TRANSISTOR INFOGRAFIA

01
TRANSISTOR BJT 2N2222 NPN
El transistor BJT 2N2222 es un dispositivo electrónico de tipo
NPN con encapsulado TO-92 de plástico con tres terminales.
Características:

• Alta corriente (máx. 800 mA)

• Baja tensión (máx. 40 V)
Aplicaciones

• Amplificación lineal y conmutación.

02
TRANSITOR MOSFET IRF9530N CANAL P
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la
conmutación y amplificación de señales

Características

• Fuente de drenaje estático en resistencia: RDS

(encendido) ≤ 0.2Ω
• Variaciones mínimas de lote a lote para un rendimiento
robusto del dispositivo y una operación confiable

03
TRANSISTOR DARLINGTON TIP 127 PNP

El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una

muy alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por
dos transistores bipolares comunes que se conectan es cascada

Características

• Voltaje sostenido del colector-emisor V=100v

• Tensión de saturación colector-emisor
V= 2.0v (Max) 𝐼𝐶 = 3.0 A
• Construcción monolítica con resistencia de derivación de
emisor de base incorporada

04
FOTOTRANSISTOR L-93DP3C
es un dispositivo semiconductor capaz de detectar los niveles de luz y
alterar la corriente que fluye entre el emisor y el colector según el nivel
de luz que recibe.

Características

• La tolerancia es ±0.25(0.01") a menos que se indique lo

contrario.
• El espacio entre cables se mide donde el cable emerge del
paquete.