234 Dispositivos electrénicas caPITULO 8 stores bipolares Trans! 8.1 - Introduccién. Los transistores, representan un tipo de dispositivo de estado s6lido que permite controlar grandes corrientes y tensiones, y por lo tanto potencias, de salida, consumiendo muy poca potencia de entrada. Son el equivalente sdlido de la valvula de vacio controlada, que quedé epresentada durante mucho tiempo por el triodo y que fuera transformandose en tetrodo y posteriormente en pentodo con el fin de obtener un dispositivo de mejor calidad. Dichas vilvulas de vacio eran bien conocidas en la época en que se desarroll6 el diodo sélido, que fuera estudiado en detalle recientemente, y que permitio descubrir las ventajas de un dispositivo sélido frente al de vacio. Dichas ventajas estaban esencialmente vinculadas con el tamafo, el calor desarrollado durante su utilizacién, el consumo de energia necesaria para el calefaccionado del filamento y el retardo de tiempo que se produce entre el momento de alimentacién del dispositivo y el de funcionamiento del mismo. Estas ventajas tenian como contrapartida una mayor resistencia directa y una menor resistencia inversa del diodo solido frente al de vacio. El diodo sélido, salvo esas diferencias mencionadas recientemente, tenia la misma forma de curva caracteristica fensién-corriente y esencialmente el comportamiento y su forma de funcionar eran los mismos, en una palabra, tenfan la misma base funcional. Por lo comiin, cuando se investiga el desarrollo de un nuevo dispositivo, se parte de la experiencia existente en el comportamiento de otro dispositivo similar preexistente; es por eso que cuando se pens6 en aplicar las ventajas ya comprobadas de los semiconductores para el caso del diodo sélido a la fabricacion de dispositivos de control, lo primero que se pensd fue en cconstruir un dispositivo que funcionara de la misma forma que el triodo y se reemplaz6 el vacio que Ilenaba la ampolla, por un cristal semiconductor. Vamos a comentar brevemente la forma de funcionar de un triodo de vacio. En la figura 8-1, hemos esquematizado a un triodo de vacio, en donde vemos en (a) al chtodo "K" que constituye la referencia de tensién o potencial "cero", a la reja "G", llamada asi Porque esta formada por alambres separados entre si, para permitir que los electrones pasen a traves de ellos que se halla polarizada negativamente con respecto al catodo, y al anodo 0 placa "P" que se halla polarizado positivamente con respecto a la misma referencia de tensin; en (b) de la misma figura se muestra Ia distribucién de potencial que existiria si no estuviera la reja de control “G"; en (c) la distribucin de potencial en correspondencia con los alambres de dicha reja y en (d) la distribucién de potencial a través de los espacios existentes entre los citados alambres,‘Transistores bipolares 235 Segiin sabemos, los electrones siempre remontan el potencial, es decir, se mueven en el sentido positivo de su gradiente; el gradiente de la distribucion PCV py) de potencial de la figura 8-1(b) sin considerar la presencia de la reja de ° a control, obliga a los electrones que son —_K(0¥) emitidos por el catodo, a desplazarse hacia la placa a través del espacio interelectrOdico y son captadas por ésta. Como dicha placa esta polarizada por medio de una fuente externa que la hace positiva respecto del catodo, los ) electrones serin forzados por la bateria a salir de la placa y dirigirse hacia el catodo a través del circuito externo. Eso oO a daré lugar a una corriente eléctrica ve), interna al dispositive, cuyo sentido va vel desde la placa hacia el catodo. Dicha 4 corriente puede ser de gran valor dado ‘ que solamente queda limitada por la cantidad de electrones que son emitidos por el catodo. 0 x En la figura (c), se ve el W diagrama de potencial producto del 1 a agregado de la reja de control "G, que PK se halla polarizada _negativamente @ respecto del catodo en un valor Vox. Seguin se aprecia en la mencionada el figura, el gradiente del potencial entre 0 * ‘citodo" y “reja” es negativo, y si bien Fipurg 8-1 (a rode de ato vaca: ()elstribwibn de después de la reja se hace positivo, 10s porencal ene placayestode cn ja de contol te) Flow electrones no podrian llegar nunca hasta om rja de control negatva con respecto al citodo yen la placa, pues no podrian atravesar la corespondencia con los alambres de dcha reja:(d) Idem primer zona de gradiente opuesto. En sina busin de pent ne fs realidad los electrones no pasan por los alambres de la reja sino a través de éstos, razén por la cual lo que realmente interesa es esa distribucion de potencial, que se muestra en la figura 8-I(d), en ella vemos que el gradiente negativo que frena a los electrones se hace mucho més pequefio. Para que los electrones Ileguen a la reja no hace falta que el gradiente sea cero, porque como los electrones son emitidos por el cétodo con una energia cinética distinta de cero, logran superar sin dificultad un gradiente ‘opuesto de pequefio valor. Variando el potencial negativo de Ia reja respecto del catodo, podemos controlar la cantidad de electrones que Ilegan a la placa y por consiguiente la corriente que circula por el dispositivo. Segiin sabemos, la distribucién de potencial es fruto de la existencia de campos eléctricos, habra en consecuencia un campo entre edtodo y reja y otto entre cétodo y placa, y dichos campos seran antagénicos. Por estar la reja mucho mas cerca del cétodo que la placa, la236 Dispositivos electrénicos generacién de un campo entre cétodo y reja que reduzca y hasta anule al que se produce entre edtodo y placa, requiere de valores de tensién mucho mas chicos', tenemos aqui presente el principio de control, dado que por medio de una pequefia polarizacién negativa de la reja con respecto al cétodo, podemos neutralizar el efecto de una gran polarizacion positiva de la placa, ‘con respecto al mismo electrodo. Como la reja esta polarizada negativamente con respecto al cétodo, la misma no puede atrapar ninguno de los electrones que atraviesan el espacio provenientes del cétodo, por ello es que no habra ninguna corriente circulante en el circuito reja- cétodo. Al realizar la versién sélida del triodo, se tomé una pastilla de material semiconductor con sus correspondientes terminales "K" y "P" y se sumergié en el seno del material unos alambres que representarian a la reja de control "G" (Figura 8-2), Lo tinico que se habia hecho para diferenciar un triodo de vacio de uno sélido, era Menar con material semiconductor el espacio. K(0V).«——G(-Vgy) P(+V px) interelectrédico, pero eso no funciond, dado que al polarizar negativamente a dichos electrodos, el [lure Sc? Kerwin silida del indo wet campo formado desplazaba lagunas que al semiconductor yal polarizarse negativamente ubicarse en las cercania de los alambres de la reja__arraenlagumas que neutrlizan su efecto. neutralizaba el potencial negativo de la misma Posteriormente, se siguid avanzando ya en otra direccién pero siempre en el estudio y desarrollo de una vélvula sélida que emulara la forma de trabajar de una valvula de vacio y se lleg6 a resolver el problema, por lo menos en teoria, llegando al actual transistor de efecto de campo. Decimos “en teoria", pues la tecnologia de la época, década del 30, no permiti6 verificar practicamente las bondades de la teoria y el proyecto se “cajoned" debido a la imposibilidad de fabricarlo. Ese transistor de efecto de campo es el que aparece en la actualidad como sustituto moderno del convencional de juntura, siendo que en la realidad es anterior a éste. El transistor de efecto de campo es conocido mundialmente como FET (field efect transistor). Siguiendo con la cronologia de los hechos, al no tener la posibilidad de llevar a la practica el desarrollo te6rico del FET, se intent6 de muchas formas alcanzar el suefio de lograr tuna versién s6lida de la valvula amplificadora de vacio; y fue justamente a través de los trabajos de Bardeen, Brattain y Schockley, que se logré obtener un dispositivo que pudo llevarse a la practica y que funcion6, de una manera precaria, pero funciond. Este, que constituyd una revolucién en su momento, y que permitié que sus creadores obtuvieran el premio Nobel, es el denominado “transistor de juntura” o también "transistor bipolar", debido a que, a diferencia del FET, intervienen en el proceso conductivo ambos tipos de portadores, es decir "electrones" y “lagunas". En el FET, por el hecho de funcionar por medio del control de la cantidad de corriente que circula por un "canal", que puede ser “tipo n” o “tipo p”, los portadores que mayoritariamente conducen la corriente son o electrones o lagunas, pero nunca ambos”. En consecuencia, vamos a estudiar a los transistores, dividiéndolos en dos grandes tipos: * Transistores bipolares (de juntura) 200000) Figura 8-2 Versién sélida del triodo de vaeio, "Hay un fenémeno debido a la nube electronica provocada en el espacio interelectrédico por los electrones en su trinsito desde el cétodo hacia la placa, denominada carga espacial, que modifica en algo el campo eléctrico gxistente. Siempre intervienen también en Ia conduccién los portadores minoritarios, pero de manera absolutamente despreciable en cuanto a su contribucién ala corrente total‘Transistores bipolares 237 * Transistores unipolares (de efecto de campo o FET) Tanto uno como otro tipo, deberemos estudiarlos de diferentes maneras segin la amplitud y la frecuencia de la sefial que habra de ser manejada por el dispositivo. Por lo tanto, dividiremos al estudio del dispositivo en 4a) Seales débiles. Representadas por seales de muy pequeiia amplitud. b) Sehales fuertes. Representadas por sefales de gran amplitud. Para entender el por qué de la necesidad de encarar el estudio del transistor de manera distinta seguin sean débiles o fuertes las seftales que éste deba manejar, daremos un ejemplo muy simple. Supongamos que queramos reproducir en un lugar distante, la palabra de una persona. El sonido representado por la palabra, est constituido por una onda sonora, que no es otra cosa mas que la produccién, en un vehiculo fisico como es el aire, de presiones y depresiones por medio de la camara acistica que forma la boca de la persona que emite el sonido. Dicha onda sonora se propaga por medio del aire, y al incidir sobre el oido de otra persona, produce una vibracién del ‘timpano, que es una membrana que, a través de un amplificador mecanico como son los tres huesesillos constitutivos del oido intemo, "martillo”, "yunque" y "estribo", genera una onda estacionaria en la denominada "coclea” o "earacol” que impresiona nervios vinculados a dicha zona, que son los encargados de transmitir la informacién al cerebro, que este interpreta como sonido. Cuando el transmisor actistico y el receptor no se encuentran tan cercanos entre si como para compartir la misma onda sonora, la informacion debe transmitirse mediante un medio diferente del aire. Se recurre entonces a los denominados "transductores”, que’como definicién general, son dispositivos que permiten transformar un tipo de energia en otro. El micréfono es un transductor, dado que recibe la energia acustica de la onda sonora y la transforma en energia eléctrica; dicha energia eléctrica puede transmitirse por un cable o irradiarse a través del vacio y luego un parlante, que es otro transductor, recibe la energia eléctrica y la transforma, por medio de la vibracién de su cono de papel, nuevamente en energia acistica, 1a que llega en forma de onda de presién a los oidos de los oyentes. EL problema es el diferente nivel de sefial que manejan el microfono y el parlante, puesto que la salida del micréfono, hablando en términos de tensién, es del orden de JmV, que no alcanza para excitar la bobina de un parlante; este requiere que la tension tenga varios ordenes de magnitud mayor, digamos /0V, para lo cual debemos de alguna manera aumentar la tension desde /mV hasta 10V. Al proceso que debemos realizar para incrementar la amplitud de una sefial, ya sea esta de tensién, corriente o potencia, se lo Mama “amplificacién", y en nuestro caso esta amplificacién debe ser de 10.000 de veces, lo que es un nlmero grande para lograrlo con un solo Circuito amplificador. En la figura 8-3, hemos indicado en forma esquematica al micréfono “A” sobre el cual incide la onda acistica (sonido) y cuya salida de tensién, que llamamos v; alimenta al primer amplificador simbolizado por un bloque, 1a tensién de salida de este amplificador la llamamos v> y ésta es a su vez excitacion del segundo amplificador que queda simbolizado por otro bloque ¥ ‘cuya salida, que llamamos v3, alimenta al parlante “B”. La salida del parlante es nuevamente una onda acuistica que reproduce el sonido ingresado en el micréfono, En nuestro ejemplo, la tension de salida del micréfono y excitacién del primer amplificador es de JmV, y si suponemos una ganancia de /00, la tensién de salida del primer amplificador y entrada del segundo, seré de 100mV, 0 sea 100 veces mayor, si suponemos que también el segundo amplificador gana 100 veces en tension, la salida de éste y excitacién del parlante sera de /0V.238 Dispositivos electrénicos ¥ ¥; v, "a" Ip G1 = 100 = G,p = 100 2 "B" ImV 100m? | 10V Amplificador | Amplificador 2 Figura 8-3 El transductor "A" esti constiuido por un micréfono cuya pequeha tensién es amplificada sucesivamente en los amplificadores | y 2 hasta lograr 1a amplitud de tensién necesaria para activar la bobina del parlante que es el transductor "B" La ganancia de tensidn del primer amplificador y del segundo, seran respectivamente: Gv =72 y Gv = 08 vy v2 la ganancia total del conjunto de dos amplificadores sera: Gy = 72 = "22 < Gy, Gey = 100 x 100 = 10.000 % M12 vemos entonces que cuando cargamos a un amplificador con otro (conexién en cascada), la ganancia del conjunto, sera el producto de las ganancias individuales de los amplificadores conectados entre si Hemos dado un ejemplo muy simple con solamente dos amplificadores, debido a que en este caso ambos son muy diferentes en cuanto al nivel de sefial que manejan; el primero, una tensin muy pequefia que Ilamaremos sefial débil y el segundo una mucho mayor que Mamaremos sefial fuerte. Segin vimos al estudiar la juntura, a caracteristica tensién-corriente de Ta misma esta representada por una curva, lo que quiere decir que dicha caracteristica es alineal, a diferencia de la que se obtiene sobre una resistencia éhmica que es lineal. Un circuito que esta constituido solamente por elementos lineales, constituye un circuito lineal, y la teoria de circuitos y los teoremas, tanto de nodos como de mallas, dan los elementos necesarios para su resolucion, que siempre es analitica. Basta que un circuito incluya un dispositivo con caracteristica alineal, para que todo el circuito sea alineal, con lo cual no pueden utilizarse ninguno de los teoremas de circuito mencionados recientemente; la solucién de un circuito alineal debera realizarse exclusivamente por métodos gréficos, es decir, hallando las relaciones entre tensiones y corrientes directamente sobre las curvas del dispositivo en cuestién. Los transistores, son basicamente los dispositivos que permiten realizar circuitos amplificadores, y si bien no hemos todavia comenzado a estudiarlos, bastara mencionar que los mismos estén formados por junturas, 0 sea que sus caracteristicas seran alineales y deberan ser estudiados por medio de las curvas que representan su funcionamiento y resueltos a través de las mismas mediante la utilizacién de métodos graficos. Para entender 1a necesidad de utilizacién de métodos analiticos y graficos, segin la amplitud de la sefial puesta en juego en el circuito en cuestién, y teniendo én cuenta que todavia no sabemos como es la forma de las curvas caracteristicas de un transistor; para hacer nuestro anilisis vamos a considerar la curva de un diodo tal como muestra la figura 8-4; en (a) de la mencionada figura, aplicamos una excursin AV’ de tension y graficamente obtenemos la ex- cursién AJ de corriente, Esa es la verdadera forma de hallario puesto que la relacién fensidn- corrieme, se da a través de una curva; pero supongamos ahora que reducimos el valor de la excursion de tension AV’ a.un valor muy pequefio de manera que el tamaiio de dicha excursion es menor que el ancho del trazo que marca el lapiz; consecuentemente sera imposible marcar AV y mucho menos medir A‘Transistores bipolares 29 En este caso, como puede verse en (b) de la figura 8-4, se podria linealizar la caracteristica en el punto de la curva sobre el cual queremos aplicar la excursion de tension y hallar la excursién de corriente en forma analitica por simple aplicacién de la ley de ohm. La linealizacién de la caracteristica en un punto de la misma, significa hallar la derivada de la curva en ese punto, 0 sea dI/dV; esa derivada es la inver- sa de la resistencia rg ~dV dl que representa la resistencia dinamica del dispositivo en el punto de la curva elegido. Indudablemente que estamos cometiendo un error al calcular ‘AT de la manera vista recientemente, puesto que estamos -—_confundiendo increments con diferenciales, pero ese error sera tanto menor, cuanto mas pequefias sean las variaciones de tensidn y de corrientes, es decir, cuanto més débiles sean las sefales. En este caso y ante la imposibilidad de la resolucién grifica, se admite un pequefio error en la solucién analitica de un circuito alineal En la figura 8-4(c), mostramos lo que pasaria si quisiéramos linealizar_ la caracteristica para utilizar el método analitico, tal como hemos __ hecho ot (a) a 1k avear recientemente, pero utilizando sefiales de mayor valor, 0 sea fuertes; el error cometido seria a todas luces inadmisible. Como conclusion entonces: "los circuitos que manejan seftales de pequeno valor, 0 sea Figura 8-4 (a) determinacién rifiea de ta variacién de corrente conacida lade tensin; () sustitcién dela curva por su tangente;() eror gue se comete an la determinaciin de (a variacion de corvioteaplcando derivadas, cuando mani ‘mos variaciones de tensién de gran valor seftales débiles, deben resolverse por medio de métodos analiticos basados en la linealizacién de las caracteristicas de los dispositives integrantes de dicho circuito, debido a que el método grifico, que es el que daria menos error, no puede utilizarse por ser el tamaiio de la excursién menor que el grosor del ldpit utilizado para dibujarla; en cambio los circuitos que mancjan senales de gran valor también Hamadas fuertes, si bien podrian resolverse por métodos analiticos pues no habria impediments fisicos, el error obtenido seria inadmisible, deben, por lo tanto, resolverse obligatoriamente por métodos grificos". Es por las razones dadas hasta ahora que, tal como dijéramos al comenzar este tema, el estudio de los transistores tendremos que encararlo de manera distinta, segin los mismos ‘manejen sefiales débiles o fuertes. El método analitico, consiste en la obtencién de circuitos equivalentes, 0 sea circuitos lineales que se comporten como si fueran el transistor dentro de ciertos limites que debemos en todos los casos conocer; esa es, por cierto, la definicion de "modelo", tal como los hemos240 Dispositivos electrénicos utilizado anteriormente cuando tuvimos que estudiar el étomo de Bohr 0 cuando analizamos los conceptos de "electran” y de "laguna". El estudio del transistor en sefiales débiles requeriré en consecuencia conocer el circuito equivalente del mismo; y éste en general es de dos tipos, en correspondencia con el método utilizado para su determinacién’ a) Modelos externos, se obtienen mediante mediciones realizadas en el dispositivo sobre sus terminales, considerando al mismo como una caja negra sin importar lo que haya dentro. El estudio se basa en la teoria de las cuadripolos y da lugar a modelos de muy cémoda utilizacién, debido a que su resolucién puede sistematizarse por medio de la aplicacién de formulas; lamentablemente solamente se los utiliza en bajas frecuencias, razén por la cual su utilidad se circunscribe a la resolucién de circuitos que manejen sefiales de audio. b) Modelos fisicos; se basan para su determinacién en el estudio "fisico” del transistor 0 sea analizando a este por dentro, Por este método hallaremos el modelo de Giacoletto, que es de extraordinaria utilidad en el estudio de los circuitos con transistores en sefiales débiles. Este modelo, a diferencia de los externos, puede utilizarse para cualquier frecuencia de sefal La resolucién de circuitos con transistor para sefiales fuertes, se realiza por medio de las ccurvas caracteristicas del mismo; dichas curvas las hallaremos con la ayuda del denominado "Modelo de Ebers-Moll". Esas curvas caracteristicas, al igual que las del diodo, son estéticas, 0 sea que no tienen en cuenta las cargas almacenadas ni en las zonas neutras ni en las de juntura, de tal modo que el estudio de las sefiales fuertes para altas frecuencias, dara lugar a un capitulo especial denominado "el transistor en conmutacién" 8.2 - Principios de funcionamiento del transistor de juntura. EI transistor de juntura, también llamado “bipolar”, esta constituido por dos junturas, "pon", las que pueden formarse de dos ‘maneras, con una primer zona tipo p, tuna segunda tipo ny una tercera tipo p tal como puede verse en la figura 8-5(a); o bien por con una primer zona 2 tipo n, una segunda tipo p y una tercera tipo n como se muestra en la figura 8-5(b); el nombre que recibe cada tipo de transistor es una simple descripcién de 1a secuencia de zonas, ‘p--p” para el primero y "n-p-n" para 7 el segundo. En la misma figura hemos | B indicado por medio de E; By Catres () terminales que conectan con el exte- rior cada una de las zonas que com- ponen al transistor; esas letras son 18 Figura 8-5 (a) nomenclawra uilizada para defini las tensones inicial de "emisor", "base" yy correncesen sm mansstr “pomp (8) ano "pen "colector” con que se designa a cada region del dispositivo. Si bien en una primera mirada, pareceria que el transistor es absolutamente simétrico y que daria lo mismo llamar emisor 0 colector a cualquiera de las zonas extremas, en la practica no es asi; el dispositivo es asimétrico lo que permite mejorar el rendimiento del mismo en un sentido con deterioro del funcionamiento en sentido inverso. Eso lo veremos en detalle mas adelante.‘Transistores bipolarés 21 EI hecho de tener tres terminales hace que no podamos tener una tinica tension Vy una iinica corriente / para hailar la caracteristica del transistor como hicimos para el diodo. En éste sus dos terminales son recorridos por una unica corriente y entre ambos se aplica una ‘nica tensién, por lo cual el diodo constituye una rama de un circuito mientras que el transistor, al tener tres terminales y ser cada uno de ellos asiento de una corneente distinta, constituye un nodo, al cual confluyen tres corrientes. A dichas corrientes las Hamaremos Ip, Ig © Ic refiriéndonos respectivamente a las corrientes de emisor, de base y de colector y tendra que verificarse, como sucede en todo nodo, que Jp /n* Ic~0. Utilizando la nomenclatura habitual en nodos, consideraremos positiva a la corriente que es entrante; en la figura 8-S(a), hemos dibujado a las tres corrientes entrantes, al solo efecto de indicarlas con sentido positivo, logica- mente tendra que ser una de las corrientes entrante y dos salientes 0 dos entrantes y una saliente Con respecto a las tensiones, en el caso del diodo bastaba con conocer {a diferencia de potencial entre los dos terminales del mismo; pero en el transistor, tendremos que conocer tres tensiones, una por cada terminal, teniendo a su vez que indicar cada tensién, con respecto a qué terminal [a estamos midiendo, es asi que si queremos indicar la tension del electrodo de emisor no bastard con decir Vz, sino que tendremos que decir Vzn si la medimos con respecto a la base, © Vgc si la medimos con respecto a colector. También deberd verificarse que Vieg—-Var, dado que légicamente la diferencia de potencial entre los electrodos de emisor y de base sera una tunica, pero si el emisor es positivo respecto de la base, la base sera negativa respecto del emisor. Neem? Neem? Neen 5 4 0 *" Bmisor ° Base Colector Nilem? Ne%em? Nven? . ek * eee Peo (b) -~ xt 0 9 = 0 i" Figura 8-6 Diagramas de concentracién de portadores mayoritarios y minoritarios para wn transistor “pnp en (a) nomenclatura usual en juntura que para el transistor genera confusién, en (b) adecuaciin dela nomenclatura al transistor que permite individualizr la zonaa la que pertenece el porcador En la figura 8-5(a), se han marcado las diferencias de potencial entre emisor y base, View--Vae entre base y colector Vac~-Vcp, y entre colector y emisor Vcr~-Viec; tendra que verificarse como otra condicién de circuito, que Vew-Vac+Vce-02 Dispositvos electrénicos En la figura 8-6, mostramos el diagrama de concentracién de portadores mayoritarios y minoritarios para un transistor "p-n-p". Como el transistor se construye generalmente, sobre lo que se llama un monocristal, debe ser todo de germanio o todo de silicio, por lo tanto, al igual que lo que vimos pasaba en una juntura, la concentracién de portadores intrinseca sera una sola a lo largo de toda la pastilla’. En la figura 8-6(a), indicamos a los portadores mayoritarios y minoritarios en equilibrio térmico, con el nombre utilizado hasta ahora para una juntura, pero vemos que se repiten Ppo y Mpo; por 10 tanto deberemos utilizar una nomenclatura que no deje dudas en la identificacion del portador a que nos estamos refiriendo. ’n "ho nara v (a) Pra "po 11 Tal i, (b) Corriente de () lagunas 1, { Corriente de electrones I, Figura 8-7 Justura ‘p-n" polerizada en direct, (a) distribucién de la concentraciin de portadores Iminoritarios; b) dlsiribucién de corrientes sin considerar la recombinacién en la zona de juntura y (¢) diagrama de flechas que muesia las corrientes de lagunasy de elecirones que inyecta cada zona en la otra en donde serecombinan en su totalidad con portadores de signo contraro En la figura 8-6(b), designamos a los portadores mayoritarios y minoritarios por medio de un primer subindice que indica a que zona corresponde, asi Peo representara a las lagunas de emisor y neo a los electrones de emisor; pbo y mbo a las lagunas y electrones de base respecti vamente y Peo y Meo a las lagunas y electrones respectivamente de colector. Faltaria un tercer subindice para indicar si son mayoritarios 0 minoritarios, pero para no complicar més la nomenclatura se lo deja como vimos hasta ahora y se sabe que peo representara a las lagunas del Emel Apéndice 15.2, estudiaremos las heterojunturas, que son junturas fabricadas con materiales diferentes,‘Transistores bipolares 243 emisor siempre, pero que éstas serén mayoritarias si el transistor es “p-n-p" 0 minoritarias si el transistor es "n-p-n", 8.2.1 - Diagramas de corriente en una juntura “p-n' En la figura 8-7, se muestra una juntura "p-n” polarizada en forma directa, en (a) la distribucién de portadores minoritarios con los excesos tipicos del tipo de polarizacién; en (b) el diagrama de corrientes sin recombinacién en la zona de juntura y en (c) la representacion por medio de flechas, de las corrientes de electrones y de lagunas, La flecha que se halla indicada como Ip’, corresponde a la corriente provocada por la inyeccion de lagunas mayoritarias de la region fipo p alla n; ya en esta regién dichas lagunas son minoritarias y alli se deben recombinar con una cantidad igual de electrones que provee la region en forma de una corriente de electrones Jn’. Esta region tipo n a su vez inyecta electrones mayoritarios en la region fipo p dando lugar a una corriente Jn" que debe recombinarse en su totalidad con un nimero igual de lagunas que debe proveer la zona tipo p por intermedio de una corriente Jp”. Podemos notar que, tal como se ve en el diagrama de corrientes de la figura 8-7(b), la corriente en la juntura queda determinada solamente por mayoritarios en la zona neutra alejada de Ia de juntura y por ambos tipos de portadores en Ia zona neutra cercana a la de juntura En los extremos de la pastilla se cumple que Jn=In'+In" para la region tipo n y Ip=Ip'+Ip" para la regién tipo p, debiéndose verificar que Ip~In=T corriente total circulante por la juntura 8.2.2 - Efecto transistor. El construir un disposi Ih tivo constituido por dos juntu- Te 7 ras, tal como el mostrado en la figura 8-5, no implica fabricar ‘un transistor. El transistor re- quiere que se produzca en él el denominado "efecto trans tor", que hace que exista una transferencia de la corriente generada por la tension Veg ie Ic que polariza en forma directa a omen P = Ja juntura “emisor-base”, desde dicha juntura hacia Ia juntura “base-colector", sin que esta ultima tenga polarizacion algu- na; logicamente la mencionada jumtura deberé estar cortocit~ py lccin del efecto transistor: la polarizacién en nde manera ZAM Pret lf ot, pin no podria circular corriente por Selector ecando a juntra de slid covtcicode fos ella. Lo dicho se aprecia en la um transistor "p-n-p" y (B) para uno "n-p-n" figura 8-8, en (a) para un transistor “p-n-p" y en (b) para uno "n-p-n", en ambos casos, la corriente Jc es consecuencia de Ja polarizacién producida por la tensién Vicg aplicada a la juntura de entrada, Cabe destacar que () Vep =0 Taco |e248 Dispositivos electrénicos en el transistor "n-p-n”, I serd negativa, pues esta generada por electrones que entran al emisor lo que constituye una corriente eléctrica saliente, Para poner en evidencia al mencionado efecto transistor. trataremos de realizar una demostracién por el absurdo, como se suele decir cuando se demuestra lo contrario de lo que se quiere demostrar. (@ Ly - ; of x fs, ae Jy , | Vep >0 Vee Veg =0 Ta=Te4| Electrones Figura 8-9 Transistor de hase larga que se comporta como dos diodos en oposicién, se ve que toda la Corriente circula entre emisor y base yno hay corriente de colector. No se produce el efecto transistor. En la figura 8-9, hemos dibujado un transistor “p-n-p” con la base del mismo muy larga, a fin de demostrar que este tipo de dispositivo se comporta como si fueran dos diodos conectados en oposicidn serie y que por lo tanto el efecto transistor no se produce; la juntura de entrada, que equivale al primer diodo, se polariza en directa y Ia de salida, que corresponde al segundo diodo, en cortocircuito. Ambos diodos estén separados, de manera que la base WV del transistor equivalente tendra que ser muy ancha; diremos en general que deberé cumplirse que >> Lp y eso generalmente se cumple si Wes aproximadamente mayor que 5 veces la longitud de difusién Ly de las lagunas minoritarias de la base. En (a) de la mencionada figura, se muestra la distribucion de portadores minoritarios en dicha juntura con la indicacién de los excesos n’e(0) y p'(0) producidos por la polarizacién directa de la juntura de entrada, y de las longitudes de difusion de emisor Le y de base Lp; y en (b), indicadas por medio de flechas, se muestran las corrientes provocadas por la inyeccién de portadores mayoritarios de cada zona en la otra y su correspondiente recombinacién y sustitucion por el portador del signo contrario. Se aprecia claramente que toda la corriente se cierra en la malla que incluye a la juntura emisor-base y la ‘otra malla de salida, que incluye a la juntura base-colector, ni se entera de la corriente que circula por el circuito de entrada. En estas circunstancias "no hay efecto transistor”.‘Transistores bipotares 24s Supongamos ahora que la longitud de la zona neutra de base W, sea muy pequefia, comparada con la de difusion 15, es decir W< » a 7 9 Te) ea Neh Po ' . i] | bv 2 pmo Alt LN = Me Si, |i) a 7 0 We ie Vgg>0 Veg" i ti; Ee ae PEED) -Ic o 7 Ta Yon =0 ls Figura 8-10 Transistor con base muy angosta, la corriente de lagunas que inyecta el emisor se recombina ‘parte en ta hase y el resto pasa al colecor dando lugar a una corriente de sada distinta de coro. Hey efecto ‘transistor En nuestro caso la juntura de salida esta cortocircuitada, de donde tal exceso en x= debe ser nulo, 1o que hace que la distribucién de portadores minoritarios en la base sea la que muestra la figura 8-10(b),246 Dispositivos electrénicos La corriente de lagunas en la base es de minoritarios y estos se mueven siempre por difusion; como la cortiente de difusién depende del gradiente de 1a concentracion de dichos portadores, la que ingresa a la base sera funcién del gradiente en el plano x=0 y la que sale de la misma y entra al colector, del gradiente en el plano x-W. En la figura 8-10(b) se marcé la distribucién de portadores en la base como si fuera lineal a fin de simplificar el célculo de la corriente de colector, que depende del gradiente en x=0; suponer que el gradiente dentro de la zona neutra de base es constante, implica que la corriente de emisor, que es la que entra a la base, es igual a la de colector, que es la que sale de la misma. Como eso no es cierto y la primera es mayor que la segunda, el gradiente de pp en x~0 debe ser algo mayor que el mismo en x: Por lo tanto, la distribucién de portadores en la base, no sera recta sino algo curvada, siendo la diferencia de pendientes la que mide la corriente de base de recombinacién Ipp, Las lagunas que el emisor inyecta en la base pasan en su casi totalidad al colector, excepto la pequefia cantidad de ellas que se recombinan con electrones que debe proveer la misma base y que son repuestos por la bateria que polariza la juntura de entrada; esos electrones dan lugar a una corriente en el electrodo de base que llamaremos Iz queriendo simbolizar que es una corriente de la base generada en ella misma; ademas de esta corriente, existe otra identificada con el nombre de J que corresponde a la inyeccién de electrones mayoritarios de la base hacia el emisor, dichos electrones se recombinan con lagunas que debera prover en este caso el emisor. El diagrama completo de flechas que explica lo dicho, se aprecia en la figura 8-10(c), en donde se ve ademas que /a~Ipa +e. En este ejemplo, hemos puesto en evidencia el “efecto transistor", dado que por el Circuito de colector, que es el circuito de salida, circula corriente provocada por la polarizacién aplicada en el circuito de entrada, y esa corriente sera tanto mas parecida a la de emisor, cuanto menor sea la corriente que se pierda por la base. Como vamos a ver muy pronto, las corrientes de emisor, base y colector no son independientes entre si, dado que para una determinada configuracién fisica del transistor las mismas guardan una proporcion casi constante. EI manejo de pequefias corrientes requiere el consumo de bajas potencias; en el limite, cuando la corriente es nula, la fuente constituye un tipico generador de tension y la potencia que debe entregar dicha fuente sera igual a cero. La corriente de colector es normalmente de gran valor y la de emisor es del mismo orden, lo que significa que controlar la corriente de colector por medio del manejo de la de emisor, no constituye un ahorro muy grande de potencia por mas que la tensién de entrada, por corresponder a una polarizacion directa, sea menor que la de salida. Si en cambio controlamos la corriente de colector por medio de la de base, que es una corriente mucho menor, la potencia gastada en la entrada sera notoriamente inferior a la que podremos obtener en la salida, de manera que podremos controlar una gran potencia de salida consumiendo poca potencia en la entrada El caso ideal de corriente nula que comentaramos en el pirrafo anterior, corresponde a un triodo de vacio, en el cual, la corriente de reja, por estar ésta polarizada negativamente con respecto al cétodo, sera cero. Podremos tener, por consiguiente, realmente un dispositivo controlado por tensién; eso nos permite manejar potencia en la salida aplicando solamente tensién en la entrada, es decir, sin gastar potencia alguna. Como veremos oportunamente, esa condicién se cumple con bastante aproximacién en los “transistores de efecto de campo” Para obtener en el transistor bipolar algo parecido, tendriamos que hacer "cero" a la cortiente de base, lo que implica anular las cortientes gg e /az. Esto es aceptar que no habra recombinacién de lagunas en la base ni inyeccién de electrones desde la base hacia el emisor. No‘Transistores bipolares 7 es posible que eso suceda y solamente podremos lograr reducir a un minimo a ambos fenémenos, La recombinacién se produce al ser atravesada la base por lagunas; el tiempo en que éstas permanecen en ella, por corto que sea, hace probable, en mayor o menor medida, el encuentro de dichas lagunas con electrones de la base provocando la recombinacion; para lograr que ésta sea pequefia, tendriamos que reducir al minimo posible el tiempo que permanecen las lagunas en la base en su viaje hacia el colector y aumentar al maximo el tiempo que viven los excesos de Jagunas en la mencionada base; para que el tiempo de permanencia de las lagunas en la base sea corto, el ancho W de la base debe ser lo mas pequeiio posible y para que el tiempo de recombinacién sea grande, ef material semiconductor con el que se fabrique el dispositivo, debe ser lo més puro posible dado que la inclusién de impurezas no deseadas, crea centros de recombinacién que aumenta la recombinacion de portadores reduciendo consecuentemente el tiempo de vida de los mismos*. En lo que hace a la inyeccién de electrones desde la base hacia el emisor, ésta dependerd de la difusién de dichos electrones en la zona de emisor en donde son minoritarios; para reducir dicha corriente, tendra que ser lo més pequeto posible el gradiente de concentracién de los electrones en exceso en el plano origen de la zona neutra de emisor, lo que se logra cuando el niimero de electrones minoritarios de emisor en equilibrio térmico es muy pequefio o sea cuando el emisor estdé muy contaminado con respecto a la base. En efecto, como Ia corriente de difusién en el emisor depende del gradiente de la concentracién de electrones minoritarios de dicha zona en el plano x"-0, para que la corriente sea chica tendra que ser chico el gradiente, el mismo es igual a n',(0)/Le, y como Le es constante, la tnica forma de disminuir dicho gradiente sera haciendo pequefio a n'g(0) que es funcién de re, y para esto se requeriré que la zona de emisor esté muy contaminada y la de base poco contaminada. Como el emisor debe estar muy contaminado, al punto de estar hablando de un emisor formado por un semimetal, y siendo que no es necesaria tal contaminacién en colector; aparece uuna primer asimetria en el dispositivo, lo que obliga a diferenciar al emisor del colector y en este caso el comportamiento ya no seria el mismo si utilizamos como emisor una u otra de las zona extremas del transistor. Siendo que la base debe ser muy estrecha, la forma constructiva de la figura 8-8, con una zona a continuacién de la otra en una pastlla de area transversal constante, no es viable, debido a que seria imposible soldar un alambre a la zona de base por ser su longitud menor que el didmetro del mas fino alambre que pudiera utilizarse para formar el contacto. Es por eso que la forma constructiva real, difiere de la teérica estudiada En la figura 8-11, se muestra la forma constructiva real de un transistor. En ella se ve al sustrato, que constituye el punto de partida para la fabricacién del transistor, que sera "tipo p" si el transistor va a ser "p-r-p", 0 "tipo n” si el transistor seré "mp-n", y que sera finalmente el “colector", sobre este sustrato, se difunden impurezas donoras 0 aceptoras segiin sea "no "p" la base del futuro dispositivo y sobre ésta, se vuelven a difundir impurezas del signo contrario para formar el emisor, esta zona debe estar, como dijéramos recientemente, altamente contaminada. En la mencionada figura 8-11 podemos ver dibujadas dos lineas verticales, identificadas como x-x € y-y, que representan el verdadero transistor, vemos que la base es muy angosta, tanto que debemos prolongarla en una zona que hemos llamado "base extrinseca” y que tiene como unica finalidad permitir soldar a ella el alambre que constituira el terminal de base identificado con la letra "B". El terminal se suelda sobre una metalizacién denominado “contacto de base", que es “ Segin viéramos cuando estudiamos el diodo en conmutacién, contamindbamos al mismo con oro para aumentar la probabilidad de recombinacién y reducir consecuentemente el tiempo de vida de los portadores28 Dispositivos electrénicos ‘un aro para lograr mejor conduccién de la corriente entre el terminal y el semiconductor que constituye la "base" propiamente dicha denominada "base intrinseca". En la misma figura, se muestran los terminales de emisor y de colector denominados respectivamente con las letras "E" y "C", aplicados sobre los contactos respectivos, Contacto Bog Contacto deemisor 9 y § y debase Base ex- 5 trinseca Base in- trinseca (a) Sustrato Colector Top, Contacto ¥ oe? \_decolector > Emisor > Base Colector oe bc Figura 8-11 (a) Forma constructiva real del transistor de juntura: la inalidad es unicamente la necesidad de conectar el terminal de base del transisior ideal de drea transversal constant (). El simple andlisis de la figura 8-11, muestra que constructivamente también el dispositivo es asimétrico, debido a que las reas transversales que tienen las junturas emisor-base yy base-colector, son diferentes; a esta asimetria se agrega la mencionada antes, provocada por las, distintas contaminaciones del emisor y del colector. Ambas asimetrias sirven para mejorar el comportamiento del dispositivo en un sentido, con detrimento del funcionamiento en sentido inverso, o sea cuando el colector funciona como emisor y el emisor como colec 2 lela 4. 6 ic (a) mo wo wil Pl fy * B B Figura 8-12 Simbolos det wanssior de juntra, (2) "pnp" y (0) "wprn. La flecha en ambos casos india el emisory marca el sentido de circulacion de a corriene en exe terminal. En la figura 8-12, mostramos el simbolo que por convencién se utiliza para indicar un transistor de juntura; los terminales superiores corresponden a las zonas de emisor y de colector y el electrodo central a la de base, el emisor esta identificado por la presencia de una flecha que muestra el sentido de la corriente en dicho electrodo, en la figura 8-12(a) es entrante para el transistor "p-m-p" y en la 8-12(b) saliente para el transistor “n-p-n""‘Transistores bipolares 249 Polarizacin de la juntura de base-colector' Hasta ahora vimos que puede circular corriente por el colector como consecuencia del efecto transistor, s6lo por ta polarizacién directa de la juntura de entrada, sin que sea necesaria ninguna polarizacién en la juntura de salida. En efecto, la corriente de colector puede circular, pero seria una corriente que al circular por un circuito sin resistencia, no produciria caida de tensin alguna, 10 que implicaria que, por mas que pudiéramos tener control sobre dicha corriente, de nada serviria pues no podriamos obtener de ella ninguna informacion. Para poder extraer potencia de la corriente circulante por colector, debemos colocar en la malla que constituye la salida del transistor una resistencia de carga; como carga en inglés se escribe "Toad", lamaremos Ry a dicha resistencia En la figura 8-13, hemos dibujado al transistor con su juntura de entrada polarizada en forma directa con una tension Vgg. En la juntura de salida no hay aplicada ninguna tensién, pero la presencia de la resistencia de carga Ry hace que esa juntura no se encuentre en cortocircuito, puesto que cuando por dicha resistencia circule la corriente de colector -/c se producira en ella una caida de tensién Vr ~IcRy. que hace positivo al colector con respecto a la base en un valor Vo = Vet. Figura 8-13 Transistor con la juntura de entrada polarizada en directo y con una resistencia Ry en el cireuito de salida. La caida de tensién que preduce la corriente de colector en esa resistencia polarica en directo a la juntura de salida La juntura de salida se polariza, por consiguiente, en sentido directo y el colector inyecta portadores mayoritarios en la base, que se suman con los que inyecta el emisor en esa misma zona, incrementando enormemente el valor de la cortiente de base. Ademés, la corriente de colector se reduce hasta el valor necesario para producir sobre Rr, una caida de tension que mantenga a la juntura de salida polarizada en sentido directo, es decir, de entre 0,8 y IV. ‘Cuando ambas junturas del transistor se polarizan en sentido directo, se dice que el transistor esté trabajando en saturacién, Este modo de funcionamiento es de utilidad cuando al transistor se lo quiere hacer trabajar en conmutacién (ver Capitulo 12), pero debe evitarse cuando queremos hacer trabajar al transistor como amplificador, que es la condicion que estamos analizando. Para asegurarnos que bajo ninguna condicién el transistor entre en saturacién, debemos colocar una bateria de polarizacién Vcc en el circuito de salida, con su polaridad opuesta a la caida de tension que la corriente produce sobre la resistencia de carga. Si fuera Voc ~ Va compensariamos exactamente la caida en la condicion de polarizacién y el transistor se mantendria con su salida en cortocircuito, Lo dicho se puede ver en la figura 8-14(a) En la figura 8-14(b) mostramos al mismo circuito con el agregado de una fuente de excitacién alterna en la entrada que Hamamos AV. En (c) de la misma figura se ve a la ‘mencionada excitacién alterna superpuesta con la polarizacion; en el semiciclo en que ambas tensiones se suman, tendremos aplicada en la entrada una tensién mayor que Vaz y por250 Dispositivos electrénicos consiguiente tendremos una mayor corriente de colector que generara una caida de tensién sobre a carga mayor que Vzz. La solucién es que la fuente de polarizacion de colector Vcc sea mayor que la mayor caida que exista sobre la carga en las peores condiciones. Como a lo sumo puede ser AV gp =Vag, haremos Voc = 2V py, Figura 8-14 (a) Circuito con polarizaciin Ve de la salida que compensa exactamente la tensién Vqy sobre la resistencia de carga ‘cuando por ella circula ta corriente Ie de polarizactn; (b) el misma circuito al que se le ‘agregs un generador de excitacin vg, $2 hizo Voc © 2V pu; (@) forma de onda de tensién del enerador de exctacion, Resumiendo: “para que el transistor funcione como tal, solamente requiere que la juntura de entrada esté polarizada en sentido directo, la de salida puede estar en cortocircuito 1p el efecto transistor se produce, pero, para evitar que en algiin momento la juntura colectora quede polarizada en directa, se agrega una polaricacién Vcc =2Vpy en el circuito de salida”. 8.3 - El transistor como amplificado Por medio de la utilizacion de un transistor, con su juntura de entrada polarizada en directa y con la de salida, en inversa; si aplicamos una excitacién alterna ves en la entrada ‘obtenemos una variacién de tension AV, = vp, sobre la resistencia de carga, dicha variacion de la tensién de salida, dividida por la variacién de la tensién de entrada nos dara la denominada ganancia de tensién Gy, En la misma forma la relacién entre la variacién de corriente de salida y la variacién de corriente de entrada dard la denominada ganancia de corriente Gi. El producto de las variaciones de tensién y corriente de salida nos dara la potencia de salida, mientras que el producto de las variaciones de tensién y corriente de entrada nos permitira obtener la potencia de entrada. Lo dicho lo podemos expresar asi Po _ Yar Pi Yebde ‘Vamos a tratar de entender por medio de un ejemplo, el fendmeno de amplificacién que s capaz de producir un transistor En las figuras 8-14(b), el transistor ha sido conectado de manera que el circuito de entrada corresponde a la malla formada por los contactos de emisor y de base y el circuito de salida a la malla formada por los contactos de colector y de base, segiin podemos apreciar, el electrodo de base es el que divide los circuitos de entrada y de salida y es comin a ambos, con GG,‘Transistores bipolares 251 respecto a él se miden las tensiones de entrada y de salida, que en este caso se denominan Ven y Vcp, a esta forma de conectarlo se la denomina "base comin" y no es la tnica posible. Debido a que el dispositivo tiene tres terminales, se puede utilizar cualquiera como electrodo comin entre la entrada y la salida, es asi que podemos ademés conectar al transistor en "emisor comin” o en "colector comin” 8.3.1 - Configuracién de base comin. En la figura 8-15 se ha dibujado un circuito que contiene un transistor "p-n-p", conectado en la configuracién de "base comtin”. La tension de polarizacion de entrada la fijara 1a bateria Vig~0,7V, que se ama asi porque esta conectada realmente entre emisor y base; dicha tensién debe polarizar en directa a la juntura de entrada, por eso sera positiva. La bateria de polarizacién del circuito de salida sera Voc= -50V, y se llama Voc y no Vcp porque su tensién no se aplica entre colector y base debido ‘a que se interpone la caida de tensién que produce la corriente de colector JC=-/0mA sobre la resistencia de carga R,= 32, dicha caida ser Vy (10 x 10-34)(3 x 103) = 30V. Sin tener en cuenta la excitacin, las tensiones entre los terminales del transistor seran: Vsp=0,7V; Vep=Vec-Vei=-50V+30V=-20V; Voe=Ven+ Vae=-20V-0,7V =-20, 7V. picid) 15,15 ogee @ @ Ig2101| 5,05 Vog=-20,7¥ TprlOlmd cu - 10m A ( aves) yi @ V9=0.7 ¥en=30} 0.6 |~ . 15 : Figura 8-15 Circuito anplifcador en la configuracin de base comin. Se ve en las figuras (a) » (a) que a {ganancia de corientees menor que la unidad y de las)» (e) que hay ganancia detenién mayor que l (Del libro "Elctnica del estado sido", Angel DTremosa - Editorial Maryan) Bajo el efecto de las polarizaciones mencionadas, circulan corrientes de emisor, base y colector continuas, que por ser producidas por las tensiones de polarizacién se denominan también corrientes de polarizacién; tanto a las tensiones de polarizacién como a las corrientes que292 Dispositivos electrénicos circulan en estas condiciones, se llaman, “tensiones y corrientes de reposo”. Los valores de corrientes de reposo que figuran en el presente ejempio no tenemos todavia forma de hallarlos, pues su determinacion, en funcién de las tensiones de polarizacién, se realizan con las curvas del transistor que estudiaremos en correspondencia con el “Modelo de Ebers-Moll". En nuestro ejemplo hemos asignado los siguientes valores: / = 10,/mA; Ip = -0,1mA y, como dijéramos en el parrafo anterior, /c ~ -10md. Se cumple, como era légico, que [z+ Ip + Ic ~ 0. ‘Aplicamos en el citcuito de entrada una excitacién altemada vey de valor pico V4, = 0.1V , dicha variacién se superpone con la continua de polarizacién Vizg haciendo que la tensidn que se halla aplicada entre emisor y base varie entre 0,6 y 0,8V. Lo dicho se puede ver en Ja figura 8-15(b). La mencionada variacién de tension, produce variaciones de las corrientes de emisor, base y colector, cuyos valores pico son:/, =505mA; 1, =005mA; 1, =SmA, la variacién de corriente de emisor se superpone con /z~/0,!mA obligando a variar a la misma entre 15,05mA y 5,05mA segin puede apreciarse en la Figura 8-15(a); la de base, que no se ve en la figura porque corresponde a un terminal interno, varia entre -0,05mA y -0,15mA y la corriente de colector cuyo valor estatico es {c= -10mA, varia entre -Sm y -15mA tal como se ve en la figura 8-15(d). Dicha variacién de corriente, al circular a través de la resistencia de carga, produce una caida de tensién pico Vi, = 15V, la que sumada a los 30 volts continuos que caen cen la resistencia en ausencia de seftal, hace que la tensién de salida varie entre 45V y /5V. Dicha variacién en funcién del tiempo, se ve en la figura 8-15(e) Estamos en condiciones ahora de calcular las ganancias y otras relaciones, como las impedancias de entrada y de salida que son también muy importantes, Ve 1V Ganancia de tensién: — G, Ganancia de corriente: G, 7,” 505mA Ganancia de potencia: Gy = Gy.G; = 150%0,99 = 148,5 Las impedancias de entrada y salida se calcularan como el cociente entre las variaciones de tensién y las de corriente, luego Vy OW Impedancia de entrada: 2) =f = sosqq = 1980 Iv. Impedancia de salida: 2, 3kO. Sma Conclusién: En la configuracién de base comin, no hay ganancia de corriente, en realidad la misma siempre es menor que la unidad o sea que es atenuacién; hay ganancia de tensién y la ganancia de potencia es précticamente igual que la de tensién. La impedancia de entrada ex mucho mds baja que la de salida, lo que hace al circuito titil como ADAPTADOR DE IMPEDANCIA cuando queremos excitar la entrada con una fuente de baja impedancia y cargar al mismo con una impedancia de alto valor.‘Transistores bipolares 253 8.3.2 - Configuracién de emisor comin. En la figura 8-16 se ha dibujado un circuito que contiene un transistor "p-n-p", conectado de manera que el electrodo comin entre la entrada y la salida es el "emisor”, decimos que el transistor se halla en la configuracién de "emisor comin”. El transistor solamente responde a las tensiones aplicadas a sus junturas y si hacemos que la juntura emisor-base esté polarizada en directo con una tensién de 0,7V y la de colector-base, polarizada en inversa con una tension de -20V, estamos poniendo al transistor en las mismas condiciones que en el ejemplo de "base comtin” analizado en correspondencia con la figura 8-15, y las corrientes de emisor, base y colector tendran que ser también las mismas. Como vemos en la figura 8-16, para que el emisor sea 0,7V positivo respecto de la base, tendremos que hacer la base 0,7V negativa respecto del emisor; por tal motivo polarizaremos al circuito de entrada con una fuente de tensi6n Vgg ~ -0,7V, en estas condiciones dicho circuito en las figuras 8-15 y 8-16 es el mismo, > > 0,05) ~~ : 5 lis = yim, I= -01 I (@) : O15 Yigimd) © 0.6 Vap= -0,7 0,8 > Is Wvpe(¥) _|—_,! Figura 8-16 Circuito amplifcador en la configuraciin de emisor comin. De ls figuras (a) y (4) se puede verr que hay una gran ganancia de corriene: también hay mucha gananeia de tension como surge de fa ‘obsservacién de las figuras 2) y (@) (Del libro "Electrénica del estado sblido", Angel D. Tremasa-Editorial Marymar). En cuanto al circuito de salida; este, a diferencia del correspondiente a la conexién de base comin que vimos en la figura 8-15, no incluye solamente a la juntura de salida sino que abarca también a la de entrada, como esta tiltima queda polarizada con un valor de 0,7V por la fuente Vp, para que la tension -Vcg sea igual a -20V, debemos hacer que Vcr sea igual a - 20,70; en efecto284 Dispositivos electrénicos Vee = Von Vae luego: Veg = Ver - Vag = -20,7V ~ 0,7V = -200 © sea que la juntura de salida queda igual que antes con Vc -20V. En estas condiciones no variarén las corrientes, y por consiguiente sera [c= -/0mA; al circular dicha corriente por la resistencia de carga, dara lugar a una caida Vig, ~30V. Lo dicho se aprecia en la figura 8-16 y alli podemos ver que para que sea Vo ~ -20,7V debera ser Voc = -50,7V. Ese valor de Voc es el tinico que es diferente del correspondiente en ta configuracién de base comin. En estas condiciones, las corrientes de reposo serén’ Ip = 10,1mA; Ip--0,lmA € Ic > -10mA Si aplicamos en el circuito de entrada una excitacion alternada vje de valor pico Vye = 0,1V,, dicha variacién se superpone con la continua de polarizacion Vize: haciendo que la tensién que se halla aplicada entre emisor y base varie entre -0,8 y -0,6V. Lo dicho se aprecia en Ja figura 8-16(b). La mencionada variacion de tensién, produce variaciones de las corrientes de emisor, base y colector, cuyos valores pico son:f, =5,05mA; 7, =0,05mA; 7, =5mA, la variacion de corriente de base se superpone con / = 0, /mA obligando a variar a la misma entre - 0,15mA y -0,05mA tal como puede verse en la figura 8-16(a); la de emisor, que no se ve en la figura porque corresponde a un terminal interno, varia entre 15,/SmA y 5,05mA y la corriente de colector cuyo valor estatico es Jc = -/0mA, varia entre -15mA y -SmA, como puede apreciarse en la figura 8-16(d), Dicha variacién de corriente, como dijéramos anteriormente, al circular a través de la resistencia de carga produce una caida de tension pico Vy, = /SV, la que sumada a los 30 V continuos que caen en la resistencia de carga en ausencia de sefial, hace que la tension de salida varie entre 45V y 15V, Dicha variacion en funcion del tiempo, se ve en la figura 8-16(e). Si queremos en este caso hallar las ganancias de tensién, corriente y potencia, aplicando siempre la misma definicién, sera igual a la variacion del parametro correspondiente en la salida sobre la variacion del mismo parametro en la entrada, de donde tendremos: , ie, Ganancia de tension: Gy = 150 Ve OV que como vemos es la misma que en base comiin; la de corriente fe __SmA Ganancia de corriente: G,=£ = "™4_ 199 OO T= 005mA que, segiin podemos observar, sera apreciablemente mayor que la correspondiente a base comin; es0 es debido a que la excitacién en este caso, si bien actia también entre emisor y base, solamente es atravesada por la corriente de base y en consecuencia controlamos una gran corriente de salida, como es la de colector, por medio de una pequefia corriente de entrada, Eso implica menor manejo de potencia de la fuente de excitacién, lo que se pone en evidencia al calcular la ganancia de potencia, ésta seré Ganancia de potencia: Gy = Gy G, = 150x100 = 15.000 ‘0 sea que tenemos el control de una potencia 15.000 veces mas grande que la que manejamos en la entrada, 1o que implica menores requerimientos en el tamafio y capacidad de las fuentes de excitacién. Aqui se entiende mas claramente lo que comentamos anteriormente cuando dijimos‘Transistores bipolares 255 que si la corriente de base fuera nula, no gastariamos ninguna potencia para controlar cualquier valor della potencia de salida y tendriamos, en este caso, ganancia infinita. En lo que respecta a las impedancias de entrada y de salida, estas seran: Impedancia de entrada: Z, Impedancia de salida: En este caso no existe la diferencia de valores tan grande como vimos existia en base comin; alli la impedancia de entrada era mucho menor que la de salida, mientras que aqui son ambas de valores parecidos. Como por el teorema de la maxima transferencia de energia, la resistencia interna de la fuente debe ser del mismo valor que la de la carga para transferir la maxima energia; si excitamos a una etapa amplificadora conectada en emisor comin con otra también de emisor comin; la adaptacién de impedancia seria aproximadamente correcta y la transferencia de energia seria buena; si en cambio excitéramos una etapa de base comin con otra también de base comin, excitariamos con un generador de alta impedancia de salida a una carga de bajo valor lo que desempataria a ambos circuitos y la transferencia de energia seria inadecuada. Otra posibilidad seria excitar a una etapa de emisor comin con una de base comin, la adaptacién seria buena y podriamos tener un transductor de baja impedancia como podria ser un micréfono dinamico excitando a una etapa de base comin, que por ser de baja impedancia también en su entrada, quedaria correctamente adaptada y con esa etapa de base comin con salida de alta impedancia, podriamos excitar a una de emisor comin con entrada también de alta impedancia, La salida del circuito de emisor comiin también es de alta impedancia y deberia ser cargado con una impedancia alta; si dicha carga es un parlante que tiene impedancia de muy bajo valor, eso no sucede, debiéndose realizar la adecuada adaptacién Conclusién: En la configuracién de emisor comin hay buenas ganancias de corriente, tensién y potencia, lo que lo hace més adecuado para la utilizacién como amplificador. Debido a que las impedancias de entrada y de salida son de valores parecidos, pueden conectarse en cascada pudiéndose obtener amplificadores de varias etapas. Configuracién de colector com La configuracién de colector comin est representado por el circuito de la figura 8-17, en donde puede verse que el colector esté a masa para la alterna a través de la tensi6n continua de polarizacién del circuito de salida Vcc, en tanto que la entrada también se halla Figura 8-17 Circuito det transistor conectado en la configuracién de conectada a masa y también > Rt, Coneluyendo, como la resistencia de carga Ry, es comin al circuito de entrada y de ssalida, ef de entrada con circulacion de pequeha corriente la ve como una resistencia de gran valor mientras que el de salida, por ser su corriente mucho mayor la ve, como una resistencia ‘mas pequefta; eso da lugar a que la resistencia de entrada del circuito amplificador en la configuracién de “colector comin” sea mucho mas alta que la de salida. ‘Veremos un ejemplo. En la figura 8-18(c), se ha dibujado el mismo circuito de la figura 8-17, pero ahora con la indicacién de los valores de la resistencia de carga y de las tensiones de polarizacién, Se ha tratado de dar valores tales que el transistor "p-n-p" que es el mismo utilizado en las configuraciones de base comtin y emisor comin, no se de cuenta de que su cconexion externa es distinta, sus tensiones de juntura son las mismas y las corrientes de emisor, base y colector seran por consiguiente también las mismas. Las corrientes continuas del transistor para la condicién de polarizacién tendrén que ser fen este caso, como en los anteriores ejemplos, [5 = -0,1mA, Ic = -10mA e Ip = 10,1mA, y las tensiones Vz = -0,7V'y Vcp = -20V, de donde Vox: debe ser igual a -20,7V; si miramos la figura 8-18(c), vemos que en la rama del emisor se encuentra la resistencia Ry con un valor de 3KQ, si por ella circula una corriente de 10,1mA como es la de emisor, sobre la mencionada resistencia caeré una tension de 30,37. Dicha tensién corresponde a la de salida que llamaremos como en los casos anteriores Vr, si pretendemos que la tensién Vigz de entrada sea de -0,7V, la fuente de polarizacién Vgp tendra que ser igual a la suma de ambas o sea: Vp -Vpu+ Vag = -30,3V -0,7V= -31V. En estas condiciones, la tension de polarizacién del circuito de salida tendra que ser igual ala suma de la tensién Vaz, de salida del circuito mas la tension Vcr de salida del transistor, de donde: Voc = Var + Vag = -30,3V - 20,7V = -51V. Por la resistencia de carga Ry, circula, como dijimos, la corriente de emisor que da atta lugar a la tensién VR_= -30,3V, pero para el circuito de entrada, la corriente que ve que circula por Rz es la de base [p=0,1mA, de donde la resistencia que ve dicho circuito y que Hamaremos R’y, sera: Rt, =303KO Figura 8-19 Circuito equivalente de entrada, y, 3037 Ree la resistencia de entrada del transistor y R', R= nk = OF __ s03K0 Ia resistencia de carga vista desde ol ciruito de Ta Odx10 entrada. entre emisor y base circula la misma corriente Ip la tensién es Veg=0,7V, de donde la resistencia de entrada del transistor sera vy; ov EB. “= 7KQ Ta 01x10 A258 Dispositivos electrénicos luego el circuito equivalente de entrada quedara como muestra la figura 8-19, en donde para que sobre Rhe caiga 0,1V, el valor pico de la tensién de entrada debera ser: Vz = iy( Rye + R'y, ) = 0,05mA.310KQ = 15.50 cuya representacién en funcién del tiempo puede verse en la figura 8-18(b). La corriente de salida es la de emisor cuya representacién grafica se ve en la figura 8-18(d); su valor pico sera 7, = 5,05mA de donde la variacion de tension de salida sera Vp, = 3KQ.5,05ma = 15,150 en estas condiciones, la ganancia de tensién seri . . Pry 1S1SV _ Ganancia de tension: Gy = Be = FS sop = 0.9775 que sera menor que la unidad, La ganancia de corriente sera i, 505mA Ganancia de corriente: Gy =F" = gasp ~ OL la ganancia de potencia, igual al producto de las de corriente y de tensién: Ganancia de potencia: Gp = Gy Gy = 0,975. 101 = 98,75 La impedancia de entrada sera: 15,50V. sdancia de entrada: Z, == = =3 Impes =F Dima = 305KO que como podemos apreciar es de muy alto valor; la resistencia de salida sera Ve 15150 Impedancia de salida 2, = 7 = "So = 303KQ que es siempre igual a la de carga. Concluyendo "En colector comitn, la resistencia de entrada es mucho mayor que la de carga”. En este caso, también al igual que en base comin, esta configuracién se utiliza como ADAPTADOR DE IMPEDANCIA, pero con una resistencia de entrada mucho mayor que la de salida contrariamente a lo que vimos sucedia en base comin".