas AI2.1.1- tary tar A12.1.1.1 - Emisor y colector con diferentes contaminaciones ‘A12.1.1.2 - Asimetria constructiva del transistor AI212- ty tR APENDICE 12.2 - Ecuacién de saturacién ‘A12.2.1 - Solucién de la ecuacién de saturacién A12.2.1.1 - Transitorio de conexién A12.2.1.2 - Transitorio de desconexién CAPITULO 13 - El transistor de efecto de campo 13.1 - Transistor de efecto de campo de juntura 13.1.1 - Modulacién de la conductancia del canal 13.1.2 Caracteristicas de salida del FET 13.1.3 - MES FET 13.2 - Transistor de efecto de campo de compuerta aislada 13.2.1 - MOS FET de canal inducido (acumulacién) 13.2.2 - MOS FET de canal permanente (agotamiento) 13.2.3 - Proteccién de compuerta en los MOS FET 13.2.4 - MOS FETs de potencia CAPITULO 14 - Aplicaciones de los FET 14.1 - EL FET como amplificador 14.1.1 - Configuraciones circuitales 14.1.2 Polarizacién del FET en fuente comin 14.1.3 - Modelos del FET para seftales debiles 14.1.4 - Amplificadores FET para seftales fuertes 142- El FET como dispositivo de memoria 14.2.1 - Transistores complementarios o CMOS 14.2.2 - Dispositivo de memoria no volatil CAPITULO 15- Dispositivos detectores de luz 15.1 - Fotoconductores 15.2 - Fotodiodos 15.2.1 - Juntura iluminada 15.2.2 - Fotodiodos de juntura "p-n" 15.2.3 - Fotodiodos de juntura "metal-semiconductor" 15.2.4 - Fotodiodos de heterojuntura 15.3 - Fototransistores 15.4 - Celdas solares 15.4.1 - Rendimiento de una celda solar 15.4.2 - Celdas solares de juntura "p-n" 15.4.3 - Celdas solares con heterojuntura "p-n" 33 417 417 419 420 421 424 427 427 428 432 434 437 440 453 434 456 467 473 474 477 477 477 480 486 494 495 496 497 502 502 506 506 512 516 519 520 521 521 522 526314 Dispositivos electrénicos APENDICE 15.1 - Semiconductores compuestos 529 AIS.1.1 - Estructura cristalina 530 A15.1.2- Diagramas de banda de los semiconductores compuestos 530 15.1.3 - Semiconductores compuestos extrinsecos 535 APENDICE 15.2- Heterojunturas - 15.2.1 - Aplicacién de las heterojunturas 540 CAPITULO 16- Dispositivos emisores de luz $43 16.1 - Introduccién 543 16.1.1 Transiciones radiantes 543 16.2 - Diodos emisores de luz (LED) 545 16.2.1 - Materiales utilizados para fabricar un LED 545 16.2.2 - LEDs visibles 548 16.2.3 - Aplicaciones de los LEDs 351 16.2.4 - LEDs infrarrojos 552 16.3 - Dispositivos LASER con semiconductores 353 16.3.1 ~ El proceso de lasificacién 553 16.3.2 - Estructura basica de un laser de juntura 556 16.3.3 - LASER de doble heterojuntura (DH) 558,