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N D D

QUIMICA Y TECNOLOGIA DE LOS

MATERIALES

ENSAYO DE SEMICONDUCTORES
Nombre: Martha Rafael Angel
Grupo: II-2A MAT
Matricula: 542111136
Maestro: Ing. NOE AMARO
 SEMICONDUCTORES
INTRODUCCION

Los dispositivos electrónicos modernos están fabricados a partir de

semiconductores. Para comprender el funcionamiento de estos dispositivos cuando
se insertan en un circuito eléctrico, es necesario conocer el comportamiento de los
componentes desde un punto de vista físico. Por ello, en este tema se presentan
las propiedades y características fundamentales de este tipo de materiales. Si los
conductores son materiales que disponen de electrones libres y los aislantes
carecen de ellos, los semiconductores se encuentran en una situación intermedia:
a la temperatura de 0 K se comportan como aislantes, pero mediante una aportación
de energía puede modificarse esta situación, adquiriendo un comportamiento más
cercano al de los conductores. Los grandes avances de la humanidad han sido
posibles gracias a un material o a un conjunto de ellos. Para ejemplificar, citemos
algunos de los avances más espectaculares de los años recientes: los transistores,
el rayo láser o la fibra óptica.
¿QUE SON?

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como

aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los
elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la tabla
siguiente.

Electrones en
Elemento Grupo
la última capa

Cd II B 2 e-

Al, Ga, B, In III A 3 e-

Si, Ge IV A 4 e-

P, As, Sb VA 5 e-

Se, Te, (S) VI A 6 e-

El elemento semiconductor más usado es el silicio, aunque idéntico comportamiento

presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los
grupos VI y V respectivamente (AsGa, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). De un
tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear también el azufre. La característica
común a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuración
electrónica s²p².
TIPOS DE SEMICONDUCTORES:

1. Semiconductores intrínsecos :

Un cristal de silicio forma una estructura tetraédrica similar a la del carbono

mediante enlaces covalentes entre sus átomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente,
algunos electrones pueden, absorbiendo la energía necesaria, saltar a la banda de
conducción, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las
energías requeridas, a temperatura ambiente son de 1,12 y 0,67 eV para el silicio y
el germanio respectivamente.

Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones

pueden caer desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción,
a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno, se le
denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las
velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que
la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la
concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos
(cargas positivas), se cumple que:

Ni = n = p
Semiconductores intrínsecos

Siendo ni la concentración intrínseca del semiconductor, función exclusiva de la

temperatura. Si se somete el cristal a una diferencia de tensión, se producen dos
corrientes eléctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres de
la banda de conducción, y por otro, la debida al desplazamiento de los electrones
en la banda de valencia, que tenderán a saltar a los huecos próximos (2), originando
una corriente de huecos en la dirección contraria al campo eléctrico cuya velocidad
y magnitud es muy inferior a la de la banda de conducción.

2. Semiconductores extrínsecos :

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño

porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente,
las impurezas deberán formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente átomo de silicio.

✓ Semiconductor tipo N :

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de

dopado añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso negativas
o electrones).

Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más

débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de
agente dopante es también conocido como material donante ya que da
algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones

portadores en el material. Para ayudar a entender cómo se produce el
dopaje tipo n considérese el caso del silicio (Si). Los átomos del silicio
 tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla
periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la
red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá
cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra
da como resultado la formación de "electrones libres", el número de
electrones en el material supera ampliamente el número de huecos, en
ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son
los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco
electrones de valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados
átomos donadores. Nótese que cada electrón libre en el semiconductor
nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el material dopado
tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

✓ Semiconductor tipo P :

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de

dopado, añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder
aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos
o huecos).

Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más

débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente
dopante es también conocido como material aceptor y los átomos del
semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el

caso del silicio, un átomo trivalente (típicamente del grupo IIIA de la tabla
periódica) de los átomos vecinos se le une completando así sus cuatro
enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado
con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor
se mantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada
 hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la
posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un
electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga
positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los
huecos superan ampliamente la excitación térmica de los electrones. Así,
los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes
azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de
un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

PROPIEDADES:

Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder

modificar su resistividad de manera controlada entre márgenes muy amplios. La
razón primera de este comportamiento diferente reside en su estructura atómica,
básicamente en la distancia interatómica de sus átomos en la red así como el tipo
de enlace entre ellos. Así el enlace atómico depende del número de electrones de
valencia de los átomos formantes del enlace y de la electronegatividad de los
mismos.

Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son los que determinan
y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el carácter
conductivo o no de él. En un semiconductor formado por dos elementos químicos
diferentes (Arseniuro de Galio) la asimetría conlleva en general una cierta pérdida
de carácter covalente puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la
carga hacia uno u otro átomo. El parámetro que determina este desplazamiento es
la electronegatividad de los átomos constituyentes. Cuanto más diferente sea,
mayor será el desplazamiento y el enlace será más iónico que covalente.
La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque
puede visualizarse mediante superposición de estructuras más sencillas. La
estructura más común es la del diamante, común a los semiconductores Si y Ge, y
la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas cada
átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes con simetría
tetraédrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas únicas, es decir,
que sea monocristal. Dependiendo de cómo se obtengan éste puede presentarse
en forma de monocristal, policristal y amorfo. El comportamiento eléctrico de los
materiales semiconductores (resistividad y movilidad) así como su funcionamiento
depende de la estructura cristalina del material de base, siendo imprescindible la
forma monocristalina cuando se requiere la fabricación de circuitos integrados y
dispositivos electroópticos (láser, leds).

En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenómeno de las

colisiones de los portadores con otros portadores, núcleos, iones y vibraciones de
la red, disminuye la movilidad. Ello guarda relación con el parámetro de la
resistividad (o conductividad) definido como la facilidad para la conducción eléctrica,
depende intrínsecamente del material en cuestión y no de su geometría. Así pues
en los fenómenos de transporte en semiconductores y a diferencia de los metales,
la conducción se debe a dos tipos de portadores, huecos y electrones.

APLICACIONES:

Las aplicaciones de los semiconductores se dan en diodos, transistores y termisores

principalmente.

➢ Diodos:

Al unir un semiconductor N con otro P se produce un fenómeno de difusión de

cargas en la zona de contacto, que crea una barrera de potencial que impide a
los demás electrones de la zona N saturar los restantes huecos positivos de la
zona.
 Si unimos un generador como se indica en la figura los electrones libres de la
zona N son repelidos por el polo negativo y los huecos de la zona P por el polo
positivo, hacia la región de transición, que atraviesan. La corriente pasa. No
ocurriría esto si la conexión se hubiera hecho con la polaridad invertida. El
dispositivo es un “diodo semiconductor” y actúa como rectificador de corriente.

➢ Transistores:

Un transistor está constituido por dos zonas:

1.- Dos N separadas por una P (transistor NPN), esta disposición proporciona
al conjunto unas propiedades particulares, en especial amplificadoras.

2.- Dos P separadas por una N (transistor PNP), permiten actuar sobre la
intensidad de la corriente electrónica que pasa entre dos cristales
semiconductores del mismo tipo, por medio de un electrodo metálico aislado por
una delgada capa de óxido.

Un transmisor se emplea, sobre todo, como amplificador y también en

ordenadores, como interruptor rápido de la corriente.

➢ Termisores:

Se llama así a los semiconductores que son sensibles a los cambios de

temperatura, o mejor, a aquellos en que las variaciones tienen, frente a la
composición, un gran valor. Los materiales más usados son óxidos de Cobalto
(CoO), de Hierro (FeO), de Magnesio (MgO), Manganeso (MnO), Níquel (NiO)
y Titanio (TiO). Se utilizan en forma de bola, disco o varilla, indicando con esto
la forma en que se separa el material base del termisor. En el de bola se aplica
la mezcla de óxido en forma viscosa entre dos hilos paralelos de Platino con
una pequeña gotita, aproximadamente 1 mm. de diámetro y por y por cocción
queda sujeta a los hilos. Cuando se usan en forma de discos o varillas se
preparan por sintetizado.
 Sus aplicaciones son para medir la temperatura, medidas de vacío y en los
circuitos de comunicaciones como reguladores de tensión y limitadores de
volumen.

SEMICONDUCTORES ESTÁN EN TODAS LAS PARTES:

Los semiconductores ayudan a muchos productos funcionar:

o Auto/Anti-cerrar frenos
o Computadoras
o Satélites
o Juegos de video
o Teléfonos portátiles
o Máquinas de fax
o Teléfonos
o Estéreos
o Luces de tráfico (semáforos)
o Aparatos auditivos

La importancia que los semiconductores tienen en las tecnologías actuales,

microelectrónica, comunicaciones, comunicaciones ópticas y sensores, así como su
potencialidad en el futuro, hace que sea necesario mantener grupos de
investigación en estos temas. Se potenciará la investigación en materiales
directamente relacionado con el Sí que emitan suficiente radiación para ser utilizado
como fuente luminosa, así como en materiales de gap ancho para aplicaciones a
alta temperatura.