SEC. 2.

1 CONDUCTORES Un átomo de cobre neutro sólo tiene un electrón en su orbital más

externo. Puesto que tiene un único electrón puede separarse fácilmente del átomo, y se le
denomina electrón libre. El cobre es buen conductor porque incluso la tensión más pequeña hace
que los electrones libres fluyan de un átomo al siguiente.

SEC. 2.2 SEMICONDUCTORES El silicio es el material semiconductor más ampliamente utilizado. Un

átomo aislado de silicio tiene cuatro electrones en su orbital de valencia, el más externo. El
número de electrones en el orbital de valencia es la clave de la conductividad. Los conductores
tienen un electrón de valencia, los semiconductores tienen cuatro electrones de valencia y los
aislantes tienen ocho electrones de valencia.

SEC. 2.3 CRISTALES DE SILICIO Cada átomo de silicio de un cristal tiene sus cuatro electrones de
valencia más otros cuatro electrones que comparte con los átomos vecinos. A temperatura
ambiente, un cristal de silicio puro sólo tiene unos pocos electrones libres y huecos generados por
la energía térmica. La cantidad de tiempo transcurrida entre la creación y la recombinación de un
electrón libre y un hueco se denomina tiempo de vida.

SEC. 2.4 SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Un semiconductor intrínseco es un semiconductor

puro, cuando se le aplica una tensión externa, los electrones libres fluyen hacia el terminal positivo
de la batería y los huecos hacia el terminal negativo de la batería.

SEC. 2.5 DOS TIPOS DE FLUJO En un semiconductor intrínseco existen dos tipos de flujo de
portadores: el flujo de los electrones libres a través de los orbitales más grandes (banda de
conducción) y el flujo de los huecos a través de los orbitales más pequeños (la banda de valencia).

SEC. 2.6 DOPAJE DE UN SEMICONDUCTOR Con el dopaje se aumenta la conductividad de un

semiconductor. Un semiconductor dopado se denomina semiconductor extrínseco. Cuando un
semiconductor intrínseco se dopa con átomos pentavalentes (donantes), tiene más electrones
libres que huecos. Cuando un semiconductor intrínseco se dopa con átomos trivalentes
(aceptores), tiene más huecos que electrones.

SEC. 2.7 DOS TIPOS DE SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS En un semiconductor de tipo n, los

electrones libres son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. En
un semiconductor de tipo p, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son
los portadores minoritarios

SEC. 2.8 EL DIODO NO POLARIZADO Un diodo no polarizado tiene una zona de deplexión en la
unión pn. Los iones de la zona de deplexión producen una barrera de potencial. A temperatura
ambiente, esta barrera de potencial es de aproximadamente 0,7 V para un diodo de silicio y de 0,3
V para un diodo de germanio

SEC. 2.9 POLARIZACIÓN DIRECTA Cuando una tensión externa se opone a la barrera de potencial,
el diodo se polariza en directa. Si la tensión aplicada es mayor que la barrera de potencial, la
corriente es grande. Es decir, la corriente fluye fácilmente en un diodo polarizado en directa

SEC. 2.10 POLARIZACIÓN INVERSA Cuando se añade una tensión externa a la barrera de potencial,
el diodo se polariza en inversa. Cuando la tensión inversa aumenta, la zona de deplexión se hace
más ancha. La corriente es aproximadamente cero
SEC. 2-11 DISRUPCIÓN Demasiada tensión inversa producirá bien el efecto de avalancha o el
efecto zener, en cuyo caso, una corriente de disrupción grande puede destruir el diodo. En
general, los diodos nunca operan en la región de disrupción. La única excepción es el diodo zener,
un diodo de propósito especial que se tratará en un capítulo posterior.

SEC. 2.12 NIVELES DE ENERGÍA Cuanto más grande es el orbital, mayor es el nivel de energía de un
electrón. Si una fuerza externa hace que el electrón pase a un nivel de energía mayor, éste emitirá
algún tipo de energía cuando caiga de nuevo en su orbital de origen.

SEC. 2.13 LA BARRERA DE ENERGÍA La barrera de potencial de un diodo es similar a una banda
prohibida. Los electrones que intentan atravesar la unión necesitan la suficiente energía como
para saltar esa barrera. Una fuente de tensión externa que polarice en directa al diodo da a los
electrones la energía necesaria para atravesar la zona de deplexión.

SEC. 2.14 BARRERA DE POTENCIAL Y TEMPERATURA Cuando la temperatura de la unión aumenta,

la zona de deplexión se hace más estrecha y la barrera de potencial disminuirá aproximadamente
2 mV por cada grado Celsius de incremento.

SEC. 2.15 DIODO POLARIZADO EN INVERSA En un diodo existen tres componentes de corriente
inversa: la corriente transitoria que se produce cuando la tensión inversa varía; la corriente de los
portadores minoritarios, también denominada corriente de saturación porque es independiente
de la tensión inversa. Y la tercera y última, la corriente superficial de fugas, que aumenta cuando
aumenta la tensión inversa.