Traducido del inglés al español - www.onlinedoctranslator.

com
CIRCUITOS ANALÓGICOS III

DISPOSITIVOS RF
EMPAREJAMIENTO DE IMPEDANCIA
 INTRODUCCIÓN

Lea el Apéndice 7.5 de El diseño de circuitos integrados de

radiofrecuencia CMOS de Thomas H. Lee, disponible en Moodle
 INTRODUCCIÓN

Fuente: https://www.microwaves101.com/encyclopedias/why-fifty-ohms
 FACTOR DE CALIDAD

El factor de calidad (Q) de indica qué tan cerca del ideal está un dispositivo
de almacenamiento de energía. Si un elemento reactivo (L o C) no disipa
energía, exhibe un valor infinito deQ. Si el elemento reactivo tiene una
resistencia parásita, el valor deQ esta reducido:
 TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA

Redes RC en serie y en paralelo:

 TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA

Igualando las impedancias equivalentes:

Resolviendo:

La solución implica:
 TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA

De parte real: En otras palabras:

Ambos factores de calidad deben ser iguales. Ahora, aislandoRC y reemplazando

PÁGINAS

en parte imaginaria:

Resolviendo para R : Resolviendo para C :

PAGS PAGS
 TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA

Suma

La conversión de serie a paralelo aumenta el valor de la resistencia y reduce

el valor del condensador.
 TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA

Serie a

Repita el proceso igualando las dos impedancias

equivalentes.
 TRANSFORMACIÓN DE IMPEDANCIA

Tu ca

La conversión de serie a paralelo aumenta el valor de la resistencia y

aumenta el valor del inductor.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Objetivo: Transformar una resistencia de carga R a un valor más bajo.

L

La transformación en paralelo a serie utilizando elementos reactivos

puede llevar a reducir la R valor.
L
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Objetivo: Transformar una resistencia de carga R a un valor más bajo.

L

La conversión de PS reduce
L
R L está en resonancia en serie con
1
valor y aumenta1C valor: C:
1S
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Objetivo: Transformar una resistencia de carga R a un valor más bajo.

L

La conversión de PS reduce
L
R C está en resonancia en serie conL
1
valor y reduce 1L valor: :
1S
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Dos posibles opciones para reducir el valor de R : L

Red de coincidencia de paso bajo Red de coincidencia de paso alto

Para paso alto, C en serie elimina el componente de CC.

1
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Ejemplo: Diseñe la red de adaptación de impedancia de paso bajo de la figura

para transformar una resistencia de carga de 50 Ω a un valor de 2,5 Ω a una
frecuencia de 1,45 GHz.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Ejercicio: Diseñe una red de adaptación de impedancia de paso bajo para

transformar una resistencia de carga de 100 Ω a un valor de 3,3 kΩ a una
frecuencia de 1,6 GHz, si el inductor utilizado para esta red tiene un factor de
calidad propio de Q = 10. Indiana
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

L Red a juego: Se utiliza para reducir o aumentar el valor de R . L

 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

L Red a juego: Se utiliza para reducir o aumentar el valor de R . L

ZENy / o Z L
no son puros
resistador.
TRABAJOS

formar una carga

0 Ω a 850 MHz.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Pi Matching Network: Pueden verse como dos redes de emparejamiento L,

dividiendo el inductor en dos partes (no necesariamente iguales).

R : Resistencia intermedia. Puede tomarse arbitrariamente, a menos que sea necesario

EN T
para obtener un ancho de banda deseado.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Pi Matching Network:

Conversión de dos pasos:

 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Pi Matching Network:

Conversión de dos pasos:

 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Pi Matching Network:

El factor de calidad total: El ancho de banda:

 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Ejemplo: Calcule los valores de L, C1 y C 2

para transformar R = 5 kΩ
L
a R =EN100 Ω a una frecuencia de 750 MHz. AsumirR EN T
arbitrariamente.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

T Red de correspondencia: Pueden verse como dos redes de emparejamiento L,

dividiendo el capacitor en dos partes (no necesariamente iguales).

R : Resistencia intermedia. Puede tomarse arbitrariamente, a menos que sea necesario

EN T
para obtener un ancho de banda deseado.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

T Red de correspondencia: Pueden verse como dos redes de emparejamiento L,

dividiendo el capacitor en dos partes (no necesariamente iguales).
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Ejercicio: Diseñe una red de emparejamiento de T para transformar un R = 10 Ω

L
hastaR = 200 Ω a una frecuencia de 2,1 GHz.
EN
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Redes aprovechadas: Puede representarse como una red Pi

asimétrica.
 REDES DE COINCIDENCIA DE IMPEDANCIA

Ejercicio: Diseñe una red de condensadores con tomas para transformar una resistencia
de 4500 Ω en una de 50 Ω a una frecuencia de 0,9 GHz.
 FUENTE Y CARGA COMPLEJAS

No en todas las situaciones vamos a tratar con terminaciones resistivas

puras. La fuente y la carga pueden complicar las impedancias.
 FUENTE Y CARGA COMPLEJAS
Existen dos formas posibles de diseñar una red coincidente utilizando
impedancias complejas en las terminaciones:
• Absorbe los elementos reactivos de Z EN
y Z en la Lred correspondiente.
Primero, ignore los elementos y realice la comparación como antes.
Forma parte de la red de partidos y muévete aZ EN
yZ. L
 FUENTE Y CARGA COMPLEJAS
Existen dos formas posibles de diseñar una red coincidente utilizando
impedancias complejas en las terminaciones:
• Agregue elementos reactivos que resonarán con los componentes
reactivos de Z EN
y Z , cancelarlos.
L
Inconveniente: agregar más
componentes.
CARTA DE SMITH
 INTRODUCCIÓN

En RF necesitamos desarrollar
técnicas para transformar una
impedancia arbitraria en la
elección de impedancia, para
una óptima energía transferir,
prevención de indeseado
Radiación y buen comportamiento
acústico.
 CARTA DE SMITH

Coeficiente de reflexión (Γ)

utilizado para determinar qué tan
bien coinciden dos impedancias.
Está relacionado con la relación de
potencia transmitida y potencia
reflejada de la carga. Lote deΓ
es la base del gráfico de Smith.
 CARTA DE SMITH

Tabla de Smith de impedancia y admisión

 CARTA DE SMITH

http://certifytech.tripod.com/references/electronic/electronics/impedance.html
CARTA DE SMITH
CARTA DE SMITH

Se puede agregar inductancia o

capacitancia en serie o en paralelo al
circuito para proporcionar una
transformación de impedancia.
● Serie: mueve Z a lo largo de un
círculo de resistencia constante
● Paralelo: Mueva Y a lo largo de un
círculo de conductancia constante.
 CARTA DE SMITH

https://www.fritz.dellsperger.net/smith.html
 CARTA DE SMITH

Incluya la impedancia de carga (o

admitancia de carga) en cartesiano
modo seleccionando Teclado y elija
la frecuencia.
Ajustar la D
impe de referencia
Fuente Resistan

Cambiar la linea
grosor.
 CARTA DE SMITH

Ejemplo: Diseñe una red de adaptación de impedancia de paso bajo para

transformar 50 Ω en un valor de 2,5 Ω a una frecuencia de 1,45 GHz.
CARTA DE SMITH
 CARTA DE SMITH

Ejercicio: Verifique todas las redes coincidentes diseñadas en esta clase

utilizando el software Smith V4.1.
 LECTURAS ADICIONALES

● Chris Bowick, Diseño de circuito de RF. Capítulo 1 y Capítulo 4.

● Thomas H. Lee, El diseño de circuitos integrados de radiofrecuencia CMOS.
Capítulo 2 y Capítulo 4.
● Stephen Steams, Misterios de la carta de Smith, Disponible en:http://
www.fars.k6ya.org/docs/smith_chart.pdf.
● A. Kruger, Electrónica de radiofrecuencia, La Universidad de Iowa. Notas de lectura.
Disponible en linea:

http://s-iihr64.iihr.uiowa.edu/MyWeb/Teaching/ece_55195_2015/Index.php
¡Gracias!