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CRISTALOGRAFIA
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Proceso de Solidificación
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Proceso de Solidificación
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Proceso de Solidificación
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Proceso de Solidificación
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Celda Unitaria
Es la subdivisión de una red que sigue
conservando las características generales de
toda la red. Al apilar celdas unitarias se
puede construir toda la red.
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Materiales Amorfos
Materiales Cristalinos
Compuestos por átomos, moléculas o iones
organizados de una forma periódica en tres
dimensiones. Las posiciones ocupadas siguen una
ordenación que se repite para grandes distancias
atómicas (de largo alcance).
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Estructura Cristalina
Es la forma geométrica
como átomos, moléculas o
iones se encuentran
espacialmente ordenados.
(red + base)
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Estructura Cristalina
Átomos o iones: son representados como esferas de
diámetro fijo.
Red: Es una colección de puntos, llamados puntos de red,
ordenados en un patrón periódico de tal modo que los
alrededores de cada punto de la red son idénticos. Una
red puede ser uni, bi o tridimensional.
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Estructura Cristalina
• Parámetro de Red: La
geometría de la celda unitaria es
descrita en términos de seis
parámetros: La longitud de las
tres aristas del paralelepípedo
(a, b y c) y los tres ángulos entre
las aristas (α, βy γ).
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Numero Atómico
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Numero Atómico
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Numero Atómico
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Enlace Atómico
Los enlaces atómicos definen las propiedades mecánicas
y características físicas del material.
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Enlazamiento Atómico
Los enlaces atómicos definen las propiedades mecánicas
y características físicas del material.
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Enlace Metálico
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Enlace Covalente
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Enlace Iónico
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
a0=2r
4𝑟
a0=
3
4𝑟
a0=
2
FUNDAMENTOS DE CRISTALOGRAFIA
Propiedades de las Celdas
Factor de Empaquetamiento
B. Defectos de línea
C. Planares
D. Volumétricos
IMPERFECCIONES CRISTALINAS
Defectos Puntuales
Numero de Vacantes
Formula:
−𝑄
𝑁. 𝑉 = 𝑁 𝐾𝑇
Donde:
N.V=numero de vacantes (vacantes/𝑚3 )
N=Numero de átomos en la estructura (átomos/𝑚3 )
Q= energía de activación (eV)
K= constante de Boltzmann (eV/K)
T = temperatura en Kelvin
IMPERFECCIONES CRISTALINAS
Impurezas en Solido
a) Un Átomo es remplazado por otro A. diferente (sustitución)