Capítulo N° 5

Respuesta en frecuencia

5.1 Introducción

Hasta ahora no se había tomado en cuenta el comportamiento en frecuencia del amplificador, esto es, se suponía
que los elementos dependientes de la frecuencia eran cortocircuitos o circuitos abiertos según fuese el caso. La
presencia de componentes reactivos de acoplamiento y desacoplamiento como así también las capacidades
internas de los transistores, hacen a la respuesta del amplificador dependiente de la frecuencia de señal, esto se
traduce en diferentes ganancias y retardos para las distintas componentes de una señal compuesta, generando lo
que se conoce como distorsión de frecuencia y fase.

Dado que la función de transferencia es de carácter complejo, es necesario analizar su variación con respecto a la
frecuencia tanto en modulo como en fase. La figura n° 5.1 es un grafico de la variación de la ganancia de tensión o
corriente en función de la pulsación angular ω.

Figura n° 5.1: Ganancia de un amplificador acoplado por RC en función de la frecuencia.

𝐴𝑚 es la ganancia máxima del amplificador la cual se mantiene prácticamente constante dentro del margen de
frecuencias medias, también llamada banda de transmisión. Se observa también que la ganancia disminuye a
medida que se incrementa o decrementa la frecuencia. Esta disminución de la ganancia es debida a dos tipos
diferentes de capacidades, las internas del transistor y las capacidades de acoplamiento y desacoplamiento. Las
capacidades internas son las formadas por las capacidades entre las uniones base-colector y base-emisor cuyos
valores son despreciables a bajas frecuencias, es decir que su reactancia es elevada, pero se tornan significativas
cuando la frecuencia de señal se incrementa.

Los amplificadores construidos con varios transistores discretos suelen emplear capacitores para acoplar las
distintas etapas, además se utilizan capacitores para desacoplar la resistencia del emisor para poder así aumentar
la ganancia en frecuencias mayores. Estos capacitores de acople y desacople, que son externos al transistor,
producen un descenso de la respuesta en frecuencia del amplificador debido a que su impedancia llega a ser
grande para bajas frecuencias.

Los límites que separan el margen de frecuencias medias con los márgenes de alta y baja frecuencia son definidos
por las especificaciones de funcionamiento del amplificador. Por ejemplo, consideremos un amplificador diseñado
para señales de video. Como el ojo humano es sensible a variaciones de intensidad lumínicas del orden de 1dB, la
respuesta en el margen de frecuencias medias no debe diferir de 𝐴𝑚 en más de ½ dB si se desea obtener
imágenes de alta calidad. Si la señal de video contiene componentes importantes de frecuencia que incluyan desde
c.c. hasta 4 MHz, tendrá que mantenerse hasta los 4 MHz una máxima variación no mayor a ½ dB. Por encima de
los 4 MHz, el ritmo a que puede descender la respuesta dependerá de otros factores, tales como la respuesta
transitoria necesaria.
2 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

Para la reproducción de señales de audio de alta calidad es necesaria una banda de frecuencias de
aproximadamente 20 Hz a 20 KHz, usualmente los límites del margen de frecuencias medias están definidos por las
frecuencias en la que ganancia ha disminuido a la mitad. Estas frecuencias designadas 𝜔𝑙 y 𝜔ℎ en la figura n° 5.1 y
se denominan frecuencias de corte.

El margen total de frecuencias medias se denomina ancho de banda B, y en la figura n° 4.1 se puede ver que:

𝐵 = 𝑓ℎ − 𝑓𝑙

Es frecuente también clasificar a los amplificadores de acuerdo a la relación entre el ancho de banda y la
frecuencia central del margen de frecuencias medias

𝐵
𝜔𝑐

Resultando dos clasificaciones, amplificadores de banda ancha cuando la relación es mayor a la unidad y
amplificadores de banda angosta cuando es menor a la unidad. Nos limitaremos al estudio de amplificadores de
banda ancha, lo cual facilita la determinación de la respuesta en frecuencia de un amplificador típico acoplado por
RC ya que se divide en tres situaciones relativamente sencillas. Así dividimos el espectro de frecuencia en tres
regiones: baja, media y alta frecuencia, en cada una de estas regiones se utiliza un circuito equivalente
simplificado diferente para calcular la respuesta.

5.2 Decibel

Es una unidad adimensional usada para expresar el logaritmo de la razón entre una cantidad medida y una
cantidad de referencia. De esta manera el decibel es usado para describir niveles de presión, potencia
o intensidad sonora. El término bel se deriva en honor del inventor del teléfono, Alejandro Graham Bell. Por
definición el bel se expresa como la relación logarítmica de dos niveles de potencia:

𝑃2
𝐺 = log10
𝑃1

Sin embargo el bel es una unidad de medida demasiado grande para propósitos prácticos, por lo que se definió el
decibel (dB) de forma que 10 dB= 1 bel. Por lo tanto:

𝑃2
𝐺𝑑𝐵 = 10 ∙ log10
𝑃1

La clasificación nominal de equipos electrónicos (amplificadores, micrófonos, etc.) por lo general se miden en
decibeles. Sin embargo como se puede observar en la ecuación anterior, la medición implica la relación entre dos
niveles potencias, una potencia de salida representada por 𝑃2 y una potencia de referencia 𝑃1 .Por ejemplo el nivel
de potencia de referencia utilizado en telecomunicaciones es generalmente 1 mW. La resistencia asociada a esta
potencia de referencia es de 600Ω, seleccionada debido a que estas es la impedancia característica de las líneas de
transmisión de audio. Cuando se utiliza 1 mW como nivel de referencia se presenta a menudo con el símbolo de
dBm, que expresado en forma de ecuación:

𝑃2
𝐺𝑑𝐵𝑚 = 10 ∙ log10 |
1𝑚𝑊 600Ω

Otra manera de expresar decibeles es utilizando niveles de tensión, esto es, para un sistema que tiene una
resistencia de entrada 𝑅𝑖 para una tensión de entrada V1 la potencia es

𝑃1 = 𝑉1 2 ⁄𝑅𝑖

Si ahora la tensión de entrada se incrementa o decrementa a un valor V2, entonces

𝑃2 = 𝑉2 2⁄𝑅𝑖
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 3

Entonces

𝑃2 𝑉2 2 ⁄𝑅𝑖 𝑉2 2
𝐺𝑑𝐵 = 10 ∙ log10 = 10 ∙ log10 2 = 10 ∙ log10 ( )
𝑃1 𝑉1 ⁄𝑅𝑖 𝑉1

𝑉2
𝐺𝑑𝐵 = 20 ∙ log10 ( )
𝑉1

Por ejemplo, si la potencia de referencia es:

𝑉𝑚 2
𝑃𝑚 =
𝑅

Decir que la potencia disminuye a la mitad es:

𝑉𝑚 2
( )
𝑉𝑚 2
𝑃2 = √2 =
𝑅 2∙𝑅
Expresando el resultado en dB:

𝑃𝜔
|𝐴𝑝 |𝑑𝐵 = 10 ∙ log10 ( )
𝑃𝑚

Que reemplazando:

𝑉𝑚
𝑉𝜔 √2 1
|𝐴𝑣 |𝑑𝐵 = 20 ∙ log10 ( ) = 20 ∙ log10 ( ) = 20 ∙ log10 ( ) ≅ −3𝑑𝐵
𝑉𝑚 𝑉𝑚 √2

Entonces decir que la potencia disminuyo a la mitad de su valor es igual a decir que la potencia tuvo una caída de
3 dB.

La ventaja de expresar ganancias en decibeles se hace notoria cuando se conectan etapas en cascada, es decir una
después de otra, de esta manera la magnitud de la ganancia total del sistema está dada por:

|𝐴𝑣𝑇 | = |𝐴𝑣1 | ∙ |𝐴𝑣2 | ⋯ |𝐴𝑣𝑛 |

Que expresada en decibeles es:

𝐺𝑣𝑇 𝑑𝐵 = 20 ∙ log10|𝐴𝑣1 | + 20 ∙ log10|𝐴𝑣2 | + ⋯ + 20 ∙ log10 |𝐴𝑣𝑛 |

𝐺𝑣𝑇 𝑑𝐵 = 𝐺𝑣1 𝑑𝐵 + 𝐺𝑣2 𝑑𝐵 + ⋯ + 𝐺𝑣𝑛 𝑑𝐵

La ecuación establece que la ganancia total de un sistema en cascada es igual a la suma de todas las
ganancias expresadas en decibeles.

5.3 Diagramas asintóticos de Bode

La ganancia de tensión o corriente de un amplificador se expresa normalmente como una función de trasferencia
de la variable compleja S, en este dominio la capacitancia C es reemplazada por la impedancia 1⁄𝑆𝐶 y la
inductancia L por la impedancia SL. Esta sustitución en el dominio S simplifica el análisis de la respuesta. Con las
técnicas de análisis de circuitos se obtiene la ganancia de tensión en la forma general:

𝑉𝑜 (𝑠) 𝑎𝑚 𝑠 𝑚 + 𝑎𝑚−1 𝑠 𝑚−1 + ⋯ + 𝑎0

𝐴(𝑠) = =
𝑉𝑖 (𝑠) 𝑠 𝑛 + 𝑏𝑛−1 𝑠 𝑛−1 + ⋯ + 𝑏0
4 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

La cual puede ser expresada:

(𝑠 + 𝑧1 )(𝑠 + 𝑧2 ) ⋯ (𝑠 + 𝑧𝑚 )
𝐴(𝑠) = 𝐾
(𝑠 + 𝑝1 )(𝑠 + 𝑝2 ) ⋯ (𝑠 + 𝑝𝑛 )

En donde los coeficientes 𝑎 𝑦 𝑏 son números reales y el orden 𝑛 de denominador es igual o mayor que el orden 𝑚
del numerador. 𝑧1 , 𝑧2 , ⋯ , 𝑧𝑚 son los ceros de la función de transferencia, debido a que 𝐴(𝑠) es cero cuando
𝑠 = 𝑧𝑚 , y 𝑝1 , 𝑝2 , ⋯ , 𝑝𝑛 son los polos de la función de transferencia, ya que 𝐴(𝑠) es infinita cuando 𝑠 = 𝑝𝑛 .

𝐴(𝑠) puede convertirse al dominio de la frecuencia ω mediante la sustitución 𝑠 = 𝑗𝜔, quedando expresada por su
magnitud |𝐴(𝑗𝜔)| y su ángulo de fase 𝜙 = ∠𝐴(𝑗𝜔). La gráfica de Bode es una gráfica de la magnitud y la fase en
función de la frecuencia, esto proporciona un método sencillo para determinar las características en frecuencia y la
estabilidad de los amplificadores. La magnitud se grafica generalmente en decibeles y la frecuencia en escala
logarítmica.

Entonces sustituyendo 𝑠 = 𝑗𝜔, la función de transferencia queda:

𝜔 𝜔 𝜔
(1 + 𝑗) (1 + 𝑗 ) ⋯ (1 + 𝑗 )
𝑧1 𝑧2 𝑧𝑚
𝐴(𝑗𝜔) = 𝐴𝑚 𝜔 𝜔 𝜔
(1 + 𝑗 ) (1 + 𝑗 ) ⋯ (1 + 𝑗 )
𝑝1 𝑝2 𝑝𝑛

Cuyo módulo y fase son:

𝜔 2 𝜔 2 𝜔 2
√1 + ( ) √1 + ( ) ⋯ √1 + ( )
𝑧1 𝑧2 𝑧𝑚
|𝐴(𝑗𝜔)| = 𝐴𝑚
𝜔 2 𝜔 2 𝜔 2
√1 + ( ) √1 + ( ) ⋯ √1 + ( )
𝑝1 𝑝2 𝑝𝑛

𝑚 𝑛
𝜔 𝜔
𝜙 = ∑ (tan−1 ( )) − ∑ (tan−1 ( ))
𝑧𝑖 𝑝𝑖
𝑖=1 𝑖=1

Que expresado en decibeles:

𝑚 𝑛
𝜔 2 𝜔 2
|𝐴(𝑗𝜔)|𝑑𝐵 = 20 ∙ log(𝐴𝑚 ) + 20 ∙ ∑ log (√1 + ( ) ) − 20 ∙ ∑ log (√1 + ( ) )
𝑧𝑖 𝑝1
𝑖=1 𝑖=1

De la expresión anterior se puede ver que el primer término es una constante. Para representar gráficamente el
segundo término consideremos el comportamiento asintótico en frecuencias muy altas y muy bajas:

Para frecuencias bajas (𝜔 → 0)

𝜔 2
20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) → 20 ∙ log 1 = 0 𝑑𝐵
𝑧𝑖

En frecuencias altas (𝜔 ≫ 𝜔𝑖 )

𝜔 2 𝜔 2 𝜔
20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) → 20 ∙ log √( ) = 20 ∙ log 𝑑𝐵
𝑧𝑖 𝑧𝑖 𝑧𝑖

Es decir que la asíntota de alta frecuencia es una línea recta cuando se la representa en función de ω en escala
logarítmica y la asíntota de baja frecuencia es simplemente una constante. Ambas asíntotas se cortan en 𝜔 = 𝑧𝑖 ,
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 5

este punto se denomina frecuencia de corte. La pendiente de la asíntota en altas frecuencias se suele expresar en
términos de relaciones de frecuencia de octava (2:1) o de década (10:1), así es que un incremento de frecuencia
de una octava da como resultado un aumento de la ganancia en:

∆|𝐴(𝑗𝜔)|𝑑𝐵 = 20 ∙ log 2 = 6 𝑑𝐵

Un incremento de frecuencia de una década da como resultado un aumento de ganancia de:

∆|𝐴(𝑗𝜔)|𝑑𝐵 = 20 ∙ log 10 = 20 𝑑𝐵

Generalmente la curva asintótica es suficiente para tener la información necesaria, si se desea una curva más
exacta se deben aplicar unas simples correcciones. La diferencia entre la curva real y asintótica para un factor de
una sola frecuencia de la forma 1 + 𝑗 𝜔⁄𝜔1 suele ser despreciable para frecuencias que estén separadas por más
de una octava a cada lado de la frecuencia de corte. Las correcciones que se deben realizar pueden ser halladas
como sigue, en 𝑧𝑖 la curva asintótica pasa por 0 𝑑𝐵, mientras que el valor real es:

𝜔 2
20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) = 10 ∙ log(2) ≈ 3𝑑𝐵
𝑧𝑖

Así la curva real está 3 𝑑𝐵 por encima de la asíntota en la frecuencia de corte. Haciendo cálculos análogos para
𝑧
𝜔 = 2 ∙ 𝑧𝑖 y 𝜔 = 𝑖⁄2 vemos que la curva real esta aproximadamente 1 dB por encima de la curva asintótica. Estos
resultados se pueden observar en la figura n° 5.2.

Figura n° 5.2: Características de frecuencia asintótica y real.

De similar forma es el análisis para los polo de la función de transferencia, con la diferencia de que la pendiente es
de − 20 𝑑𝐵⁄𝑑𝑒𝑐𝑎𝑑𝑎 para frecuencias superiores a la del polo.

Al igual que el módulo, el ángulo de fase de la función de transferencia puede hallarse mediante asíntotas,
suponiendo un factor de una sola frecuencia en el ángulo de fase:
𝜔
𝜙 = tan−1 ( )
𝜔1

Las asíntotas que se utilizan normalmente son:

𝜔1
0° 𝜔<
10
𝜙 = 45° (1 + log ( 𝜔 )) 𝜔1 < 𝜔 < 10𝜔
1
𝜔1 10
{ 90° 𝜔 > 10𝜔1

Entonces se puede ver que las pendiente de la asíntota es de 45°⁄𝑑𝑒𝑐𝑎𝑑𝑎 comenzando una década antes y
finalizando una después de 𝜔1
6 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

Figura n°5.3: Variación del ángulo de fase.

Para lograr una mejor comprensión de lo expuesto, vamos a realizar un ejemplo.

Ejemplo:

Realizar el diagrama de Bode de módulo y fase de la siguiente función de transferencia .

(1 + 𝑠⁄10)
𝐴 = 40
(1 + 𝑠⁄50)(1 + 𝑠⁄2000)

Primero calculamos el valor constante, esto es:

20 ∙ log(40) ≈ 32𝑑𝐵

Luego trazamos las distintas asíntotas:

Para frecuencias bajas (𝜔 → 0)

𝜔 2
20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) → 20 ∙ log 1 = 0 𝑑𝐵
10

En frecuencias altas (10 ≪ 𝜔)

𝜔 2 𝜔 2 𝜔
20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) → 20 ∙ log √( ) = 20 ∙ log 𝑑𝐵
10 10 10

Es decir que a partir de 10 𝑟𝑎𝑑⁄𝑠 la asíntota tiene una pendiente de 20 𝑑𝐵⁄𝑑é𝑐𝑎𝑑𝑎

Procediendo de similar forma para los polos

En frecuencias altas (50 ≪ 𝜔)

𝜔 2 𝜔 2 𝜔
−20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) → −20 ∙ log √( ) = −20 ∙ log 𝑑𝐵
50 50 50

En frecuencias altas (2000 ≪ 𝜔)

𝜔 2 𝜔 2 𝜔
−20 ∙ 𝑙𝑜𝑔 (√1 + ( ) ) → −20 ∙ log √( ) = −20 ∙ log 𝑑𝐵
2000 2000 2000
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 7

Graficando las asíntotas el diagrama queda:

Figura n° 5.4: Asíntotas del módulo de la función de transferencia.

Realizando las sumas

Figura n° 5.5: Módulo asintótico de la función de transferencia.

Si utilizamos Matlab para verificar lo anteriormente calculado podemos ver:

Figura n° 5.6: Módulo de la función de transferencia calculado con Matlab.

Solo resta realizar el diagrama del ángulo de fase de la función de transferencia, para ello primero trazamos las
asíntotas
8 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

Figura n° 5.7: asíntotas para calcular el ángulo de fase.

Y luego realizamos la suma de las asíntotas

Figura n° 5.8: Angulo de fase de la función de transferencia.

Para verificar los cálculos anteriores podemos

Figura n° 5.9: Angulo de fase calculado en MATLAB.

 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 9

5.4 Respuesta en baja frecuencia

El estudio de la respuesta en baja frecuencia se centra en obtener la función de transferencia del amplificador,
para así poder determinar la frecuencia de corte y la ganancia en la banda media. Los casos de estudio son los
distintos tipos de capacitores que están presentes en un amplificador, estos son capacitores de acoplamiento de
señal de entrada, capacitores de acoplamiento de colector y capacitores de desacoplamiento de emisor.

5.4.1 Condensador de acoplamiento de señal de entrada

La finalidad del capacitor de acoplamiento de señal de entrada es por un lado bloquear los niveles de c.c. de modo
que no se vean afectadas las condiciones de polarización del transistor y por otro el de efectivamente acoplar la
señal de c.a. de entrada.

Vcc

R2 RC

ri C1

vi

R1 RE

Figura n° 5.10: Amplificador en configuración emisor común con capacitor de acoplamiento de entrada.

ri C1 ic

ib hie hfe ib
vi
Rb RC Vo

(1  h fe )RE

Figura n° 5.11: Circuito equivalente de baja frecuencia.

En base al circuito equivalente se calcula la ganancia de tensión, esto es:

𝑖𝑏 𝑣𝑜
𝐴𝑣 (𝑠) = ∙
𝑣𝑖 𝑖𝑏
Para la malla de entrada:

𝑣𝑖 𝑅́𝑏
𝑖𝑏 = ∙
1
𝑟𝑖 + + 𝑅́𝑏 ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸
𝑠𝐶1

En donde:

𝑅́𝑏 = 𝑅𝑏 ∥ (ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 )

Entonces:
10 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

𝑖𝑏 𝑅́𝑏 𝑠
= ∙
𝑣𝑖 [ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 ](𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 ) 1
(𝑠 + )
𝐶1 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )

Para la malla de salida:

𝑣𝑜 = −ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏𝑅𝑐
𝑣𝑜
= −ℎ𝑓𝑒 𝑅𝑐
𝑖𝑏
Reemplazando los valores obtenidos en las mallas de entrada y salida obtenemos:

ℎ𝑓𝑒 𝑅𝐶 𝑅́𝑏 𝑠
𝐴𝑣 (𝑠) = − ∙
(𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )(ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 ) (𝑠 + 1
)
𝐶1 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )

Se puede observar que el polo de la función de transferencia es:

1
𝜔1 =
𝐶1 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )

Es decir que la frecuencia del polo queda determinada por el producto de la capacidad y la resistencia equivalente
“vista” a bornes del capacitor. La figura n° 5. 12 muestra un diagrama de Bode del módulo de la ganancia.

Figura n° 5.12: Gráfica del módulo de la ganancia de tensión.

Figura n° 5.13: Gráfica de de fase de la ganancia de tensión.

 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 11

5.4.2 Condensador de acoplamiento de señal de entrada y de colector

Supongamos que al circuito anterior le agregamos una carga resistiva acoplada con otro capacitor (C 2), en este
caso la frecuencia de corte de 3dB dependerá de ambos capacitores. La figura n° 5.14 muestra el circuito con la
carga acoplada por capacitor.

Vcc

R2 RC

C2

RL
ri C1

vi

R1 RE

Figura n° 5.14: Amplificador en Emisor común con condensadores de acoplo de entrada y en la carga.

Para calcular la ganancia primero dibujamos el circuito equivalente:

ri C1 C2

ib hie hfe ib iL
vi
Rb RC RL Vo

(1  h fe )RE

Figura n° 5.15 Circuito equivalente.

Entonces, nuevamente analizando la malla de entrada llegamos a la misma ecuación del caso anterior:

𝑖𝑏 𝑅́𝑏 𝑠
= ∙
𝑣𝑖 [ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 ](𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 ) 1
(𝑠 + )
𝐶1 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )

Siendo nuevamente

𝑅́𝑏 = 𝑅𝑏 ∥ (ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 )

Planteando la malla de salida vemos que:

1 𝑅𝐿
−ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏 [𝑅𝐶 ∥ (𝑅𝐿 + )] ∙ = 𝑣𝑜
𝑠𝐶2 1
(𝑅𝐿 + )
𝑠𝐶2

Simplificando se llega a lo siguiente:

𝑣𝑜 𝑅𝐶 𝑅𝐿 𝑠
= −ℎ𝑓𝑒 = −ℎ𝑓𝑒 (𝑅𝐶 ∥ 𝑅𝐿 ) ∙
𝑖𝑏 1 1
(𝑅𝐿 + + 𝑅𝐶 ) (𝑠 + )
𝑠𝐶2 𝐶2 (𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 )

Haciendo el producto de los factores deducidos en la malla de entrada y salida obtenemos la ganancia, esto es:
12 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

𝑣𝑂 𝑖𝑏 𝑣𝑂 ℎ𝑓𝑒 (𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐶 )𝑅́𝑏 𝑠 𝑠

𝐴𝑣 (𝑠) = = ∙ =− ∙ ∙
𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑖𝑏 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )[ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 ] 1 1
(𝑠 + ) (𝑠 + 𝐶2 (𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 ))
𝐶1 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )

Las frecuencias asociadas a los polos quedan determinadas por el producto de la capacidad y la resistencia de
equivalente “vista” desde los terminales de los condensadores.

1
𝜔𝑐1 =
𝐶1 (𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )

1
𝜔𝑐2 =
𝐶2 (𝑅𝐿 + 𝑅𝐶 )

En el caso de que los polos estén ampliamente separados, es decir una década o más, la frecuencia de corte de
3db será la que resulte mayor de la comparación entre 𝜔𝑐1 y 𝜔𝑐2 . Si los polos no estuviesen lo suficientemente
separados la frecuencia de corte ya no es la más alta sino que se desplaza hacia una frecuencia más alta, esto es:

𝑠2
𝐴𝑣 (𝑠) = 𝐴𝑉𝑚 ∙
(𝑠 + 𝜔𝑐1 )(𝑠 + 𝜔𝑐2 )

Donde

ℎ𝑓𝑒 (𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐶 )𝑅́𝑏

𝐴𝑉𝑚 = −
(𝑟𝑖 + 𝑅́𝑏 )(ℎ𝑖𝑒 + (ℎ𝑓𝑒 + 1)𝑅𝐸 )

La frecuencia de corte de 3dB, 𝜔𝐿 , se define como la frecuencia a la cual

𝐴𝑣 2 1
| | =
𝐴𝑣𝑚 2

Por lo tanto sustituyendo la variable s por 𝑗𝜔𝐿 tememos:

𝐴𝑣 2 𝜔𝐿 4 1
| | = =
𝐴𝑣𝑚 (𝜔𝐿 + 𝜔𝑐1 )(𝜔𝐿 2 + 𝜔𝑐2 2 ) 2
2 2

La frecuencia de corte de 3dB se halla resolviendo:

𝜔𝐿 4 + 𝜔𝐿 2 (𝜔𝑐1 2 + 𝜔𝑐2 2 ) + 𝜔𝑐1 2 𝜔𝑐2 2 = 2𝜔𝐿 4

Que tiene como resultado:

𝜔𝑐1 2 + 𝜔𝑐2 2 √𝜔𝑐1 4 + 6𝜔𝑐1 2 𝜔𝑐2 2 + 𝜔𝑐2 4

𝜔𝐿 2 = +
2 2
En el caso de que 𝜔𝐿 2 > 𝜔𝑐1 2 𝜔𝑐2 2 el producto 𝜔1 2 𝜔2 2 puede ser despreciado por lo que la frecuencia de corte
de 3dB puede aproximarse por:

𝜔𝐿 = √𝜔𝑐1 2 + 𝜔𝑐2 2

En el caso de 𝜔1 = 𝜔2 , es decir que se genere un polo doble, la ganancia toma la forma:

𝑠 2
𝐴𝑣 (𝑠) = 𝐴𝑣𝑚 ( )
𝑠 + 𝜔𝑜

Como la frecuencia de corte de 3dB está definida por la relación

𝐴𝑣 2 1
| | =
𝐴𝑣𝑚 2

Entonces
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 13

𝐴𝑣 2 𝜔𝐿 4 1 1
| | = = =
𝐴𝑣𝑚 (𝜔𝐿 2 + 𝜔𝑐 2 )2 𝜔𝑐 2 2 2
[1 + ( ) ]
𝜔𝐿
2
𝜔𝑐 2
[1 + ( ) ] =2
𝜔𝐿

Cuya resolución es
𝜔𝑐
𝜔𝐿 = ≈ 1,55 𝜔𝑐
√0,414

5.4.3 Efecto del capacitor de desacoplamiento de emisor

La figura n° 5.16 representa un amplificador en emisor común en el cual están presentes los condensadores a
acoplamiento de entrada, de colector y un condensador de desacoplo de emisor. Para el estudio de los efectos del
capacitor de desacoplo, se supone que las frecuencias de corte de los capacitores C1 y C2 son mucho menores que
la frecuencia de corte de Ce.

Vcc

R2 RC

C2

RL
ri C1

vi

Ce
R1 RE

ri

hie hfe ib
vi
Rb RC RL
RE Ce

Figura n° 5.16: Amplificador en emisor común y circuito equivalente.

Analizando la malla de entrada vemos que:

𝑣𝑖 𝑅𝑏 ∥ (ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍)
𝑖𝑏 = ∙
𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 ∥ (ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍) ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍

Siendo

1 𝑅𝐸
𝑍 = 𝑅𝐸 ∥ =
𝑠𝐶𝑒 𝑠𝐶𝑒 𝑅𝐸 + 1

Desarrollando los términos de la ecuación

𝑖𝑏 𝑅𝑏 1
= ∙
𝑣𝑖 𝑅𝑏 (ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍) 𝑅𝑏 + ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍
𝑟𝑖 +
𝑅𝑏 + ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍
14 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

𝑖𝑏 𝑅𝑏
=
𝑣𝑖 𝑟𝑖(𝑅𝑏 + ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍) + 𝑅𝑏 (ℎ𝑖𝑒 + ℎ𝑓𝑒 𝑍)

𝑖𝑏 𝑅𝑏
=
𝑣𝑖 𝑟𝑖𝑅𝑏 + 𝑟𝑖ℎ𝑖𝑒 + 𝑟𝑖ℎ𝑓𝑒 𝑍 + 𝑅𝑏 ℎ𝑖𝑒 + 𝑅𝑏 ℎ𝑓𝑒 𝑍

𝑖𝑏 𝑅𝑏
=
𝑣𝑖 ℎ𝑖𝑒 (𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 ) + 𝑟𝑖𝑅𝑏 + ℎ𝑓𝑒 𝑍(𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 )

𝑖𝑏 𝑅𝑏
=
𝑣𝑖 (𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 )(ℎ𝑓𝑒 𝑍 + 𝑅𝑏 ∥ 𝑟𝑖 + ℎ𝑖𝑒 )

𝑖𝑏 𝑅𝑏
=
𝑣𝑖 ℎ (𝑟𝑖 + 𝑅 ) (𝑍 + 𝑅𝑏 ∥ 𝑟𝑖 + ℎ )
𝑓𝑒 𝑏 ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏

Sustituyendo el valor 𝑍

𝑖𝑏 𝑅𝑏
=
𝑣𝑖 ℎ (𝑟𝑖 + 𝑅 ) ( 𝑅𝐸
𝑓𝑒 𝑏 + 𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
𝑠𝐶𝑒 𝑅𝐸 + 1

Siendo

𝑟𝑖 ∥ 𝑅𝑏
𝑅́ =
ℎ𝑓𝑒

𝑖𝑏 𝑅𝑏 (𝑠𝐶𝑒 𝑅𝐸 + 1)
=
𝑣𝑖 ℎ𝑓𝑒 (𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 )[𝑅𝐸 + (𝑠𝐶𝑒 𝑅𝐸 + 1)(𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )]

𝑖𝑏 𝑅𝑏 (𝑠𝐶𝑒 𝑅𝐸 + 1)
=
𝑣𝑖 𝑅𝐸 (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
ℎ𝑓𝑒 (𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 )[𝑅𝐸 + (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )] [𝑠𝐶𝑒 + 1]
(𝑅𝐸 + (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )

1
𝑖𝑏 𝑅𝑏 (𝑠 + )
𝐶𝑒 𝑅𝐸
=
𝑣𝑖
1
ℎ𝑓𝑒 (𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 )[𝑅𝐸 + (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )] 𝑠 +
𝑅𝐸 (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
𝐶𝑒
[ (𝑅𝐸 + (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )]

Analizando la malla de salida:

𝑣𝑜 = −ℎ𝑓𝑒 𝑖𝑏𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐿
𝑣𝑜
= −ℎ𝑓𝑒 𝑅𝑐 ∥ 𝑅𝐿
𝑖𝑏
Haciendo el producto de las ecuaciones de entrada y salida
1
𝑖𝑏 𝑣𝑜 𝑅𝑏 (𝑠 + )
𝐶𝑒 𝑅𝐸
𝐴𝑣 (𝑠) = ∙ = −𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝑐 ∙ ∙
𝑣𝑖 𝑖𝑏 (𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 )(𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
1
𝑠+
𝑅𝐸 (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
𝐶𝑒
( 𝑅𝐸 + 𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 15

Se puede observar que el efecto del capacitor de desacoplamiento de emisor no solo produce un polo, sino
también genera un cero. Al igual que en los casos anteriores la resistencia equivalente asociada al capacitor en la
generación del polo es la resistencia equivalente “vista” a bornes del capacitor.

Es importante destacar que existe una relación en la separación polo-cero, esto es:
1
𝑅𝐸 (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 )
𝐶𝑒
𝜔𝑝 𝑅𝐸 + 𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 𝐶𝑒 𝑅𝐸 𝑅𝐸 + 𝑅́ + ℎ𝑖𝑏
= = =
𝜔𝑐 1 𝑅𝐸 (𝑅́ + ℎ𝑖𝑏 ) 𝑅́ + ℎ𝑖𝑏
𝐶𝑒 𝑅𝐸 𝐶𝑒 ́
𝑅𝐸 + 𝑅 + ℎ𝑖𝑏

Si definimos

𝑅𝑒
𝐾𝑒 =
𝑅́ + ℎ𝑖𝑏

Reemplazando este valor, la ganancia toma la siguiente forma:

(𝑠 + 𝜔𝑐 )
𝐴𝑣 (𝑠) = 𝐴𝑣0 ∙
𝑠 + (𝐾𝑒 + 1)𝜔𝑐

Entonces las asíntotas de baja y alta frecuencia son:

lim 𝐴𝑣 (𝑠) = 𝐴𝑣0

𝑠→0

lim 𝐴𝑣 (𝑠) = 𝐴𝑣0 (𝐾𝑒 + 1) = 𝐴𝑣𝑚

𝑠→∞

Figura n° 5.17: Diagrama asintótico de Bode del módulo de la ganancia.

El gráfico anterior nos permite elaborar una serie de conclusiones, por ejemplo, la modificación del capacitor de
emisor solo produce un desplazamiento en el eje de frecuencias, pero no altera la separación polo-cero. Si la
separación polo- cero no es lo suficientemente amplia (menos de 2 octavas) puede que no exista la frecuencia de
corte de 3 dB debido a la cancelación parcial entre el polo y el cero.

5.4.4 Efecto combinado de los capacitores de acoplamiento y desacoplamiento

En la mayoría de las aplicaciones están presentes todas las capacidades C 1, C2 y Ce y el análisis se hace más
complicado, es decir, se hace difícil obtener información a menos que se introduzcan algunas simplificaciones.
16 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

En estos casos es puede obtener una valor aproximado de la frecuencia de corte de baja frecuencia con el método
del cortocircuito. El método consiste en determinar la constante de tiempo asociada a cada capacitor suponiendo
que los demás son cortocircuitos, luego la respuesta del amplificador es igual a la suma de los aportes individuales
de cada capacitor, esto es:
𝑛
1
𝜔𝐿 = ∑
𝐶𝑘 𝑅𝑒𝑞𝐾
𝑘=1

Entonces, para un amplificador en emisor común como el mostrado en la figura 5.16, y teniendo en cuenta lo
expuesto anteriormente, el circuito equivalente para el capacitor C1 queda:

Figura n° 5.18 (a): Circuito equivalente C1

En donde:

𝑅𝑒𝑞1 = 𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 ∥ ℎ𝑖𝑒

1
𝜔𝑐1 =
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1

Para el Capacitor C2, el circuito equivalente es

Figura n° 5.18 (b): Circuito equivalente C2

Siendo la resistencia equivalente:

𝑅𝑒𝑞2 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐿

1
𝜔𝑐2 =
𝐶2 𝑅𝑒𝑞2

Por último, el circuito equivalente considerando solamente Ce:

 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 17

Figura n° 5.18 (c): Circuito equivalente Ce

En donde la resistencia equivalente es:

𝑟𝑖 ∥ 𝑅𝑏
𝑅𝑒𝑞𝑒 = 𝑅𝐸 ∥ (ℎ𝑖𝑏 + )
ℎ𝑓𝑒

1
𝜔𝑐𝑒 =
𝐶𝑒 𝑅𝑒𝑞𝑒

Entonces la frecuencia de inferior de corte es:

1 1 1
𝜔𝐿 = + +
𝐶1 𝑅𝑒𝑞1 𝐶2 𝑅𝑒𝑞2 𝐶𝑒 𝑅𝑒𝑞𝑒

Si la mayor del las frecuencias está lo suficientemente distanciada (10 veces o más) la frecuencia de corte se puede
aproximar a la mayor si cometer un error apreciable.

En la práctica se selecciona uno de los capacitores de forma tal que genere un polo dominante a la frecuencia de
corte de 3dB, y se calculan los demás para producir frecuencias menores (10 veces o más) de forma que la
influencia de estas sobre la respuesta final sea despreciable. Generalmente se selecciona, para generar la
frecuencia de corte, el capacitor que menor impedancia asociada posee, de esta forma la capacidad total resulta
ser menor.

El siguiente ejemplo servirá para aclarar lo anteriormente expuesto.

Ejemplo:

En este ejemplo calcularemos los capacitores C1, C2 y Ce de forma tal que la frecuencia inferior de corte sea 100Hz.

Vcc=10V

R2=9KΩ RC=2KΩ

C2

RL=2KΩ
ri=100Ω C1

vi

Ce
R1=1kΩ RE=300Ω

El primer paso consiste en localizar el punto de polarización (Q), para ello:

𝑉𝑐𝑐 ∙ 𝑅1
𝑉𝐵𝐵 = = 1𝑉
𝑅1 + 𝑅2

𝑅𝑏 = 𝑅1 ∥ 𝑅2 ≅ 900Ω
18 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶𝑄 = ≅ 1𝑚𝐴
𝑅𝑏
𝑅𝐸 +
𝛽

𝑣𝑡
ℎ𝑖𝑒 = ℎ𝑓𝑒 = 5𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄

Una vez determinado el punto de polarización calculamos la ganancia en la banda de paso, para ello dibujamos el
circuito equivalente en esta zona.

ic
ri

hfe ib
vi ib h
ie
Rb RC RL Vo

𝑅𝑏
𝐴𝑣 = −ℎ𝑓𝑒 ∙ 𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐶 ∙ ≅ −35.4 ≅ 31𝑑𝐵
(𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 ∥ ℎ𝑖𝑒 )(𝑅𝑏 + ℎ𝑖𝑒 )

Utilizando el concepto de polo dominante y capacidad mínima se tiene que cumplir que:

1
𝜔𝑙 =
𝑅𝑒𝑞 𝐶𝑒

𝑟𝑖 ∥ 𝑅𝑏
𝑅𝑒𝑞 = 𝑅𝑒 ∥ (ℎ𝑖𝑏 + ) = 23Ω
ℎ𝑓𝑒

1
𝜔𝑙 = 2𝜋𝑓 =
𝑅𝑒𝑞 𝐶𝑒

1
𝐶𝑒 = ≅ 69𝜇𝐹
2𝜋𝑓𝑅𝑒

La frecuencia generada por el capacitor de emisor es entonces:

1
𝑓𝑐𝑒𝑟𝑜 = = 7.7𝐻𝑧
𝑅𝑒 𝐶𝑒 2𝜋

Se puede observar que la frecuencia generada por el cero está más de una década por debajo de la frecuencia del
polo.

Para calcular los capacitores C1 y C2 vamos a suponer que las frecuencias de estos coinciden con la del cero, esto
es:

𝜔𝑐1 = 𝜔𝑐2 = 𝜔𝑐𝑒𝑟𝑜

La resistencia equivalente a bornes de capacitor C1 es

𝑅𝑒𝑞1 = 𝑟𝑖 + 𝑅𝑏 ∥ ℎ𝑖𝑒 ≅ 862Ω

1 1
𝐶1 = = ≅ 24𝜇𝐹
𝜔𝑐𝑒𝑟𝑜 𝑅𝑒𝑞1 2𝜋𝑓𝑐𝑒𝑟𝑜 𝑅𝑒𝑞1

La resistencia equivalente vista a bornes del capacitor C2 es

𝑅𝑒𝑞2 = 𝑅𝑐 + 𝑅𝐿 = 4𝐾Ω
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 19

𝐶2 = 5.16𝜇𝐹

Entonces la función de transferencia queda:

𝑠2
𝐴𝑣 = −35.4
(𝑠 + 49)(𝑠 + 628)

Cuyos diagramas asintóticos de Bode son.

Realizando la comprobación en Matlab.

20 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

5.5 Respuesta en Alta Frecuencia

Hemos visto que el comportamiento en baja frecuencia de un amplificador con transistores está regido por los
condensadores externos que se utilizan para acoplar la señal de entrada y desacoplar el emisor. El límite superior
de la respuesta en frecuencia del amplificador está limitado por las capacidades internas del transistor.

Consideremos un transistor pnp, la unión colector-base aparece como un diodo inversamente polarizado. Cuando
el colector está polarizado negativamente con respecto a la base, los huecos de la región de colector se mueven en
la región de colector y los electrones de la base se mueven en la región de base. Los electrones de la base se
separan de la unión base-colector y los huecos del colector también se separan de ella, formándose así una región
de empobrecimiento. La longitud efectiva 𝑙 de la región de empobrecimiento se hace cada vez más grande cuando
aumenta la tensión inversa. Como los electrones y los huecos se han separado de la unión, la región de
empobrecimiento de base llega a cargarse positivamente y la región de empobrecimiento de colector se carga
negativamente. Por lo tanto la unión se comporta como un condensador cuya capacidad varía teóricamente en
razón inversa a VCB. Esta capacidad es más bien pequeña y está comprendida entre unos 30pF para los transistores
de baja potencia hasta capacidades memores a 1pF para transistores de alta frecuencia.

Existe además una capacidad de difusión en la unión base-emisor. Esta capacidad es el resultado del retardo de
tiempo que ocurre cuando un hueco se mueve desde el emisor hasta el colector por difusión a través de la base.
Consideremos un hueco que se mueve a través de la base a causa de una señal 𝑣𝑖 . Antes de que el hueco cruce la
región de base, si se invierte la polaridad de la tensión, el hueco tenderá a volver al emisor y el colector no
registrará este cambio de la corriente. Es así que el tiempo necesario para cruzar la base debe ser menor que el
período de la señal de entrada ya que de no serlo cuando se incremente la frecuencia de la señal de entrada la
corriente de colector disminuirá a causa de que son atrapadas algunas cargas en la base. Puesto que la corriente
disminuye a medida que se incrementa la frecuencia, los efectos son los mismos que produciría un condensador
localizado entre base y emisor 𝐶𝑏𝑒́ . Esta capacidad depende del número de cargas existentes en la región y
aumenta casi linealmente con la corriente estática de emisor 𝐼𝐸𝑄 . Los valores típicos de 𝐶𝑏𝑒́ están comprendidos
entre 50 y 5000 pF.

4.5.1 Circuito híbrido π equivalente

El modelo de transistor más utilizado hasta algunos Mhz, es el llamado híbrido π. Este circuito representa un
refinamiento del circuito equivalente híbrido estudiado anteriormente.

Cb´c

rbb´ B´
B C
rb´c

ib´ rb´e Cb´e hfe ib´ Cce 1

hoe

Figura n° 5.18: Modelo híbrido π de un transistor en emisor común.

En este circuito, el símbolo B´ representa la unión de base y B representa el terminal de base. Entre estos dos se
encuentra la resistencia de base rbb´, que usualmente se considera constante y en el orden de 10 a 50Ω. Esta
resistencia es proporcional al ancho de la base. Los transistores de alta frecuencia tienen anchos de base más
pequeños y por lo tanto una resistencia rbb´ más pequeña que los transistores de baja frecuencia. La resistencia rb´e
es la resistencia de la unión base-emisor y habitualmente es mucho mayor que rbb´ .La resistencia rb´c puede ser
omitida ya que su valor suele ser mayor a los 10MΩ. Una simplificación similar se puede realizar con el capacitor
Cce ya que el valor de este suele ser del orden del pF.
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 21

Entonces en base a las simplificaciones comentadas el circuito híbrido π puede aproximarse por el siguiente
circuito equivalente:

rbb´ B´ Cb´c
B C

ib´ rb´e Cb´e hfe ib´ 1

hoe

E E

Figura n° 5.19: Equivalente π simplificado.

Debido a que el modelo lineal equivalente ha sido modificado con respecto al utilizado en baja frecuencia,
fundamentalmente por el agregado de las capacidades parásitas, reevaluaremos los parámetros impedancia de
entrada y ganancia directa de corriente, en configuración emisor común. Recordando que ambos parámetros se
miden con la salida en cortocircuito la figura n° 5.19 queda de la siguiente forma:

rbb´ B´ Cb´c
B C

ib´ 1
rb´e Cb´e hfe ib´
hoe

E E

𝑣𝑏𝑒 𝑄 𝑟𝑏´𝑒
ℎ𝑖𝑒 (𝑠) = | = 𝑟𝑏´𝑏 +
𝑖𝑏 𝑣𝑐𝑒=0 1 + 𝑠 ∙ 𝑟𝑏´𝑒 (𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 )

Analizando la expresión anterior se puede observar que para:

1
𝜔≪
𝑟𝑏´𝑒 (𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 )

25𝑚𝑉
ℎ𝑖𝑒 ≈ 𝑟𝑏´𝑏 + 𝑟𝑏´𝑒 ≈ 𝑟𝑏´𝑏 + ℎ𝑓𝑒
𝐼𝐸𝑄

Y como generalmente 𝑟𝑏´𝑏 < 𝑟𝑏´𝑒

ℎ𝑖𝑒 ≈ 𝑟𝑏´𝑒

Para el cálculo de la ganancia directa se tiene que

𝑖𝑐 𝑄 ℎ𝑓𝑒
ℎ𝑓𝑒 (𝑠) = | =−
𝑖𝑏 𝑣 𝑠 ∙ 𝑟𝑏´𝑒 (𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 ) + 1
𝑐𝑒 =0

Se puede observar que la ganancia directa de corriente tiene un polo a una frecuencia

1
𝜔𝛽 =
𝑟𝑏´𝑒 (𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 )

Entonces la ganancia directa puede ser expresada como

ℎ𝑓𝑒
ℎ𝑓𝑒 (𝑠) = − 𝑠
+1
𝜔𝛽
22 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

El límite superior de frecuencia de un transistor se define a veces en término de la frecuencia en la cual la ganancia
de corriente directa en emisor común es la unidad, entonces:

|ℎ𝑓𝑒 (𝑠)| = 1
2
𝜔𝑇
( ) + 1 = ℎ𝑓𝑒 2
𝜔𝛽

𝜔 𝑇 = 𝜔𝛽 √ℎ𝑓𝑒 2 − 1

𝜔 𝑇 ≅ 𝜔𝛽 ∙ ℎ𝑓𝑒

A la ecuación anterior se la conoce como producto ganancia ancho de banda y representa el límite superior de
frecuencia a la que puede trabajar el transistor ya que a frecuencias superiores el transistor atenuaría.

La siguiente figura muestra una gráfica de Bode del módulo de la ganancia directa.

Figura n° 5.20: Módulo de la ganancia directa de corriente.

5.5.2 Comportamiento en alta frecuencia de un amplificador en emisor común

El amplificador en emisor común representa el tipo de amplificador generalmente más utilizado en alta frecuencia,
es por ello que centraremos el estudio en esta configuración.

La siguiente figura representa un amplificador en emisor común y su circuito equivalente de alta frecuencia. En
este circuito todos los condensadores de acoplamiento y desacoplamiento se suponen que son cortocircuitos para
las frecuencias de interés. Podemos suponer también que 𝑅𝐿 ≪ 𝑅𝐶 de forma que 𝑅𝐿 ∥ 𝑅𝐶 ≈ 𝑅𝐿 , que rb´b es
1
pequeña y que es mucho mayor que 𝑅𝐿 , con todo ello el circuito equivalente es:
ℎ𝑜𝑒
 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 23

Vcc

R2 RC
iL

C2

RL

C1

ii ri

Ce
R1 RE

Cb´c iL
ii ri Rb rb´e Cb´e gm  vb´e RL

Figura n° 5.21: Amplificador EC y circuito equivalente en alta frecuencia.

En base al circuito equivalente calcularemos la ganancia de corriente. El primer inconveniente que encontramos es
la realimentación negativa a través del capacitor C b´c. Esta realimentación dificulta en gran medida el análisis en
lápiz y papel, por lo que es necesario encontrar un circuito equivalente que sea más sencillo para el análisis.

Z1 I Z2
vbe vce iL
Cb´c

ii ri Rb rb´e Cb´e gm  vb´e RL

La impedancia Z1 es:
𝑣𝑏´𝑒
𝑍1 =
𝐼
Planteando la ecuación de la corriente 𝐼:

𝐼 = (𝑣𝑏´𝑒 − 𝑣𝑐𝑒 )𝑠𝐶𝑏´𝑐

La tensión colector emisor está determinada por:

𝑣𝑐𝑒 = −𝑔𝑚 ∙ 𝑣𝑏´𝑒 ∙ 𝑅𝐿

Sustituyendo el valor de la tensión colector emisor en la ecuación de la corriente:

𝐼 = (𝑣𝑏´𝑒 + 𝑔𝑚 ∙ 𝑣𝑏´𝑒 ∙ 𝑅𝐿 )𝑠𝐶𝑏´𝑐

𝐼 = 𝑣𝑏´𝑒 (1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 )𝑠𝐶𝑏 ´𝑐

Reemplazando el valor de la corriente en la ecuación de Z 1:

24 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

1
𝑍1 =
𝑠𝐶𝑏´𝑐 (1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 )

Es decir que la impedancia Z1 es equivalente a colocar un capacitor en paralelo cuya capacidad está dada por:

𝐶𝑀 = 𝐶𝑏´𝑐 (1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 )

Haciendo el mismo análisis para la impedancia Z2:

𝑣𝑐𝑒
𝑍2 =
𝐼
Nuevamente planteando la ecuación de la corriente:

−𝐼 = (𝑣𝑏´𝑒 − 𝑣𝑐𝑒 )𝑠𝐶𝑏´𝑐

𝑣𝑐𝑒
𝑣𝑏´𝑒 = −
𝑔𝑚𝑅𝐿

Sustituyendo:

1
𝐼 = 𝑣𝑐𝑒 (1 + ) 𝑠𝐶𝑏´𝑐
𝑔𝑚𝑅𝐿

Reemplazando este valor en la ecuación de la impedancia Z 2:

1
𝑍2 =
1
(1 + ) 𝑠𝐶𝑏´𝑐
𝑔𝑚𝑅𝐿

Es decir que la impedancia “vista” desde el colector es un capacitor cuya capacidad está determinada por:

1
𝐶𝑜 = (1 + )𝐶
𝑔𝑚𝑅𝐿 𝑏´𝑐

Entonces en base a estas simplificaciones el circuito equivalente queda como el siguiente:

vbe vce iL

ii ri Rb rb´e Cb´e CM
gm  vb´e Co RL

Figura n° 5.22: Circuito equivalente aproximado.

Los pasos que se siguieron para la deducción del circuito equivalente aproximado corresponden al teorema de
Miller.

El análisis del circuito equivalente aproximado es sencillo y similar a los realizados anteriormente, entonces para
calcular la ganancia de corriente:

𝑣𝑏´𝑒 𝑖𝐿
𝐴𝑖 (𝑠) = ∙
𝑖𝑖 𝑣𝑏´𝑒

Planteando las ecuaciones en la malla de entrada:

 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia 25

1
𝑖𝑖 ∙ 𝑅́ ∥ = 𝑣𝑏´𝑒
𝑠(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑀 )

Siendo:

𝑅́ = 𝑟𝑖 ∥ 𝑅𝑏 ∥ 𝑟𝑏´𝑒

Entonces desarrollando el paralelo en la ecuación y realizando el cociente se llega:

𝑣𝑏´𝑒 𝑅́
=
𝑖𝑖 ́
𝑠𝑅(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑀 ) + 1

Analizando ahora la malla de salida:

1 1
𝑖𝐿 = −𝑔𝑚 ∙ 𝑣𝑏´𝑒 (𝑅𝐿 ∥ )
𝑠𝐶𝑜 𝑅𝐿

𝑖𝐿 1
= −𝑔𝑚
𝑣𝑏´𝑒 𝑠𝑅𝐿 𝐶𝑜 + 1

Realizando el producto:

1 1
𝐴𝑖 (𝑠) = −𝑔𝑚 𝑅́ ∙
𝑠𝑅́(𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑀 ) + 1 𝑠𝑅𝐿 𝐶𝑜 + 1

Se puede ver que la ganancia tiene dos polos, el polo que determine la frecuencia de corte de 3 dB es el que
resulte menor, en este caso el polo que cumple con esta condición es:

1 1
𝜔𝐻1 = =
𝑅́ (𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑀 ) 𝑅́ (𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 (1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 ))

Ya que cuando la ganancia de tensión (𝑔𝑚𝑅𝐿 ) usualmente es mayor que la unidad y se verifica que:

1
𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑏´𝑐 (1 + 𝑔𝑚𝑅𝐿 ) ≫ (1 + )𝐶
𝑔𝑚𝑅𝐿 𝑏´𝑐

Es importante destacar que cuando aumente el producto (𝑔𝑚𝑅𝐿 ), aumenta la capacidad Miller (CM) y por ende
disminuye la frecuencia de corte 𝜔𝐻1 , dando como resultado un menor ancho de banda. Es obvio entonces el
compromiso entre ganancia de tensión y ancho de banda.

5.5.3 Efectos de la impedancia interna del generador de excitación

Las conclusiones anteriores no son independientes de la impedancia interna del generador de excitación y son
validas para una etapa de emisor común excitado con un generador de corriente (𝑟𝑖 ≫ 𝑅𝑏 ∥ 𝑟𝑏´𝑒 ).

Si en cambio lo hacemos con un generador de tensión las conclusiones son bastante diferentes, por ejemplo si
evaluamos la función de transferencia del amplificador de la figura n° 5.23

ri vb´e
iL

vi gm  vb´e Co RL
R´ Cb´e + CM Vo

Figura n° 5.23: Circuito equivalente aproximado excitado por generador de tensión.

𝑖𝐿 𝑣𝑏´𝑒 𝑖𝐿
𝐴(𝑠) = =
𝑣𝑖 𝑣𝑖 𝑣𝑏´𝑒
26 Capítulo 5: Respuesta en frecuencia

𝑅́
𝐴(𝑠) = −𝑔𝑚
(𝑅́ + 𝑟𝑖)(1 + 𝑠𝐶𝑜 𝑅𝐿 )(1 + 𝑠𝐶𝑖 (𝑅́ ∥ 𝑟𝑖))

En donde

𝑅́ = 𝑅𝑏 ∥ 𝑟𝑏´𝑒

𝐶𝑖 = 𝐶𝑏´𝑒 + 𝐶𝑀

Analizando la función de transferencia se puede observar que si

𝑟𝑖 → 0

Hace que la relación

𝑣𝑏´𝑒
→1
𝑣𝑖

Y que

1
𝜔= →∞
𝐶𝑖 (𝑅́ ∥ 𝑟𝑖)

Resultando entonces que:

1
𝜔𝐻 = > 𝜔𝛽
𝐶𝑜 𝑅𝐿

Podemos ver a través del análisis la gran influencia que tiene la impedancia de carga y del generador se señal en la
definición de la frecuencia superior de corte (𝜔𝐻 ) del amplificador. Pudiendo ser esta inferior o superior a la del
propio transistor (𝜔𝛽 ) según sea la combinación de aquellas variables.