El canal de un FET es 

dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El

drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del
MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos
por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre
el canal y la puerta:

 El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente

SiO2).
 El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
 El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con
un diodo Schottky.
 En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado
HFET (F
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del
MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos
por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre
el canal y la puerta:

 El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente

SiO2).
 El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
 El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con
un diodo Schottky.
 En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado
HFET (F
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del
MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos
por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre
el canal y la puerta:

 El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente

SiO2).
 El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
 El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con
un diodo Schottky.
 En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado
HFET (F
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El
drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso del
MOSFET de enriquecimiento, o dopados de manera similar al canal en el caso del
MOSFET de agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos
por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre
el canal y la puerta:
 El MOSFET (FET metal-óxido-semiconductor) usa un aislante (normalmente
SiO2).
 El JFET (FET de unión) usa una unión PN.
 El MESFET (FET metálico semiconductor) sustituye la unión PN del JFET con
un diodo Schottky.
 En el HEMT (transistor de alta movilidad de electrones), también denominado
HFET (F