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22/07/2020

UNIVERSIDAD DISTRITAL
FRANCISCO JOSE DE CALDAS

Ondas Electromagnéticas
Tema V
Por:
Carlos A. Suárez F.

UNIVERSIDAD DISTRITAL
FRANCISCO JOSE DE
Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de ondas electromagnéticas PI.

 1. Generalidades.
 2. Operador de D’Alembert (Concepto de Onda)
 3. Soluciones de ecuaciones de onda sin fuentes (Homogéneas).
 4. Estudio general de las ondas
 5. Ecuaciones de onda armónicas en medios sin pérdidas ni fuentes.
 6. Ecuaciones de onda armónicas en medios con pérdidas (disipativos)
y sin fuentes.
 7. Solución de las ecuaciones vectoriales homogéneas de Helmholtz
 8. Propagación de ondas en medios materiales
 9. Impedancia intrínseca del medio
 10. Tangente de pérdidas

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Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de Ondas Electromagnéticas PIII

 1. Potencia y el vector de Poynting.


 2. Velocidad de fase, de grupo y fenómeno de dispersión.
 3. Reflexión de una onda plana con incidencia normal.
 4. Reflexión de una onda plana con incidencia oblicua.
 5. Polarización de una onda

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Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Introducción FRANCISCO JOSE DE


CALDAS

Ondas electromagnéticas

Como se mostró en secciones anteriores, las ecuaciones


de Maxwell pueden ser desacopladas, con el
inconveniente que el orden de las mismas se incrementa,
de tal manera que cada uno de los campos desacoplados
son determinados por ecuaciones diferenciales parciales
desacopladas de segundo orden, las cuales son
usualmente denominadas como ecuaciones de onda. En
general se puede aseverar que las ondas son medios de
transporte de energía o información.

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Introducción FRANCISCO JOSE DE


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Ondas electromagnéticas

En el capítulo IV se dedujeron las ecuaciones


diferenciales para el caso de ondas propagándose en
medios sin fuentes con y sin pérdidas y particularmente
se dedujeron las expresiones relacionadas para el caso
de una onda que se propaga en un dieléctrico disipativo
(con pérdidas) y sin fuentes que cumple que: 𝐽⃗ = 0, 𝜌 = 0 ,
𝜎 ≠ 0 , 𝜀 = 𝜀 𝜀 y μ = 𝜇 𝜇 ; de lo cual resultaron las
expresiones para la constante de atenuación 𝛼, la
constante de fase 𝛽, la impedancia intrínseca del medio ɳ
y la tangente de pérdidas.

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Introducción FRANCISCO JOSE DE


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Propagación de ondas electromagnéticas


en diversos medios

Dentro de los objetivos de este capítulo se encuentra el


de resolver las ecuaciones de Maxwell y deducir el
movimiento de las ondas electromagnéticas en los
siguientes medios:

1) El vacío con características:   0,    0 ,   0


2) En dieléctricos sin pérdidas:   0,    r 0 ,   r 0 o,   
3) En buenos conductores:   ,    0 ,   r 0 , o   

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Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Constante de atenuación en dieléctricos sin pérdidas

Para el estudio de una onda plana que se propaga en un


dieléctrico sin pérdidas en el que 𝜎 ≪ 𝜔𝜀 se cumplen las
siguientes relaciones:

  0,    r 0 ,   r 0
Teniendo en cuenta que 𝜎 ≪ 𝜔𝜀 se tiene:
12
1  2  
   
     1    1  Np m
2
     

    0
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Constante de fase en dieléctricos sin pérdidas

De igual manera para la constante de fase 𝛽, como 𝜎 ≪ 𝜔𝜀


se cumple:
12
1  2  
   
     1    1  rad m
 2     


      

p     1  ,   2 
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Impedancia intrínseca en dieléctricos sin pérdidas

En cuanto a la impedancia intrínseca del medio ɳ , como


𝜎 ≪ 𝜔𝜀 se cumple:

 
    14
  
 1    2 
1  j      
 

j tan 2  0   0


e
De tal manera que los campos E y H poseen la misma fase
temporal.

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Parámetros en dieléctricos sin pérdidas en función de 𝝁𝟎 𝒚 𝜺𝟎

Como se anotó secciones anteriores, la permeabilidad y


permitividad de un material se puede expresar en
términos de los valores de éstas constantes en espacio
libre multiplicados por los valores relativos de los mismos
como a continuación se detalla:

   0 r
  0 r

c 1  0 0
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Parámetros en dieléctricos sin pérdidas en función de 𝝁𝟎 𝒚 𝜺𝟎


      0 0 r  r  r  r
c
Como se mostrará posteriormente, la constante de fase
en el vacío es dada como:

0   c

   0 r  r
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Parámetros en dieléctricos sin pérdidas en función de 𝝁𝟎 𝒚 𝜺𝟎

p     1 
1 c
 
0 0 r  r r  r

c
p 
r r

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Parámetros en dieléctricos sin pérdidas en función de 𝝁𝟎 𝒚 𝜺𝟎

2


   0 r  r

2 2
 
  0 r r

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Parámetros en dieléctricos sin pérdidas en función de 𝝁𝟎 𝒚 𝜺𝟎

2 2
 
  0 r  r

0   c

2 c c 0
  
 r r f r  r r  r

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Parámetros en dieléctricos sin pérdidas en función de 𝝁𝟎 𝒚 𝜺𝟎

En cuanto a la impedancia intrínseca del medio se tiene:

 
  14
  
1    2 
 

0 r 
      0 r
0 r r

  0
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Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

Los dieléctricos imperfectos se caracterizan por poseer


un conductividad tal que 𝜎 ≠ 0 pero que satisfacen que:
𝜎⁄𝜔𝜀 ≪ 1 . Recordando que 𝜎𝐸 define la densidad de
corriente de conducción y que 𝜔𝜀𝐸 es la densidad de
corriente de desplazamiento, se observa que ésta
condición es equivalente a afirmar que la magnitud de la
densidad de corriente de conducción es pequeña en
comparación con la magnitud de la densidad de corriente
de desplazamiento.

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

Usando la expansión binomial dada en (1) es posible


reescribir la constante de propagación 𝛾 como se detalla:

n  n  1
1  x 
n
 1  nx  x 2  ... (1)
2!

 j   j   j  j 1  j  

  j  1  j   
12

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

  j  1  j   
12

  j  1  j   
12

   2   2 
 1  2 2   j   1  2 2  (2)
2   8    8  

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

De (2) se deduce que los parámetros asociados poseen los


siguientes valores aproximados:

   2 
 1  2 2 
(3)
2   8  
 2 
    1  2 2  (4)
 8  
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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

 1  2 
p   1  2 2 
(5)
   8  

2  2 
1
  1  2 2  (6)
 f   8  

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

Por otra parte, en cuanto a la impedancia intrínseca se


tiene:

1 2
j j   
   1  j
  j j   

  3  3   
  1    j  (7)
   8  2 2  2 

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

En las ecuaciones aproximadas (2) - (7), han sido


considerados todos los términos hasta la segunda
potencia de 𝜎⁄𝜔𝜀 y se han despreciado todos los
términos de orden superior, ya que 𝜎⁄𝜔𝜀 ≪ 1.

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

Por ejemplo, para un valor de 𝜎⁄𝜔𝜀 = 0.1 , los valores de


los parámetros 𝛽, 𝑣 𝑦 𝜆 son diferentes a los valores
correspondientes al caso de un dieléctrico perfecto por
un factor de solo 1/800, mientras que la impedancia
intrínseca tiene una parte real que difiere de la
impedancia intrínseca del dieléctrico perfecto por un
factor de 3/800 y una parte imaginaria que es 1/20 de la
impedancia intrínseca del medio en un dieléctrico
perfecto. Por lo tanto, para todos los propósitos
prácticos, el único parámetro con una diferencia
significativa frente al caso de un dieléctrico perfecto es la
constante de atenuación 𝛼.

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Propagación de ondas en dieléctricos imperfectos

Por lo tanto, para todos los propósitos prácticos, el único


parámetro con una diferencia significativa frente al caso
de un dieléctrico perfecto es la constante de atenuación
𝛼 , siendo pertinente hacer uso en estos casos de la
expresión (3) dada como:

   2 
 1  2 2 
2   8  

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Sustratos comerciales

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Laminate/Substrate Dielectric Constant Loss Tangent Dimensional Stability Temperature Range ( ºC)

PTFE unreinforced 2.10 0.0004 poor -27 to +260

PTFE glass woven web 2.17 0.0009 excellent -27 to +260

2.33 0.0015 excellent -27 to +260

2.45 0.0018 very good -27 to +260

2.55 0.0022 very good -27 to +260

PTFE glass random fibre 2.17 0.0009 fair -27 to +260

2.35 0.0015 fair -27 to +260

PTFE quartz reinforced 2.47 0.0006 excellent -27 to +260

Cross linked polystyrene/ woven quartz 2.65 0.0005 good -27 to +260
Cross linked poly styrene / ceramic powder filled 3 to 15 from 0.0005 to 0.0015 fair -27 to +110

Cross linked polystyrene / glass reinforced 2.62 0.001 good -27 to +110
Irradiated polyolefin 2.32 0.0005 poor -27 to +100

Irradiated polyolefin /glass reinforced 2.42 0.001 fair -27 to +100

Polyphenylene oxide (PPO) 2.55 0.00016 poor -27 to +193


Silicone resin ceramic powder filled 3 to 25 from 0.0005 fair to medium -27 to +268

Sapphire 9.0 0.0001 excellent -24 to +371

Alumina ceramic 9.7 to 10.3 0.0004 excellent to 1600 unclad

Glass bonded mica 7.5 0.0020 excellent -27 to +593 unclad


Hexcell (laminate) 1.17 to 1.40 at 1.4 GHz - excellent -27 to +260

Air with / rexolite standoffs fused quartz 3.78 0.001 excellent -

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Sustratos comerciales: TACONIC

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Sustratos comerciales: ROGERS

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Monopolo de banda ancha (UWB)

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Agrupación circular

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Agrupación plana

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Agrupación plana

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Permitividad relativa en algunos materiales dieléctricos

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Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Constante de atenuación en el vacío

Para el estudio de una onda plana que se propaga en el


vacío con 𝜎 = 0 se cumplen las siguientes relaciones:

  0,    0 ,   0
Dado que que 𝜎 = 0 se tiene:
12
1  2  
   
     1    1  Np m
 2     

 0  0
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Constante de fase en el vacío

De igual manera para la constante de fase 𝛽, como 𝜎 =


0 se cumple:

12
1  2  
   
     1    1  rad m
 2     


 0  0      0 0   c

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Velocidad de propagación en el vacío

p     1  0 0  c ,   2 

Donde 𝑐 ≅ 3 × 10 𝑚⁄𝑠 es la velocidad de la luz en el vacío.


Este hecho implica que las ondas electromagnéticas
viajan en el vacío a la velocidad de la luz, por tanto la luz
es una onda electromagnética.

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Impedancia intrínseca en el vacío

En cuanto a la impedancia intrínseca del medio ɳ , como


𝜎 = 0 se cumple:
 
 0    0  0
2 14
1     
 
0  0  0  120 (377)

tan 2  0   0
De tal manera que los campos E y H poseen la misma fase
temporal.
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Ondas planas en el vacío, campo E

La expresión para un campo 𝐸 que se propaga en la


dirección z, y con componente en 𝑎 se describe a
continuación:

E  z   E0e z e j  z aˆ x
 0

E  z   E0e j z aˆ x
E  z; t   E0 cos t   z  aˆ x

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Ondas planas en el vacío, campo H

La expresión respectiva para el campo 𝐻 que se propaga


en la dirección z, y con componente en 𝑎 es dada como:

H  z   H 0e j z aˆ y
E0
H  z; t   cos t   z  aˆ y
0

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Ondas planas en el vacío, campos E y H

Los diagramas de E y H para ondas planas en el vacío se


muestran en la Figura 1. Como se observa, la dirección
de propagación es 𝑎 = 𝑎 y los dos vectores E y H son
ortogonales en cada instante. En la Figura 1 se muestran
los diagramas E y H como funciones de z para los casos:
a) 𝑡 = 0 b) 𝑧 = 0 . Las flecas significan valores
instantáneos.

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CALDAS

Ondas planas en el vacío, campos E y H

Figura 1. Diagramas de E y H para los casos: a) 𝑡 = 0 b) 𝑧 = 0. Las flecas


significan valores instantáneos.

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Modos transverso electromagnéticos (TEM)

Los campos u ondas E y H son normales en cualquier


punto en la dirección de propagación de la onda 𝑎 , esto
significa que se sitúan en un plano transversal u
ortogonal a la dirección de propagación de la onda, sin
componentes de campo E o H en esta dirección, por esta
razón, este tipo de modo es llamado onda
electromagnética transversal (TEM).

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Ondas planas en el vacío FRANCISCO JOSE DE


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Modos transverso electromagnéticos (TEM)

Así mismo, E o H por separado son a su vez una onda


plana uniforme dado que las componentes de campo E y
H poseen la misma amplitud a lo largo de un plano con z
constante. La existencia de una onda plana uniforme es
imposible ya que se extiende al infinito representando
una energía infinita, sin embargo, estas representan las
ondas radiadas por una antena en la zona de campo
lejano; este análisis se desarrolla en sección posterior.
De igual manera, la dirección relativa en la que apunta el
campo eléctrico respecto a la tierra es la polarización de
la onda. En la Figura 1, la polarización de esta onda es en
x (lineal vertical).

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Método para determinar componentes de E o H dado


uno de los dos.

Para determinar la dirección del campo E o H con base


en uno de ellos y la dirección de propagación de la onda
se aplica la siguiente metodología:
En general si 𝑎 , 𝑎 𝑦 𝑎 son los vectores unitarios a lo
largo de los campos E, H y la dirección de propagación,
se cumple que:

aˆE  aˆH  aˆk


aˆk  aˆE  aˆH
aˆk  aˆH  aˆE
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Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Ondas planas en buenos conductores FRANCISCO JOSE DE


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Constante de atenuación en buenos conductores

En un conductor perfecto se cumple que 𝜎 ≫ 𝜔𝜀 de tal


manera que 𝜎⁄𝜔𝜀 → ∞, esto implica que:
12
1  2  
   
     1    1  Np m
2    
  

  ,   0,   r 0

   
       f 
2  2 2

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CALDAS

Constante de fase en buenos conductores

12
1  2  
  
      1     1  rad m
 2     


  ,   0,   r 0

   
       f 
2  2 2


        f 
2
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Impedancia intrínseca en buenos conductores

Respecto a la impedancia intrínseca del medio ɳ , como


𝜎 ≫ 𝜔𝜀 se asume que 𝜎⁄𝜔𝜀 → ∞, esto implica que:

       
     
1  j    1      2 14   
 


tan 2   2  90   45

De tal manera que los campos E y H poseen un desfase
temporal de 45°, es decir, E adelanta H en 45°.

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CALDAS

Impedancia intrínseca en buenos conductores- 2

Otra expresión igual para la impedancia intrínseca del


medio, aplicando el hecho que 𝜎 ≫ 𝜔𝜀 que es equivalente
a asumir que 𝜎⁄𝜔𝜀 ≫ 1 lo cual implica que:

j j
 
  j     j 

   1

j j 
   j
    j   

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CALDAS

Impedancia intrínseca en buenos conductores- 2

j j 
   j
    j   

   j
   j   e j 
2 12
12
 e 4

  

 j 4   1  j  
 e     1  j 
   2  2

  f
 1  j   1  j 
2 

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CALDAS

Impedancia intrínseca en buenos conductores- 2

Así mismo, de la expresión antes deducida se obtiene en


forma inmediata que:

 j
 e 4



 


 
4

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CALDAS

Velocidad de propagación y 𝝀 en buenos conductores

Respecto a la velocidad de propagación, como 𝜎 ≫ 𝜔𝜀, o


dicho de otra manera, 𝜎⁄𝜔𝜀 ≫ 1 se asume que 𝜎⁄𝜔𝜀 → ∞,
esto implica que:

p   
   f 

4 2 f 2 4 f
p   
 f   f  
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Velocidad de propagación y 𝝀 en buenos conductores

  2 

   f 

2 4 2 4
  
 f   f  f 

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Campos E en buenos conductores

La expresión para un campo 𝐸 que se propaga en la


dirección z, y con componente en 𝑎 se describe a
continuación:
E  z   E0e z e j  z aˆ x


  
2

E  z; t   E0 e z cos t   z  aˆ x (9)

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Campos H en buenos conductores

La expresión respectiva para el campo 𝐻 que se propaga


en la dirección z, y con componente en 𝑎 es:

H  z   H 0e z e j z aˆ y
H  z; t    E0   cos t   z  aˆ y

    e j 4


H  z; t   E0 
  e z cos t   z  45 aˆ y (10)

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Contenido del Capítulo CALDAS

Propagación de Ondas Electromagnéticas PII

 1. Introducción
 2. Ondas planas en dieléctricos sin pérdidas.
 3. Ondas planas en dieléctricos imperfectos.
 4. Ondas planas en el vacío.
 5. Ondas planas en buenos conductores
 6. Profundidad pelicular y resistencia AC

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Profundidad pelicular y resistencia AC FRANCISCO JOSE DE


CALDAS

Profundidad pelicular en conductores

De (9)-(10) se extrae que a medida que el campo E o H se


desplazan en un medio conductor perfecto, su amplitud
se atenúa por el factor 𝑒 como se aprecia en la Figura
2 (exagerada para buenos conductores, pero puede ser
considerable en medios parcialmente conductores), de
tal manera que la distancia 𝛿 a la cual la onda se atenúa
en un factor 𝑒 (cerca del 37%) se denomina la
profundidad pelicular o profundidad de penetración del
medio, es decir que es una medida del grado de
penetración de una onda electromagnética en el medio.

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Profundidad pelicular en conductores

Figura 2. Propagación de un campo E en un buen conductor

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CALDAS

Profundidad pelicular en conductores

La distancia 𝛿 a la cual la onda se atenúa en un factor 𝑒


(cerca del 37%) se denomina la profundidad pelicular o
profundidad de penetración del medio, esto es:

E0e   E0e 1

 1 

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CALDAS

Profundidad pelicular en buenos conductores

En el caso de buenos conductores, la profundidad


pelicular se determina como:
 1 


2

  1   1  f 
La profundidad pelicular es una medida del grado de
penetración de una onda EM en el medio. Esta ecuación
suele ser aplicada a cualquier medio material.

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CALDAS

Impedancia intrínseca en buenos conductores 2

La impedancia intrínseca del medio en términos de la


profundidad pelicular se determina como:

 j 4 
2
 e
 
2 j 4  2 j 4 2 j
 e  e  e 4

2 2 2  

2 2


e j 4 

 cos  4  jsen  4  
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Impedancia intrínseca en buenos conductores 2

2 2


e j 4 

 cos  4  jsen  4  

2 1 1
 1  j   1  j 
 2 

1 
 1  j   1  j 
 

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Resistencia superficial en buenos conductores

La parte real de la impedancia intrínseca de un buen


conductor se denomina la resistencia superficial o
pelicular 𝑅 expresada como:
1 
 1  j   1  j 
 
1  1 
Rs       
   2

1   f
Rs       
 2 2 
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Campo E en función de 𝜹 en buenos conductores

Por otra parte, el campo eléctrico para buenos


conductores puede ser expresado en términos de la
profundidad pelicular 𝛿 como:

E  z; t   E0e  z cos t   z  aˆ x

   1 
E  E0e z  cos t  z   aˆ x
Luego 𝛿 mide la disminución exponencial de la onda
durante su recorrido por el conductor.
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Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

La Tabla 1 muestra la profundidad pelicular 𝛿 en mm para


el cobre a diversas frecuencias.
2
 1     5.8 107 mhos / m,   0

2 2 1
  
 2 f 0  f 0
1 1
 
f  4 107  5.8 107 f 4 2  5.8

  66.085  mm  f  Hz 
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Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

La Tabla 1. Profundidad pelicular 𝛿 en mm para el cobre a


diversas frecuencias.

Frecuencia (Hz) 10 60 100 500 104 108 1010


Profundidad 20.8 8.6 6.6 2.99 0.66 6.6x10 -3 6.6x10-4
pelicular (mm)

De la Tabla 1. se extrae que 𝛿 decrece al aumentar f, así


que los campos E y H difícilmente pueden propagarse a
través de buenos conductores.

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CALDAS

Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

De las anteriores relaciones se extrae que E y H se


propagan con dificultad en la medida que la frecuencia
aumenta en el caso de buenos conductores. El fenómeno
por el cual la intensidad de campo en un conductor
decrece rápidamente es conocido como efecto pelicular.

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Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

Debido al efecto pelicular, los campos y las corrientes


asociadas son confinadas a una delgada capa (la piel) de
la superficie del conductor. De tal manera que para un
conductor de radio 𝒂, por ejemplo, a altas frecuencias se
puede asumir que toda la corriente fluye en un anillo
circular de espesor 𝛿 como se muestra en la Figura 3
(𝛿 ≪ 𝑎).

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Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

Figura 3. A altas frecuencias se puede asumir que toda la


corriente fluye en un anillo circular de espesor 𝛿 (𝛿 ≪ 𝑎).

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Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

El efecto pelicular, el cual adopta diferentes efectos en


problemas tales como la atenuación en guías de ondas, la
resistencia efectiva o en corriente alterna de líneas de
transmisión y en blindaje electromagnético, este es útil en
diferentes aplicaciones. Por ejemplo, debido a que la
plata posee una profundidad pelicular muy reducida, es
insignificante la diferencia en rendimiento entre un
componente de plata pura frente a uno de cobre con un
revestimiento de plata, se suele recurrir a esta estrategia
para reducir costos en los materiales de componentes de
guías de onda.

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Profundidad pelicular 𝜹 en función de f en el cobre

Por la misma razón, es usual utilizar conductores


tubulares huecos a cambio de conductores sólidos. Así
mismo, los aparatos eléctricos pueden ser protegidos
eficazmente contra ondas electromagnéticas mediante
cubiertas conductoras de algunas profundidades
peliculares de grosor.

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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

La resistencia DC para un conductor con una sección


transversal uniforme S de determina como:

Rdc  1  S
S   a2 Para un conductor cilíndrico de radio 𝒂

La resistencia superficial, pelicular o de penetración (Ω/m2), la cual


es la parte real de la impedancia intrínseca de un conductor se
determina como:

1  f
Rs  
 
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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

1  f
Rs  
 

Esta es la resistencia de una unidad de anchura y una


unidad de longitud del conductor, la cual equivale a la
resistencia en corriente directa de una unidad de
longitud de un conductor con área de sección transversal
1𝑥𝛿.

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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

Si se trata de un conductor de longitud 𝒍 y ancho 𝒘, la


resistencia en corriente alterna se calcula con base en la
resistencia DC y suponiendo un flujo uniforme de
corriente en el conductor de grosor 𝛿, es decir:

l Rsl
Rac  
 w w

En la ecuación anterior se tiene que: partiendo de 𝑅 = 𝑙 ⁄𝜎𝑆 donde


𝑆 ≅ 𝛿𝑤. Si se trata de un cable conductor de radio 𝒂, 𝑤 = 2𝜋𝑎.

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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

Esta resistencia de corriente alterna permite determinar


las pérdidas en los conductores en una antena, por
ejemplo si se trata de un dipolo media onda, la resistencia
AC es la mitad de la obtenida en la anterior ecuación, es
decir:

l 1 Rl l  f 0
Rac   s 
2  w 2 w 2 w 

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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

La relación entre la resistencia DC y la resistencia AC en


un conductor cilíndrico de radio 𝒂 se determina como:

Rac l  2 a a
 
Rdc l  a 2
2

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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

Puesto que 𝛿 ≪ 𝑎 a altas frecuencias, esto indica que 𝑅


es mucho mayor que 𝑅 . En general, la razón de
resistencia en corriente alterna a la resistencia en
corriente directa comienza en 1 en corriente directa y
muy bajas frecuencias y crece conforme aumenta la
frecuencia.

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Resistencia AC (𝑹𝑨𝑪) en un buen conductor

Así mismo, aun si la mayor parte de la corriente no está


distribuida uniformemente en un conductor de 5𝛿 de
grosor, la pérdida de potencia es la misma que si aquella
estuviera distribuida uniformemente en un grosor de 𝛿 y
cero. Esta es un razón mas por la cual 𝛿 se le denomine
profundidad pelicular.

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Conductividad en algunos materiales

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GRACIAS POR SU ATENCIÓN

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