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Práctica 6
Estudio de las características del transistor BJT en Emisor común
Objetivo:
Verificar mediante simulación y experimentalmente las características
Preparación:
a.- Hacer el estudio teórico de las curvas características de entrada y
Práctica:
Monte el siguiente circuito:
RC
mA
100ohm
RB
µA Q1
100kohm
E2
E1
Figura 1
a.- Característica de salida Ic = f(VCE) / IB = Ctte
- Variando E1 fijar una corriente de base IB = 5 A.
IB = 5A
E2 (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IC (mA)
VCE (V)
IB = 15A
E2 (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IC (mA)
VCE (V)
IB = 40A
E2 (V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IC (mA)
VCE (V)
b.- Característica de Entrada IB = f(VBE) / VCE = Ctte
- Variando E2, fijar la tensión VCE = 2 V.
mantenga constante.
VCE = 2V
E1(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IB(A)
VBE (V)
VCE = 4V
E1(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IB(A)
VBE (V)
VCE = 6V
E1(V) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
IB(A)
VBE (V)
c.- Calcular el β para los siguientes puntos:
- IB = 15 A; VCE = 2 V.
- IB = 40 A; VCE = 6 V.
d.- Conclusiones.